JP4817670B2 - 結晶成長装置 - Google Patents
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Description
2 るつぼ台
3 均熱管
4 ヒータ
5 縦型管状炉
6 引き上げ軸
7 種子結晶
8 原料溶液
9 成長結晶
10 炉体ふた
11 傘
Claims (2)
- 炉内に設置されたるつぼ内の原料溶液に、種子結晶を浸して引き上げながら結晶を育成する結晶成長装置において、
前記結晶の主成分は、周期率表Ia族とVa族から構成されており、Ia族はカリウムであり、Va族はニオブ、タンタルの少なくとも1つを含み、
前記種子結晶が先端に取り付けられた引き上げ軸に設置された傘であって、温度600℃以上となる位置に設置され、前記原料溶液が蒸発して炉上部のふたに堆積した堆積物が、前記るつぼ内の原料溶液または成長結晶の上に落下しないように、前記るつぼの開口面を覆う傘を備えたことを特徴とする結晶成長装置。 - 炉内に設置されたるつぼ内の原料溶液に、種子結晶を浸して引き上げながら結晶を育成する結晶成長装置において、
前記結晶の主成分は、周期率表Ia族とVa族から構成されており、Ia族はカリウムであり、Va族はニオブ、タンタルの少なくとも1つを含み、添加不純物として周期率表Ia、IIa族の1または複数種を含み、
前記種子結晶が先端に取り付けられた引き上げ軸に設置された傘であって、温度600℃以上となる位置に設置され、前記原料溶液が蒸発して炉上部のふたに堆積した堆積物が、前記るつぼ内の原料溶液または成長結晶の上に落下しないように、前記るつぼの開口面を覆う傘を備えたことを特徴とする結晶成長装置。
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