PL128495B1 - Thin film conductive structure,especially for manufacture of resistively conductive networks - Google Patents
Thin film conductive structure,especially for manufacture of resistively conductive networks Download PDFInfo
- Publication number
- PL128495B1 PL128495B1 PL22334280A PL22334280A PL128495B1 PL 128495 B1 PL128495 B1 PL 128495B1 PL 22334280 A PL22334280 A PL 22334280A PL 22334280 A PL22334280 A PL 22334280A PL 128495 B1 PL128495 B1 PL 128495B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- conductive
- networks
- manufacture
- thin film
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 31
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000003878 thermal aging Methods 0.000 claims description 7
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest cienkowarstwowa struktura przewodzaca, zwlaszcza do wytwarzania sieci rezystywno przewodzacych.Struktura ta posiada dobre wlasciwosci lutownicze, zapewniajace latwosc montazu tech¬ nika lutowania i umozliwiajace wykonanie sieci rezystywno przewodzacych metoda selek¬ tywnej fotolitografii wielokrotnej.Stan techniki. Znane sa cienkowarstwowe struktury przewodzace nano¬ szone no warstwe rezystywna w jednym procesie pompowania lub w oddzielnych cyklach pompowania. Warstwa podatna na lutowanie Jest warstwa zlota, która wykazuje jednak ma¬ la odpornosc na rozpuszczanie w roztopionym lutowiu. W celu zwiekszenia odpornosci na rozpuszczanie stosuje sie pod warstwe zlota, warstwe chromu lub nichromu. ,V czasie starzenia termicznego, atomy chromu dyfunduja w warstwe zlota i powoduja zmniejszenie szybkosci rozpuszczania zlota w stopie lutowniczym.Znane obecnie cienkowarstwowe struktury przewodzace wymagaja starannego doboru grubosci warstwy chromu albo nichromu w zaleznosci od grubosci warstwy zlota i warun¬ ków procesu starzenia termicznego.Zbyt mala grubosc warstwy chromu lub nichromu nie zabezpiecza dostatecznie struk¬ tury przewodzacej przed rozpuszczaniem w roztopionym lutowiu, natomiast w przypadku zbyt grubej warstwy chromu lub nichromu nastepuje dyfuzja atomów chromu na powierzch¬ nie warstwy zlota, co zmniejsza lutownosc struktury.Glównym materialem tych struktur jest zloto, którego straty w procesie naparowy¬ wania sa znaczne. Ze wzgledu na koszt i znaczenie, metal tej jest odzyskiwany z wnet¬ rza komory prózniowej, lecz jest to proces trudny w praktyczny* zastosowaniu.Znane jest z opisu patentowego USA nr 3621 442 zastosowanie niklu jako materialu podatnego na lutowanie wymiennie ze zlotem, jednak warstwa niklu w przeciwienstwie do zlota traci wlasnosci lutownicze w procesie starzenia termicznego i wymaga zabez¬ pieczenia przed utlenianiem sie.2 128 495 Istota wynalazku. Cienkowarstwowa struktura przewodzaca wedlug wy¬ nalazku, skladajaca sie z warstwy przewodzacej wykonanej z niklu lub jego stopów oraz warstwy zabezpieczajacej warstwe przewodzaca przed utlenianiem, charakteryzuje sie tym, ze jej warstwa zabezpieczajaca wykonana Jest z wanadu o grubosci powyzej nm.Warstwa wanadu szczelnie zabezpiecza powierzchnie niklu przed utlenianiem w proce¬ sie starzenia termicznego i przed lutowaniem jest selektywnie odtrawiana od warstwy niklu, która ma dobre wlasciwosci lutownicze po przeprowadzonym procesie starzenia ter¬ micznego.Wykonanie struktury przewodzacej w postaci warstwy niklu powyzej 300 hm oraz wars¬ twy ochronnej z wanadu, powyzej 50 nm zapewnia po strawieniu utlenionej warstwy wanadu szybkie pokrycie lutowiem struktury przewodzacej w czasie okolo 5 eek. i jednoczesnie posiada duza odpornosc na rozpuszczanie w roztopionym lutowiu.Przyklad wykonania. Struktura przewodzaca bedaca przedmiotem wy¬ nalazku jest nanoszona na warstwe rezystywna w Jednym stanowiku prózniowym, w czasie jednego cyklu pompowania, a potem poddana procesowi obróbki fotolitograficznej w celu uzyskania zadanej sieci rezystywne przewodzacej. W przypadku trudnosci w odtra#ianiu niklu od warstwy rezystywnej naparowana Jest warstwa rozdzielajaca warstwa- rezystywna od warstwy niklu, np. warstwa tytanu.Równiez w przypadku koniecznosci poprawienia przyczepnosci warstwy niklu do wars¬ twy rezystywnej stosowana jest warstwa adhezyjna np» warstwa tytanu.Zastosowanie cienkowarstwowej struktury przewodzacej wedlug wynalazku umozliwia zaoszczedzenie zlota oraz usprawnia technologie wytwarzania cienkowarstwowych ukladów hybrydowych.Zastrzezenie patentowe Cienkowarstwowa struktura przewodzaca, zwlaszcza do wytwarzania sieci rezystywne- przewodzacych, skladajaca sie z warstwy prze?/odzacej wykonanej z niklu lub jego stopów oraz warstwy zabezpieczajacej warstwe przewodzaca przed utlenieniem w czasie procesu starzenia termicznego, znamienna tym, ze warstwa zabezpieczajaca wykonana jest z wanadu o grubosci powyzej 50 nm.Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz.Cena 100 zl PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Cienkowarstwowa struktura przewodzaca, zwlaszcza do wytwarzania sieci rezystywne- przewodzacych, skladajaca sie z warstwy prze?/odzacej wykonanej z niklu lub jego stopów oraz warstwy zabezpieczajacej warstwe przewodzaca przed utlenieniem w czasie procesu starzenia termicznego, znamienna tym, ze warstwa zabezpieczajaca wykonana jest z wanadu o grubosci powyzej 50 nm. Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz. Cena 100 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL22334280A PL128495B1 (en) | 1980-04-09 | 1980-04-09 | Thin film conductive structure,especially for manufacture of resistively conductive networks |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL22334280A PL128495B1 (en) | 1980-04-09 | 1980-04-09 | Thin film conductive structure,especially for manufacture of resistively conductive networks |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL223342A1 PL223342A1 (pl) | 1981-10-16 |
| PL128495B1 true PL128495B1 (en) | 1984-01-31 |
Family
ID=20002375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL22334280A PL128495B1 (en) | 1980-04-09 | 1980-04-09 | Thin film conductive structure,especially for manufacture of resistively conductive networks |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL128495B1 (pl) |
-
1980
- 1980-04-09 PL PL22334280A patent/PL128495B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL223342A1 (pl) | 1981-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2608753A (en) | Clad beryllium-copper alloys | |
| US4568014A (en) | Bonding of metallic glass to crystalline metal | |
| PL128495B1 (en) | Thin film conductive structure,especially for manufacture of resistively conductive networks | |
| JP4042933B2 (ja) | Ｎｂ３ Ａｌ化合物系超電導線およびその製造方法 | |
| US3251128A (en) | Method of applying a low resistance contact to a bus | |
| JPS575851A (en) | Production of frame material for glass | |
| CN100456394C (zh) | 一种双层合金镀层金属膜电阻的制造方法 | |
| JP3944401B2 (ja) | フレキシブルプリント基板及びその製造方法 | |
| JP4778615B2 (ja) | 溶接可能なアルミニウムスタッド | |
| JP4026676B2 (ja) | 電子回路用部材およびその製造方法 | |
| JPS55165261A (en) | Roll device for rapid cooling of molten metal | |
| JPS62167040A (ja) | 積層金属板およびその製造方法 | |
| GB1601714A (en) | Fabricating wire | |
| DE2701373A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer widerstandsschicht | |
| US3167858A (en) | Process of lead cladding | |
| Iwamatsu | Electroless nickel polyalloy deposits | |
| DE2311660C3 (de) | Verfahren zum partiellen Galvanisieren eines Halbleiterkörpers aus Silizium | |
| JPH0783172B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPS5713140A (en) | Material for stringer of airplane with superior corrosion resistance and its manufacture | |
| JPS561286A (en) | Production of ti-clad steel | |
| DE2230516C3 (de) | Mehrschichtiger Kern zur Herstellung von Gegenständen durch Plasmaspritzen von Metall | |
| JPS5656745A (en) | Composite lead wire and its production | |
| Verhoeven et al. | The influence of coarsening treatments upon properties of in situ Nb 3 Sn-Cu superconducting wire | |
| JPS60162586A (ja) | アルミニウムと異種金属の複合材料の製造方法 | |
| JPS56156770A (en) | Structural material for high temperature |