JP3407400B2 - 薄膜気相成長装置 - Google Patents
薄膜気相成長装置Info
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- JP3407400B2 JP3407400B2 JP10169394A JP10169394A JP3407400B2 JP 3407400 B2 JP3407400 B2 JP 3407400B2 JP 10169394 A JP10169394 A JP 10169394A JP 10169394 A JP10169394 A JP 10169394A JP 3407400 B2 JP3407400 B2 JP 3407400B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、被成膜基板に供給する
原料ガスの系統数を増加させた薄膜気相成長装置に関す
る。
原料ガスの系統数を増加させた薄膜気相成長装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図５は、本発明者が先に提案した薄膜気
相成長装置の断面図である（特願平５−２４７５１１号
参照）。横型の薄膜気相成長装置における角筒状（又は
円筒状）の反応容器１の内部に、被成膜基板２が載置さ
れる傾斜面をもつサセプタ３がシャフト４によって支持
されており、サセプタは反応容器の周囲に配設した高周
波加熱コイル５に通電することにより加熱される。反応
容器１の前方に原料ガスとパージガスを導入するノズル
機構があり、反応容器の前方フランジ６にノズルフラン
ジ７が取り付けられている。ノズルフランジの円筒状容
器内に２段になったノズル体８が装着されており、ノズ
ルフランジの環状ガス通路９にパージガス導入管１０か
らパージガスが供給され、同ガスは複数のパージガス引
込み口１１から反応容器内の外周空間１２に導入され
る。
相成長装置の断面図である（特願平５−２４７５１１号
参照）。横型の薄膜気相成長装置における角筒状（又は
円筒状）の反応容器１の内部に、被成膜基板２が載置さ
れる傾斜面をもつサセプタ３がシャフト４によって支持
されており、サセプタは反応容器の周囲に配設した高周
波加熱コイル５に通電することにより加熱される。反応
容器１の前方に原料ガスとパージガスを導入するノズル
機構があり、反応容器の前方フランジ６にノズルフラン
ジ７が取り付けられている。ノズルフランジの円筒状容
器内に２段になったノズル体８が装着されており、ノズ
ルフランジの環状ガス通路９にパージガス導入管１０か
らパージガスが供給され、同ガスは複数のパージガス引
込み口１１から反応容器内の外周空間１２に導入され
る。
【０００３】サセプタ３の傾斜面に載置された被成膜基
板２はノズル体８からの原料ガスの流れに対し斜めに位
置する。図６の斜視図にも示すように、同ノズル体は反
応容器１内に水平に配置された２段の第１ノズル１３と
第２ノズル１４からなり、第１ノズルの原料ガス吹き出
し口１５は第２ノズルの吹き出し口１６より被成膜基板
２に近いところに位置し、両ノズルは、被成膜基板２の
近くでは矩形断面で断面積もほぼ一様であり、ノズルフ
ランジ６の近傍では流路は狭まり、円形の取付け基部１
７に至る。この取付け基部１７の端面には第１及び第２
ノズル１３，１４に連通する原料ガスの吹き込み口１
８，１９が形成されており、両ノズルのガス吹き込み口
はＯリング２０で隔離されており、各吹き込み口には原
料ガス吹き込み口２１，２２から第１及び第２の原料ガ
スを供給している。
板２はノズル体８からの原料ガスの流れに対し斜めに位
置する。図６の斜視図にも示すように、同ノズル体は反
応容器１内に水平に配置された２段の第１ノズル１３と
第２ノズル１４からなり、第１ノズルの原料ガス吹き出
し口１５は第２ノズルの吹き出し口１６より被成膜基板
２に近いところに位置し、両ノズルは、被成膜基板２の
近くでは矩形断面で断面積もほぼ一様であり、ノズルフ
ランジ６の近傍では流路は狭まり、円形の取付け基部１
７に至る。この取付け基部１７の端面には第１及び第２
ノズル１３，１４に連通する原料ガスの吹き込み口１
８，１９が形成されており、両ノズルのガス吹き込み口
はＯリング２０で隔離されており、各吹き込み口には原
料ガス吹き込み口２１，２２から第１及び第２の原料ガ
スを供給している。
【０００４】第１ノズル１３の原料ガス吹き出し口１５
が第２ノズル１４の吹き出し口１６より被成膜基板２に
近いところに位置し、両ノズルからの原料ガスは被成膜
基板１３の直前で混合するから、同基板に到達するまで
の低温域で反応することによる成膜材料の損失を防ぐこ
とができる。
が第２ノズル１４の吹き出し口１６より被成膜基板２に
近いところに位置し、両ノズルからの原料ガスは被成膜
基板１３の直前で混合するから、同基板に到達するまで
の低温域で反応することによる成膜材料の損失を防ぐこ
とができる。
【０００５】第１及び第２ノズル１３，１４は反応容器
１の前方部、上流側奥深くまで差し込まれているが、上
流側からパージガスを流しているから、原料ガスの流れ
が逆流し、反応容器の前方部に滞留することがなく、反
応容器壁面への反応生成物の付着を防止することができ
る。
１の前方部、上流側奥深くまで差し込まれているが、上
流側からパージガスを流しているから、原料ガスの流れ
が逆流し、反応容器の前方部に滞留することがなく、反
応容器壁面への反応生成物の付着を防止することができ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】反応性の高い複数の原
料ガスを同時に供給する際、ガスは被成膜基板２の直前
で混合させなければならず、そして基板に均一に供給す
る必要がある。上述の薄膜気相成長装置はノズル体８に
おける第１及び第２ノズル１３，１４によって２系統の
原料ガスを供給するものであり、他の原料ガスは独立し
て基板の直前まで導入することができない。原料ガスの
供給系統数を増やすためにノズル体８の構造を３段にす
ることが考えられるが、原料が膜になる原料効率及び成
膜速度に影響を与える原料ガス流速の関係上、原料ガス
の通過するノズル流路の断面積はできるだけ小さくする
必要があり、ノズル体は全体の高さが大きくなるのを避
け、全体としてできるだけ薄くするという制約から、単
純にノズルを３段にすることはできない。
料ガスを同時に供給する際、ガスは被成膜基板２の直前
で混合させなければならず、そして基板に均一に供給す
る必要がある。上述の薄膜気相成長装置はノズル体８に
おける第１及び第２ノズル１３，１４によって２系統の
原料ガスを供給するものであり、他の原料ガスは独立し
て基板の直前まで導入することができない。原料ガスの
供給系統数を増やすためにノズル体８の構造を３段にす
ることが考えられるが、原料が膜になる原料効率及び成
膜速度に影響を与える原料ガス流速の関係上、原料ガス
の通過するノズル流路の断面積はできるだけ小さくする
必要があり、ノズル体は全体の高さが大きくなるのを避
け、全体としてできるだけ薄くするという制約から、単
純にノズルを３段にすることはできない。
【０００７】また、保温されたガスもしくはプラズマ励
起されたガスを原料ガスとして導入する場合、反応容器
１内のノズル体におけるガス経路が長いために、保温ガ
スの温度低下やプラズマ励起ガスの励起状態が損なわれ
る。
起されたガスを原料ガスとして導入する場合、反応容器
１内のノズル体におけるガス経路が長いために、保温ガ
スの温度低下やプラズマ励起ガスの励起状態が損なわれ
る。
【０００８】本発明は、ノズル体による系統とは別に、
短いガス経路で被成膜基板に原料ガスを供給することが
できる横型の薄膜気相成長装置の提供を目的とするもの
である。
短いガス経路で被成膜基板に原料ガスを供給することが
できる横型の薄膜気相成長装置の提供を目的とするもの
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜気相成長装
置は、横長の反応容器と、この反応容器内に水平に配置
されて被成膜基板に原料ガスを供給するガス導入ノズル
と、前記反応容器の上部に設けられた原料ガスの導入ポ
ートと、この導入ポートの下端に配置され、前記被成膜
基板に上方から原料ガスを供給する複数のガス噴出口が
形成されている整流板とを備えている。
置は、横長の反応容器と、この反応容器内に水平に配置
されて被成膜基板に原料ガスを供給するガス導入ノズル
と、前記反応容器の上部に設けられた原料ガスの導入ポ
ートと、この導入ポートの下端に配置され、前記被成膜
基板に上方から原料ガスを供給する複数のガス噴出口が
形成されている整流板とを備えている。
【００１０】そして、かかる薄膜気相成長装置におい
て、前記整流板が導入ポートの下端に着脱自在に配置さ
れていることを特徴とするものである。
て、前記整流板が導入ポートの下端に着脱自在に配置さ
れていることを特徴とするものである。
【００１１】また本発明の薄膜気相成長装置は、横長の
反応容器と、この反応容器内に水平に配置されて被成膜
基板に原料ガスを供給するガス導入ノズルと、前記反応
容器の上部に設けられた原料ガスの導入ポートと、この
導入ポートの下端に配置され、前記被成膜基板に上方か
ら原料ガスを供給する複数のガス噴出口が形成されてい
る整流板と、前記導入ポートの上端に取り付けられ、原
料ガス供給管路に接続された上部フランジであって、導
入ポート内に入り込む部分を有して形成されているフラ
ンジとを備えてなることを特徴とする。
反応容器と、この反応容器内に水平に配置されて被成膜
基板に原料ガスを供給するガス導入ノズルと、前記反応
容器の上部に設けられた原料ガスの導入ポートと、この
導入ポートの下端に配置され、前記被成膜基板に上方か
ら原料ガスを供給する複数のガス噴出口が形成されてい
る整流板と、前記導入ポートの上端に取り付けられ、原
料ガス供給管路に接続された上部フランジであって、導
入ポート内に入り込む部分を有して形成されているフラ
ンジとを備えてなることを特徴とする。
【００１２】
【作用】整流板の複数のガス噴出口によって被成膜基板
の上方から、ガス導入ノズルによる原料ガスとは別系統
のガスを供給することができ、ガスの通過経路が短いか
ら保温ガス、プラズマ励起ガスに対しても保温、励起状
態を損なわずに供給できる。
の上方から、ガス導入ノズルによる原料ガスとは別系統
のガスを供給することができ、ガスの通過経路が短いか
ら保温ガス、プラズマ励起ガスに対しても保温、励起状
態を損なわずに供給できる。
【００１３】整流板が着脱自在であることにより、成膜
条件に応じて、厚さ、噴出口数、噴出口の大きさ、噴出
口角度等について最適の整流板を容易に使用することが
できる。
条件に応じて、厚さ、噴出口数、噴出口の大きさ、噴出
口角度等について最適の整流板を容易に使用することが
できる。
【００１４】ガス導入ポートにおける原料ガス供給管路
に接続された上部フランジを導入ポート内に入り込ませ
ることにより、導入ポートのスペースを任意に選ぶこと
ができ、被成膜基板の上方から供給する原料ガスの切り
換え時、それまでに供給してしていたガスの導入ポート
内の滞留を防止できる。
に接続された上部フランジを導入ポート内に入り込ませ
ることにより、導入ポートのスペースを任意に選ぶこと
ができ、被成膜基板の上方から供給する原料ガスの切り
換え時、それまでに供給してしていたガスの導入ポート
内の滞留を防止できる。
【００１５】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。図１は薄膜気相成長装置の要部断面図、図２は図
１のＸ−Ｘ線での断面図であり、図５ないし図６と同一
符号は同等部分を示す。角筒状横長の反応容器１の上
部、サセプタ３の傾斜面に載置された被成膜基板２の直
上部に原料ガスの導入ポート３０を設ける。このポート
の上端には上部フランジ３１が取り付けられており、同
フランジに原料ガス供給管路３２が接続されている。ガ
ス導入ポート３０の下端に、下面が反応容器１の内壁面
と同一面になるような蓋部材である整流板３３が配置さ
れており、ガス導入ポート内に供給された原料ガスは整
流板に形成された複数のガス噴出口３４から噴出し、被
成膜基板２に、その上方からガスを供給する。整流板３
３に形成された複数のガス噴出口３４は反応容器１内に
供給されるガスの方向を規制し、被成膜基板２に均一に
原料ガスが供給できるように設けられている。
する。図１は薄膜気相成長装置の要部断面図、図２は図
１のＸ−Ｘ線での断面図であり、図５ないし図６と同一
符号は同等部分を示す。角筒状横長の反応容器１の上
部、サセプタ３の傾斜面に載置された被成膜基板２の直
上部に原料ガスの導入ポート３０を設ける。このポート
の上端には上部フランジ３１が取り付けられており、同
フランジに原料ガス供給管路３２が接続されている。ガ
ス導入ポート３０の下端に、下面が反応容器１の内壁面
と同一面になるような蓋部材である整流板３３が配置さ
れており、ガス導入ポート内に供給された原料ガスは整
流板に形成された複数のガス噴出口３４から噴出し、被
成膜基板２に、その上方からガスを供給する。整流板３
３に形成された複数のガス噴出口３４は反応容器１内に
供給されるガスの方向を規制し、被成膜基板２に均一に
原料ガスが供給できるように設けられている。
【００１６】整流板３３は石英製であり、その周縁の段
部３５がガス導入ポート３０の下端の段部３６に嵌合
し、整流板はポートの下端に着脱自在に配置されてい
る。したがって、被成膜基板に成膜する材料が変わり成
膜条件が変わる場合に、原料ガスの流れ方が変わり均一
なガス供給ができなくなるときには、成膜材料、成膜条
件に応じて、厚さ、噴出口３４の配置，数，大きさを適
合させた整流板に容易に交換することができる。
部３５がガス導入ポート３０の下端の段部３６に嵌合
し、整流板はポートの下端に着脱自在に配置されてい
る。したがって、被成膜基板に成膜する材料が変わり成
膜条件が変わる場合に、原料ガスの流れ方が変わり均一
なガス供給ができなくなるときには、成膜材料、成膜条
件に応じて、厚さ、噴出口３４の配置，数，大きさを適
合させた整流板に容易に交換することができる。
【００１７】薄膜気相成長装置の運転に伴い、反応容器
１の内壁に生成物が付着し汚れてくる。かかる付着生成
物が反応容器内壁から剥がれて被成膜基板２に落下する
と成膜が汚損されるから、生成物による汚れを洗浄する
が、その際には、反応容器１は洗浄せずに、被成膜基板
の上方に位置し、生成物が付着しやすく、そこから被成
膜基板上に付着生成物が落下し最も成膜汚損をもたらす
恐れのある整流板３３のみの洗浄で済ませることができ
る。
１の内壁に生成物が付着し汚れてくる。かかる付着生成
物が反応容器内壁から剥がれて被成膜基板２に落下する
と成膜が汚損されるから、生成物による汚れを洗浄する
が、その際には、反応容器１は洗浄せずに、被成膜基板
の上方に位置し、生成物が付着しやすく、そこから被成
膜基板上に付着生成物が落下し最も成膜汚損をもたらす
恐れのある整流板３３のみの洗浄で済ませることができ
る。
【００１８】ガス導入ポート３０の設置により、サセプ
タ３を介する被成膜基板２の加熱源として、反応容器１
の外周に高周波誘導加熱コイルを設けるのは難しい。そ
こでサセプタ３の内部に抵抗加熱ヒータ３７を設置す
る。また、かかる加熱態様に代えて、サセプタ３の下方
位置に当る反応容器１の外部に赤外線ランプを配置し、
反応容器壁を介してサセプタを赤外線で加熱するように
しても良い。
タ３を介する被成膜基板２の加熱源として、反応容器１
の外周に高周波誘導加熱コイルを設けるのは難しい。そ
こでサセプタ３の内部に抵抗加熱ヒータ３７を設置す
る。また、かかる加熱態様に代えて、サセプタ３の下方
位置に当る反応容器１の外部に赤外線ランプを配置し、
反応容器壁を介してサセプタを赤外線で加熱するように
しても良い。
【００１９】このように、ガス導入ポート３０及び同ポ
ートの下端にガス噴出口３４が形成されている整流板３
３によって、被成膜基板２に対し上方から原料ガスを供
給することができるから、ノズル体８に係る反応容器１
内に水平に配置された第１ガス導入ノズル１３及び第２
ガス導入ノズル１４からの２系統の原料ガスＡ，Ｂに加
えて、３系統目の原料ガスＣを被成膜基板の直前に独立
して供給することができる。そして、この３系統目のガ
ス経路はノズル体８のガス経路に比べて短くなるから、
保温された原料ガスもしくはプラズマ励起されたガスに
ついても良好な状態で被成膜基板に供給することができ
る。
ートの下端にガス噴出口３４が形成されている整流板３
３によって、被成膜基板２に対し上方から原料ガスを供
給することができるから、ノズル体８に係る反応容器１
内に水平に配置された第１ガス導入ノズル１３及び第２
ガス導入ノズル１４からの２系統の原料ガスＡ，Ｂに加
えて、３系統目の原料ガスＣを被成膜基板の直前に独立
して供給することができる。そして、この３系統目のガ
ス経路はノズル体８のガス経路に比べて短くなるから、
保温された原料ガスもしくはプラズマ励起されたガスに
ついても良好な状態で被成膜基板に供給することができ
る。
【００２０】保温状態で原料ガスをガス導入ポート３０
に供給する場合には、例えば、同ポートの上部フランジ
３１に接続されるガス供給管路３２の周囲に原料ガス加
熱用ヒータ３８を分布配設する。また、プラズマ励起ガ
スの供給に際しては、例えばガス導入ポート３０の直前
に一点鎖線で示すように高周波励起装置３９を設けた
り、或いは該部分にマイクロ波導波管を接続して原料ガ
スをプラズマ状態に励起する。この場合、原料ガス供給
管路３２は石英製とする。
に供給する場合には、例えば、同ポートの上部フランジ
３１に接続されるガス供給管路３２の周囲に原料ガス加
熱用ヒータ３８を分布配設する。また、プラズマ励起ガ
スの供給に際しては、例えばガス導入ポート３０の直前
に一点鎖線で示すように高周波励起装置３９を設けた
り、或いは該部分にマイクロ波導波管を接続して原料ガ
スをプラズマ状態に励起する。この場合、原料ガス供給
管路３２は石英製とする。
【００２１】反応容器１は真空排気されており、その内
部の圧力は低い。これに対し、例えば原料ガスをプラズ
マ励起状態にする場合、そのガス圧は特に高いものとな
るが、上述の実施例では、原料ガスはガス導入ポート３
０に導入され、整流板３３のガス噴出口３４によって反
応容器１内に供給されるから、ガス導入ポート、整流板
の部分で所要の差圧を持たせることができる。
部の圧力は低い。これに対し、例えば原料ガスをプラズ
マ励起状態にする場合、そのガス圧は特に高いものとな
るが、上述の実施例では、原料ガスはガス導入ポート３
０に導入され、整流板３３のガス噴出口３４によって反
応容器１内に供給されるから、ガス導入ポート、整流板
の部分で所要の差圧を持たせることができる。
【００２２】原料ガスの流れについて層流が重視される
場合には、図３に示すように噴出口３４の孔の空け方に
角度θを付けた整流板３３を用いれば良い。このとき、
整流機能を上げる、原料ガスの流れに一層の方向性を与
えるため、整流板３３の厚さｔは厚くした方が良い。ガ
ス導入ポート３０の位置としてはガスの流れを考慮し、
同ポートは図２にも示すように被成膜基板２の配置位置
より若干上流側に設けるのが望ましいが、整流板３３の
有効直径φの範囲内で、ガス流の条件によっても異なる
が、噴出口３４の位置を変えることにより、被成膜基板
２に所要のガス流を与えることができる。
場合には、図３に示すように噴出口３４の孔の空け方に
角度θを付けた整流板３３を用いれば良い。このとき、
整流機能を上げる、原料ガスの流れに一層の方向性を与
えるため、整流板３３の厚さｔは厚くした方が良い。ガ
ス導入ポート３０の位置としてはガスの流れを考慮し、
同ポートは図２にも示すように被成膜基板２の配置位置
より若干上流側に設けるのが望ましいが、整流板３３の
有効直径φの範囲内で、ガス流の条件によっても異なる
が、噴出口３４の位置を変えることにより、被成膜基板
２に所要のガス流を与えることができる。
【００２３】整流板３３の噴出口３４から供給する原料
ガスが成膜中、単一ガス或いは一定濃度のガスであれば
図１に示したガス導入ポート３０で特に問題はないが、
成膜中に原料ガスを切り換えたりガスの濃度を変えたり
する場合には、それまでに供給していた原料ガスが特に
ガス導入ポート３０内の隅の部分に残留し、ポート内の
スペースがデッドスペースになる。これに伴い、被成膜
基板２に対する新たな原料ガスへの切り換えが遅れるこ
とになり、所望の成膜層の形成を阻害する。このような
場合、図４に示すように、上部フランジ３１にガス導入
ポート３０内に入り込む部分３１1を形成することによ
りデッドスペースの発生、ガスの残留を防止することが
できる。
ガスが成膜中、単一ガス或いは一定濃度のガスであれば
図１に示したガス導入ポート３０で特に問題はないが、
成膜中に原料ガスを切り換えたりガスの濃度を変えたり
する場合には、それまでに供給していた原料ガスが特に
ガス導入ポート３０内の隅の部分に残留し、ポート内の
スペースがデッドスペースになる。これに伴い、被成膜
基板２に対する新たな原料ガスへの切り換えが遅れるこ
とになり、所望の成膜層の形成を阻害する。このような
場合、図４に示すように、上部フランジ３１にガス導入
ポート３０内に入り込む部分３１1を形成することによ
りデッドスペースの発生、ガスの残留を防止することが
できる。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、横長の
反応容器内に水平に配置したガス導入ノズルに加えて、
前記反応容器の上部に設けられた原料ガスのガス導入ポ
ート及びその下端のガス噴出口を有する整流板により、
被成膜基板にその上方から原料ガスを供給するから、独
立供給したい３系統の原料ガスを被成膜基板の近傍で均
一に混合して、同基板に供給することができる。
反応容器内に水平に配置したガス導入ノズルに加えて、
前記反応容器の上部に設けられた原料ガスのガス導入ポ
ート及びその下端のガス噴出口を有する整流板により、
被成膜基板にその上方から原料ガスを供給するから、独
立供給したい３系統の原料ガスを被成膜基板の近傍で均
一に混合して、同基板に供給することができる。
【００２５】被成膜基板の上方から原料ガスを供給する
から、ガスの通過経路が短く、保温ガスやプラズマ励起
ガスを保温、励起状態を損なわずに被成膜基板に供給す
ることができる。
から、ガスの通過経路が短く、保温ガスやプラズマ励起
ガスを保温、励起状態を損なわずに被成膜基板に供給す
ることができる。
【００２６】整流板はガス導入ポートの下端に着脱自在
に設けられているから、成膜条件に最適な整流板を容易
に交換使用することができる。また、反応容器内におけ
る生成物の付着、汚れを洗浄する際には、反応容器は洗
浄せずに、被成膜基板上に付着生成物が落下し成膜汚損
をもたらす恐れのある整流板のみの洗浄で済ませること
ができる。
に設けられているから、成膜条件に最適な整流板を容易
に交換使用することができる。また、反応容器内におけ
る生成物の付着、汚れを洗浄する際には、反応容器は洗
浄せずに、被成膜基板上に付着生成物が落下し成膜汚損
をもたらす恐れのある整流板のみの洗浄で済ませること
ができる。
【００２７】ガス導入ポートにおける原料ガス供給管路
に接続された上部フランジを導入ポート内に入り込ませ
ることにより、導入ポートのスペースを任意に選ぶこと
が可能になり、デッドスペースの発生を防止することが
できるから、被成膜基板の上方から供給する原料ガスの
切り換え時、それまでに供給してしていたガスの導入ポ
ート内の滞留を防止でき、成膜層の品質を向上させるこ
とができる。
に接続された上部フランジを導入ポート内に入り込ませ
ることにより、導入ポートのスペースを任意に選ぶこと
が可能になり、デッドスペースの発生を防止することが
できるから、被成膜基板の上方から供給する原料ガスの
切り換え時、それまでに供給してしていたガスの導入ポ
ート内の滞留を防止でき、成膜層の品質を向上させるこ
とができる。
【図１】本発明の実施例に係る横型の薄膜気相成長装置
の要部断面図である。
の要部断面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線での断面図である。
【図３】ガス噴出口に角度を付けた整流板の断面図であ
る。
る。
【図４】ガス導入ポートの変形例を示す断面図である。
【図５】横型の薄膜気相成長装置についての先行技術の
断面図である。
断面図である。
【図６】ノズル体の斜視図である。
１ 反応容器
２ 被成膜基板
３ サセプタ
８ ノズル体
１３ 第１の原料ガス導入ノズル
１４ 第２の原料ガス導入ノズル
３０ ガス導入ポート
３１ ガス導入ポートの上部フランジ
３２ 原料ガス供給管路
３３ 整流板
３４ ガス噴出口
３７ 抵抗加熱ヒータ
Claims (2)
- 【請求項１】 横長の反応容器と、この反応容器内に水
平に配置されて被成膜基板に原料ガスを供給するガス導
入ノズルと、前記反応容器の上部に設けられた原料ガス
の導入ポートと、この導入ポートの下端に配置され、前
記被成膜基板に上方から原料ガスを供給する複数のガス
噴出口が形成されている整流板とを備えた薄膜気相成長
装置において、前記整流板が導入ポートの下端に着脱自
在に配置されていることを特徴とする薄膜気相成長装
置。 - 【請求項２】 横長の反応容器と、この反応容器内に水
平に配置されて被成膜基板に原料ガスを供給するガス導
入ノズルと、前記反応容器の上部に設けられた原料ガス
の導入ポートと、この導入ポートの下端に配置され、前
記被成膜基板に上方から原料ガスを供給する複数のガス
噴出口が形成されている整流板と、前記導入ポートの上
端に取り付けられ、原料ガス供給管路に接続された上部
フランジであって、導入ポート内に入り込む部分を有し
て形成されているフランジとを備えてなることを特徴と
する薄膜気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10169394A JP3407400B2 (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | 薄膜気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP10169394A JP3407400B2 (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | 薄膜気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07286274A JPH07286274A (ja) | 1995-10-31 |
| JP3407400B2 true JP3407400B2 (ja) | 2003-05-19 |
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ID=14307421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10169394A Expired - Fee Related JP3407400B2 (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | 薄膜気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3407400B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443905B1 (ko) * | 2001-03-23 | 2004-08-09 | 삼성전자주식회사 | 화학 기상 증착장치 |
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-
1994
- 1994-04-18 JP JP10169394A patent/JP3407400B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07286274A (ja) | 1995-10-31 |
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