CN104320866A - 复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料及其制备工艺 - Google Patents
复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料及其制备工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104320866A CN104320866A CN201410484169.9A CN201410484169A CN104320866A CN 104320866 A CN104320866 A CN 104320866A CN 201410484169 A CN201410484169 A CN 201410484169A CN 104320866 A CN104320866 A CN 104320866A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- rare earth
- powder
- film circuit
- fine aluminum
- organic solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料及其制备方法，其特征在于，它包括微晶玻璃粉、微细铝粉、无机粘接相有机溶剂载体和稀土氧化物组成，微晶玻璃粉、微细铝粉、稀土氧化物的重量之和与无机粘接相有机溶剂载体的重量比为50-75％：50-25％，其中微细铝粉与微晶玻璃粉的重量比为：80-55％：20-45％。本发明具有以下优点：温度系数宽、相容性好、适用性广，高功率密度，耐热力强，与LED芯片基板、PTCR-xthm电热芯片介质浆料匹配良好、热导率高、绿色环保、安全可靠。
Description
技术领域
本发明涉及电热材料技术领域，更具体的是涉及一种复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料及其制备工艺。
背景技术
国际上，目前所用电阻浆料多为通用型，配套应用于微电子领域，集成电路行业，制作电阻器等元器件。专业用于LED产业、PTCR-xthm芯片领域大功率厚膜电路用系列稀土电阻浆料几乎没有，仅有的也多为替代品，还存在着品种单一、性能差、成本高、质量不稳定等问题。介质浆料、电阻浆料、导电浆料尤其是电阻浆料由于技术成本、产品质量、品种少应用范围窄等问题，发展缓慢。介质浆料制备效率低、电性能、湿润性差，电阻浆料品种单一稳定性欠佳、成本高居不下，电极浆料易氧化、高温下银离子易迁移，附着力不牢等。加之无知识产权致使该技术推广应用发展缓慢。大功率、高密度、宽温度系数的专用电子浆料发展更加缓慢，但前景极佳。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种大温度系数、相容性好、适用性广，高功率密度，耐热力强,与大功率LED芯片基板、PTCR-xthm电热芯片介质浆料匹配良好、热导率高、绿色环保、安全可靠的复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料。
本发明的另一目的是提供一种复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料的制备工艺。
本发明是采用如下技术解决方案来实现上述目的：一种复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料，其特征在于，它包括微晶玻璃粉、微细铝粉、无机粘接相有机溶剂载体和稀土氧化物组成，微晶玻璃粉、微细铝粉、稀土氧化物的重量之和与无机粘接相有机溶剂载体的重量比为50-75％：50-25％，其中微细铝粉与微晶玻璃粉的重量比为：80-55％：20-45％。
作为上述方案的进一步说明，所述微晶玻璃粉为P2O5、ZnO、K2O、B2O3、SnO2系低熔点微晶玻璃，重量比依次为：P2O535-55％、ZnO35-50％、K2O5-10％、B2O30-10％、SnO20-10％、SiO20-5％、Li2O0-2％、Al2O32-5％、CuO0-1.5％；微晶玻璃粉粒度为：3nm；微细铝粉粒度为：3-5nm。
所述无机粘接相有机溶剂载体按重量比算包括：松油醇75-98％，柠檬酸三丁酯0-15％，乙基纤维素0.5-5％，硝基纤维素0-2％，氢化蓖麻油0.1-5％，卵磷脂0.1-5％。
所述稀土氧化物为：镧、铈、钕、钷、钆、铒、钪和钇中的一种或几种，根据不同介质、不同功率、不同温度系数、不同方阻的厚膜电路LED芯片、PTCR-xthm电热芯片对导电性能、光性能、热性能、化学性能、机械性能及远红外功能的要求，按照试验数理模式添加不同种类、不同份额的稀土氧化物，来增添或取代上述微晶玻璃粉的一项或多项。
一种复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料的制备方法，其特征在于，它包括如下步骤：
1)微细铝粉的制备
将选择好的金属铝熔融，置于全封闭的高速盘式雾化器中，熔融金属过热至250摄氏度,在惰性气体保护下，急速冷却，速率为105-107K/S，雾化制粉，雾化的铝粉从容器上部输送至旋风分离器，一次分离后送往带 过滤网的喷淋塔进行气固分离，干燥后得到平均粒度为3-5μm的微细铝粉；经检测复核满足设计质量要求，也可外购微细铝粉；
2)微晶玻璃粉的制备
将配比好的微晶玻璃粉体在三维混料机中混合均匀后装入白金坩埚，置于钟罩熔炉熔炼，熔炼温度为：900～1350℃，保温1～3小时后，快速将玻璃熔液离子冷水中水淬，得到微渣，将玻璃微渣装入玛瑙球桶置于高效行星型球磨机中研磨2-4小时得到平均粒度不大于3μm的玻璃微粉；
3)无机粘接相有机溶剂载体的制备
有机溶剂载体的配置是将有机溶剂载体中主溶剂、增稠剂、表面活性剂、触变剂、胶凝剂按一定比例在80-100℃的水中溶解数小时，调整增稠剂含量，将有机溶剂载体的粘度调整在150-280mPas的范围内；
4)稀土电阻浆料的制备
将配比好的微晶玻璃粉、微细铝粉、无机粘接相、有机载体和稀土氧化物经热浴，高效混合研磨机研磨，经轧制得到稀土电阻浆料；
具体工艺规程是，将固相粉体、有机载体溶剂混合后热浴至少两小时、置于高效真空混合研磨机研磨、经三棍轧机(优选陶瓷辊)轧制，获得稀土电阻浆料，用粘度计测试浆料粘度，粘度值为：150～200PaS/RPM。调整功能项成分、含量及制备方法，按技术参数与设计数据，可调制多种方阻数值及性能。稀土电阻浆料能和多种导电浆料、介质浆料相匹配融合。
本发明稀土系列电阻浆料不仅可用于大功率LED厚膜电路制备，技术参数经设计调整，还适用于制备电热领域PTCR-xthm电热芯片。
本发明采用上述技术解决方案所能达到的有益效果是：
1、本发明通过对国内外厚膜电路用电子浆料物理、化学性能及工艺 性能研究分析，在电阻浆料中参杂稀土镧(La)和钇(Y)等多种稀土元素，效果证明电阻浆料功能相、粘接相中由于稀土元素的加入，浆料的电性能、湿润性、相溶性、分子间键结合强度及工艺性都有很大提高。
2、通过对P2O5、ZnO、K2O、B2O3、SnO2系低熔点微晶玻璃膨涨系数、玻璃化温度、玻璃软化温度及形核长大的动力学分析，确定稀土氧化物在微晶玻璃中的配方比及制备工艺，使之微晶铝粉构成的电阻轨迹层的膨胀系数和复合陶瓷基板匹配，并结合牢靠。有效提高电阻浆料的性能。
3、采用稀土氧化钇(Y203)和“超级钙”镧(La)等混合添加剂，可以降低烧结温度，促进烧结，改进工艺，提高效率，节省能源；钇能够增强多种基板的抗氧化性和延展性，提高结合强度，在微晶铝粉中加入少量富钇稀土，提高合金导电率，满足厚膜电路低方阻要求。
4、稀土氧化物掺杂可以极大地改变微晶玻璃材料及功能相的烧结性能、微观结构、致密度、相组成及物理和机械性能，从而提高稀土厚膜电路的介质强度、电器性能、工艺性能及电子浆料的湿润性、兼容性和分子健结合强度，改善工艺，显著提高产品优良率。
5、本发明稀土厚膜电路稀土电阻浆料印刷性能、烧结性能优良，与介质浆料、导体浆料有优良的湿润性和相溶性。
6、基于对稀土浆料中各有机溶剂机理的深刻认识，将不同沸点及挥发速度的主溶剂按比例合理配制使浆料在印刷、烘干、烧结等制备过程中均匀挥发并排出，避免溶剂集中挥发形成开裂、针孔等缺陷，有效提高成品合格率。
7、在有机溶剂配方中选用氢化篦麻油等优良溶剂作触变剂以形成良好的胶体结构，使浆料具有良好的触变性和防沉效果。
具体实施方式
本发明一种复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料，其特征在于，它包括微晶玻璃粉、微细铝粉、无机粘接相有机溶剂载体和稀土氧化物组成，微晶玻璃粉、微细铝粉、稀土氧化物的重量之和与无机粘接相有机溶剂载体的重量比为50-75％：50-25％，其中微细铝粉与微晶玻璃粉的重量比为：80-55％：20-45％。微晶玻璃粉为P2O5、ZnO、K2O、B2O3、SnO2系低熔点微晶玻璃，重量比依次为：P2O535-55％、ZnO35-50％、K2O5-10％、B2O30-10％、SnO20-10％、SiO20-5％、Li2O0-2％、Al2O32-5％、CuO0-1.5％；微晶玻璃粉粒度为：3nm；微细铝粉粒度为：3-5nm。无机粘接相有机溶剂载体按重量比算包括：松油醇75-98％，柠檬酸三丁酯0-15％，乙基纤维素0.5-5％，硝基纤维素0-2％，氢化蓖麻油0.1-5％，卵磷脂0.1-5％。稀土氧化物为：镧、铈、钕、钷、钆、铒、钪和钇中的一种或几种，根据不同介质、不同功率、不同温度系数、不同方阻的厚膜电路LED芯片、PTCR-xthm电热芯片对导电性能、光性能、热性能、化学性能、机械性能及远红外功能的要求，按照试验数理模式添加不同种类、不同份额的稀土氧化物，来增添或取代上述微晶玻璃粉的一项或多项。
一种复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料的制备方法，它包括如下步骤：
1)微细铝粉的制备
将选择好的金属铝熔融，置于全封闭的高速盘式雾化器中，熔融金属过热至250摄氏度,在惰性气体保护下，急速冷却，速率为105-107K/S，雾化制粉，雾化的铝粉从容器上部输送至旋风分离器，一次分离后送往带过滤网的喷淋塔进行气固分离，干燥后得到平均粒度为3-5μm的微细铝 粉；经检测复核满足设计质量要求，也可外购微细铝粉；
2)微晶玻璃粉的制备
将配比好的微晶玻璃粉体在三维混料机中混合均匀后装入白金坩埚，置于钟罩熔炉熔炼，熔炼温度为：900～1350℃，保温1～3小时后，快速将玻璃熔液离子冷水中水淬，得到微渣，将玻璃微渣装入玛瑙球桶置于高效行星型球磨机中研磨2-4小时得到平均粒度不大于3μm的玻璃微粉；
3)无机粘接相有机溶剂载体的制备
有机溶剂载体的配置是将有机溶剂载体中主溶剂、增稠剂、表面活性剂、触变剂、胶凝剂按一定比例在80-100℃的水中溶解数小时，调整增稠剂含量，将有机溶剂载体的粘度调整在150-280mPas的范围内；
4)稀土电阻浆料的制备
将配比好的微晶玻璃粉、微细铝粉、无机粘接相、有机载体和稀土氧化物经热浴，高效混合研磨机研磨，经轧制得到稀土电阻浆料；
具体工艺规程是，将固相粉体、有机载体溶剂混合后热浴至少两小时、置于高效真空混合研磨机研磨、经三棍轧机(优选陶瓷辊)轧制，获得稀土电阻浆料，用粘度计测试浆料粘度，粘度值为：150～200PaS/RPM。调整功能项成分、含量及制备方法，按技术参数与设计数据，可调制多种方阻数值及性能。
以下结合具体实施例对本发明的技术方案作进一步的详述,以下实施例的配方成分均是按重量百分比算。
实施例一
本发明是以Re-alsic稀土-铝碳化硅(复合陶瓷)基大功率LED稀土厚膜电路系列电阻浆料制备技术为例。
1.微晶玻璃配方：SiO226％、Ai2O318％、CaO19％、Bi2O318％、B2O38％、La2O31-5％、TiO24％、ZrO22％；
2.微晶玻璃制备工艺：1350℃保温150分钟；
3.铝粉制备造粒：振动球磨机球磨→星型球磨机→粉体粒度≮3μm；
4.稀土电阻浆料成份配方：镧、钇粉粒径≮2μm；
5.有机溶剂配方溶解工艺：松油醇72％、柠檬酸三丁酯9％、乙基纤维素6％、硝基纤维素6％、氢化篦麻油4％、卵磷脂3％，各组分按配比混合后在80-90℃水温中水浴180分钟；
6.综合调浆工艺：该浆料由功能相和有机载体组成，重量比为：78∶22；置于三维混料机中搅拌分散后进行三棍轧制。
稀土电阻浆料性能参数：
①电性能：
| 方阻 | 分辨率 | TCR/ppm/℃ | 老化强度 |
| 50±2mΩ/□ | 0.2mm | 1000±150ppm×10-6/℃ | ＞10(N/mm2) |
②物理性能
| 流变特性 | 电阻层厚度 | 浆料粘度 | 单位用量 |
| 触变宜网印 | 12±2μm | 150±20Pas/10RPM | 85cm2/克 |
本实施例Re-alsic-稀土-铝碳化硅LED基板性能
| 热导率 | ＞200 | W/m.K(25℃)GB11108-89 |
| 密度 | ＞3.00 | g/cm2(LF)GB3850-83 |
| 热膨胀系数 | 6.5-9.5x10-6/K | ppm/℃(25-150℃)GB/T4339-1999 |
| 电阻率 | 30 | μΩ·㎝GB5167-85 |
注：浆料放置过久，使用前需进行匀浆处理。
实施例2
本实施例是以Re-alsic稀土-铝碳化硅(复合陶瓷)基大功率LED稀土 厚膜电路系列电阻浆料制备技术为例，用于Re-alsic稀土-铝碳化硅(复合陶瓷)基大功率LED稀土厚膜电路系列电阻浆料。
1、微晶玻璃配方：SiO232％、Ai2O318％、CaO15％、Bi2O316％、B2O39％、La2O33％、TiO25％、ZrO22％；
2、微晶玻璃制备工艺：1250℃保温135分钟；
3、铝粉制备造粒：振动球磨机球磨→星型搅拌球磨机→粉体粒度≮3μm；
4、银、钯、钇粉粒径≮2μm；
5、有机溶剂配方溶解工艺：松油醇69％、柠檬酸三丁酯12％、乙基纤维素5％、硝基纤维素5％、氢化篦麻油5％、卵磷脂4％。各组分按配比混合后在80～90℃水温中水浴150分钟；
6、综合调浆工艺：该浆料由功能相和有机载体组成，重量比例为：75∶25，置于三维混料机中搅拌分散后进行三棍轧制。
稀土浆料性能参数：
①电性能：
| 方阻 | 分辨率 | TCR/ppm/℃ | 老化强度 |
| 80±2mΩ/□ | 0.1mm | 500±30ppm×10-6/℃ | ＞10(N/mm2) |
②物理性能
| 流变特性 | 电阻层厚度 | 浆料粘度 | 单位用量 |
| 触变宜网印 | 12±2μm | 120±20Pas/10RPM | 82cm2/克 |
本实施例Re-alsic-稀土-铝碳化硅LED基板性能
| 热导率 | ＞200 | W/m.K(25℃)GB11108-89 |
| 密度 | ＞3.00 | g/cm2(LF)GB3850-83 |
| 热膨胀系数 | 6.5-9.5x10-6/K | ppm/℃(25-150℃)GB/T4339-1999 |
| 电阻率 | 30 | μΩ·㎝GB5167-85 |
注：浆料放置过久，使用前需进行匀浆处理。
以上所述仅是本发明的优选实施例之一、二，调整本发明功能相成分、 含量及制备工艺，复合材料用稀土厚模电路系列电阻浆料可和多种金属、非金属基板介质浆料相容。例如：氧化铝基板(Al2O3)、氮化铝(AIN)基板、复合材料基板、微晶玻璃基板，铜合金基板、铝合金基板、钛合金基板、铝铜复合基板、铝钢复合基板等。
需要强调的是本发明例Re-alsic-稀土-铝碳化硅基LED用厚膜电路系列电阻浆料技术参数经设计调整，不仅适用于本发明，还适用于制备电热领域大功率稀土厚膜电路电热元件、智能电热芯片。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料，其特征在于，它包括微晶玻璃粉、微细铝粉、无机粘接相有机溶剂载体和稀土氧化物组成，微晶玻璃粉、微细铝粉、稀土氧化物的重量之和与无机粘接相有机溶剂载体的重量比为50-75％：50-25％，其中微细铝粉与微晶玻璃粉的重量比为：80-55％：20-45％。
2.根据权利要求1所述的复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料，其特征在于，所述微晶玻璃粉为P2O5、ZnO、K2O、B2O3、SnO2系低熔点微晶玻璃，重量比依次为：P2O535-55％、ZnO35-50％、K2O5-10％、B2O30-10％、SnO20-10％、SiO20-5％、Li2O0-2％、Al2O32-5％、CuO0-1.5％；微晶玻璃粉粒度为：3nm；微细铝粉粒度为：3-5nm。
3.根据权利要求1所述的复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料，其特征在于，所述无机粘接相有机溶剂载体按重量比算包括：松油醇75-98％，柠檬酸三丁酯0-15％，乙基纤维素0.5-5％，硝基纤维素0-2％，氢化蓖麻油0.1-5％，卵磷脂0.1-5％。
4.根据权利要求1所述的复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料，其特征在于，所述稀土氧化物为：镧、铈、钕、钷、钆、铒、钪和钇中的一种或几种，增添或取代微晶玻璃粉的一项或多项。
5.一种如权利要求1-4任意一项所述的复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料的制备方法，其特征在于，它包括如下步骤：
1)微细铝粉的制备
将选择好的金属铝熔融，置于全封闭的高速盘式雾化器中，熔融金属过热至250摄氏度,在惰性气体保护下，急速冷却，速率为105-107K/S，雾化制粉，雾化的铝粉从容器上部输送至旋风分离器，一次分离后送往带过滤网的喷淋塔进行气固分离，干燥后得到平均粒度为3-5μm的微细铝粉；经检测复核满足设计质量要求，也可外购微细铝粉；
2)微晶玻璃粉的制备
将配比好的微晶玻璃粉体在三维混料机中混合均匀后装入白金坩埚，置于钟罩熔炉熔炼，熔炼温度为：900～1350℃，保温1～3小时后，快速将玻璃熔液离子冷水中水淬，得到微渣，将玻璃微渣装入玛瑙球桶置于高效行星型球磨机中研磨2-4小时得到平均粒度不大于3μm的玻璃微粉；
3)无机粘接相有机溶剂载体的制备
有机溶剂载体的配置是将有机溶剂载体中主溶剂、增稠剂、表面活性剂、触变剂、胶凝剂按一定比例在80-100℃的水中溶解数小时，调整增稠剂含量，将有机溶剂载体的粘度调整在150-280mPas的范围内；
4)稀土电阻浆料的制备
将配比好的微晶玻璃粉、微细铝粉、无机粘接相、有机载体和稀土氧化物经热浴，高效混合研磨机研磨，经轧制得到稀土电阻浆料；具体工艺规程是，将固相粉体、有机载体溶剂混合后热浴至少两小时、置于高效真空混合研磨机研磨、经三棍轧机轧制，获得稀土电阻浆料，用粘度计测试浆料粘度，粘度值为：150～200PaS/RPM。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410484169.9A CN104320866A (zh) | 2014-09-19 | 2014-09-19 | 复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料及其制备工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410484169.9A CN104320866A (zh) | 2014-09-19 | 2014-09-19 | 复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料及其制备工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104320866A true CN104320866A (zh) | 2015-01-28 |
Family
ID=52376012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410484169.9A Pending CN104320866A (zh) | 2014-09-19 | 2014-09-19 | 复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料及其制备工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104320866A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104797016A (zh) * | 2015-03-25 | 2015-07-22 | 上海迈永节能新材料科技有限公司 | 一种无机非金属半导体远红外电热膜材料及制备工艺 |
| CN105193243A (zh) * | 2015-06-19 | 2015-12-30 | 佛山市海辰科技有限公司 | PTCR-xthm电热芯片远红外热源高温蒸汽炉 |
| CN108314895A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-07-24 | 合肥东恒锐电子科技有限公司 | 一种强粘耐候高稳环保电阻浆料及其制备方法 |
| CN112216422A (zh) * | 2020-10-10 | 2021-01-12 | 云南中烟工业有限责任公司 | 一种高绝缘性低热膨胀系数介质浆料及其制备方法和用途 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10300084A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-13 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックヒータおよびセラミックグロープラグ |
| WO2008014680A1 (fr) * | 2006-07-28 | 2008-02-07 | Kezheng Wang | Pâte résistante lanthanidique pour circuit à couche épaisse lanthanidique sur substrat métallique et son procédé de production |
| WO2009012621A1 (fr) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Kezheng Wang | Élément de chauffage électrique d'un circuit de film épais de terre rare basé sur un substrat céramique de verre et procédé pour le préparer |
| CN103716924A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-04-09 | 王克政 | 稀土厚膜电路电热芯片及其制备工艺 |
| CN203632890U (zh) * | 2013-12-26 | 2014-06-04 | 王克政 | 铝铜Cu+复合基稀土厚膜电路智能电热芯片 |
| CN104244486A (zh) * | 2014-09-04 | 2014-12-24 | 王晨 | Re-alsic-稀土-铝碳化硅基LED稀土厚膜电路电光源器件 |
-
2014
- 2014-09-19 CN CN201410484169.9A patent/CN104320866A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10300084A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-13 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックヒータおよびセラミックグロープラグ |
| WO2008014680A1 (fr) * | 2006-07-28 | 2008-02-07 | Kezheng Wang | Pâte résistante lanthanidique pour circuit à couche épaisse lanthanidique sur substrat métallique et son procédé de production |
| WO2009012621A1 (fr) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Kezheng Wang | Élément de chauffage électrique d'un circuit de film épais de terre rare basé sur un substrat céramique de verre et procédé pour le préparer |
| CN103716924A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-04-09 | 王克政 | 稀土厚膜电路电热芯片及其制备工艺 |
| CN203632890U (zh) * | 2013-12-26 | 2014-06-04 | 王克政 | 铝铜Cu+复合基稀土厚膜电路智能电热芯片 |
| CN104244486A (zh) * | 2014-09-04 | 2014-12-24 | 王晨 | Re-alsic-稀土-铝碳化硅基LED稀土厚膜电路电光源器件 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104797016A (zh) * | 2015-03-25 | 2015-07-22 | 上海迈永节能新材料科技有限公司 | 一种无机非金属半导体远红外电热膜材料及制备工艺 |
| CN105193243A (zh) * | 2015-06-19 | 2015-12-30 | 佛山市海辰科技有限公司 | PTCR-xthm电热芯片远红外热源高温蒸汽炉 |
| CN108314895A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-07-24 | 合肥东恒锐电子科技有限公司 | 一种强粘耐候高稳环保电阻浆料及其制备方法 |
| CN112216422A (zh) * | 2020-10-10 | 2021-01-12 | 云南中烟工业有限责任公司 | 一种高绝缘性低热膨胀系数介质浆料及其制备方法和用途 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1937856B (zh) | 基于金属基板的稀土厚膜电路用稀土贱金属电阻浆料及其制备工艺 | |
| CN105873248B (zh) | 一种发热膜用低温烧结浆料及其制备方法 | |
| CN100499942C (zh) | 基于金属基板的稀土厚膜电路稀土电阻浆料及其制备工艺 | |
| CN100499940C (zh) | 基于金属基板的稀土厚膜电路稀土电极浆料及其制备工艺 | |
| CN106187141B (zh) | 一种cbs系ltcc材料及其制备方法 | |
| CN101106842B (zh) | 基于微晶玻璃基板的厚膜电路电热元件及其制备工艺 | |
| CN101377966B (zh) | 玻璃基板用无铅化银电极浆料的制备方法 | |
| CN102568704B (zh) | 一种环保型无铅半导体陶瓷电容电极银浆及其制备方法 | |
| CN103716924B (zh) | 铝铜Cu+复合基稀土厚膜电路智能电热芯片的制备工艺 | |
| CN102158993B (zh) | 高温铝合金基稀土厚膜电路电热元件及其制备技术 | |
| CN102685942B (zh) | 一种ptc稀土厚膜电路智能电热元件及其制备方法 | |
| CN101364455B (zh) | 一种贱金属铜电极浆料及所得电容器的制备方法 | |
| US9087937B2 (en) | Glass composition and its use in conductive silver paste | |
| WO2013085961A1 (en) | Conductive silver paste for a metal-wrap-through silicon solar cell | |
| WO2012170498A1 (en) | Low temperature fireable thick film silver paste | |
| CN104320866A (zh) | 复合材料基厚膜电路稀土电阻浆料及其制备工艺 | |
| CN104244486A (zh) | Re-alsic-稀土-铝碳化硅基LED稀土厚膜电路电光源器件 | |
| CN108735343A (zh) | 一种用于低温共烧陶瓷基板的导电银浆及其制备方法 | |
| CN103559940A (zh) | 一种铜系电子浆料及其制备方法和应用 | |
| CN108962422A (zh) | 一种用于ltcc陶瓷基板的导电银浆及其制备方法 | |
| CN107068244A (zh) | 一种应用于铝基板厚膜电路的绝缘介质浆料及其制备方法 | |
| CN106601332A (zh) | 一种具有电磁净化功能的高电热转化低温电阻浆料及其制备方法 | |
| CN104318975A (zh) | 复合材料基厚膜电路稀土电极浆料及其制备工艺 | |
| CN104318979A (zh) | 复合材料基厚膜电路稀土介质浆料及其制备工艺 | |
| Wu et al. | Preparation and characterization of high-temperature silver thick film and its application in multilayer chip inductances |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150128 |