RU2000102357A - Устройство для получения монокристалла (варианты), способ получения монокристалла (варианты) и монокристалл (варианты) - Google Patents
Устройство для получения монокристалла (варианты), способ получения монокристалла (варианты) и монокристалл (варианты)Info
- Publication number
- RU2000102357A RU2000102357A RU2000102357/12A RU2000102357A RU2000102357A RU 2000102357 A RU2000102357 A RU 2000102357A RU 2000102357/12 A RU2000102357/12 A RU 2000102357/12A RU 2000102357 A RU2000102357 A RU 2000102357A RU 2000102357 A RU2000102357 A RU 2000102357A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- raw material
- raw materials
- crucible
- melt
- powdered
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 75
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 21
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 17
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 16
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 16
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N Lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 1
- JNQQEOHHHGGZCY-UHFFFAOYSA-N lithium;oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [Li+].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5] JNQQEOHHHGGZCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (20)
1. Устройство для получения монокристалла, предназначенное для выращивания кристалла путем установки тигля для плавления сырья в электрической печи, выдерживания тигля при температуре не ниже точки плавления сырья и вытягивания вниз с одновременным вращением затравочного кристалла в положении, при котором верхняя концевая часть затравочного кристалла приводится в контакт с расплавом сырья, который вытекает из небольшого отверстия, проделанного в нижней части тигля, отличающееся тем, что оно содержит средства загрузки порошкообразного сырья, предназначенные для введения порошкообразного сырья сверху в тигель, и расположенную до зоны расплава пластину, предназначенную для получения порошкообразного сырья из этих средств загрузки порошкообразного сырья для его плавления и для последующего введения расплава в часть тигля, собирающую расплав.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что средства загрузки порошкообразного сырья содержат бункер порошкообразного сырья, предназначенный для получения порошкообразного сырья, средства введения осушенного воздуха, предназначенные для введения осушенного воздуха в порошкообразное сырье внутри этого бункера порошкообразного сырья, и средства переноса сырья, предназначенные для переноса порошкообразного сырья из этого бункера порошкообразного сырья на расположенную до зоны расплава пластину.
3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что расположенная до зоны расплава пластина вместе с тиглем установлены внутри электрической печи, а средства переноса сырья содержат транспортную трубу, у которой один конец присоединен к бункеру порошкообразного сырья, а другой конец вставлен в электрическую печь для переноса порошкообразного сырья на расположенную до зоны расплава пластину, и охлаждающие средства, предназначенные для охлаждения этой транспортной трубы снаружи.
4. Устройство для получения монокристалла, предназначенное для выращивания кристалла путем установки тигля для плавления сырья в электрическую печь, выдерживания тигля при температуре не ниже точки плавления сырья и вытягивания вниз с одновременным вращением затравочного кристалла в положении, при котором верхняя концевая часть затравочного кристалла приводится в контакт с расплавом сырья, который вытекает из небольшого отверстия, проделанного в нижней части тигля, отличающееся тем, что оно содержит камеру плавления сырья, предназначенную для плавления порошкообразного сырья с образованием расплава сырья, средства загрузки порошкообразного сырья, предназначенные для введения порошкообразного сырья в эту камеру плавления сырья, и средства введения расплава сырья, предназначенные для введения расплава сырья в тигель внутри камеры плавления сырья.
5. Устройство по п.4, отличающееся тем, что средства загрузки порошкообразного сырья содержат бункер порошкообразного сырья, предназначенный для получения порошкообразного сырья, средства введения осушенного воздуха, предназначенные для введения осушенного воздуха в порошкообразное сырье внутри этого бункера порошкообразного сырья, и средства переноса сырья, предназначенные для переноса порошкообразного сырья из этого бункера порошкообразного сырья в камеру плавления сырья.
6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что камера плавления сырья вместе с тиглем установлена внутрь электрической печи, а средства переноса сырья содержат транспортную трубу, у которой один конец присоединен к бункеру порошкообразного сырья, а другой конец вставлен в электрическую печь для переноса порошкообразного сырья в камеру плавления сырья, и охлаждающие средства, предназначенные для охлаждения этой транспортной трубы снаружи.
7. Устройство по п.6, отличающееся тем, что камера плавления сырья установлена над тиглем, а средства введения расплава сырья содержат направляющий компонент, предназначенный для переноса по его поверхности расплава сырья, который вытекает и течет вниз из небольшого отверстия, проделанного в нижней части камеры плавления сырья, с целью направления расплава в тигель.
8. Способ получения монокристалла, предназначенный для выращивания кристалла путем установки тигля для плавления сырья в электрическую печь, выдерживания тигля при температуре не ниже точки плавления сырья и вытягивания вниз с одновременным вращением затравочного кристалла в положении, при котором верхняя концевая часть затравочного кристалла приводится в контакт с расплавом сырья, вытекающего из небольшого отверстия в нижней части тигля, отличающийся тем, что рост кристалла осуществляют при непрерывной загрузке расплава сырья в тигель с целью выдерживания количества расплава сырья, вытекающего из небольшого отверстия в нижней части тигля, существенно постоянным путем установки пластины, расположенной до зоны расплава, внутри электрической печи внутри тигля или над ним, загрузки порошкообразного сырья в соответствующем количестве каждый раз из бункера порошкообразного сырья вне электрической печи на расположенную до зоны расплава пластину через транспортную трубу таким образом, чтобы расплавить порошкообразное сырье на расположенной до зоны расплава пластине, и введения расплава в часть тигля, собирающую расплав.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что порошкообразное сырье содержит смесь порошка лития (Li) и порошка ниобия (Nb), а компонентное отношение лития к общему количеству лития и ниобия в порошкообразном сырье составляет 48,5 - 50,0%.
10. Способ по п.8, отличающийся тем, что порошкообразное сырье содержит смесь порошка лития (Li) и порошка тантала (Та), а компонентное отношение лития к общему количеству лития и тантала в порошкообразном сырье составляет 48,5 - 50,0%.
11. Способ получения монокристалла, предназначенный для выращивания кристалла путем установки тигля для плавления сырья в электрическую печь, выдерживания тигля при температуре не ниже точки плавления сырья и вытягивания вниз с одновременным вращением затравочного кристалла в положении, при котором верхняя концевая часть затравочного кристалла приводится в контакт с расплавом сырья, который вытекает из небольшого отверстия, проделанного в нижней части тигля, отличающийся тем, что рост кристалла осуществляют при непрерывной загрузке расплава сырья в тигель с целью выдерживания количества расплава сырья, вытекающего из отверстия в нижней части тигля, существенно постоянным путем установки камеры плавления сырья над тиглем внутри электрической печи, загрузки порошкообразного сырья в соответствующем количестве каждый раз из бункера порошкообразного сырья вне электрической печи в камеру плавления сырья через транспортную трубу таким образом, чтобы расплавить порошкообразное сырье в камере плавления сырья, и последующего введения расплава в часть тигля, собирающую расплав.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что порошкообразное сырье содержит смесь порошка лития (Li) и порошка ниобия (Nb), а компонентное отношение лития к общему количеству лития и ниобия в порошкообразном сырье составляет 48,5 - 50,0%.
13. Способ по п.11, отличающийся тем, что порошкообразное сырье содержит смесь порошка лития (Li) и порошка тантала (Та), а компонентное отношение лития к общему количеству лития и тантала в порошкообразном сырье составляет 48,5 - 50,0%.
14. Монокристалл, отличающийся тем, что он имеет инконгруэнтный состав расплава, а его диаметр составляет 5 см или более.
15. Монокристалл по п.14, отличающийся тем, что он представляет собой монокристалл танталата лития (LiТаО3), а компонентное отношение лития к общему количеству содержащихся в нем лития и тантала составляет 48,5 - 50,0%.
16. Монокристалл по п.14, отличающийся тем, что разброс его точки Кюри составляет ±2oС или менее.
17. Монокристалл, отличающийся тем, что он представляет собой монокристалл ниобата лития, имеющий диаметр 3 см или более, а компонентное отношение лития к общему количеству содержащихся в нем лития и ниобия, составляет 48,5 - 50,0%.
18. Монокристалл по п.17, отличающийся тем, что он имеет диаметр 5 см или более.
19. Монокристалл по п.17 или 18, отличающийся тем, что разброс его точки Кюри составляет ±2o С или менее.
20. Монокристалл с инконгруэнтным составом расплава, полученный способом получения монокристалла по любому из пп.8-13, при этом диаметр монокристалла составляет 3 см или более.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10-166089 | 1998-05-29 | ||
JP16608998 | 1998-05-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2000102357A true RU2000102357A (ru) | 2001-12-10 |
RU2215070C2 RU2215070C2 (ru) | 2003-10-27 |
Family
ID=15824797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2000102357/12A RU2215070C2 (ru) | 1998-05-29 | 1999-05-28 | Устройство для получения монокристалла (варианты), способ получения монокристалла (варианты) и монокристалл (варианты) |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6402834B1 (ru) |
JP (1) | JP3527203B2 (ru) |
CN (1) | CN1224735C (ru) |
RU (1) | RU2215070C2 (ru) |
WO (1) | WO1999063132A1 (ru) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002072267A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-12 | National Institute For Materials Science | 光機能素子、該素子用単結晶基板、およびその使用方法 |
JP3797144B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2006-07-12 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
EP1293805A3 (en) * | 2001-09-14 | 2004-02-04 | Riken | Neutron scintillator |
US7591895B2 (en) | 2004-06-11 | 2009-09-22 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method and apparatus for producing crystals |
US8366735B2 (en) * | 2004-09-10 | 2013-02-05 | Penumbra, Inc. | System and method for treating ischemic stroke |
DE102006050901A1 (de) * | 2005-11-17 | 2007-05-31 | Solarworld Industries Deutschland Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers und zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
US9221709B2 (en) * | 2011-03-31 | 2015-12-29 | Raytheon Company | Apparatus for producing a vitreous inner layer on a fused silica body, and method of operating same |
DE102011007149A1 (de) * | 2011-04-11 | 2012-10-11 | Streicher Maschinenbau GmbH & Co. KG | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Material mit mono- oder multikristalliner Struktur |
DE112016000581B4 (de) * | 2015-02-03 | 2020-10-22 | Sumco Corporation | Verfahren zum Reinigen einer Einkristallziehvorrichtung, Reinigungswerkzeug zur Verwendung darin und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls |
US20160230307A1 (en) * | 2015-02-05 | 2016-08-11 | Solarworld Industries America Inc. | Apparatus and methods for producing silicon-ingots |
JP2017036160A (ja) * | 2015-08-06 | 2017-02-16 | 国立大学法人東北大学 | 結晶材料、結晶製造法、放射線検出器、非破壊検査装置、および撮像装置 |
CN105541308B (zh) * | 2016-01-23 | 2018-06-01 | 胡海波 | 一种高增透蓝宝石晶棒制造设备及制造工艺 |
CN106012033B (zh) * | 2016-06-21 | 2018-04-13 | 苏州晶特晶体科技有限公司 | 一种晶体生长的填料方法 |
CN110546314B (zh) * | 2018-03-29 | 2021-04-02 | 株式会社水晶系统 | 单晶制造装置 |
CN110546315B (zh) | 2018-03-29 | 2021-09-03 | 株式会社水晶系统 | 单晶制造装置 |
KR102081864B1 (ko) * | 2018-06-07 | 2020-02-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 제조 장비의 파우더 포집 장치 |
CN109234796A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-01-18 | 四川联合晶体新材料有限公司 | 一种导模法生长大尺寸蓝宝石单晶板材的系统及方法 |
CN109811411B (zh) * | 2019-03-26 | 2021-10-08 | 四川联合晶体新材料有限公司 | 一种同时生长两块大尺寸蓝宝石单晶板材的系统及方法 |
CN110195256A (zh) * | 2019-06-10 | 2019-09-03 | 苏州亚傲鑫企业管理咨询有限公司 | 单晶硅多次加料连续生长的装置和工艺 |
CN111501093A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-07 | 刘建军 | 一种用于拉制管状晶体的坩埚 |
CN111501091A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-07 | 刘建军 | 一种制备管状晶体材料的坩埚 |
CN111472043A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-07-31 | 刘建军 | 一种用于制备管状晶体材料的加热装置 |
CN111501092A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-07 | 刘建军 | 一种用于制备管状晶体材料的坩埚 |
CN113913918A (zh) * | 2021-10-12 | 2022-01-11 | 江西匀晶光电技术有限公司 | 一种适用坩埚下降法的晶体生长炉 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS604599B2 (ja) * | 1976-03-17 | 1985-02-05 | 株式会社東芝 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
FR2528454A1 (fr) * | 1982-06-11 | 1983-12-16 | Criceram | Creuset modifie pour la methode de cristallisation par goutte pendante |
US4710260A (en) * | 1982-12-22 | 1987-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Deposition of silicon at temperatures above its melting point |
US5037503A (en) * | 1988-05-31 | 1991-08-06 | Osaka Titanium Co., Ltd. | Method for growing silicon single crystal |
JPH04300281A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-23 | Daiso Co Ltd | 酸化物単結晶の製造方法 |
JPH04317493A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-09 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造装置 |
JPH06191996A (ja) * | 1991-11-20 | 1994-07-12 | Hitachi Metals Ltd | ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法および光素子 |
JPH05310500A (ja) * | 1992-05-08 | 1993-11-22 | Hitachi Metals Ltd | タンタル酸リチウム単結晶、その製造方法および光素子 |
JP3734860B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2006-01-11 | 日本碍子株式会社 | 酸化物単結晶の製造方法および装置 |
DE19607098C2 (de) * | 1996-02-24 | 1999-06-17 | Ald Vacuum Techn Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum gerichteten Erstarren einer Schmelze aus Silizium zu einem Block in einem bodenlosen metallischen Kaltwandtiegel |
-
1999
- 1999-05-28 CN CNB998008575A patent/CN1224735C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-28 JP JP2000552322A patent/JP3527203B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-28 US US09/485,049 patent/US6402834B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-28 RU RU2000102357/12A patent/RU2215070C2/ru active
- 1999-05-28 WO PCT/JP1999/002848 patent/WO1999063132A1/ja active Application Filing
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2000102357A (ru) | Устройство для получения монокристалла (варианты), способ получения монокристалла (варианты) и монокристалл (варианты) | |
RU2215070C2 (ru) | Устройство для получения монокристалла (варианты), способ получения монокристалла (варианты) и монокристалл (варианты) | |
US4330362A (en) | Device and process for pulling high-purity semiconductor rods from a melt | |
TWI554659B (zh) | SiC單晶的製造方法 | |
JP5273130B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
CA1155735A (en) | Method for making silicon rods | |
EP0315156B1 (en) | Apparatus for growing crystals | |
US4770704A (en) | Continuous method for manufacturing grain-oriented magnetostrictive bodies | |
JP5273131B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
US5009862A (en) | Apparatus and process for growing crystals of semiconductor materials | |
KR880001425B1 (ko) | 단결정의 제조방법 | |
EP0294758B1 (en) | Apparatus for growing crystals of semiconductor materials | |
US4652332A (en) | Method of synthesizing and growing copper-indium-diselenide (CuInSe2) crystals | |
Omino et al. | Bridgman growth of ZnSe crystals with a PBN crucible sealed in a molybdenum capsule | |
US11326270B2 (en) | Single-crystal production equipment and single-crystal production method | |
JP2005112718A5 (ru) | ||
CN109628993B (zh) | 制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅 | |
JP4817670B2 (ja) | 結晶成長装置 | |
KR100816764B1 (ko) | 반도체 다결정 화합물 합성장치 및 합성방법 | |
JP4075136B2 (ja) | 単結晶育成装置 | |
US3212858A (en) | Apparatus for producing crystalline semiconductor material | |
US6916371B2 (en) | Apparatus for growing stoichiometric lithium niobate and lithium tantalate single crystals and method of growing the same | |
JP2899692B1 (ja) | 結晶成長方法および装置 | |
JP2009007228A (ja) | 球状結晶の製造方法及び製造装置 | |
JPS5738397A (en) | Apparatus and method for growing crystal |