JP2735516B2 - 常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JP2735516B2 JP2735516B2 JP7221894A JP22189495A JP2735516B2 JP 2735516 B2 JP2735516 B2 JP 2735516B2 JP 7221894 A JP7221894 A JP 7221894A JP 22189495 A JP22189495 A JP 22189495A JP 2735516 B2 JP2735516 B2 JP 2735516B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heater
- injector head
- pressure cvd
- atmospheric pressure
- Prior art date
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板である
ウェハに成膜を施す常圧ＣＶＤ装置に関する。
ウェハに成膜を施す常圧ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の一例を示す常圧ＣＶＤ装置
の模式断面図である。従来、この種の常圧ＣＶＤ装置
は、図３に示すように、ベルト４で一方向に搬送される
ウェハ８に反応ガスを吹き付けるインジェクタヘッド５
と、このインジェクタヘッドに隣接して設けられる排気
ダクト４と、この排気ダクト４の両側に隣接して設けら
れ外気を遮断するために窒素ガスを吹付けるブロア７
と、搬送中のウェハ８を加熱するヒータ３と、ベルト４
に付着した反応生成物を除去するエッチング機構６とを
備えていた。
の模式断面図である。従来、この種の常圧ＣＶＤ装置
は、図３に示すように、ベルト４で一方向に搬送される
ウェハ８に反応ガスを吹き付けるインジェクタヘッド５
と、このインジェクタヘッドに隣接して設けられる排気
ダクト４と、この排気ダクト４の両側に隣接して設けら
れ外気を遮断するために窒素ガスを吹付けるブロア７
と、搬送中のウェハ８を加熱するヒータ３と、ベルト４
に付着した反応生成物を除去するエッチング機構６とを
備えていた。
【０００３】この常圧ＣＶＤ装置によるウェハ８の成膜
は、まず、ベルト４の上にウェハ８を載置し、ベルト４
を矢印の方向に走行させる。ベルト４で搬送されたウェ
ハ８は、ヒータ３で加熱されるとともに窒素ガスで外気
より遮断された中を反応ガスを吹き付けられ表面に成膜
を施される。このとき未反応ガスや気相反応により生成
されるパーティクルは排気ダクト４により排出されてい
た。
は、まず、ベルト４の上にウェハ８を載置し、ベルト４
を矢印の方向に走行させる。ベルト４で搬送されたウェ
ハ８は、ヒータ３で加熱されるとともに窒素ガスで外気
より遮断された中を反応ガスを吹き付けられ表面に成膜
を施される。このとき未反応ガスや気相反応により生成
されるパーティクルは排気ダクト４により排出されてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の常圧Ｃ
ＶＤ装置では、ヒータやべルトなどの上に浮遊する反応
して生成されるパーティクルおよび未反応ガスを排気ダ
クトで排出させているものの、ウエハ上に降下し再付着
することがある。このパーテイクルの付着は、品質の歩
留が低下するという問題点があった。
ＶＤ装置では、ヒータやべルトなどの上に浮遊する反応
して生成されるパーティクルおよび未反応ガスを排気ダ
クトで排出させているものの、ウエハ上に降下し再付着
することがある。このパーテイクルの付着は、品質の歩
留が低下するという問題点があった。
【０００５】また、ヒータ上に堆積するパーティクルの
増加することにより伝熱効率が低下するために、定期的
にクリーニングを行なう必要がある。しかしながら、ヒ
ータを常温に戻すのに時間がかかり、メンテナンスによ
るダウンタイムが大きく装置の稼働を低下させる問題点
があった。さらに、メンテナンスを行なうのにベルトを
覆う排気ダクト自体を移動させなければならず、容易に
できないという欠点もあった。
増加することにより伝熱効率が低下するために、定期的
にクリーニングを行なう必要がある。しかしながら、ヒ
ータを常温に戻すのに時間がかかり、メンテナンスによ
るダウンタイムが大きく装置の稼働を低下させる問題点
があった。さらに、メンテナンスを行なうのにベルトを
覆う排気ダクト自体を移動させなければならず、容易に
できないという欠点もあった。
【０００６】従って、本発明の目的は、ウェハへのパー
ティクルの付着の低減を図るとともにメンテナンスを容
易にしかつメンテナンスに要する時間を短縮しダウンタ
イムの少ない高い稼働率の常圧ＣＶＤ装置を提供するこ
とである。
ティクルの付着の低減を図るとともにメンテナンスを容
易にしかつメンテナンスに要する時間を短縮しダウンタ
イムの少ない高い稼働率の常圧ＣＶＤ装置を提供するこ
とである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の常圧ＣＶＤ装置
は、ベルトで一方向に搬送される半導体基板であるウェ
ハに反応ガスを吹き付けるインジェクタヘッドと、この
インジェクタヘッドに隣接して設けられ外気を遮断する
ためのガスを吹き付けるブロアと、搬送中のウェハを加
熱するヒータとを有する常圧ＣＶＤ装置において、ヒー
タをインジェクターヘッドの真下から離して設け、イン
ジェクターヘッドの真下にはベルトを介して未反応ガス
および反応生成物を排出する排気ダクトが設けられてい
る。
は、ベルトで一方向に搬送される半導体基板であるウェ
ハに反応ガスを吹き付けるインジェクタヘッドと、この
インジェクタヘッドに隣接して設けられ外気を遮断する
ためのガスを吹き付けるブロアと、搬送中のウェハを加
熱するヒータとを有する常圧ＣＶＤ装置において、ヒー
タをインジェクターヘッドの真下から離して設け、イン
ジェクターヘッドの真下にはベルトを介して未反応ガス
および反応生成物を排出する排気ダクトが設けられてい
る。
【０００８】また、排気ダクトの排気カバーは交換でき
る。さらに、赤外線をウェハに投射する赤外線ランプを
排気ダクト内に設けることが望ましい。
る。さらに、赤外線をウェハに投射する赤外線ランプを
排気ダクト内に設けることが望ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施の形態の常圧ＣＶＤ
装置を示す模式断面図である。この常圧ＣＶＤ装置は、
図１に示すように、インジェクタヘッド５の直下に排気
カバー１を配設し、この排気カバー１が継手リング２で
連結される排気ダクト１ａを設けている。そして、従
来、インジェクトヘッド５の直下に配設されていたヒー
タを分割し排気カバー１に隣接させ二つのヒータ３ａを
配置したことである。それ以外は従来例と同じである。
装置を示す模式断面図である。この常圧ＣＶＤ装置は、
図１に示すように、インジェクタヘッド５の直下に排気
カバー１を配設し、この排気カバー１が継手リング２で
連結される排気ダクト１ａを設けている。そして、従
来、インジェクトヘッド５の直下に配設されていたヒー
タを分割し排気カバー１に隣接させ二つのヒータ３ａを
配置したことである。それ以外は従来例と同じである。
【００１１】また、図面には示さないが、継手リング２
は排気カバー１を取付け取外しが容易になるように、排
気カバー１のフランジと排気ダクト１ａのフランジを挟
み込む溝をもつ二つ割りのリングで構成され、二つ割り
のリングの一端は回転自在に互いに連結され他端はボル
トとナットで連結するようになっている。
は排気カバー１を取付け取外しが容易になるように、排
気カバー１のフランジと排気ダクト１ａのフランジを挟
み込む溝をもつ二つ割りのリングで構成され、二つ割り
のリングの一端は回転自在に互いに連結され他端はボル
トとナットで連結するようになっている。
【００１２】一方、排気カバー１は漏斗状に成形され、
開口が搬送されるウェハ８の直径より稍大きめに製作さ
れている。ヒータ３ａは、インジェクタヘッド５とは離
れているので、反応ガスはヒータ３ａ側に流れ込まず、
ウェハ８の上方から下方への流れのみとなり、パーティ
クルはヒータ３ａに付着することはない。また、排気カ
バー１への流れ込みが早くウェハ８表面へのパーティク
ルの付着の機会が少なくなる。
開口が搬送されるウェハ８の直径より稍大きめに製作さ
れている。ヒータ３ａは、インジェクタヘッド５とは離
れているので、反応ガスはヒータ３ａ側に流れ込まず、
ウェハ８の上方から下方への流れのみとなり、パーティ
クルはヒータ３ａに付着することはない。また、排気カ
バー１への流れ込みが早くウェハ８表面へのパーティク
ルの付着の機会が少なくなる。
【００１３】メッシュ状のベルト４は、従来と同様にエ
ッチング機構部６によりを常時エッチングされ堆積した
生成物を除去しているので、ベルト４への堆積物に起因
する排気圧低下による膜厚異常も発生しない。さらにヒ
ータ３ａに生成物が堆積しないためヒータ３ａを切らず
にインジェクタヘッド５および排気カバー１のクリーニ
ングが可能なため装置のダウンタイムを大幅に低減する
ことが出来る。しかも、排気カバー１は容易に外すこと
ができるので、清掃済みの排気カバーと交換することが
できるのでより短時間で済むという利点がある。
ッチング機構部６によりを常時エッチングされ堆積した
生成物を除去しているので、ベルト４への堆積物に起因
する排気圧低下による膜厚異常も発生しない。さらにヒ
ータ３ａに生成物が堆積しないためヒータ３ａを切らず
にインジェクタヘッド５および排気カバー１のクリーニ
ングが可能なため装置のダウンタイムを大幅に低減する
ことが出来る。しかも、排気カバー１は容易に外すこと
ができるので、清掃済みの排気カバーと交換することが
できるのでより短時間で済むという利点がある。
【００１４】ただ、インジェクタヘッド５の直下にヒー
タが無くなるので、ウェハ８がヒータ３ａの上を通り過
ぎると、ウェハ８の温度が下る恐れがあるかもしれない
が、これには、予じめヒータ３ａによる加熱温度を高め
に設定しておき、ウェハの温度を高めにし、インジェク
タヘッド５の直下にあるときに所望の温度にするといっ
た装置の操作上の工夫を行なうか、あるいは、ウェハ８
を熱容量のある基台に乗せるかをすれば、実用上ほとん
ど問題はない。
タが無くなるので、ウェハ８がヒータ３ａの上を通り過
ぎると、ウェハ８の温度が下る恐れがあるかもしれない
が、これには、予じめヒータ３ａによる加熱温度を高め
に設定しておき、ウェハの温度を高めにし、インジェク
タヘッド５の直下にあるときに所望の温度にするといっ
た装置の操作上の工夫を行なうか、あるいは、ウェハ８
を熱容量のある基台に乗せるかをすれば、実用上ほとん
ど問題はない。
【００１５】図２は本発明の他の実施の形態の常圧ＣＶ
Ｄ装置における排気ダクト部を示す断面図である。この
常圧ＣＶＤ装置は前述の常圧ＣＶＤ装置の欠点を補うた
めになされたものである。すなわち、図２に示すよう
に、インジェクタヘッドの直下の排気カバー１の中から
赤外線を放射しウェハ８を加熱する赤外線ランプ１ｂを
設けたことである。それ以外は前述の常圧ＣＶＤ装置と
同じである。
Ｄ装置における排気ダクト部を示す断面図である。この
常圧ＣＶＤ装置は前述の常圧ＣＶＤ装置の欠点を補うた
めになされたものである。すなわち、図２に示すよう
に、インジェクタヘッドの直下の排気カバー１の中から
赤外線を放射しウェハ８を加熱する赤外線ランプ１ｂを
設けたことである。それ以外は前述の常圧ＣＶＤ装置と
同じである。
【００１６】また、この赤外線ランプ１ｂの手前の配管
の周囲には、水平方向からパーティクルや未反応ガスを
排気する複数の排気ダクト１ａが設けられ、排気カバー
１を経て落ち込む殆どのパーティクルを吸込むようにな
っている。ただ吸込み切れない重量のあるパーティクル
が赤外線ランプ１ｂに落ち込む恐れがあるときは、赤外
線ランプ１ｂの前段に赤外線より短い波長のカットオフ
フィルタを必要に応じて設ければ良い。
の周囲には、水平方向からパーティクルや未反応ガスを
排気する複数の排気ダクト１ａが設けられ、排気カバー
１を経て落ち込む殆どのパーティクルを吸込むようにな
っている。ただ吸込み切れない重量のあるパーティクル
が赤外線ランプ１ｂに落ち込む恐れがあるときは、赤外
線ランプ１ｂの前段に赤外線より短い波長のカットオフ
フィルタを必要に応じて設ければ良い。
【００１７】このように、ヒータが存在しない部分に赤
外線ランプ１ｂを配設してやれば、ウェハ８の加熱は従
来通り行なえるという利点がある。
外線ランプ１ｂを配設してやれば、ウェハ８の加熱は従
来通り行なえるという利点がある。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、未反応ガ
スや反応生成物を排出する排気ダクトをヒータが配設さ
れていないインジェクタヘッドの真下に設け、反応ガス
の流れを上から下に必然的に流れるようにしたので、ヒ
ータにはパーティクルの付着が無くなると同時にウェハ
に付着するパーティクルの低減を図れ、ヒータを清掃す
る必要もなくなる。その結果、ヒータを常温に戻す時間
を考慮することがなくなりメンテナンスによるダウンタ
イムを大幅に短縮することができ装置の稼働率を上げる
ことができるという効果が得られた。
スや反応生成物を排出する排気ダクトをヒータが配設さ
れていないインジェクタヘッドの真下に設け、反応ガス
の流れを上から下に必然的に流れるようにしたので、ヒ
ータにはパーティクルの付着が無くなると同時にウェハ
に付着するパーティクルの低減を図れ、ヒータを清掃す
る必要もなくなる。その結果、ヒータを常温に戻す時間
を考慮することがなくなりメンテナンスによるダウンタ
イムを大幅に短縮することができ装置の稼働率を上げる
ことができるという効果が得られた。
【００１９】また、排気ダクトと排気カバーとを簡単に
取付け取外しができるようにしたのでメンテナンスが容
易になるばかりかメンテナンスが極めて短時間に行なえ
るという効果もある。
取付け取外しができるようにしたのでメンテナンスが容
易になるばかりかメンテナンスが極めて短時間に行なえ
るという効果もある。
【図１】本発明の一実施の形態の常圧ＣＶＤ装置を示す
模式断面図である。
模式断面図である。
【図２】本発明の他の実施の形態の常圧ＣＶＤ装置にお
ける排気ダクト部を示す断面図である。
ける排気ダクト部を示す断面図である。
【図３】従来の一例を示す常圧ＣＶＤ装置の模式断面図
である。
である。
１ 排気カバー １ａ，４ 排気ダクト １ｂ 赤外線ランプ ２ 継手リング ３，３ａ ヒータ ５ インジェクタトヘッド ６ エッチング機構部 ７ ブロア ８ ウェハ
Claims (3)
- 【請求項１】 ベルトで一方向に搬送される半導体基板
であるウェハに反応ガスを吹き付けるインジェクタヘッ
ドと、このインジェクタヘッドに隣接して設けられ外気
を遮断するためのガスを吹き付けるブロアと、搬送中の
ウェハを加熱するヒータとを有する常圧ＣＶＤ装置にお
いて、前記ヒータを前記インジェクターヘッドの真下か
ら離して設け、前記インジェクターヘッドの真下には前
記ベルトを介して未反応ガスおよび反応生成物を排出す
る排気ダクトが設けられていることを特徴とする常圧Ｃ
ＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記排気ダクトの排気カバーは交換でき
ることを特徴とする請求項１記載の常圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 赤外線を前記ウェハに投射する赤外線ラ
ンプを前記排気ダクト内に設けたことを特徴とする請求
項１または請求項２記載の常圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7221894A JP2735516B2 (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7221894A JP2735516B2 (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0963971A JPH0963971A (ja) | 1997-03-07 |
| JP2735516B2 true JP2735516B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=16773843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7221894A Expired - Lifetime JP2735516B2 (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2735516B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4832046B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-12-07 | 日立造船株式会社 | 連続熱ｃｖｄ装置 |
| JP2007091556A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Hitachi Zosen Corp | カーボン系薄膜の連続製造装置 |
-
1995
- 1995-08-30 JP JP7221894A patent/JP2735516B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0963971A (ja) | 1997-03-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971209 |