PL55003B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL55003B1
PL55003B1 PL110862A PL11086265A PL55003B1 PL 55003 B1 PL55003 B1 PL 55003B1 PL 110862 A PL110862 A PL 110862A PL 11086265 A PL11086265 A PL 11086265A PL 55003 B1 PL55003 B1 PL 55003B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
gate electrode
passive
trigger
operating voltage
signal inputs
Prior art date
Application number
PL110862A
Other languages
English (en)
Inventor
dypl. Dietrich Armgarth inz.
dypl. JurgenWende inz.
Original Assignee
Veb Halbleiterwerk Frankfurt/Oder
Filing date
Publication date
Application filed by Veb Halbleiterwerk Frankfurt/Oder filed Critical Veb Halbleiterwerk Frankfurt/Oder
Publication of PL55003B1 publication Critical patent/PL55003B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 14.IX.1965 (P 110 862) 18.IX.1964 Niemiecka Republika Demokra¬ tyczna 12.IV.1968 55003 KI. 21 a*, 36/18 MKP _"°3k Wis, UHOr^fcfW Wspóltwórcy wynalazku: inz. dypl. Dietrich Armgarth, inz. dypl. Jurgen Wende Wlasciciel patentu: VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, Frankfurt/Oder (Niemiecka Republika Demokratyczna) Logiczny uklad podstawowy lub impulsowy ze sterowaniem bramkowym Wynalazek dotyczy logicznego ukladu podsta¬ wowego lub impulsowego ze sterowaniem bram¬ kowym, w którym wyjscia sygnalowe sa ste¬ rowane przez wejscia sygnalowe dla wykonania róznych funkcji.Logiczne uklady podstawowe pracujace przy sterowaniu bramkowym na przyklad z tranzysto¬ rami polowymi, sa malo znane. Dla kazdego ¦ z tych ukladów podstawowych sa potrzebne licz¬ ne tranzystory polowe, co wywiera niekorzystny wplyw na niezawodnosc pracy i szybkosc pracy.Zastosowanie ich do odtwarzania funkcji logicz¬ nych jest ograniczone lub mozliwe tylko w okres¬ lonych zastosowaniach. Nie nadaja sie one rów¬ niez jako czesci skladowe ukladów impulsowych.Celem wynalazku jest stworzenie niezawodne¬ go ukladu podstawowego o wielostronnym za¬ stosowaniu, który w wykonaniu zminiaturyzowa¬ nym nadaje sie do scalenia.Wynalazek ma za zadanie stworzenie logicz¬ nego ukladu podstawowego lub impulsowego, w którym do sterowania bramkowego potrzebne sa tylko nieliczne elementy konstrukcyjne czyn¬ ne lub bierne i którymi prócz tego uzyskuje sie wielka szybkosc przelaczania przy malym zapo¬ trzebowaniu pradu i niskim napieciu.Wedlug wynalazku osiaga sie to w ten sposób, ze na elektrode bramkowa tranzystora polowe¬ go, pracujacego na zasadzie wzbogacania, sygna¬ ly wejsciowe sa prowadzone przez czynne lub bierne elementy konstrukcyjne np. przez diody tak spolaryzowane, ze po przylozeniu napiecia na wejscie sygnalowe wykazuja duzy opór, a wiec w kierunku zaporowxm. Poza tym mie- 5 dzy napiecie robocze i elektrode bramkowa wla¬ czony jest element czynny lub bierny, na przy¬ klad opornik wlaczony szeregowo. Dla nastawie¬ nia punktu pracy, napiecie robocze jest przylo¬ zone poprzez element bierny lub czynny na io przyklad poprzez opornik roboczy na spust tran¬ zystora polowego, natomiast zródlo tranzystora polowego jest polaczone z masa. Przy pomocy tego ukladu mozna odtwarzac funkcje logiczne „i — nie" (NAND) oraz „nie" (negacja) albo ukla- 15 dy impulsowe.Dla realizacji funkcji logicznych „lub — nie" (NOR) oraz „nie" (negacja) sygnaly wejsciowe sa podawane na elektrode bramkowa tranzystora po¬ lowego poprzez czynne lub bierne elementy kon- 20 strukcyjne na przyklad diody, które sa spolaryzo¬ wane tak, iz z chwila przylozenia napiecia na wejscie sygnalowe wykazuja maly opór, a wiec w kierunku przewodzenia. Napiecie robocze jest ' przylozone poprzez bierny lub czynny element 25 konstrukcyjny jako opornik roboczy na spust tran¬ zystora polowego. Zródlo jest polaczone z masa.Dla polepszenia pracy ukladu mozna wlaczyc opor¬ nik miedzy elektrode bramkowa i mase.Przez polaczenie kilku tego rodzaju ukladów so podstawowych mozna odtworzyc wszelkie dalsze 550033 funkcje logiczne. Poza tym mozna w ukladzie NAND zastosowac czynne lub bierne elementy konstrukcyjne nastepnych ukladów jako opór ro¬ boczy dla tranzystora polowego poprzedzajacego uklad podstawowy.Wedlug wynalazku dla realizacji róznych funkcji logicznych albo ukladów impulsowych potrzebny jest tylko tranzystor polowy i nielicz¬ ne elementy czynne lub bierne. Uklad podstawo¬ wy jest prawie nieobciazony przez nastepne ukla¬ dy, tak, iz moga one byc zaprojektowane na ma¬ ly pobór mocy. Przy scaleniu, wobec malej mocy strat cieplnych, mozna stosowac wielka gestosc u- lozenia elementów. W wiekszych ukladach powaz¬ nymi zaletami sa: zwartosc konstrukcji, mniejsze prady, nizsze napiecia robocze i niskie koszty produkcji.Wynalazek jest objasniony na przykladzie przed¬ stawionym na zalaczonym schemacie, na którym fig. 1 przedstawia uklad logiczny podstawowy lub impulsowy dla odtwarzania funkcji logicznej „i — nie" oraz „nie", a fig. 2 przedstawia logiczny uklad podstawowy dla realizacji funkcji logicz¬ nych „lub — nie" oraz „nie".Na fig. 1 sygnalowe wejscia 1, 2, 3 sa polaczone przez diody wejsciowe 4, 5, 6 z elektroda bramko¬ wa 7 tranzystora polowego 8. Diody wejsciowe 4. 5, 6 sa wlaczone w kierunku zaporowym czyli maja taka polaryzacje, ze przy przylozeniu napiecia do wejsc sygnalowych 1, 2, 3 stanowia duzy opór.Napiecie robocze 14 jest przylozone poprzez o- pornik wstepny 15 na elektrode bramkowa 7, a dla nastawienia punktu pracy tranzystora polowego 8 jest doprowadzone poprzez opornik roboczy 13 na spust 11. Zródlo 10 jest polaczone z masa 9.Gdy na wejscia sygnalowe 1, 2, 3 jest wlaczone napiecie dodatnie na przyklad napiecie robocze 14 okreslone jako sygnal L, to diody wejsciowe przedstawiaja duza opornosc, a na elektrodzie bramkowej 7 jest przylozone napiecie robocze 14, które wytwarza miedzy zródlem 10 i spustem 11 kanal przewodzacy dla przeplywu pradu przez tranzystor polowy 8. Na wyjsciu 12 wystepuje wtedy tylko bardzo male napiecie w stosunku do masy 9 wynikajace z napiecia resztkowego na tranzystorze polowym 8, co jest okreslone jako sygnal 0.Gdy do masy 9 jest przylaczone jedno lub kilka wejsc sygnalowych, wówczas poprzez opornik wstepny 15 i odpowiednia diode wejsciowa moze plynac prad do masy 9. Pomiedzy elektroda bram¬ kowa 7 i zródlem 10 wystepuje wtedy tylko nie¬ znaczne napiecie wynikajace z napiecia przewo¬ dzenia diody wejsciowej. Tranzystor polowy 8 zo¬ staje wtedy zatkany, gdyz miedzy jego zródlem 10 i spustem 11 nie ma zadnego kanalu przewo¬ dzacego. Na wyjsciu 12 jest mierzone napiecie ro¬ bocze 14 w stosunku do masy 9, okreslone jako sygnal L.Na fig. 2 sygnalowe wejscia 1, 2, 3 prowadza przez wejsciowe diody 4, 5, 6 na elektrode bramko¬ wa 7 tranzystora polowego 8. Diody wejsciowe 4, 5, 6 sa wlaczone w kierunku przewodzenia, to znaczy sa tak spolaryzowane, ze przy przylozeniu 55003 4 napiecia na wejscie sygnalowe 1, 2, 3 maja mala opornosc.Dla nastawienia punktu pracy tranzystora po¬ lowego 8 napiecie robocze 14 jest przylozone po- 5 przez opornik roboczy 13 do spustu 11. Miedzy elektrode bramkowa 7 i mase 9 jest wlaczony opornik 16. Zródlo 10 jest polaczone z masa 9.Gdy wejscia sygnalowe 1, 2, 3 sa przylozone do masy 9, to tranzystor polowy 8 jest zatkany, gdyz 10 miedzy jego zródlem 10 i spustem 11 nie powstaje zaden kanal przewodzacy. Na wyjsciu 12 napiecie robocze 14 w odniesieniu do masy 9, zmierzone na przyklad jako napiecie dodatnie jest okreslone jako sygnal L. 15 Gdy na sygnalowych wejsciach 1, 2 lub 3 znaj¬ duje sie napiecie dodatnie na przyklad napiecie robocze 14, to tranzystor polowy 8 jest w stanie przewodzenia, gdyz pomiedzy zródlem 10 i spu¬ stem 11 powstaje kanal przewodzacy dla przeply- 20 wu pradu. Na wyjsciu 12 powstaje wtedy w sto¬ sunku do masy 9 male napiecie wynikajace z na¬ piecia resztkowego tranzystora polowego 8 okresla¬ jace sygnal O. 25 PL

Claims (8)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Logiczny uklad podstawowy lub impulsowy ze sterowaniem bramkowym, w którym wyjscia sygnalowe sa sterowane przez wejscia sygnalo- so we, znamienny tym, ze wejscia sygnalowe sa polaczone z elektroda bramkowa (7) tranzystora polowego (8), poprzez elementy konstrukcyjne spolaryzowane w kierunku zaporowym lub tez przez bierne elementy konstrukcyjne; a napie- 35 cie robocze (14) jest przylozone przez bierny lub czynny element konstrukcyjny na elektro¬ de bramkowa (7) i przez bierny lub czynny ele¬ ment konstrukcyjny do nastawienia punktu pracy tranzystora polowego (8) na jego spust 40 (11); zas jego zródlo (10) jest polaczone z ma¬ sa (9).
  2. 2. Logiczny uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze element konstrukcyjny wlaczony mie¬ dzy wejscia sygnalowe i elektrode bramkowa 45 (7) stanowia diody wejsciowe.
  3. 3. Logiczny uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze elementy konstrukcyjne wlaczone mie¬ dzy napiecie robocze (14) i elektrode bramkowa (7) stanowi opornik wstepny (15), a element kon-. 50 strukcyjny wlaczony miedzy to napiecie robocze (14) i spust (11) stanowi roboczy opornik (13).
  4. 4. Logiczny uklad wedlug zastrz. i, znamienny tym, ze przy polaczeniu kilku ukladów podsta¬ wowych czynne lub bierne elementy konstruk- 55 cyjne nastepnych ukladów sa wlaczone jako oporniki robocze tranzystorów polowych (8) po¬ przedzajacych ukladów podstawowych miedzy napiecie robocze (14) i spust (11).
  5. 5. Logiczny uklad podstawowy ze sterowaniem eo bramkowym, w którym wyjscia sygnalowe sa sterowane przez wejscia sygnalowe, znamienny tym, ze wejscia sygnalowe polaczone sa z elektroda bramkowa (7) tranzystora polowe¬ go (8) przez czynne elementy konstrukcyjne, es spolaryzowane w kierunku przewodzenia lub55003 tez przez bierne elementy konstrukcyjne, a na¬ piecie robocze (14) jest przylozone przez czyn¬ ny lub bierny element konstrukcyjny dla na¬ stawienia punktu pracy tranzystora polowego (8) do jego spustu (11); zas zródlo (10) jest po¬ laczone z masa (9). Logiczny uklad wedlug zastrz. 5, znamienny tym, ze elementy konstrukcyjne wlaczone mie-
  6. 6. Dzy wejscia sygnalowe i elektrode bramkowa (7) stanowia diody wejsciowe.
  7. 7. Logiczny uklad wedlug zastrz. 5, znamienny tym, ze element konstrukcyjny wlaczony mie¬ dzy napiecie robocze (14) i spust (11) stanowi opornik roboczy (13).
  8. 8. Logiczny uklad wedlug zastrz. 5, znamienny tym, ze elektroda bramkowa (7) jest polaczona z masa (9) przez opornik (16). I o- 2<- +« w fr '* ^s^ 12 30- W- m^f / o- Fig.t Jo- jo- ^© nfn» Fig. 2 PL
PL110862A 1965-09-14 PL55003B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL55003B1 true PL55003B1 (pl) 1968-02-26

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960039641A (ko) 고내압회로 및 전압레벨 변환회로
US4634904A (en) CMOS power-on reset circuit
GB1127687A (en) Logic circuitry
US5489866A (en) High speed and low noise margin schmitt trigger with controllable trip point
KR930005029A (ko) 내부 전원 강압 회로
KR870002596A (ko) 바이어스 전압 발생기를 포함하는 반도체 메모리 회로
KR880005750A (ko) 제어펄스 발생회로
KR880011805A (ko) 반도체 집적회로
KR900005819B1 (ko) 3스테이트 부설 상보형 mos집적회로
PL55003B1 (pl)
KR860009418A (ko) 반도체 메모리 장치의 디코오더 회로
US20030151436A1 (en) High speed flip-flop
KR790001774B1 (ko) 논리회로
US4963765A (en) High speed CMOS transition detector circuit
RU95121790A (ru) Парафазный логический элемент на мдп-транзисторах
KR19980039129A (ko) 5v 롤러런트 입출력 회로
KR860009551A (ko) 반도체 집적 회로 장치
GB1196216A (en) A Bistable Circuit
KR100330084B1 (ko) 반도체집적회로장치
KR920009869B1 (ko) 집적화용 지연회로
KR940004788Y1 (ko) 씨모스 뉴우런 셀 회로
JPH0462497B2 (pl)
JPH0983338A5 (pl)
KR100399438B1 (ko) 메모리 소자의 고전압 출력 장치
KR0152352B1 (ko) 논리 레벨 천이기