RO104572B1 - Producing installation of a method for glass coating - Google Patents

Description

Invenția se referă la o instalație de realizare a unui procedeu de acoperire a sticlei, respectiv pentru aplicarea unui strat pe suprafața unei panglici in mișcare, de sticlă fierbinte, din reactanți gazoși care reacționează împreună pentru a forma un strat pe suprafața de sticlă.

Este cunoscut faptul că straturi cu proprietăți dorite., pentru folosirea în arhitectură, se pot produce folosind reactanți gazoși care se descompun pe o suprafață de sticlă fierbinte. Astfel, straturi de siliciu folosite cu succes ca straturi de control solar, au fost produse prin piroliza unui gaz cu conținut de silan, pe o suprafață de sticlă fierbinte. Există multe varietăți de producerea altor straturi de control solar și emisivitate redusă (reflecție mare în infraroșu) din alți reactanți gazoși corespunzători. Este, însă, dificil în practica industrială să sc realizeze straturi suficient dc uniforme, dc grosime adecvată.

Un procedeu și o instalație tipică pentru sticlă de acoperire cu astfel de straturi sunt descrise în brevetul Anglia nr. 1507996, în care un strat uniform este aplicat dintr-un gaz reactant, pentru a lăsa gazul să curgă paralel cu suprafața dc sticlă, în condiții dc curgere laminară. în această descriere, nu se fac propuneri specifice pentru folosirea de amestecuri dc reactanți, care să fie destinate reacționarii acestora înaintea atingerii suprafeței dc sticlă.

într-o altă descriere, brevetul Anglia nr.1516032, se prezintă un procedeu pentru acoperirea sticlei, folosind un mediu fluid, conținând unul sau mai mulți reactanți de acoperire, care pot să fie sub forma lichidă sau gazoasă, Huidui fiind îndreptat pe sticla fierbinte ca un curent sau ca un amestec de curenți, având cel puțin o componentă de viteză în direcția mișcării panglicii de sticlă cu un unghi (sau unghi oarecare) cel mai mult de 60°.

Aplicarea acestei invenții se referă la un strat caracterizat printr-o formație în contact cu sticla de structură omogenă, formând un aranjament regulat de cristale. Dacă este nevoie ca două sau mai multe componente să reacționeze împreună, aceasta se realizează prin curenți separați, prin intermediul unor ajutaje adiacente dispuse fiecare astfel, încât să dea un curent reactant cu un unghi precis pe suprafața de sticlă, reactanții venind în contact unul cu celălalt, în vecinătatea sticlei sau se poate folosi un singur ajutaj pentru a aduce un prim curent reactant, în timp ce un curent de aer servește ca un al doilea reactant și este făcut să curgă în zone de reacție prin impulsul și înclinarea primului curent. O conductă de ieșire se poate amplasa sub zona de acoperire pentru a îndepărta gazul din această zonă. Sc poate amplasa și o calotă pentru a forma cu suprafața de sticlă un pasaj dc curgere deasupra sticlei de la locul dc izbire a curentului (curenților) dc fluid pe sticlă.

în brevetul Anglia nr.l524326 sc descrie un procedeu în care un mediu gazos este făcut să curgă dc-a lungul substratului cc urmează să fie acoperit ca un strat, îndeosebi neturbulent, dc-a lungul unui spațiu de curgere format. în parte, din suprafața sticlei, spațiu dc curgere comunicând cu o conductă dc evacuare, prin care gazul rezidual este îndepărtat dc sticlă. Rcactanții gazoși sunt introduși în spațiul dc curgere prin canale dc intrare, ducând la capătul superior al spațiului de curgere, canalele de intrare fiind dispuse să introducă reactanții gazoși împreună, la un unghi precis față de sticlă.

într-un alt brevet Anglia nr.2026454, sc descrie, în mod special, un procedeu pentru formarea unui strat dc oxid dc staniu, pe o suprafață dc sticlă fierbinte, folosind un mediu gazos ce conține tctraclorurâ de staniu și vapori dc apă. Intr-o variantă preferențială de execuție a procedeului, un curent de gaz purtător dc azot, conținând vapori de tetraclorură de staniu este determinat să curgă de-a lungul suprafeței de sticlă de acoperire, un curent de aer conținând vapori de apă, fiind lăsat să intre în acest curent, având o poziție de curgere de-a lungul acestei suprafețe. Un agent de dopare (acid fluorhidric) se poate aduce la suprafața substratului, în mod separat, sau se poate amesteca cu aer umed. Curenții de gaz se aduc, de preferință, la suprafața sticlei prin introducerea curenților de gaz într-un canal sau cameră de acoperire formată dintr-un spațiu de curgere redus, prin care curenții de gaz curg ca strat, îndeosebi neturbulent, spre o conductă de evacuare, prin care gazul rezidual este îndepărtat de sticlă. Curenții de gaz sun introduși în camera de acoperire printr-o conductă de alimentare, ducând la partea superioară a camerei de acoperire, conductele de alimentare fiind înclinate în jos și înainte, în direcția de lucru a panglicii de sticlă, cu un unghi de 45° față de orizontală.

Un alt procedeu pentru producerea unui strat de oxid de staniu pe un substrat dc sticlă este descris în brevetul Anglia nr.2033374. In acest brevet se descrie o instalație similară cu aparatura descrisă în brevetul Angtlia nr.2026414, menționat mai sus. Această instalație cuprinde o cameră de acoperire suplimentară. în scopul depunerii unui oxid de metal sub substratul de sticlă înaintea depunerii, apoi a unui strat de oxid de staniu.

A

Intr-o altă metodă, descrisă în brevetul Anglia nr.2,184748, un precursor dc acoperire și un gaz de oxidare sunt introduși într-o zonă de amestecare mult deasupra sticlei la capătul de sus al unei camere de acoperire. în zona de amestecare sc aduce căldură, precursorul de acoperire și gazul de oxidare fiind bine amestecate în zona de amestecare, în timp ce amestecul este adus la substrat, la o înălțime adecvată formării stratului de acoperire dintr-un amestec de vapori, îndeosebi omogeni. Apoi, amestecul este determinat să curgă continuu prin camera de acoperire în contact cu suprafața superioară a sticlei. Este avantajos pentru structura de acoperiș să se reducă înălțimea în direcția curentului descendent, strangulându-se curentul de vapori de-a lungul camerei de acoperire. în unele variante de execuție preferate structura acoperișului coboară în formă de curbă, ducând în partea descendentă a acoperișului, deasupra sticlei. Se remarcă accelerarea unui curent descendent general de vapori, conținând precursori în camera de acoperire, considerându-se a fi avantajos pentru uniformitatea stratului format. în mod avantajos, o cameră dc acoperire are o lungime de minimum cinci metri, folosirea unei astfel de camere dc acoperire lungi, fiind avantajoasă pentru mărirea randamentului de acoperire la formarea de straturi relativ groase pc un substrat în mișcare rapidă, ca o panglică dc sticlă flotantă proaspăt formată.

Dacă se încearcă să se formeze un strat pe o suprafață de sticlă din reactanți gazoși care reacționează împreună și se folosește o instalație în care fiecare din reactanți este introdus într-o cameră de acoperire, prin canale separate, înclinate, așa cum este ilustrat într-o instalație menționată schematic în brevetul Anglia nr.2026454, se constată că în timpul aplicării procesului de acoperire un depozit nedorit de material de acoperire se formează pe capătul inferior al canalului, prin care al doilea gaz reactant sc introduce în camera dc acoperire. Depozitul de material este mai predominant pc peretele lateral dc sus al canalului de intrare. Formarea depozitului are loc relativ repede și foarte repede interferează cu calitatea stratului care se formează pe suprafața panglicii dc sticlă. Stratul pe panglica de sticlă se deteriorează repede și devine neuniform, așa cum se vede din liniile dc pe stratul depus pe su104572 prefața sticlei.

Dacă urmează să se evite și altă deteriorare a stratului, trebuie să se întrerupă procesul de acoperire. Se înlătură dc pe acoperiș §i de pe panglica de sticlă depozitul de material de acoperire nedorit. Această operație de curățire va fi consumatoare de timp și dezavantajoasă.

Scopul prezentei invenții este obținerea unei acoperiri uniforme a sticlei.

Problema pe care o rezolvă invenția este stabilirea asocierii optime a elementelor componente aferente instalației de realizare a procedeului de acoperire a sticlei, în scopul rnenționat mai sus.

Instalația, conform invenției, înlătură dezavantalele menționate mai sus prin aceea că este constituită dintr-o cameră de acoperire prevăzută cu un acoperiș cu configurație în trepte, care comunică cu un mijloc de intrare, de preferință cuprinzând un canal vertical, prin care un prim gaz de reacție curge de la un distribuitor, de preferință de tip ventilator, și, de preferință, printr-o diafragmă de curgere care comunică cu un al doilea mijloc de intrare, constând dintr-un al doilea canal de intrare pentru alimentarea unui al doilea gaz de reacție, de la un al doilea distribuitor, dc preferință dc tip ventilator și, de preferință, printr-o a doua diafragmă de curgere, canalul de intrare, comunicând cu camera de acoperire, cu configurația acoperișului în trepte, precum și cu mijloace de evacuare, de preferință constând din canale pentru evacuarea amestecului de gaze de reacție reziduale, de preferință printr-un ventilator dc evacuare.

Se dă, în continuare, un exemplu de realizare a instalației, conform invenției, în legătură și cu fig.l ... 4, care reprezintă:

- fig.l, vedere laterală, secțiune transversală a instalației;

- fig.2, porțiunea finală în elevație în direcția săgeții din fig.l;

- fig.3, vedere laterală, secțiune transversală printr-un detaliu mai mare al unei diafragme de curgere a gazului aferentă instalației din fig.l;

- fig.4, vedere laterală, secțiune transversală, parțial despărțită, ilustrând o configurație preferata, pentru capătul inferior al celui de-al doilea dispozitiv de intrare.

Instalația de acoperire, prezentată în fig.l și 2, este suspendată deasupra unei panglici de sticlă 1 care înaintează peste niște role (nereprezentate) de la stânga la dreapta.

Instalația de acoperire este suspendată de un suport 2, cuprinzând o placă orizontală 2a, pe o suprafață superioară a acesteia amplasându-sc un număr dc patru suporturi montate în față și cinci suporturi montate în spate.

în mod tipic, trei suporturi montate în față și trei montate spre spate sunt prevăzute pe lățimea instalației de acoperire. în fiecare caz un suport este montat central și alte două suporturi sunt montate în apropierea suprafețelor laterale ale instalației. Fiecare din suporturile montate 2b și 2c este suspendat dc o bară răcită cu apă (nereprezentată), care sc întinde pe lățimea panglicei de sticlă cc urmează a fi acoperita.

Partea inferioară a instalației cuprinde un număr adecvat de blocuri de cărbune fasonate 3a, 3b, 3c, 3d, 3e și 3f care sc întind transversal pe o lungime corespunzând cu lățimea suprafeței de sticlă dc acoperit. Blocurile dc cărbune definesc o cameră dc acoperire 4, având un acoperiș 4a și 4b, dc configurație în trepte. Acoperișul 4a al camerei de acoperire 4 este amplasat deasupra unui canal de intrare 5a, mai sus decât acoperișul 4b al camerei de acoperire 4, amplasat sub canalul de intrare 5a. Blocurile de cărbune menționate definesc, de asemenea, o primă intrare, constituită dintr-un prim canal de intrare vertical 5b.

pentru introducerea în camera de acoperire a unui prim gaz reactant. Un al doilea dispozitiv de intrare constituit dintr-un al doilea canal de intrare vertical 5a, pentru introducerea în camera de acoperire al unui al doilea gaz reactant, o scurgere 5c în camera de acoperire între primul canal de intrare 5b și al doilea canal de intrare 5a, un canal de ieșire 5d pentru îndepărtarea gazelor folosite din camera de acoperire și o scurgere 5e în camera de acoperire 4 între al doilea canal de intrare 5a și canalul de ieșire 5d. Fiecare din diferitele blocuri de cărbune este suspendat sub o placă orizontală 2d. Blocurile cuprind conducte (nereprezentate) pentru un fluid de transfer de căldură (apă de răcire) și în timpul funcționării instalației, temperatura blocurilor de cărbune este reglată prin trecerea apei de răcire prin aceste conducte.

Camera de acoperire 4 arc o legătură deschisă, care se întinde pc panglica dc sticlă 1, de acoperit. La capătul superior de curgere al camerei de acoperire, blocurile de cărbune 3a și 3b definesc acest prim canal de intrare vertical 5b, prin care un prim reactant gazos este introdus în camera dc acoperire. Sub primul canal dc intrare, un al doilea canal dc intrare vertical 5a este definit între blocurile dc cărbune 3b și 3c pentru introducerea unui al doilea reactant gazos în camera dc acoperire. La capătul inferior dc curgere al camerei de acoperire, blocurile de cărbune 3e și 3f definesc un canal de ieșire 5d pentru îndepărtarea gazelor folosite din camera de acoperire.

Primul gaz reactant este introdus prin primul canal de intrare 5b dintr-o conductă de alimentare cu gaz (nereprezentată), printr-un distribuitor (ventilator) 6 și printr-o diafragmă de curgere a gazului 7. Distribuitorul-ventilator este definit între niște pereți în față și spate 8a și 8d, în forma unui evantai întors, cu pereții din s

față și din spate convergând unul către altul în direcția de coborâre, pentru a forma la capătul de jos al evantaiului un șanț îngust 9 care se întinde pe lățimea panglicei de sticlă de acoperit. Primul gaz reactant ce iese din șanțul 9 la baza distribuitorului 6 este trecut printr-o diafragmă de curgere a gazului 7 montată sub distribuitorul-ventilator 6.

Diafragma de curgere a gazului 7 este ilustrată mai amănunțit în fig.3 și cuprinde perechi de pereți alungiți opuși 7a, 7b și 7d, 7c care definesc o cameră alungită 7f. Pereții alungiți 7a, 7b, 7d și 7c se întind transversal peste panglica de sticlă care urinează să fie acoperită, pereții 7a și 7d fiind pereți de ascendență, iar pereții 7b și 7c fiind pereți de descendență. Pereții terminali opuși 7g sunt prevăzuți la fiecare capăt al camerei elongatc 7f, fiecare perete terminal 7g fiind dispus paralel cu direcția dc mișcare a panglicei dc sticlă.

La capătul dc intrare a diafragmei dc curgere a gazului 7 este dispusă o restricție de intrare 10, cuprinzând o placă alungită dc intrare 10a, amplasată în camera 7f. Placa de intrare 10 a este bine fixată între niște perechi dc plăci orizontale 10 b, 10 c. fiecare pereche dc plăci 10 b și 10 c fiind atașate, dc pildă, prin lipire dc un perele alungit respectiv 7a și 7b și dc distribuitorul ventilator 6. Plăcile din fiecare pereche 10b și 10c suni strâns conectate prin conectori filetați lOd. Garnituri (neprezenlatc) sunt dispuse între fiecare perete dc plăci 10b, 10c și placa dc intrare 10a.

Un rând dc deschideri 11 este amplasat de-a lungul lungimii plăcii dc intrare 10a. deschiderile 11 conectând intrarea 11a cu restul camerei 7f. Deschiderile 11 sunt găuri circulare și au, de preferință, un diametru de 2 ... 10 mm. într-o variantă dc evacuare deosebit dc preferată, găurile 11 au un diametru dc 4 mm, cu centre dispuse la 20 mm distanță. Rândul dc găuri 11, este dispus pc o parte a curentului ascen104572 dent a camerei alungite 7f, adică rândul de găuri 11 este mai aproape de peretele de ascendență 7a decât de peretele de descendență 7b a camerei 7f.

Adiacent ieșirii 11b, a . diafragmei de curgere a gazului 7, este dispusă o restricție de ieșire 10 e. Restricția de ieșire 10 e este în mare măsură de aceeași construcție ca și restricția de intrare 10, în sensul că ea cuprinde o placă alungită de ieșire lOf, care este fixată etanș între două perechi opuse de plăci 10 g și 10 h, placa superioară a fiecăreia din aceste perechi de plăci 10 g și 10 h fiind conectate, de pildă, prin lipire de un perete alungit, respectiv 7 a și 7 e.

Plăcile 10 g și 10 h sunt separate dc placa de ieșire 10 f prin garnituri (ncreprezentate). Plăcile 10 g, 10 h sunt conectate etanș, prin conectori filetați 10 i, de asemenea, care strâng puternic plăcile 10 g și 10 h și prin aceasta diafragma 7 de curgere a gazului, de placa 2d de care sunt suspendate blocurile de grafit 3a și 3b. Placa de ieșire lOf este prevăzută cu un rând de găuri 11c, care, de preferință, au un diametru de 2 ... 10 mm și, într-o variantă de execuție, deosebit de preferată, cu un diametru de 4 mm și centre la distanță dc 10 mm. Rândul dc găuri 11c este dispus pe partea dc ascendență a camerei alungite 7f.

Un deflector de curgere a gazului 12 este montat la ieșirea 11b, a diafragmei de curgere a gazului 7, sub placa de ieșire lOf. Deflectorul de curgere a gazului 12 cuprinde un perete alungit 12a, în formă de L, care este integral cu partea inferioară a perechii de placi lOg și este dispus adiacent cu găurile 11c. Brațul liber 12b al peretelui 12a, în formă de L, se întinde în sus către placa de ieșire lOf, pentru a defini între ele un gol 12c prin care gazul reăctant din găurile 11c trebuie să treacă după ce au fost defleetate prin niște brațe orizontale 12d ale membranei 12a, sub formă de L.

Scopul deflectorultii de curgere de gaz 12 constă în îndepărtarea anumitor creșteri localizate în curentul de gaz, care pot apărea. Astfel, se remarcă tendința curentului de gaz de a deveni mai intens în imediata vecinătate a fiecăreia din găurile 11 c în placa de ieșire 10 f. Prezența deflectorului de curent de gaz 12 nivelează aceste intensități mărite localizate ale curgerii. în unele cazuri, poate fi posibil să se omită deflectorul de curgere de gaz 12 de Ia diafragma de curgere a gazului.

Orestricție intermediară 10 k este dispusă între restricțiile de intrare și dc ieșire 10 și 10 1. Restricția intermediară 10 k arc aceeași construcție ca și restricția de intrare 10 și cuprinde o placă alungită intermediară 10 m cu un rând de găuri 11 d. Placa intermediară 10 ni este fixată etanș între niște perechi opuse dc plăci orizontale 10 n și 10 o, care sunt atașate, dc pildă, prin lipire, dc pereții alungiți 7a, 7d, 7b și 7c respectiv. Garnituri (ncrcprezcnlale) sunt dispuse între plăcile 10 n, 10 o, iar placa intermediară 10 ni și plăcile 10 n și 10 o sunt strâns conectate împreună, prin conectorii filetați 10 p. Rândul dc găuri lld al plăcii intermediare lOm este în contrast atât cu placa dc intrare cât și cu cca dc ieșire (10 a și 10 f), fiind dispus pe o parte dc descendență a camerei alungite 7f. ceea cc înseamnă că rândul dc găuri lld este plasat mai aproape dc pereții dc descendență 7b și 7c decât de pereții de ascendență 7a și 7d, aferenți camerei 7f. Acest aranjament are ca rezultat plasarea rândului dc găuri al plăcii alungite. în poziție adiacentă față de linia care desparte găurile. Al doilea gaz reactant se aduce la al doilea canal dc intrare 5a de la o a doua conductă dc alimentare cu gaz (ncreprczcnlată). printr-un alt distribuitor ventilator 6a care este dc aceeași construcție ca și distribuitorul ventilator 6 și apoi printr-o diafragmă dc curent dc gaz 7h care este dc aceeași conf strucție ca și diafragma de curent de gaz

7.

Gazele de ieșire vin din canalul de ieșire 5d printr-un canal 7i într-o unitate de distanțare 7k și apoi într-un ventilator de ieșire 6b, cuprinzând o față în formă de evantai și niște pereți în spate 8c și 8d. Ventilatorul de ieșire împinge gazele reziduale,' gazele reactante neintrate în reacție și gazele de transport către o conductă de evacuare (nereprezentate).

A înălțimile respective ale blocurilor de cărbune 3a, 3b și 3c care definesc primul canal de intrare 5b și al doilea canal de intrare 5a sunt alese în așa fel încât acoperișul 4a și 4b al camerei de acoperire 4 este prevăzut cu o configurație în trepte a punctului de întâlnire al celui de-al doilea canal 5a și al camerei de acoperire, acoperișul 4a, al camerei de acoperire pe partea de ascendență a canalului de intrare 5a fiind la un nivel mai mare decât acoperișul 4b al camerei de acoperire, pe partea de descendență a celui de-al doilea canal de intrare 5a și așa cum sc poate vedea din fig.l, linia descrisă de o secțiune transversală longitudinală făcută prin tavan este discontinuă și are o configurație în trepte. Astfel, partea inferioară a blocului 3a se poate alege în mod tipic, cu 10 mm mai mică decât partea inferioară a blocului 3b. Ca rezultat, baza peretelui dc ascendență 5e al celui dc-al doilea canal dc intrare poate fi cu 10 mm mai marc decât baza peretelui de descendență 5f al celui dc-al doilea canal de intrare 5a, formând astfel un gol de intrare cu o configurație în trepte. Un astfel de șanț de intrare în trepte 5g minimalizează cantitatea dc material de acoperire solidă depusă pc pereții laterali ai celui de-al doilea canal de intrare 5a, în vecinătatea șanțului de intrare 5g. Sc consideră că treapta funcționează prin îndreptarea curentului prim rcactant gazos către suprafața dc sticlă și evitarea curgerii primului reactant gazos prin deschide rea celui de-al doilea canal dc intrare cu riscul eventual al recției locale cu depunere de material de acoperire pe suprafețele verticale în deschiderea canalului de intrare.

Intr-o variantă de execuție, deosebit de preferată, colțul de asendență inferior al blocului de cărbune 3c este format ca o suprafață de formă convexă 5h (așa cum se vede din fig.4), având, în mod tipic, o rază de curbură de 10 mm pentru un șanț de intrare în trepte 5g, care are o înălțime de 10 mm. Baza de curbură trebuie să fie suficient de mică pentru a menține efectul treptei pentru evitarea unor deranjamente ce apar, mai ales depunerile în deschiderea celui de-al doilea canal de intrare.

în funcționare, instalația de acoperire, conform invenției, este suspendată deasupra unei panglici de sticlă 1 care este pusă în mișcare pe niște role (nereprezentatc) dc la stânga la dreapta. Instalația de acoperire este suspendată la o înălțime adecvată deasupra panglicii de sticlă 1 în așa fel încât blocul de cărbune 3f, la capătul dc descendență a instalației, să fie ținut la o înălțime de 10 mm deasupra suprafeței panglicii dc sticlă cc urmează să fie acoperită. Un prim gaz reactant, diluant, în general, într-un gaz dc transport, este dus la distribuitorul ventilatori și la diafragma dc gaz 7, care prevăd o distribuție uniformă a gazului pc toată lățimea sticlei dc acoperit. Gazul fiind evacuat din diafragma dc gaz 7, trece prin primul canal de intrare 5b și în camera de acoperire 4 și traversează într-o primă direcție paralelă cu sticla dc-a lungul drumului de curgere 5c în camera 4 către baza celui de-al doilea canal de intrare 5a. Al doilea gaz reactant, diluat, în general, într-un gaz de transport este trecut la distribuitorul ventilator 6a și la diafragma de gaz 7h în așa fel încât să se asigure obținerea unei distribuții uniforme a celui de-al doilea reactant gazos pe toată lățimea sticlei.

Gazul ce iese de la baza diafragmei 7h trece prin al doilea canal de intrare 5a, în curentul primului gaz reactant, în camera de acoperire, determinând o curgere combinată a rectanților gazoși pe suprafață de sticlă, de-a lungul drumului de curgere 5h unde cele două gaze reactante reacționează, depunând o acoperire pe suprafața de sticlă fierbinte. Int-un anumit mod de funcționare, condițiile de curgere a gazului se pot controla creând un curent turbulent al celui de-al doilea gaz reactant prin al doilea canal de intrare 5a și al reactanților gazoși combinați, de-a lungul drumului de curgere 5h, evitându-se curgerea ascendentă a celui de-al doilea gaz reactant în curentul primului gaz reactant de-a lungul drumului de curgere 5c, gazele de evacuare (gazele de transport, gaze reactante neintrate în reacție și gaze reziduale) din reacție fiind îndepărtate din zona dc acoperire prin conducta de evacuare 5d cu ajutorul unei presiuni reduse (aspirate dinir-un ventilator dc ieșire nereprezentat) aplicată prin ventilatorul de ieșire 6b cuprinzând un evantai întors divergent în sus și pereți în față și în spate 8c și 8d, în formă de evantai. Presiunea redusă nu îndepărtează numai gazul din zona dc acoperire, dar induce, de asemenea, un curent de atmosferă externă pe sub extremitățile de ascendență și dc descendență 8e și 8f ale instalației de acoperire.

Instalația descrisă mai sus se poate face să funcționeze perioade dc timp prelungite, fără o blocare nedorită a celui de-al doilea canal de intrare, aceasta ca rezultat de depunere a materialului de acoperire în canalul de intrare, facilitânduse prin aceasta producerea dc acoperiri uniforme pe panglica de sticlă cu mare randament.

Instalația, conform invenției, este îndeosebi folosită cu succes pentru producerea de acoperiri cu oxid de staniu, reflectâd raze infraroșii prin folosirea, de pildă, de clorură stanică ca prim gaz reactant și vapori de apă ca al doilea gaz reactant.

Pentru îmbunătățirea refleetivilății dc infraroșu al acoperirii, în gazele de reacție se poate include un dopant cu o sursă de antimoniu sau fluor. Aplicând aparatura, conform invenției, se mai pot aplica, de asemenea, și alte acoperiri: oxid dc titan sau nitrură de titan. Pentru aplicarea unei acoperiri de oxid de titan, ca prim gaz reactant se poate folosi tetraclorură de titan, vaporii de apă, fiind al doilea gaz reactant. Pentru obținerea unei acoperiri de nitrură de titan, ca prim gaz reactant se poate folosi tetraclorură de titan, iar ca al doilea gaz reactant se folosește amoniac.

La instalația conform invenției problemele de depunere nedorită a materialului de acoperire sunt minime, permițându-sc perioade mai lungi de funcționare continui.

Instalația este pentru depunerea pc suprafața unei panglici în mișcare de sticlă fierbinte, a unui strat format din reacția a cel puțin doi reactanți gazoși, și cuprinde o cameră dc acoperire deschisă în față, în care reactanții gazoși sunt lăsați să curgă în contact cu suprafața de sticlă ce urmează să fie acoperită, în direcție îndeosebi paralelă cu direcția dc mișcare a sticlei astfel, încât să se formeze stratul dorit pc suprafața dc sticlă, camera de acoperire fiind deschisă în jos pc aceasta, și întinzându-sc pc lățimea dc sticlă dc acoperit. Camera dc acoperire arc un prim dispozitiv dc intrare pentru un curent al unui prim reactant gazos pe suprafața de sticlă prin cameră pc lățimea acesteia și o a doua intrare formată de un canal dc intrare care se întinde pc partea superioară a camerei deasupra lățimei camerei pentru introducerea unui al doilea reactant gazos în curentul primului reactant gazos în camera dc acoperire.

Acoperișul camerei de acoperire arc o configurație în trepte la întâlnirea acestui canal de intrare și a camerei dc acoperire astfel, încât acoperișul camerei de acoperire pe partea'de curent ascendent (cu referire la curgerea primului gaz reactant) al canalului de intrare să fie la un nivel mai mare decât tavanul camerei primului gaz reactant al acestui canal de intrare, linia descrisă printr-o secțiune transversală longitudinală făcută prin tavan având o configurație în trepte.

Instalația mai este prevăzută cu un prim distribuitor de gaz pentru aducerea primului reactant gazos dintr-o conductă de alimentare cu gaz la acest prim dispozitiv de intrare și precum și cu un al doilea distribuitor de gaz pentru aducerea celui de al doilea reactant gazos dintr-o a doua conductă de alimentare cu gaz la acest al doilea dispozitiv de intrare. Mai sunt prevăzute și dispozitive de ieșire dispuse în jos (cu referire la curentul de gaz reactant ale primului și ale celui de-al doilea dispozitiv de intrare, ducând de la camera de acoperire pentru îndepărtarea gazelor de evacuare din camera de acoperire.

în conformitate cu o altă variantă de execuție, se prevede o metodă pentru depunerea unui strat format din amestecul a cel puțin a doi rcactanți gazoși, pe suprafața unei panglici în mișcare dc sticlă fierbinte, care cuprinde un curent al unei prime reacții gazoase într-o direcție, îndeosebi paralelă cu direcția dc mișcare a sticlei, într-o cameră dc acoperire deasupra sticlei, și introducerea unui al doilea reactant gazos în curentul primului reactant gazos printr-un dispozitiv dc intrare constituit dintr-un canal de intrare care sc întinde pe acoperișul camerei.

Acest prim și al doilea reactant gazos curge prin camera dc acoperire, în contact cu suprafața de sticlă, într-o direcție îndeosebi paralelă cu direcția dc mișcare a sticlei, pentru a forma stratul dorit de sticlă. Acoperișul camerei de acoperire are o configurație în trepte la întâlnirea acestui canal de intrare, precum și o ca16 meră de acoperire atl'el, încât acoperișul camerei de acoperire pe partea descendentă (cu referire la curgerea primului reactant) a canalului de intrare să se găsească la un nivel mai mare decât acoperișul camerei de acoperire pe partea descendentă (cu referire la curentul primului gaz reactant) al acestui canal de intrare. O linie descrisă printr-o secțiune transversal longitudinală este făcută prin acoperișul având o configurație în trepte.

. în diverse variante de execuție a instalației, acoperișul camerei dc acoperire pe partea ascendentă a canalului de intrare este, de obicei, cu cel puțin 5 mm mai marc decât acoperișul camerei de acoperire, pe partea descendentă a canalului de intrare, și, de obicei, nu mai mult dc 75 mm mai mare decât acoperișul camerei de acoperire, pe partea deschisă a canalului de intrare. Se constată că este convenabil să sc lucreze cu o treaptă nu mai marc dc 15 mm. într-o alta variantă de execuție, acoperișul, pe partea ascendentă a canalului de intrare, este cu 10 mm mai mare decât acoperișul pe partea descendentă a celui dc intrare.

Intr-o altă variantă dc execuție preferată, canalul dc intrare este dispus îndeosebi cu unghiuri drepte față dc linia de curgere a gazelor reactantc prin camera dc acoperire. într-o variantă preferată, baza peretelui lateral descendent al canalului dc intrare este formată ca o suprafață convexă la întâlnirea acestui perete lateral și a acoperișului camerei de acoperire.

Sc constată că prin folosirea unui dispozitiv de acest tip cantitatea dc material dc acoperire nedorit, depus pe pereții celui deal doilea canal de intrare este mult redusă, în consecință, instalația de acoperire, conform invenției, se poale folosi perioade dc timp lungi fără ca procesul dc acoperire să se întrerupă pentru curățirea aparaturii și îndepărtarea depozitelor nedorite.

Primul și al doilea reactant gazos sc aduc în instalație d in conductele respective dc alimentare cu gaz §i se distribuie pe suprafața de sticlă ce urmează să fie acoperită, trecând curenții de gaz prin primul, respectiv al doilea distribuitor de gaz, care poate fi definit între frontul în 5 formă de evantai și pereții din spate care se întind în jos, de la o intrare centrală terminându-se într-un coș ce se întinde pe lățimea suprafeței de sticlă ce urmează

A să fie acoperită. Intr-o variantă de execu- 10 ție preferată, frontul, în formă de evantai, și pereții din spate se îngustează în jos unul față de celălalt, terminându-se în coșul menționat.

Instalația mai cuprinde, de preferință, o 15 diagramă de curgere a gazului dispus între primul distribuitor de gaz și. prima intrare, determinând astfel o distribuție uniformă a primului reactant gazos pe lățimea suprafeței de sticlă de acoperit. 20 O distribuție uniformă a celui de-al doilea reactant gazos se poate obține prin prevederea unei a doua diafragme de curent gazos între a doua diafragmă de gaz și a doua intrare, această a doua dia- 25 fragmă de gaz fiind, în general, de aceeași construcție ca și prima diafragmă.

O astfel de diafragmă de gaz, în mod tipic, cuprinde b cameră adaptată să primească alimentarea dc gaz reactant și 30 adaptată să producă un curent de gaz reactant pe placa de sticlă de acoperit și o serie de cel puțin două diafragme, fiecare diafragmă cuprinzând o placă, extinzându-se prin cameră și având o pluralitate 35 de deschideri.

Termenii de ascendent și descendent se folosesc cu referire la direcția de curgere a gazelor reactantc prin camera dc acoperire. 40

Invenția prezintă avantajul realizării unei acoperiri uniforme a sticlei.

Claims (2)

1. Instalație de realizare a unui procedeu de acoperire a sticlei, cuprinzând mijloace de intrare a unor reactanți gazoși, într-o incintă amplasată deasupra unei benzi de sticlă fierbinte aflată în mișcare, precum și mijloace pentru îndepărtarea gazelor nereacționate, caracterizată prin aceea că, în scopul obținerii unei acoperiri uniforme a sticlei, este constituită dintr-o cameră dc acoperire (4) prevăzută cu un acoperiș (4a și 4b) cu configurație în trepte, care comunică cu un mijloc de intrare (5b), de preferință, cuprinzând un canal vertical, prin care un prim gaz de reacție curge dc la un distribuitor (6), de preferință de tip ventilator și, de preferință, printr-o diafragmă dc curgere (7) care comunică cu un al doilea mijloc de intrare (5a) constând dintr-un al doilea canal dc intrare, pentru alimentarea unui al doilea gaz dc reacție de la un al doilea distribuitor (6a), de preferință dc tip ventilator și, dc preferință, printr-o a doua diafragmă dc curgere, canalul dc intrare (5a) comunicând cu camera dc acoperire (4), cu configurația acoperișului în trepte (4a și 4b), precum și cu mijloace de evacuare (5d și 7i), dc preferință constând din canale pentru evacuarea amestecului dc gaze de reacție reziduale, dc preferință printr-un ventilator (6b), dc evacuare.

2. Instalație, conform revendicării 1, carcterizată prin aceea că, acoperișul (4a) este mai înalt decât tavanul (4b), al camerei dc acoperire (6), iar al doilea canal dc intrare (5a) este amplasai perpendicular față dc direcția de curgere a gazelor dc reacție prin camera de acoperire (4).