PL87007B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL87007B1
PL87007B1 PL1973166647A PL16664773A PL87007B1 PL 87007 B1 PL87007 B1 PL 87007B1 PL 1973166647 A PL1973166647 A PL 1973166647A PL 16664773 A PL16664773 A PL 16664773A PL 87007 B1 PL87007 B1 PL 87007B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
template
external leads
internal
external
foil
Prior art date
Application number
PL1973166647A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of PL87007B1 publication Critical patent/PL87007B1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49531—Additional leads the additional leads being a wiring board
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49565—Side rails of the lead frame, e.g. with perforations, sprocket holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest uklad scalony, sposób montazu ukladów scalonych oraz urzadzenie do montazu ukladów scalonych.Znane uklady scalone umieszczane w dwurzedowych obudowach plastykowych typu DIP (dual-in-hne package) z dwustronnym ukladem wyprowadzen zewnetrznych zawieraja plytke pólprzewodnikowa stanowiaca wlasciwy uklad scalony, wytworzony technika cienkich warstw lub innym sposobem, przytwierdzona do wsporników zamocowanych w podstawie obudowy. Punkty laczeniowe plytki pólprzewodnikowej sa nastepnie laczone za pomoca drucików z wyprowadzeniami zewnetrznymi zaprasowanymi w podstawie obudowy. Takie rozwiazanie ukladu scalonego wymaga recznego laczenia drucików z punktami laczeniowymi na plytce pólprzewodnikowej i z wyprowadzeniami zewnetrznymi. Proces taki jest malo wydajny i poza tym stwarza mozliwosc popelnienia bledów podczas realizacji polaczen drucikami.Ze wzgledu na duza pracochlonnosc wykonania polaczen wewnetrznych za pomoca drucików w praktyce przemyslowej dazono do zmiany techniki wykonywania tych polaczen poprzez wyeliminowanie polaczen drutowych miedzy punktami na plytce pólprzewodnikowej a wyprowadzeniami zewnetrznymi w taki sposób, aby mozliwe bylo wprowadzenie maksymalnej automatyzacji procesu montazu ukladów scalonych w dwurzedo¬ wej obudowie plastykowej typu DIP.Wytwarzanie ukladów scalonych z wykorzystaniem elementów szablonowych zostalo uznane za najlepsza sposobnosc zwiekszenia wydajnosci i zmniejszenia kosztów montazu. Byly przeprowadzone badania nad róznymi sposobami montazu wyprowadzen zewnetrznych ukladów scalonych. Na przyklad, w amerykanskim opisie patentowym nr 3544857 twórcy wynalazku zaproponowali bezposrednie laczenie punktów laczeniowych na cienkowarstwowych plytkach pólprzewodnikowych z wyprowadzeniami zewnetrznymi, które nastepnie sa zaprasowywane w obudowie plastykowej. Wedlug amerykanskiego opisu patentowego nr 3544857 wyprowadze- nia zewnetrzne sa wykonane w postaci szablonowej ramki w cienkiej tasmie metalowej metoda wykrawania.Kazda ramka szablonowa wyprowadzen zewnetrznych ma obrzeza wzdluzne, z którymi tworza jedna calosc paski, stanowiace wyprowadzenia zewnetrzne, oraz obrzeza poprzeczne pozostawione ze wzgledów technologi-2 87007 cznych celem nadania tasmie z szablonami ramek wyprowadzen zewnetrznych odpowiedniej sztywnosci. Drugie konce pasków wyprowadzeniowych sa zawieszone swobodnie. Moga one byc zabezpieczone przed wygieciem specjalna tasma, która jest usuwana podczas montazu ukladu scalonego. Wzajemne rozstawienie i ksztalt swobodnych zakonczen pasków wyprowadzeniowych odpowiada rozmieszczeniu i ksztaltowi punktów laczenio¬ wych plytki pólprzewodnikowej. Te konce sa bezposrednio laczone do punktów laczeniowych plytki pólprzewodnikowej.Jednakze takie rozwiazanie ukladu scalonego nie zapewnia dostatecznej niezawodnosci i dokladnosci wykonania ukladów scalonych i nie zapewnia mozliwosci wprowadzenia calkowitej automatyzacji procesu montazu ukladów scalonych w plastykowych obudowach hermetyzowanych.Powaznym problemem pozostaje przy tym cykl termiczny zwiazany z hermetyzowaniem ukladu scalonego w obudowie plastykowej. Mianowicie z powodu róznicy miedzy wartosciami wspólczynników rozszerzalnosci cieplnej obudowy plastykowej, wyprowadzen metalowych i cienkowarstwowego elementu ukladu scalonego w cienkowarstwowych elementach scalonych powstaja duze naprezenia mechaniczne, czesto przekraczajace wytrzymalosc mechaniczna materialu. W wyniku w plytce pólprzewodnikowej powstaja pekniecia.Celem wynalazku jest zaprojektowanie takiego ukladu scalonego, którego budowa umozliwilaby wprowa¬ dzenie w szerokim zakresie automatyzacji procesu montazowego, oraz sposobu montazu ukladów scalonych jak równiez urzadzenia do automatycznego montazu ukladów scalonych, przeznaczonych do hermetyzacji w dwu¬ rzedowych obudowach plastykowych.Cel zostal osiagniety w wyniku zaprojektowania ukladu scalonego przeznaczonego do hermetyzowania w dwurzedowej obudowie plastykowej skladajacego sie z plytki pólprzewodnikowej stanowiacej wlasciwy uklad scalony, polaczen wewnetrznych, laczacych punkty laczeniowe plytki pólprzewodnikowej z wyprowa¬ dzeniami zewnetrznymi, wyprowadzen zewnetrznych zaprasowanych w obudowie plastykowej. Wedlug wynalaz¬ ku polaczenia wewnetrzne maja postac szablonowego ukladu polaczen wewnetrznych. Uklad szablonowy polaczen wewnetrznych przedstawia soba przewodniki metalowe nalozone jednym ze znanych sposobów na podloze z folii elastycznej, korzystnie z zywicy poliamidowej. Jedne konce przewodników szablonowego ukladu polaczen wewnetrznych przeznaczone do podlaczenia do punktów laczeniowych plytki pólprzewodnikowej wystaja poza krawedziami otworu wyznaczajacego umiejscowienie plytki pólprzewodnikowej. Drugie zakoncze¬ nia przewodników ukladu polaczen wewnetrznych o wymiarach poprzecznych znacznie wiekszych niz szero¬ kosc przewodników sa rozmieszczone szeregowo w dwóch równoleglych rzedach z obu stron otworu wyznacza¬ jacego umiejscowienie plytki pólprzewodnikowej. Z tymi zakonczeniami sa odpowiednio polaczone koncówki szablonowej ramki wyprowadzen zewnetrznych. Na podlozu z elastycznej folii, na którym naniesiony jest szablonowy uklad polaczen wewnetrznych, na krótszych jego bokach sa wykonane podluzne wyciecia. Sa one przeznaczone do zapewniania lepszych warunków wyrównywania nacisków, oddzialywujacych na uklad polaczen wewnetrznych podczas procesu hermetyzacji w obudowie plastykowej.Elementy w postaci ukladów polaczen wewnetrznych moga byc wykonywane na ciaglej tasmie z folii elastycznej. « .Sposób montazu ukladów scalonych hermetyzowanych w dwurzedowych obudowach plastykowych wedlug wynalazku polega na tym, ze punkty laczeniowe na plytce pólprzewodnikowej laczy sie z odpowied¬ nimi punktami szablonowego ukladu polaczen wewnetrznych. Uklad polaczen Wewnetrznych ma postac pasków materialu przewodzacego prad elektryczny nalozonych jednym ze znanych sposobów na elastyczne podloze izolacyjne. Jedne konce pasków ukladu polaczen wewnetrznych laczy sie z odpowiednimi punktami laczeniowymi plytki pólprzewodnikowej zawierajacej zasadniczy uklad scalony wykonany technologia cienkich warstw lub innym sposobem, a drugie konce wymienionych pasków polaczen wewnetrznych laczy sie z odpowiednimi zakonczeniami ukladu wyprowadzen zewnetrznych wykonanych w postaci szablonów z cienkiej tasmy metalowej.Odpowiednie czesci szablonowej ramki wyprowadzen zewnetrznych oraz szablonowego ukladu polaczen wewnetrznych pokrywa sie odpowiednim metalem lub stopem o niskiej temperaturze topliwosci, ustawia sie wspólosiowo przeznaczone do zlaczenia fragmenty szablonowego ukladu polaczen wewnetrznych, szablonowej ramki wyprowadzen zewnetrznych oraz urzadzenie laczace utrzymywane zasadniczo w stalej temperaturze znacznie przewyzszajacej temperature topnienia niskotopliwego metalu lub stopu iwykrojnik uksztaltowany odpowiednio do ksztaltu urzadzenia laczacego, a nastepnie przemieszcza sie wykrojnik w kierunku urzadzenia laczacego i zaciska sie szablon ukladu polaczen wewnetrznych i szablonowa ramke wyprowadzen zewnetrznych miedzy powierzchniami czolowymi urzadzenia laczacego i wykrojnika w miejscach, w których sa rozmieszczone fragmenty przeznaczone do zlaczenia, na okres czasu wystarczajacy do roztopienia niskotopliwego metalu lub stopu i utworzenia zlacza miedzy fragmentami polaczen wewnetrznych i wyprowadzen zewnetrznych.87007 3 Korzystnym jest, gdy wielka liczbe plytek pólprzewodnikowych przymocowuje sie do tasmy z izolacyjnej folii elastycznej, na której wytworzona jest jednym ze znanych sposobów wielka liczba szablonowych ukladów polaczen wewnetrznych, tak iz odpowiednie zakonczenia ukladu polaczen wewnetrznych laczy sie z odpowied¬ nimi punktami laczeniowymi plytki pólprzewodnikowej, z których kazdy laczy sie zjedna szablonowa ramka wyprowadzen zewnetrznych. Ramki szablonowe wyprowadzen zewnetrznych sa utworzone w jednej tasmie folii metalowej. Z rozciagnietej liniowo tasmy z folii elastycznej sukcesywnie wycina sie wykrojnikiem poszczególne fragmenty folii elastycznej, z których kazdy fragment odpowiada jednemu szablonowemu ukladowi polaczen wewnetrznych, przenosi sie za pomoca wykrojnika oddzielony fragment tasmy foliowej do urzadzenia laczacego, dokonuje sie zlaczenia zakonczen polaczen wewnetrznych jednego szablonowego ukladu polaczen wewne¬ trznych z odpowiednimi zakonczeniami jednej szablonowej ramki wyprowadzen zewnetrznych z wielkiej liczby szablonowych ramek wyprowadzen zewnetrznych wytworzonych w postaci ciaglej tasmy z folii metalowej, po czym dokonuje sie odpowiedniego przesuniecia tasmy z folii elastycznej i tasmy z folii metalowej i cykl sie powtarza.Sposób montazu ukladów scalonych jest realizowany za pomoca urzadzenia do montazu ukladów scalonych. Urzadzenie wedlug wynalazku zawiera zespól ustalajacy odpowiednio fragmenty szablonowe z folii elastycznej wzgledem szablonowych ramek wyprowadzen zewnetrznych, zespól laczacy o wyprofilowaniu powierzchni czolowej umozliwiajacym jednoczesny styk ze wszystkimi zakonczeniami szablonowej ramki wyprowadzen zewnetrznych, zespól podtrzymujacy stala temperature powierzchni czolowej zespolu laczacego znacznie przewyzszajaca temperature topnienia zastosowanego spoiwa, oraz zespól utrzymujacy zacisniete fragmenty szablonowe ukladu polaczen wewnetrznych i szablonowe ramki wyprowadzen zewnetrznych w kon¬ takcie z zespolem laczacym w ciagu okresu czasu wystarczajacego do wytworzenia zlacza miedzy zakonczeniami ukladu polaczen wewnetrznych i ramki wyprowadzen zewnetrznych.Montaz ukladów scalonych sposobem wedlug wynalazku, gdy miedzy plytka pólprzewodnikowa a ramka szablonowa wyprowadzen zewnetrznych umieszcza sie uklad posredni polaczen wewnetrznych jest bardzo korzystny, gdyz znacznie zwieksza sie niezawodnosc ukladu scalonego. Przy takim wykonaniu ukladu scalonego naprezenia powstajace w wyprowadzeniach zewnetrznych nie przenosza sie bezposrednio na wykonana technika cienkich warstw plytke pólprzewodnikowa, lecz na nalozony na elastyczna folie uklad polaczen wewne¬ trznych, który jest bardziej wytrzymaly mechanicznie. Poza tym wlasnie wprowadzenie posredniego ukladu polaczen wewnetrznych stworzylo warunki do wprowadzenia automatyzacji procesu montazu ukladów scalonych. \ Przedmioty wynalazku sa blizej objasnione w przykladach wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia w powiekszeniu widok z góry fragmentu elastycznej tasmy izolacyjnej z wieloma nalozonymi na nia ukladami szablonowymi polaczen wewnetrznych; fig. 2 — w powiekszeniu widok z góry fragmentu tasmy z folii miedzianej z jedna ramka szablonowa wyprowadzen zewnetrznych; fig. 3, 4, 5 — schematyczne widoki z boku z czesciowym przekrojem, obrazujace kolejnosc polozen przyjmowanych przez wykrojnik, ramke wyprowadzen i uklad polaczen wewnetrznych podczas przylaczania wyprowadzen zewnetrznych; a fig. 6 przedstawia w po¬ wiekszeniu widok z góry elementu ramki szablonowej wyprowadzen zewnetrznych z przylaczonymi do niego odpowiednimi elementami polaczen wewnetrznych wraz z przymocowana plytka pólprzewodnikowa zabezpie¬ czona kropla zywicy epoksydowej.Elastyczna tasma izolacyjna 11 pokazana na fig. 1 •jest wykonana z folii poliamidowej. Korzystnym jest zastosowanie folii poliamidowej odznaczajacej sie wysoka stabilnoscia termiczna i odpornoscia na odksztalcenia mechaniczne (wymiarowe) w warunkach wystepujacych naprezen. Tasma 11 ma perforacje trzech rodzajów: w postaci otworów 12 przeznaczonych do transportu tasmy 11 i do ustalania jej w okreslonej pozycji, otworów 13 przeznaczonych do zapewniania szybkiego wyrównywania nacisków w gniezdzie formy podczas procesu hermetyzacji i otworów 14 wyznaczajacych miejsca, w których plytka pólprzewodnikowa (na rysunku nie pokazana) jest laczona do swobodnie wiszacych konców 15 cienkowarstowych polaczen 16 wewnetrznych.Bezposrednio po przylaczeniu plytki pólprzewodnikowej korzystnym jest zabezpieczyc ja kropla zywicy epoksydowej, która po stwardnieniu hermetyzuje plytke i jej polaczenia.W rozwiazaniu pokazanym na fig. 1 polaczenia wewnetrzne 16 sa wykonane w postaci szablonów przez laminowanie folii poliamidowej cienka warstwa miedzi walcowanej. Nastepnie ksztaltuje sie uklad polaczen wewnetrznych metoda fotolitografii lub inna znana metoda. Ksztalt zakonczen 17 umozliwia latwe dopasowanie z ramka wyprowadzen zewnetrznych. Zakonczenia 17 maja np. szerokosc 1,64 mm i odstep pomiedzy sasied¬ nimi zakonczeniami — 1 mm. < Jak przedstawiono na fig. 2 szablonowa ramka wyprowadzen 21 wykonana jest ze stopu miedzi powlekanego cienka warstwa cyny co umozliwia wykonanie polaczenia dyfuzyjnego pomiedzy szablonowym4 87007 ukladem polaczen wewnetrznych i zakonczeniami wyprowadzen 22. Najkorzystniejsza jest prosta konfiguracja prostokatna przy zachowanju szerokosci zakonczen wyprowadzen równej 1,27 mm i odstepu pomiedzy nimi równego 1,27 mm. Paski 23 podtrzymujace wyprowadzenia sa po hermetyzacji odcinane. Otwory 24 umozliwiaja naped tasmy i osiowanie. Wystepy 25 i 26 sluza do unieruchomienia ramki wyprowadzen w otaczajacym ja tworzywie sztucznym.Na fig. 3 przedstawiona jest tasma 11 z folii z tworzywa sztucznego z wytworzonymi na niej szablonowymi ukladami polaczen wewnetrznych 16 i przylaczonymi plytkami pólprzewodnikowymi 31. Kolo lancuchowe 32 jest przeznaczone do przesuwu tasmy 11. Gdy jeden z szablonowych ukladów polaczen wewnetrznych 16 znajduje sie w strefie roboczej wykrojnika 33 nastepuje jego przemieszczenie w dól, w kierunku matrycy tnacej . W wyniku polaczen wewnetrznych 16 o ksztalcie, jak zaznaczono linia kreskowana na fig. 1, Wykrojnik 33 ma kanal 36 w którym wytwarza sie podcisnienie. Dzieki temu wyciety fragment tasmy 11 utrzymywany jest na jego powierzchni czolowej.Odciety fragment tasmy 11 jest przenoszony wykrojnikiem 33 do strefy oddzialywania zespolu 41, dokonujacego laczenia zakonczen 17 szablonowego ukladu polaczen wewnetrznych 16 z odpowiednimi zakonczeniami 22 szablonowej ramki 21 wyprowadzen zewnetrznych i odpowiednio ustawiany wzgledem ramki.Nastepnie zespól laczacy 41 podnosi sie do góry tak, ze fragment ramki szablonowej 21 odpowiadajacy jednemu ukladowi szablonowemu polaczen wewnetrznych 16 oraz wyciety fragment tasmy 11 z plytka pólprzewodnikowa 31 i szablonami polaczen wewnetrznych 16 zostaje zacisniety miedzy wystepami 34 wykrajnika 33 i odpowiednio wyprofilowana powierzchnia zespolu laczacego 41 na okres czasu wystarczajacy dla utworzenia wszystkich polaczen. W przypadku zastosowania stopu lutowniczego o temperaturze topnienia 232°C i przy temperaturze urzadzenia laczacego równej okolo 500°C czas laczenia zakonczen wyprowadzen zewnetrznych i polaczen wewnetrznych wynosi 0,5 -r 0,4 s.Na fig. 5 < przedstawiono faze, gdy podcisnienie jest likwidowane, wykrojnik i urzadzenie laczace sa wycofywane, tasma z elastycznej folii izolacyjnej jest przesuwana w nastepna pozycje, tasma z ramkami wyprowadzen jest takze przesuwana w nastepna pozycje i moze zostac wykonane nastepne polaczenie.Na fig. 6 jest przedstawiony gotowy zespól, w którym fragment tasmy 11 z ukladem polaczen wewne¬ trznych 16 i plytka pólprzewodnikowa 31 jest przylutowany do tasmy miedzianej z szablonowymi ramkami wyprowadzen 21. Tasma z ramkami wyprowadzen 21, z plytka pólprzewodnikowa 31 i ukladem polaczen wewnetrznych 16, zlaczonymi tak, jak to pokazano na fig. 6, jest nastepnie przekazywana na stanowisko zalewania tworzywem sztucznym i hermetyzacji znanym sposobem. Paski 23 sa odcinane i w ten sposób poszczególne uklady scalone sa oddzielane od nieuzytecznych juz fragmentów tasmy miedzianej. Zmontowany uklad scalony jest gotowy do kontroli i wysylki.Dalsza mozliwoscia zmniejszania naprezen jest dobór odpowiedniego skladu tworzywa przeznaczonego do wytwarzania hermetyzowanej obudowy ukladu scalonego. W przedstawionym rozwiazaniu uzywana jest zywica epoksydowa „Novolak", która sie zestala w temperaturze 150°C i która odznacza sie malym wspólczynnikiem rozszerzalnosci cieplnej w zakresie temperatur ponizej punktu przemiany.Chociaz powyzej jest przedstawione tylko jedno rozwiazanie wynalazku, oczywiste jest, ze mozliwych jest wiele odmian nie naruszajacych istoty wynalazku. Na przyklad, mimo ze zalecane cienkowarstowe polaczenia wewnetrzne sa wytwarzane przez wytrawianie warstwy metalu na laminowanej filii poliamidowej, jest oczywiste, ze zamiast techniki wytrawiania moga byc zastosowane inne techniki wytwarzania polaczen wewnetrznych i inne folie elastyczne. Podobnie ramka wyprowadzen 21 moze byc wykonana z innych metali niz'miedz i liczba wyprowadzen nie musi byc ograniczona do czternastu.Oczywiste jest takze, ze kolejnosc czynnosci przedstawiona na fig. 3; 4, i 5, moze byc zastosowana do laczenia innych elementów niz ramka wyprowadzen przedstawiona na fig. 2, na przyklad obwodów drukowa¬ nych, metalizowanej ceramiki, obwodów elastycznych itp. < PL PL PL

Claims (5)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Uklad scalony, przeznaczony do hermetyzowania w obudowie plastykowej z dwustronnym ukladem wyprowadzen zewnetrznych, skladajacy sie z plytki pólprzewodnikowej stanowiacej wlasciwy uklad scalony, polaczen wewnetrznych laczacych punkty laczeniowe plytki pólprzewodnikowej z wyprowadzeniami zewne¬ trznymi, wyprowadzen zewnetrznych zaprasowanych w obudowie plastykowej, znamienny tym, ze polaczenia wewnetrzne laczace punkty laczeniowe plytki pólprzewodnikowej z wyprowadzeniami zewne¬ trznymi maja postac szablonowego ukladu polaczen wewnetrznych zawierajacego przewodniki (16) nalozone znanym sposobem na podloze (11) z cienkiej folii elastycznej, korzystnie z folii poliamidowej, których87007 5 zakonczenia (15) przeznaczone do laczenia z punktami laczeniowymi plytki pólprzewodnikowej stanowiacej wlasciwy uklad scalony wystaja poza krawedzie otworu (14) wyznaczajacego umiejscowienie plytki pólprze¬ wodnikowej i których drugie zakonczenia (17), przeznaczone do laczenia z koncówkami wyprowadzen zewne¬ trznych, majace wymiary poprzeczne znacznie wieksze niz szerokosc przewodników (16) sa rozmieszczone szeregowo w dwóch równoleglych rzedach z obu stron otworu (14) wyznaczajacego umiejscowienia plytki pólprzewodnikowej, przy czym w podlozu (11) z folii elastycznej sa wykonane na krótszych bokach wyciecia podluzne (13) przeznaczone do wyrównywania obciazen mechanicznych dzialajacych na szablonowy uklad polaczen wewnetrznych podczas procesów montazowych.
2. Sposób montazu ukladów scalonych, w obudowach plastykowych z dwustronnym ukladem wyprowa¬ dzen zewnetrznych wykonanych w postaci ramek szablonowych z cienkiej tasmy metalowej, z n a m i e n n y tym ze punkty laczeniowe na plytce pólprzewodnikowej laczy sie z odpowiednimi punktami szablonowego ukladu polaczen wewnetrznych wykonanego w postaci pasków materialu przewodzacego prad elektryczny nalozonych jednym ze znanych sposobów na elastyczne podloze izolacyjne, przy czym jedne konce pasków ukladu polaczen wewnetrznych laczy sie z odpowiednimi punktami laczeniowymi plytki pólprzewodnikowej, zawierajacej zasadniczy uklad scalony wykonany technika cienkich warstw lub innym znanym sposobem, a drugie konce wymienionych pasków polaczen wewnetrznych laczy sie z odpowiednimi zakonczeniami ukladu wyprowadzen zewnetrznych wykonanych w postaci szablonów z cienkiej tasmy metalowej.
3. Sposób wedlug zastrz. 2, znmienny tym ze odpowiednie czesci szablonowej ramki wyprowadzen zewnetrznych i szablonowego ukladu polaczen wewnetrznych pokrywa sie odpowiednim metalem lub stopem o niskiej temperaturze topliwosci, ustawia sie wspólosiowo przeznaczone do zlaczenia fragmenty szablonowego ukladu polaczen wewnetrznych i odpowiednie fragmenty szablonowej ramki wyprowadzen zewnetrznych oraz urzadzenie laczace utrzymywane zasadniczo w stalej temperaturze znacznie przewyzszajacej temperature topnienia niskotopliwego metalu lub stopu iwykrojnik uksztaltowany odpowiednio do uksztaltowania urza¬ dzenia laczacego, a nastepnie przemieszcza sie wykrojnik w kierunku urzadzenia laczacego i zaciska sie szablon ukladu polaczen wewnetrznych i szablonowa ramke wyprowadzen zewnetrznych miedzy powierzchniami czolowymi urzadzenia laczacego i wykrojnika w miejscach, w których sa rozmieszczone fragmenty przeznaczone do zlaczenia na okres czasu wystarczajacy do roztopienia niskotopliwego metalu lub stopu i utworzenia zlacza miedzy fragmentami polaczen wewnetrznych i wyprowadzen zewnetrznych.
4. Sposób montazu ukladów scalonych, w obudowach plastykowych z dwustronnym ukladem wyprowa¬ dzen zewnetrznych wykonanych w postaci ramek szablonowych z cienkiej tasmy metalowej, znamienny ty m ze wielka liczbe plytek pólprzewodnikowych przymocowuje sie do tasmy z folii elastycznej, na której wytworzona jest wielka liczba szablonowych ukladów polaczen wewnetrznych tak, iz odpowiednie zakonczenia ukladu polaczen wewnetrznych laczy sie z odpowiednimi punktami laczeniowymi plytki pólprzewodnikowej, nastepnie z rozciagnietej liniowo tasmy z folii elastycznej sukcesywnie oddziela sie za pomoca wykrojnika poszczególne fragmenty folii elastycznej, z których kazdy fragment odpowiada jednemu szablonowemu ukladowi polaczen wewnetrznych, przenosi sie za pomoca wykrojnika, w którego kanale wytwarza sie podcisnienie, oddzielony fragment folii do urzadzenia laczacego, dokonuje sie zlaczenia zakonczen polaczen wewnetrznych jednego szablonowego ukladu polaczen wewnetrznych z odpowiednimi zakonczeniami jednej szablonowej ramki wyprowadzen zewnetrznych z wielkiej liczby szablonowych ramek wyprowadzen zewnetrznych wytworzonych w postaci ciaglej tasmy z folii metalowej, po czym dokonuje sie odpowiedniego przesuniecia tasmy, z folii elastycznej i tasmy z folii metalowej i operacja sie powtarza.
5. Urzadzenie do montazu ukladów scalonych, w obudowach plastykowych z dwustronnym ukladem wyprowadzen zewnetrznych wykonanych w postaci ramek szablonowych z cienkiej tasmy metalowej, zna¬ mienne tym ze zawiera zespól ustalajacy odpowiednio fragmenty folii elastycznej wzgledem szablonowych ramek wyprowadzen zewnetrznych, zespól laczacy (41) o wyprofilowaniu powierzchni czolowej umozliwiajacy jednoczesny styk ze wszystkimi zakonczeniami szablonowej ramki wyprowadzen zewnetrznych (21), zespól podtrzymujacy stala temperature powierzchni czolowej zespolu laczacego (41) znacznie przewyzszajaca temperature topnienia zastosowanego spoiwa oraz zespól utrzymujacy zacisniete fragmenty szablonowe ukladu polaczen wewnetrznych i szablonowe ramki wyprowadzen zewnetrznych w kontakcie z zespolem laczacym w ciagu okresu czasu wystarczajacego do wytworzenia zlacza miedzy zakonczeniami ukladu polaczen wewne¬ trznych i ramki wyprowadzen zewnetrznych.87007 Fig.I 0DDO1 Ufam fefrf [At-MfJW;evJ /j- D D D /* /7^ *< */ _J r~| r—l ¦/' f—P ^ /7^,-r* J-JJ ^y /7^. 5 /'"/y, £ Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120+18 Cena 10 zl PL PL PL
PL1973166647A 1973-01-02 1973-11-20 PL87007B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US320349A US3859718A (en) 1973-01-02 1973-01-02 Method and apparatus for the assembly of semiconductor devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL87007B1 true PL87007B1 (pl) 1976-06-30

Family

ID=23246002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1973166647A PL87007B1 (pl) 1973-01-02 1973-11-20

Country Status (14)

Country Link
US (1) US3859718A (pl)
JP (2) JPS5751732B2 (pl)
KR (1) KR780000595B1 (pl)
BR (1) BR7309074D0 (pl)
CA (1) CA1086430A (pl)
DD (1) DD107812A5 (pl)
DE (1) DE2363833C2 (pl)
FR (1) FR2212642B1 (pl)
GB (1) GB1447524A (pl)
HU (1) HU167861B (pl)
IT (1) IT991996B (pl)
PH (1) PH9927A (pl)
PL (1) PL87007B1 (pl)
RO (1) RO64695A (pl)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3949925A (en) * 1974-10-03 1976-04-13 The Jade Corporation Outer lead bonder
CA1052912A (en) * 1975-07-07 1979-04-17 National Semiconductor Corporation Gang bonding interconnect tape for semiconductive devices and method of making same
US4099660A (en) * 1975-10-31 1978-07-11 National Semiconductor Corporation Apparatus for and method of shaping interconnect leads
US4166562A (en) * 1977-09-01 1979-09-04 The Jade Corporation Assembly system for microcomponent devices such as semiconductor devices
US4330790A (en) * 1980-03-24 1982-05-18 National Semiconductor Corporation Tape operated semiconductor device packaging
EP0064496A1 (en) * 1980-11-07 1982-11-17 Mostek Corporation Multiple terminal two conductor layer burn-in tape
US4331831A (en) * 1980-11-28 1982-05-25 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Package for semiconductor integrated circuits
US4409733A (en) * 1981-01-26 1983-10-18 Integrated Machine Development Means and method for processing integrated circuit element
JPS5922386A (ja) * 1982-07-07 1984-02-04 アルカテル・エヌ・ブイ 電子部品構造体
US4754912A (en) * 1984-04-05 1988-07-05 National Semiconductor Corporation Controlled collapse thermocompression gang bonding
JPS60229345A (ja) * 1984-04-27 1985-11-14 Toshiba Corp 半導体装置
EP0213575B1 (en) * 1985-08-23 1992-10-21 Nec Corporation Method of manufacturing a semiconductor device employing a film carrier tape
FR2590052B1 (fr) * 1985-11-08 1991-03-01 Eurotechnique Sa Procede de recyclage d'une carte comportant un composant, carte prevue pour etre recyclee
US5038453A (en) * 1988-07-22 1991-08-13 Rohm Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor devices, and leadframe and differential overlapping apparatus therefor
US4985988A (en) * 1989-11-03 1991-01-22 Motorola, Inc. Method for assembling, testing, and packaging integrated circuits
US5528397A (en) * 1991-12-03 1996-06-18 Kopin Corporation Single crystal silicon transistors for display panels
US6087195A (en) * 1998-10-15 2000-07-11 Handy & Harman Method and system for manufacturing lamp tiles
JP5167779B2 (ja) * 2007-11-16 2013-03-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US20160056095A1 (en) * 2014-08-25 2016-02-25 Infineon Technologies Ag Leadframe Strip with Sawing Enhancement Feature

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3544857A (en) * 1966-08-16 1970-12-01 Signetics Corp Integrated circuit assembly with lead structure and method
US3442432A (en) * 1967-06-15 1969-05-06 Western Electric Co Bonding a beam-leaded device to a substrate
US3689991A (en) * 1968-03-01 1972-09-12 Gen Electric A method of manufacturing a semiconductor device utilizing a flexible carrier
US3698074A (en) * 1970-06-29 1972-10-17 Motorola Inc Contact bonding and packaging of integrated circuits
US3698073A (en) * 1970-10-13 1972-10-17 Motorola Inc Contact bonding and packaging of integrated circuits
US3793714A (en) * 1971-05-27 1974-02-26 Texas Instruments Inc Integrated circuit assembly using etched metal patterns of flexible insulating film

Also Published As

Publication number Publication date
PH9927A (en) 1976-06-14
US3859718A (en) 1975-01-14
BR7309074D0 (pt) 1974-10-22
RO64695A (ro) 1980-06-15
DE2363833C2 (de) 1987-01-22
GB1447524A (en) 1976-08-25
FR2212642A1 (pl) 1974-07-26
KR780000595B1 (en) 1978-11-23
HU167861B (pl) 1975-12-25
IT991996B (it) 1975-08-30
CA1086430A (en) 1980-09-23
JPS5751732B2 (pl) 1982-11-04
DE2363833A1 (de) 1974-07-04
DD107812A5 (pl) 1974-08-12
JPS57164556A (en) 1982-10-09
JPS4999477A (pl) 1974-09-19
FR2212642B1 (pl) 1978-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL87007B1 (pl)
KR100395188B1 (ko) 반도체장치 및 그 제조방법과 전자기기
US5854741A (en) Unit printed circuit board carrier frame for ball grid array semiconductor packages and method for fabricating ball grid array semiconductor packages using the same
US8659146B2 (en) Lead frame based, over-molded semiconductor package with integrated through hole technology (THT) heat spreader pin(s) and associated method of manufacturing
US7045392B2 (en) Semiconductor device and method of fabrication thereof, semiconductor module, circuit board, and electronic equipment
JPWO1999035683A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法並びに電子機器
US5250470A (en) Method for manufacturing a semiconductor device with corrosion resistant leads
US5506174A (en) Automated assembly of semiconductor devices using a pair of lead frames
US20240243095A1 (en) Semiconductor device assembly, method for manufacturing same, and application thereof
JPH0922963A (ja) 半導体回路素子搭載基板フレームの製造方法
JPH041501B2 (pl)
US3978516A (en) Lead frame assembly for a packaged semiconductor microcircuit
US3961413A (en) Method and apparatus for the assembly of semiconductor devices
US6190938B1 (en) Cross grid array package structure and method of manufacture
US11081428B2 (en) Electronic device with three dimensional thermal pad
US20250275485A1 (en) Semiconductor device package with integral heat slug and isolation
JP3096226B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN109950017A (zh) 电子部件以及电子部件的制造方法
JP4257534B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6246537A (ja) フィルムキャリヤ半導体装置の電気試験方法
EP0438742B1 (en) Method of fabricating a semiconductor device of thin package type
KR20100093359A (ko) 반도체 모듈의 제조 방법
US6894374B2 (en) Semiconductor package insulation film and manufacturing method thereof
US6875637B2 (en) Semiconductor package insulation film and manufacturing method thereof
KR20010042682A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법