JPH0963971A - 常圧cvd装置 - Google Patents

常圧cvd装置

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JPH0963971A
JPH0963971A JP7221894A JP22189495A JPH0963971A JP H0963971 A JPH0963971 A JP H0963971A JP 7221894 A JP7221894 A JP 7221894A JP 22189495 A JP22189495 A JP 22189495A JP H0963971 A JPH0963971 A JP H0963971A
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JP
Japan
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wafer
pressure cvd
exhaust
atmospheric pressure
heater
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JP7221894A
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Kyoichi Shinoda
恭一 篠田
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NEC Kyushu Ltd
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NEC Kyushu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】常圧CVD装置において、ウェハ8に付着する
パーティクルの低減を図りメンテナンスを容易にしかつ
メンテナンスによるダウンタイムを少なくし装置の稼働
率を上げる。 【解決手段】未反応ガスや反応生成物を排出する排気ダ
クト1aの排気カバー1をヒータが配設されていないイ
ンジェクタヘッド5の真下に設け、反応ガスの流れを上
から下に必然的に流れるようにしている。また、メンテ
ナンスし易いように、排気カバー1と排気ダクト1aが
簡単に取付け取外しできるように継手リング2を設けて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板である
ウェハに成膜を施す常圧CVD装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来の一例を示す常圧CVD装置
の模式断面図である。従来、この種の常圧CVD装置
は、図3に示すように、ベルト4で一方向に搬送される
ウェハ8に反応ガスを吹き付けるインジェクタヘッド5
と、このインジェクタヘッドに隣接して設けられる排気
ダクト4と、この排気ダクト4の両側に隣接して設けら
れ外気を遮断するために窒素ガスを吹付けるブロア7
と、搬送中のウェハ8を加熱するヒータ3と、ベルト4
に付着した反応生成物を除去するエッチング機構6とを
備えていた。
【0003】この常圧CVD装置によるウェハ8の成膜
は、まず、ベルト4の上にウェハ8を載置し、ベルト4
を矢印の方向に走行させる。ベルト4で搬送されたウェ
ハ8は、ヒータ3で加熱されるとともに窒素ガスで外気
より遮断された中を反応ガスを吹き付けられ表面に成膜
を施される。このとき未反応ガスや気相反応により生成
されるパーティクルは排気ダクト4により排出されてい
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の常圧C
VD装置では、ヒータやべルトなどの上に浮遊する反応
して生成されるパーティクルおよび未反応ガスを排気ダ
クトで排出させているものの、ウエハ上に降下し再付着
することがある。このパーテイクルの付着は、品質の歩
留が低下するという問題点があった。
【0005】また、ヒータ上に堆積するパーティクルの
増加することにより伝熱効率が低下するために、定期的
にクリーニングを行なう必要がある。しかしながら、ヒ
ータを常温に戻すのに時間がかかり、メンテナンスによ
るダウンタイムが大きく装置の稼働を低下させる問題点
があった。さらに、メンテナンスを行なうのにベルトを
覆う排気ダクト自体を移動させなければならず、容易に
できないという欠点もあった。
【0006】従って、本発明の目的は、ウェハへのパー
ティクルの付着の低減を図るとともにメンテナンスを容
易にしかつメンテナンスに要する時間を短縮しダウンタ
イムの少ない高い稼働率の常圧CVD装置を提供するこ
とである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、ベルト
で一方向に搬送される半導体基板であるウェハに反応ガ
スを吹き付けるインジェクタヘッドと、このインジェク
タヘッドに隣接して設けられ外気を遮断するために窒素
ガスを吹付けるブロアと、搬送中のウェハを加熱するヒ
ータと、ベルトに付着した反応生成物を除去するエッチ
ング機構と、前記インジェクターヘッドの真下の前記ベ
ルトを介して未反応ガスおよび反応生成物を排出する排
気ダクトとを備える常圧CVD装置である。
【0008】また、 前記排気ダクトは、排気口をもつ
とともに交換し得る排気カバーを備えることが望まし
い。さらに、前記排気ダクトから赤外線を前記ウェハに
投射する赤外線ランプを備えることが望ましい。
【0009】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。
【0010】図1は本発明の一実施の形態の常圧CVD
装置を示す模式断面図である。この常圧CVD装置は、
図1に示すように、インジェクタヘッド5の直下に排気
カバー1を配設し、この排気カバー1が継手リング2で
連結される排気ダクト1aを設けている。そして、従
来、インジェクトヘッド5の直下に配設されていたヒー
タを分割し排気カバー1に隣接させ二つのヒータ3aを
配置したことである。それ以外は従来例と同じである。
【0011】また、図面には示さないが、継手リング2
は排気カバー1を取付け取外しが容易になるように、排
気カバー1のフランジと排気ダクト1aのフランジを挟
み込む溝をもつ二つ割りのリングで構成され、二つ割り
のリングの一端は回転自在に互いに連結され他端はボル
トとナットで連結するようになっている。
【0012】一方、排気カバー1は漏斗状に成形され、
開口が搬送されるウェハ8の直径より稍大きめに製作さ
れている。ヒータ3aは、インジェクタヘッド5とは離
れているので、反応ガスはヒータ3a側に流れ込まず、
ウェハ8の上方から下方への流れのみとなり、パーティ
クルはヒータ3aに付着することはない。また、排気カ
バー1への流れ込みが早くウェハ8表面へのパーティク
ルの付着の機会が少なくなる。
【0013】メッシュ状のベルト4は、従来と同様にエ
ッチング機構部6によりを常時エッチングされ堆積した
生成物を除去しているので、ベルト4への堆積物に起因
する排気圧低下による膜厚異常も発生しない。さらにヒ
ータ3aに生成物が堆積しないためヒータ3aを切らず
にインジェクタヘッド5および排気カバー1のクリーニ
ングが可能なため装置のダウンタイムを大幅に低減する
ことが出来る。しかも、排気カバー1は容易に外すこと
ができるので、清掃済みの排気カバーと交換することが
できるのでより短時間で済むという利点がある。
【0014】ただ、インジェクタヘッド5の直下にヒー
タが無くなるので、ウェハ8がヒータ3aの上を通り過
ぎると、ウェハ8の温度が下る恐れがあるかもしれない
が、これには、予じめヒータ3aによる加熱温度を高め
に設定しておき、ウェハの温度を高めにし、インジェク
タヘッド5の直下にあるときに所望の温度にするといっ
た装置の操作上の工夫を行なうか、あるいは、ウェハ8
を熱容量のある基台に乗せるかをすれば、実用上ほとん
ど問題はない。
【0015】図2は本発明の他の実施の形態の常圧CV
D装置における排気ダクト部を示す断面図である。この
常圧CVD装置は前述の常圧CVD装置の欠点を補うた
めになされたものである。すなわち、図2に示すよう
に、インジェクタヘッドの直下の排気カバー1の中から
赤外線を放射しウェハ8を加熱する赤外線ランプ1bを
設けたことである。それ以外は前述の常圧CVD装置と
同じである。
【0016】また、この赤外線ランプ1bの手前の配管
の周囲には、水平方向からパーティクルや未反応ガスを
排気する複数の排気ダクト1aが設けられ、排気カバー
1を経て落ち込む殆どのパーティクルを吸込むようにな
っている。ただ吸込み切れない重量のあるパーティクル
が赤外線ランプ1bに落ち込む恐れがあるときは、赤外
線ランプ1bの前段に赤外線より短い波長のカットオフ
フィルタを必要に応じて設ければ良い。
【0017】このように、ヒータが存在しない部分に赤
外線ランプ1bを配設してやれば、ウェハ8の加熱は従
来通り行なえるという利点がある。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、未反応ガ
スや反応生成物を排出する排気ダクトをヒータが配設さ
れていないインジェクタヘッドの真下に設け、反応ガス
の流れを上から下に必然的に流れるようにしたので、ヒ
ータにはパーティクルの付着が無くなると同時にウェハ
に付着するパーティクルの低減を図れ、ヒータを清掃す
る必要もなくなる。その結果、ヒータを常温に戻す時間
を考慮することがなくなりメンテナンスによるダウンタ
イムを大幅に短縮することができ装置の稼働率を上げる
ことができるという効果が得られた。
【0019】また、排気ダクトと排気カバーとを簡単に
取付け取外しができるようにしたのでメンテナンスが容
易になるばかりかメンテナンスが極めて短時間に行なえ
るという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態の常圧CVD装置を示す
模式断面図である。
【図2】本発明の他の実施の形態の常圧CVD装置にお
ける排気ダクト部を示す断面図である。
【図3】従来の一例を示す常圧CVD装置の模式断面図
である。
【符号の説明】
1 排気カバー 1a,4 排気ダクト 1b 赤外線ランプ 2 継手リング 3,3a ヒータ 5 インジェクタトヘッド 6 エッチング機構部 7 ブロア 8 ウェハ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ベルトで一方向に搬送される半導体基板
    であるウェハに反応ガスを吹き付けるインジェクタヘッ
    ドと、このインジェクタヘッドに隣接して設けられ外気
    を遮断するために窒素ガスを吹付けるブロアと、搬送中
    のウェハを加熱するヒータと、ベルトに付着した反応生
    成物を除去するエッチング機構と、前記インジェクター
    ヘッドの真下の前記ベルトを介して未反応ガスおよび反
    応生成物を排出する排気ダクトとを備えることを特徴と
    した常圧CVD装置。
  2. 【請求項2】 前記排気ダクトは、排気口をもつととも
    に交換し得る排気カバーを備えることを特徴とする請求
    項1記載の常圧CVD装置。
  3. 【請求項3】 前記排気ダクトから赤外線を前記ウェハ
    に投射する赤外線ランプを備えることを特徴とする請求
    項1または請求項2記載の常圧CVD装置。
JP7221894A 1995-08-30 1995-08-30 常圧cvd装置 Expired - Lifetime JP2735516B2 (ja)

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JP2735516B2 JP2735516B2 (ja) 1998-04-02

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007092152A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Hitachi Zosen Corp 連続熱cvd装置
JP2007091556A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Hitachi Zosen Corp カーボン系薄膜の連続製造装置

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JP2007092152A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Hitachi Zosen Corp 連続熱cvd装置
JP2007091556A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Hitachi Zosen Corp カーボン系薄膜の連続製造装置

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Effective date: 19971209