PL218232B1 - Pasta przewodząca nanosrebrowa, zwłaszcza do zastosowań wysokoprądowych i wysokotemperaturowych - Google Patents

Pasta przewodząca nanosrebrowa, zwłaszcza do zastosowań wysokoprądowych i wysokotemperaturowych

Info

Publication number
PL218232B1
PL218232B1 PL392419A PL39241910A PL218232B1 PL 218232 B1 PL218232 B1 PL 218232B1 PL 392419 A PL392419 A PL 392419A PL 39241910 A PL39241910 A PL 39241910A PL 218232 B1 PL218232 B1 PL 218232B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
silver
paste
nanopowder
weight
organic carrier
Prior art date
Application number
PL392419A
Other languages
English (en)
Other versions
PL392419A1 (pl
Inventor
Małgorzata Jakubowska
Anna Młożniak
Mateusz Jarosz
Original Assignee
Inst Technologii Materiałów Elektronicznych
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Technologii Materiałów Elektronicznych, Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych filed Critical Inst Technologii Materiałów Elektronicznych
Priority to PL392419A priority Critical patent/PL218232B1/pl
Priority to EP11173430.7A priority patent/EP2441796B1/en
Priority to EP11180709A priority patent/EP2447313B1/en
Priority to PL11180709T priority patent/PL2447313T3/pl
Publication of PL392419A1 publication Critical patent/PL392419A1/pl
Publication of PL218232B1 publication Critical patent/PL218232B1/pl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24Acids; Salts thereof
    • C08K3/26Carbonates; Bicarbonates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/011Nanostructured additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest pasta przewodząca nanosrebrowa, zwłaszcza do zastosowań wysokoprądowych i wysokotemperaturowych, mająca zastosowanie w elektronice, zwłaszcza do nanoszenia metodą sitodruku, w technologii wytwarzania warstw do zastosowań w elektronice, w tym w elektronice drukowanej i elastycznej. Pasta charakteryzuje się tym, że składa się z 80-85% wagowych nanoproszku srebra oraz 15-20% wagowych nośnika organicznego na bazie polimetakrylanu metylu.

Description

Przedmiotem wynalazku jest pasta przewodząca nanosrebrowa, zwłaszcza do zastosowań wysokoprądowych i wysokotemperaturowych. Wynalazek ma zastosowanie w elektronice, zwłaszcza do nanoszenia metodą sitodruku, w technologii wytwarzania warstw do zastosowań w elektronice, w tym w elektronice drukowanej i elastycznej.
Standardowe pasty srebrowe przeznaczone do sitodruku, znane z opisów patentowych US 5075262 i US 5183784, składają się z płatków srebra, nośnika oraz szkliwa. Podczas spiekania szkliwo mięknie i topi się, wspomagając proces tak, aby pasty spiekały się poniżej temperatury topnienia srebra, czyli 600-850°C. Jednak szkliwo pozostaje w warstwie i utrudnia pracę w wysokich temperaturach, co powoduje, że ścieżki mogą pracować jedynie do temperatury 200°C.
Z publikacji Sunghyun Park i in. w Solid State Phenomena 124-126 (2007), 632-642 oraz Colloids and Surfaces A.: Physicochem Eng. Aspects 313-314 (2008), 197-201 znane są srebrowe pasty przewodzące, składające się z mikroproszku srebra, szkliwa bezołowiowego, różnych ilości i frakcji nanosrebra oraz nośnika organicznego, stosowane w technologii grubowarstwowej. Również publikacje tych samych autorów Proc. SPIE, 6423, 64235J (2007) oraz Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 7, 11, 2007, 3917-3919(3) potwierdzają zawartość szkliwa bezołowiowego w opracowanych pastach.
Ze zgłoszenia patentowego US 2010/0120960 A1 znana jest kompozycja zawierająca nanosrebro oraz nośnik organiczny, która może być zastosowana jako nanosrebrowa pasta przewodząca. Jako materiał wyjściowy zastosowano tlenek srebra, który dodawany jest do polimerowej mieszanki, a następnie poddawany redukcji.
Ze zgłoszenia patentowego US 2007/0018140 A1 znany jest sposób otrzymywania nanocząstek metali, stosowanych następnie w tuszach przewodzących, nie nadających się do nanoszenia na podłoża metodą sitodruku z powodu zbyt rzadkiej konsystencji.
Znana ze zgłoszenia patentowego WO 2009/094537 A2 pasta zawiera nanoproszek srebra i komercyjny nośnik. Autorzy skupili się na aplikacjach otrzymywanych past, nie na ich otrzymywaniu.
Ze zgłoszeń patentowych US 2010/0093851 A1 i US 2010/0127223 A1 znane są pasty polimerowe, zwane również lakierami, które zawierają fazę funkcjonalną przewodzącą i nośnik organiczny.
W pierwszym przypadku jest to polimerowy kompozyt, w drugim przypadku natomiast płatki srebra z kwasem stearynowym jako środkiem powierzchniowo czynnym, medium organiczne żywica i rozpuszczalnik i keton C-11 jako rozpuszczalnik. Jednak w opisanych pastach po wypaleniu pozostaje spolimeryzowana żywica, co obniża ich przewodnictwo elektryczne.
Przedmiotem wynalazku jest pasta przewodząca nanosrebrowa, zwłaszcza do zastosowań wysokoprądowych i wysokotemperaturowych, zawierająca nanoproszek srebrowy oraz nośnik organiczny, składająca się z 80-85% wagowych nanoproszku srebra oraz 15-20% wagowych nośnika organicznego na bazie polimetakrylanu metylu, charakteryzująca się tym, że nanoproszek do srebra zawiera dodatek do 30% wagowych nanocząstek węglanu srebra i/lub do 20% wagowych nanocząstek tlenku srebra.
Korzystnie, pasta zawiera nanoproszek srebra o wielkości ziaren 10-100 nm.
Korzystnie, nanoproszek srebra zawiera mieszaninę nanocząstek węglanu srebra i nanocząstek tlenku srebra w proporcji odpowiednio 3:2 do siebie.
Korzystnie, pasta zawiera nośnik organiczny będący roztworem o stężeniu 6-16% polimetakrylanu metylu w octanie karbitolu butylowego.
Pasta według wynalazku wykorzystuje właściwości nanoziaren srebra, które mają bardzo wysoką energię powierzchniową. Wyeliminowanie ze składu pasty szkliwa, a jednocześnie zastosowanie takiej zawartości nośnika organicznego, żeby ten nośnik w czasie spiekania warstwy ulegał całkowitemu spaleniu skutkuje podwyższonym przewodnictwem elektrycznym i cieplnym pasty.
Po spieczeniu w warstwie nałożonej na podłoże pasty obecna jest wyłącznie faza srebra, a adhezja pomiędzy ziarnami oraz między warstwą a podłożem jest zapewniona dzięki energii powierzchniowej nanoziaren srebra. Gęstość upakowania ziaren srebra w takiej warstwie jest większa, niż w przypadku dotąd otrzymywanych warstw grubych i wynosi około 80% gęstości litego srebra. Reszta to pory zamknięte i otwarte wypełnione powietrzem. Nanocząstki węglanu srebra i/lub nanocząstki tlenku srebra, zawarte w wyjściowym nanoproszku srebra po nałożeniu na podłoże rozkładają się podczas procesu spiekania. Nanowęglan srebra już w temperaturze 217°C przechodzi w nanotlenek
PL 218 232 B1 srebra, ten zaś w temperaturze 350°C przechodzi w nanoproszek srebra „in statu nascendi”, co znacznie zwiększa reaktywność proszku srebra i jego podatność na spiekanie.
Zaletą pasty według wynalazku jest znacznie niższa, w porównaniu do znanych past, temperatura spiekania warstw, wynosząca 250-350°C, co umożliwia znacznie szersze jej zastosowanie w układach elektronicznych. Warstwy, otrzymywane z pasty według wynalazku, wytrzymują pracę ciągłą przy wysokich wartościach prądu i temperatury - pracę w temperaturze 450°C przy obciążeniu 2 prądem 2,5 A i gęstości prądu 2500 A/mm1 2.
Pasta według wynalazku nadaje się do nakładania zwłaszcza sitodrukiem, jak również ze względu na niską temperaturę spiekania do zastosowań w elektronice drukowanej i elastycznej.
Podane niżej przykłady ilustrują pastę według wynalazku w konkretnych przypadkach jej wykonania.
P r z y k ł a d 1.
g nanoproszku srebra o wielkości ziaren 100 nm roztarto energicznie w moździerzu. Następnie dodano nośnik będący 8% roztworem polimetakrylanu metylu w octanie karbitolu butylowego w ilości 2 g, w dalszym ciągu ucierając. Następnie mieszaninę walcowano trzykrotnie na stalowych walcach trójwalcarki. Tak otrzymaną pastę nałożono metodą sitodruku na ceramikę alundową, po czym spiekano w temperaturze 300°C w ciągu 90 min. Otrzymana warstwa zawierała jedynie lite srebro i charakteryzowała się dobrym przewodnictwem elektrycznym oraz cieplnym. Otrzymana warstwa wytrzymywała 2 pracę ciągłą w temperaturze 450°C przy obciążeniu prądem 2,5 A o gęstości 2500 A/mm2.
P r z y k ł a d 2.
g nanoproszku srebra o wielkości ziaren 10 nm roztarto energicznie w moździerzu. Następnie dodano nośnik będący 8% roztworem polimetakrylanu metylu w octanie karbitolu butylowego w ilości 2 g, w dalszym ciągu ucierając. Następnie mieszaninę walcowano trzykrotnie na stalowych walcach trójwalcarki. Tak otrzymaną pastę nałożono metodą sitodruku na ceramikę alundową, po czym spiekano w temperaturze 250°C w ciągu 90 min. Otrzymana warstwa zawierała jedynie lite srebro i charakteryzowała się dobrym przewodnictwem elektrycznym oraz cieplnym. Otrzymana warstwa wy2 trzymywała pracę ciągłą w temperaturze 450°C przy obciążeniu prądem 2,5 A o gęstości 2500 A/mm2.
P r z y k ł a d 3.
g nanoproszku srebra o wielkości ziaren 100 nm, zawierającego dodatek 15% wagowych nanoproszku węglanu srebra i 10% nanoproszku tlenku srebra, roztarto energicznie w moździerzu. Następnie dodano nośnik będący 8% roztworem polimetakrylanu metylu w octanie karbitolu butylowego w ilości 2 g, w dalszym ciągu ucierając. Następnie mieszaninę walcowano trzykrotnie na stalowych walcach trójwalcarki. Tak otrzymaną pastę nałożono metodą sitodruku na ceramikę alundową, po czym spiekano w temperaturze 350°C w ciągu 90 min. Otrzymana warstwa zawierała jedynie lite srebro i charakteryzowała się dobrym przewodnictwem elektrycznym oraz cieplnym. Otrzymana warstwa 2 wytrzymywała pracę ciągłą w temperaturze 450°C przy obciążeniu prądem 2,5 A o gęstości 2500 A/mm2.
P r z y k ł a d 4.
g nanoproszku srebra o wielkości ziaren 100 nm, zawierającego dodatek 1 g nanoproszku węglanu srebra o uziarnieniu 10-20 nm, roztarto energicznie w moździerzu. Następnie dodano nośnik będący 8% roztworem polimetakrylanu metylu w octanie karbitolu butylowego w ilości 2 g, w dalszym ciągu ucierając. Następnie postąpiono jak w przykładzie 3. Utworzona warstwa zawierała po spieczeniu wyłącznie lite srebro. Charakteryzowała się dobrym przewodnictwem elektrycznym oraz cieplnym.
Otrzymana warstwa wytrzymywała pracę ciągłą w temperaturze 450°C przy obciążeniu prądem 2,5 A 2 o gęstości 2500 A/mm2.

Claims (4)

1. Pasta przewodząca nanosrebrowa, zwłaszcza do zastosowań wysokoprądowych i wysokotemperaturowych, zawierająca nanoproszek srebrowy oraz nośnik organiczny, składająca się z 80-85% wagowych nanoproszku srebra oraz 15-20% wagowych nośnika organicznego na bazie polimetakrylanu metylu, znamienna tym, że nanoproszek srebra zawiera dodatek do 30% wagowych nanocząstek węglanu srebra i/lub do 20% wagowych nanocząstek tlenku srebra.
2. Pasta według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera nanoproszek srebra o wielkości ziaren 10-100 nm.
PL 218 232 B1
3. Pasta według zastrz. 1, znamienna tym, że nanoproszek srebra zawiera mieszaninę nanocząstek węglanu srebra i nanocząstek tlenku srebra w proporcji odpowiednio 3:2 do siebie.
4. Pasta według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera nośnik organiczny będący 6-16% roztworem polimetakrylanu metylu w octanie karbitolu butylowego.
PL392419A 2010-09-16 2010-09-16 Pasta przewodząca nanosrebrowa, zwłaszcza do zastosowań wysokoprądowych i wysokotemperaturowych PL218232B1 (pl)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL392419A PL218232B1 (pl) 2010-09-16 2010-09-16 Pasta przewodząca nanosrebrowa, zwłaszcza do zastosowań wysokoprądowych i wysokotemperaturowych
EP11173430.7A EP2441796B1 (en) 2010-09-16 2011-07-11 Conductive nanosilver paste, especially for high current and high temperature applications
EP11180709A EP2447313B1 (en) 2010-09-16 2011-09-09 Method of silvering surfaces, especially aluminium surfaces
PL11180709T PL2447313T3 (pl) 2010-09-16 2011-09-09 Sposób srebrzenia powierzchni, zwłaszcza aluminium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL392419A PL218232B1 (pl) 2010-09-16 2010-09-16 Pasta przewodząca nanosrebrowa, zwłaszcza do zastosowań wysokoprądowych i wysokotemperaturowych

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL392419A1 PL392419A1 (pl) 2012-03-26
PL218232B1 true PL218232B1 (pl) 2014-10-31

Family

ID=44510732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL392419A PL218232B1 (pl) 2010-09-16 2010-09-16 Pasta przewodząca nanosrebrowa, zwłaszcza do zastosowań wysokoprądowych i wysokotemperaturowych

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP2441796B1 (pl)
PL (1) PL218232B1 (pl)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL2447313T3 (pl) 2010-09-16 2013-06-28 Instytut Tech Materialow Elektronicznych Sposób srebrzenia powierzchni, zwłaszcza aluminium
CN104756221B (zh) * 2012-09-07 2017-05-03 哈维尔克有限责任公司 纳米颗粒材料(ngm)材料、用于制造所述材料的方法和装置及包括所述材料的电部件

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5183784A (en) 1990-02-21 1993-02-02 Johnson Matthey Inc. Silver-glass pastes
US5075262A (en) 1990-02-21 1991-12-24 Johnson Matthey, Inc. Silver-glass pastes
US8257795B2 (en) 2004-02-18 2012-09-04 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Nanoscale metal paste for interconnect and method of use
KR100702595B1 (ko) 2005-07-22 2007-04-02 삼성전기주식회사 금속 나노 입자 및 이의 제조방법
EP2147733A4 (en) * 2007-05-16 2012-12-12 Dainippon Ink & Chemicals METHOD FOR PRODUCING A SILVER-BASED NANOSTRUCTURE AND SILVER-CONTAINING NANOSTRUCTURE
KR101316253B1 (ko) * 2007-06-27 2013-10-08 동우 화인켐 주식회사 도전성 페이스트 조성물, 이를 포함하는 전극 및 상기전극의 제조방법
US8158140B2 (en) 2008-10-14 2012-04-17 Eastman Kodak Company Silver polyamide composite
US7857998B2 (en) 2008-11-24 2010-12-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company High conductivity polymer thick film silver conductor composition for use in RFID and other applications

Also Published As

Publication number Publication date
EP2441796A1 (en) 2012-04-18
PL392419A1 (pl) 2012-03-26
EP2441796B1 (en) 2017-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Rane et al. Influence of surfactants treatment on silver powder and its thick films
Yu et al. Multi-pulse flash light sintering of bimodal Cu nanoparticle-ink for highly conductive printed Cu electrodes
WO2017033911A1 (ja) 低温焼結性に優れる金属ペースト及び該金属ペーストの製造方法
TW201349253A (zh) 低銀含量之膠組合物及自其製造導電膜之方法
TW201511036A (zh) 用於氮化鋁基板的厚膜印刷銅糊漿
WO2020202971A1 (ja) 接合材料及び接合構造
JP6804286B2 (ja) 銀合金粉末およびその製造方法
WO2016099562A1 (en) Silver nanoparticle based composite solar metallization paste
TW201303897A (zh) 供薄膜光伏電池及其他應用之可焊接聚合物厚膜導電性電極組合物
JP2007103845A (ja) 積層セラミック部品端子電極用導体ペースト
CN110942842A (zh) 一种导体浆料及导体材料
Huo et al. Formation of a high stability NTC thick film by low-temperature sintering of Co2. 77Mn1. 71Fe1. 10Zn0. 42O8 ceramics containing Bi2O3-B2O3-SiO2-ZnO glass frits
PL218232B1 (pl) Pasta przewodząca nanosrebrowa, zwłaszcza do zastosowań wysokoprądowych i wysokotemperaturowych
JP6408695B2 (ja) 銅含有導電性ペースト、及び銅含有導電性ペーストから作製された電極
Liu et al. Sintering mechanism of electronic aluminum paste and its effect on electrical conductivity of aluminum electrode
Wu et al. Preparation and characterization of high-temperature silver thick film and its application in multilayer chip inductances
Wu Preparation of ultra-fine copper powder and its lead-free conductive thick film
CN104320866A (zh) 复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料及其制备工艺
JP4248944B2 (ja) 導電性ペースト、回路パターンの形成方法、突起電極の形成方法
CN108550417B (zh) 一种适用于氙灯烧结的铜导电浆料及其制备方法
JP2006196246A (ja) 導電性ペースト及びそれを用いた配線回路基板
JP2016204700A (ja) 銅粉末
Liu et al. The silver paste containing ZnO-B2O3-SiO2 glass sintered at high temperature with low solid content formed high performance conductive thick film on MgTiO3 microwave ceramics
JP2008218022A (ja) 銅導体ペースト、導体回路板及び電子部品
CN104529434B (zh) 一种片式陶瓷ptc热敏电阻表面保护层的制备方法