NO321429B1 - Semiconductor Unit Pack, Semiconductor Unit Packing Procedure, and Enclosure for Semiconductor Unit Packing Use - Google Patents

Semiconductor Unit Pack, Semiconductor Unit Packing Procedure, and Enclosure for Semiconductor Unit Packing Use Download PDF

Info

Publication number
NO321429B1
NO321429B1 NO19975833A NO975833A NO321429B1 NO 321429 B1 NO321429 B1 NO 321429B1 NO 19975833 A NO19975833 A NO 19975833A NO 975833 A NO975833 A NO 975833A NO 321429 B1 NO321429 B1 NO 321429B1
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
anhydride
semiconductor device
substrate
encapsulant
rheology modifier
Prior art date
Application number
NO19975833A
Other languages
Norwegian (no)
Other versions
NO975833L (en
NO975833D0 (en
Inventor
Kazunori Omoya
Takashi Oobayashi
Wataru Sakurai
Mitsuru Harada
Yoshihiro Bessho
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP07308798A external-priority patent/JP3093621B2/en
Priority claimed from US08/593,675 external-priority patent/US5641996A/en
Application filed by Matsushita Electric Ind Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Ind Co Ltd
Publication of NO975833D0 publication Critical patent/NO975833D0/en
Publication of NO975833L publication Critical patent/NO975833L/en
Publication of NO321429B1 publication Critical patent/NO321429B1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/11001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/11003—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the bump preform
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/118—Post-treatment of the bump connector
    • H01L2224/1182—Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
    • H01L2224/11822—Applying permanent coating, e.g. in-situ coating by dipping, e.g. in a solder bath
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13075—Plural core members
    • H01L2224/1308—Plural core members being stacked
    • H01L2224/13082—Two-layer arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/13199—Material of the matrix
    • H01L2224/1329—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/13298—Fillers
    • H01L2224/13299—Base material
    • H01L2224/133—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83102—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus using surface energy, e.g. capillary forces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92222—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92225—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01061—Promethium [Pm]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12033—Gunn diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Packages (AREA)
  • Tires In General (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Description

Foreliggende oppfinnelse er rettet generelt mot en halvlederenhet pakke og fremgangsmåte ved en halvlederenhet pakking. Nærmere bestemt angår foreliggende oppfinnelse en teknikk hvor en halvlederanordning er montert ved hjelp av flip-chip binding på et substrat med en ledende adhesiv sjikt derimellom og substratet og halvlederanordningen er mekanisk forbundet sammen med en harpiks innkapslingssjikt lagt i lag derimellom. The present invention is directed generally to a semiconductor unit package and method for a semiconductor unit package. More specifically, the present invention relates to a technique where a semiconductor device is mounted by means of flip-chip bonding on a substrate with a conductive adhesive layer in between and the substrate and the semiconductor device are mechanically connected together with a resin encapsulation layer layered in between.

Generelt har loddeforbindelser blitt anvendt for å etablere kobling mellom forbindelsesterminaler til elektroniske komponenter slik som halvlederanordninger og terminalelekt-rodene til kretsmønstre på et substrat. Størrelsen på halvlederpakkene har blitt redusert automatisk og ettersom plassen mellom forbindelsesterminalene har blitt redusert på grunn av f.eks. økning av antall forbindelsesterminaler, er konvensjonell lodding vans-kelig å utføre ved slike utviklinger siden den krever store adhesive arealer. In general, solder connections have been used to establish connection between connection terminals of electronic components such as semiconductor devices and the terminal electrodes of circuit patterns on a substrate. The size of the semiconductor packages has been reduced automatically and as the space between the connection terminals has been reduced due to e.g. increase in the number of connection terminals, conventional soldering is difficult to perform in such developments since it requires large adhesive areas.

Forskjellige flip-chip bindingsmetoder, hvor chipen er flippet eller invertert slik at dens aktive elementoverflate vender mot substratet og er direkte forbundet med substratet med terminalelektroder, har blitt foreslått for effektiv bruk av pakkearealer. Typiske eksempler på flip-chip bindinger er beskrevet nedenfor. Various flip-chip bonding methods, where the chip is flipped or inverted so that its active element surface faces the substrate and is directly connected to the substrate with terminal electrodes, have been proposed for efficient use of package areas. Typical examples of flip-chip bindings are described below.

(1) Forbindelse ved hjelp av lavt smeltende punktmetall (1) Connection by means of low-melting point metal

Som vist på Fig. 8, er loddekuleelektroder 8 dannet på et elektrodeunderlag 2 til en halvlederanordning 1. Loddekuleelektroden 8 er innrettet med en terminalelektrode 5 på et substrat 6. Deretter smeltes loddingen for å etablere en elektrisk forbindelse mellom halvlederanordningen 1 og substratet 6. Fig. 9 viser en teknikk lignende den vist på Fig. 8. Ved denne teknikken blir en kuleelektrode 3 av gull dannet. En avsetning av et lavt smeltepunkt metall, f.eks. en avsetning 9 av indium, dannes mellom gullelektroden 3 og terminalelektroden 5. Indiumavsetningen 9 smeltes og kuleelektroden 3 og terminalelektroden 5 blir elektrisk forbundet sammen. Halvlederanordningen 1 og substratet 6 blir mekanisk sammenbundet med et innkapslingslager 10 laglagt derimellom. As shown in Fig. 8, solder ball electrodes 8 are formed on an electrode substrate 2 of a semiconductor device 1. The solder ball electrode 8 is aligned with a terminal electrode 5 on a substrate 6. The solder is then melted to establish an electrical connection between the semiconductor device 1 and the substrate 6. Fig Fig. 9 shows a technique similar to that shown in Fig. 8. In this technique, a ball electrode 3 of gold is formed. A deposit of a low melting point metal, e.g. a deposit 9 of indium is formed between the gold electrode 3 and the terminal electrode 5. The indium deposit 9 is melted and the ball electrode 3 and the terminal electrode 5 are electrically connected together. The semiconductor device 1 and the substrate 6 are mechanically connected with an encapsulation layer 10 layered between them.

(2) Forbindelse ved herdesammentrekningsspenning (2) Bonding by cure contraction stress

Som vist på Fig. 10, er en kuleelektrode 3 av gull dannet på et elektrodeunderlag 2 til en halvlederanordning 1. Innretningen av kuleelektroden 3 på halvlederanordningen 1 med en terminalelektrode 5 på et substrat 6 utføres. Så blir et innkapslingsmateriale fylt mellom halvlederanordningen 1 og substratet 6. Dette innkapslingsmaterialet herdes eller stivner for å danne en innkapslende sjikt 12. Sammentrekningsspenningene som frembrakte slik herding, resulterer i påføringen av en kompresjonsspenning mellom kuleelektroden 3 og terminalelektroden 5, hvorpå kuleelektroden 3 og terminalelektroden 5 er elektrisk sammenbundet samtidig som halvlederen 1 og substratet 6 blir mekanisk sammenbundet. For å forbedre forbindelsens pålitelighet, kan dessuten en avsetning 11 av kulen bli dannet på terminalelektroden 5 (jfr. Fig. 10). As shown in Fig. 10, a ball electrode 3 of gold is formed on an electrode substrate 2 of a semiconductor device 1. The alignment of the ball electrode 3 on the semiconductor device 1 with a terminal electrode 5 on a substrate 6 is performed. Then an encapsulation material is filled between the semiconductor device 1 and the substrate 6. This encapsulation material is hardened or solidified to form an encapsulating layer 12. The contraction stresses which produced such hardening result in the application of a compressive stress between the ball electrode 3 and the terminal electrode 5, whereupon the ball electrode 3 and the terminal electrode 5 is electrically connected at the same time as the semiconductor 1 and the substrate 6 are mechanically connected. In order to improve the reliability of the connection, a deposit 11 of the ball can also be formed on the terminal electrode 5 (cf. Fig. 10).

(3) Forbindelse ved anisotropisk konduktivitetsadhesiv (3) Bonding by anisotropic conductivity adhesive

Med henvisning til Fig. 11 blir en kuleelektrode 3 av gull dannet på et elektrodeunderlag 2 til en halvlederanordning 1. Et anisotropisk konduktivt adhesiv, som innbefatter en binder i hvilket konduktive partikler er dispergert, fylles mellom halvlederanordningen 1 og et substrat 6. Dette konduktive adhesivet oppvarmes mens det samtidig utøves et trykk, hvorpå det herdes eller stivnes for å danne et anisotropisk konduktivt adhesiv sjikt 13. Som et resultat blir kuleelektroden 3 og en terminalelektrode 5 elektrisk sammenkoblet samtidig som halvlederanordningen 1 og substratet 6 blir mekanisk sammenbundet. Referring to Fig. 11, a ball electrode 3 of gold is formed on an electrode substrate 2 of a semiconductor device 1. An anisotropic conductive adhesive, which includes a binder in which conductive particles are dispersed, is filled between the semiconductor device 1 and a substrate 6. This conductive adhesive is heated while simultaneously applying a pressure, whereupon it hardens or solidifies to form an anisotropic conductive adhesive layer 13. As a result, the ball electrode 3 and a terminal electrode 5 are electrically connected together while the semiconductor device 1 and the substrate 6 are mechanically connected.

(4) Forbindelse ved hjelp av konduktivitetadhesiv (4) Bonding using conductivity adhesive

Som vist på Fig. 12, blir en kuleelektrode 3 av gull dannet på et elektrodeunderlag 2 til en halvlederanordning 1. Deretter blir et konduktivt adhesiv overført til kuleelektroden 3. Innretning av kuleelektroden 3 med en terminal elektrode 5 dannet på et substrat 6 utføres og deretter bringes det overførte konduktive adhesivet til å herde for å danne en konduktiv adhesiv sjikt 4. Som et resultat blir kuleelektroden 3 og terminalelektroden 5 elektrisk sammenbundet med det konduktive adhesive sjiktet 4 lagt derimellom. Et inn-kapslingsmaterial fylles mellom halvlederanordningen 1 og substratet 6, som resultat av hvilke halvlederanordningen 1 og substratet 6 blir mekanisk sammenbundet. Innkapslingsmaterialet herdes for å danne et innkapslingssjikt 7, hvorpå halvlederanordningen 1 og substratet 6 blir mekanisk sammenbundet. Et typisk innkapslingsmateriale har en sammensetning vesentlig dannet av (a) et harpiksbindemiddel innbefattende en epoksyharpiks av kreosol NOVOLAC-typen og en fenolharpiks av NOVOLAC-typen (herdemiddel), og As shown in Fig. 12, a ball electrode 3 of gold is formed on an electrode substrate 2 of a semiconductor device 1. Then, a conductive adhesive is transferred to the ball electrode 3. Alignment of the ball electrode 3 with a terminal electrode 5 formed on a substrate 6 is performed and then the transferred conductive adhesive is caused to harden to form a conductive adhesive layer 4. As a result, the ball electrode 3 and the terminal electrode 5 are electrically connected with the conductive adhesive layer 4 interposed therebetween. An encapsulation material is filled between the semiconductor device 1 and the substrate 6, as a result of which the semiconductor device 1 and the substrate 6 are mechanically connected. The encapsulation material is hardened to form an encapsulation layer 7, upon which the semiconductor device 1 and the substrate 6 are mechanically bonded together. A typical encapsulation material has a composition substantially formed by (a) a resin binder including a NOVOLAC-type creosol epoxy resin and a NOVOLAC-type phenolic resin (curing agent), and

(b) et fyllstoff dannet av dielektriske partikler. (b) a filler formed of dielectric particles.

Ovenfor beskrevne pakketeknikker (1) - (4) har imidlertid deres respektive ulemper. However, the above described packaging techniques (1) - (4) have their respective disadvantages.

Pakketeknikken (1) og (2) har det problemet at siden deres strukturer har vanskeligheter med reduksjon av den termiske spenningen frembrakte forskjellen i utvidelseskoeffisienten mellom halvlederanordningen og substratet, er de uegnet for anvendelser hvor forbindelsesstabilitet er nødvendige over et stort temperaturområde. The packaging techniques (1) and (2) have the problem that since their structures have difficulties in reducing the thermal stress produced by the difference in the expansion coefficient between the semiconductor device and the substrate, they are unsuitable for applications where connection stability is required over a large temperature range.

Pakketeknikken (3) anvender et anisotropisk konduktivt adhesiv som inneholder et harpiks bindemiddel dannet av et harpiksmateriale med høy fleksibilitet, som derved gjør det mulig å redusere termisk spenning. På tross av en slik fordel vil hygroskopien til harpiksbindemiddelet øke og pakketeknikken (3) gir stabilitetsproblemer ved tilstander hvor det er høy fuktighet Ved pakketeknikken (3) er det dessuten mulig å redusere den termiske spenningen ved å tilpasse den termiske ekspansjonskoeffisienten til bindemid-delet med den til halvlederanordningen 1 og med den til substratet 6. Et fyllstoff med en lav termisk utvidelseskoeffisient er inneholdt i stor grad slik at forbindelsens pålitelighet ved et tidlig trinn sannsynligvis vil bli redusert. The packing technique (3) uses an anisotropic conductive adhesive containing a resin binder formed from a resin material with high flexibility, which thereby makes it possible to reduce thermal stress. Despite such an advantage, the hygroscopicity of the resin binder will increase and the packing technique (3) causes stability problems in conditions where there is high humidity. With the packing technique (3), it is also possible to reduce the thermal stress by adapting the thermal expansion coefficient of the binder with that of the semiconductor device 1 and with that of the substrate 6. A filler with a low coefficient of thermal expansion is contained to a large extent so that the reliability of the connection at an early stage is likely to be reduced.

Pakketeknikken (4) kan redusere den termiske spenningen ved et konduktivt adhesiv The packaging technique (4) can reduce the thermal stress of a conductive adhesive

med fleksibilitet og ved å tilpasse den termiske utvidelseskoeffisienten til innkapslingsmaterialet med den til halvlederanordningen 1 og med den til et substrat 6. På grunn av en slik fordel synes pakketeknikken (4) å være den mest attraktive sammenlignet med de andre pakketeknikkene. with flexibility and by matching the thermal expansion coefficient of the encapsulation material with that of the semiconductor device 1 and with that of a substrate 6. Due to such an advantage, the packaging technique (4) appears to be the most attractive compared to the other packaging techniques.

Pakketeknikken (4) har imidlertid følgende ulemper. Tidligere beskrevne innkapsling, som er dannet av en blandingssammensetning av (A) et epoksyharpiks av kresol NOVOLAC-typen og (B) et fenolnarpiks av NOVOLAC-typen har en høy viskositetskoeffisient. Tilpasning av de termiske utvidelseskoeffisienter krever dessuten en høy egenskap i innholdet til et fyllstoff i innkapslingen, som resulterer i økning av viskositeten til innkapslingen. Ved tidspunktet for fylling av en slik innkapsling mellom halvlederanordningen og substratet gjør at det derfor er nødvendig å varme opp innkapslingen opp til 70 - 80°C eller mer for å redusere viskositeten. Resultatet av dette er dårlig produktivitet. Ved tidspunktet for innkapsling i fyllingen, kan ledeforbindelsen bli ødelagt av den termiske spenningen frembrakt av den termiske utvidelseskoeffisienten da tem-peraturene øket, som deretter reduserer forbindelsespåliteligheten. However, the packaging technique (4) has the following disadvantages. Previously described encapsulation, which is formed from a blend composition of (A) a NOVOLAC-type cresol epoxy resin and (B) a NOVOLAC-type phenolic resin has a high viscosity coefficient. Adaptation of the thermal expansion coefficients also requires a high property in the content of a filler in the encapsulation, which results in increasing the viscosity of the encapsulation. At the time of filling such an encapsulation between the semiconductor device and the substrate, it is therefore necessary to heat the encapsulation up to 70 - 80°C or more in order to reduce the viscosity. The result of this is poor productivity. At the time of encapsulation in the filling, the lead connection can be destroyed by the thermal stress produced by the coefficient of thermal expansion as the temperatures increased, which then reduces the connection reliability.

På den andre siden kan en harpiks bindemiddel som et innkapslingsmiddel bli anvendt som er formet vesentlig som (A) et polyepoksid, hvilken viskositet er svært lav ved normal romtemperatur og (B) et syreanhydrid. Det skal bemerkes at "polyepoksid" er et generelt uttrykk for epoksyharpikser og/eller epoksyforbindelser. Dersom en stor mengde av et fyllstoff er tillagt et slikt harpiks bindemiddel, for reduksjon av den termiske utvidelseskoeffisienten vil imidlertid dette holde viskositeten til innkapslingsmiddelet lavt, men øke tiksotropi-indeksen. Dette gir problemer ved at innkapslingsmiddelet ikke kan gå inn mellom halvlederanordningene og substratet eller det problemet at selv om innkapslingsmiddelet klarer å trenge inn, er en slik inntrengning ledsaget med et stort antall luftbobler. Tilstedeværelsen av slike luftbobler i innkapslingsmiddelet bidrar til en ujevnhet, f.eks. termisk utvidelse av det herdede innkapslingsmiddelet. Forbindelsespåliteligheten blir således redusert. Av denne grunn har det blitt betraktet som upraktisk å bruke en harpiks av polyepoksid og syreanhydrid som et bindemiddel. On the other hand, a resin binder as an encapsulant can be used which is shaped substantially as (A) a polyepoxide, the viscosity of which is very low at normal room temperature and (B) an acid anhydride. It should be noted that "polyepoxide" is a general term for epoxy resins and/or epoxy compounds. If a large amount of a filler is added to such a resin binder, to reduce the coefficient of thermal expansion, this will however keep the viscosity of the encapsulant low, but increase the thixotropy index. This causes problems in that the encapsulant cannot enter between the semiconductor devices and the substrate or the problem that even if the encapsulant manages to penetrate, such penetration is accompanied by a large number of air bubbles. The presence of such air bubbles in the encapsulant contributes to an unevenness, e.g. thermal expansion of the cured encapsulant. Connection reliability is thus reduced. For this reason, it has been considered impractical to use a resin of polyepoxide and acid anhydride as a binder.

Ellers er det fra JP 06224259 kjent en halvlederanordning som er miniatyrisert ved svært tett montering av et halvlederelement, og i hvilken den elektriske forbindelsen til halvlederelerhentet er stabilt sikret til ytre elementer. I dette tilfellet har havlederelemen-tet gullujevnheter på overflaten og er koblet omvendt på et halvledersubstrat med et første sett elektrodeterminaler. Et andre sett elektroder er installert på oversiden av halvledersubstratet. Det andre elektrodesettet på halvledersubstratet og gullklumpene på halvlederelementet er koblet sammen med et bindemiddel. Rommene mellom koblinge-ne og den ytre kanten av halvlederelementet er fylt og forseglet med en epoksy. Otherwise, a semiconductor device is known from JP 06224259 which is miniaturized by very close mounting of a semiconductor element, and in which the electrical connection to the semiconductor electrical source is stably secured to external elements. In this case, the semiconductor element has gold irregularities on the surface and is connected in reverse on a semiconductor substrate with a first set of electrode terminals. A second set of electrodes is installed on the upper side of the semiconductor substrate. The second set of electrodes on the semiconductor substrate and the gold nuggets on the semiconductor element are connected by a binder. The spaces between the connectors and the outer edge of the semiconductor element are filled and sealed with an epoxy.

I JP 04130633 er det omtalt en metode for reduksjon av koblingsresistansen mellom en ujevnhet og en koblingselektrode selv om mengden av det konduktive adhesivet lagret ved ujevnheten er liten ved tilforming av et stort antall fine uregelmessigheter på overflaten av ujevnheten. Overflaten ved toppen av en keramisk kapillærkanal har en fin uregelmessighet. Øvre ende av gulltråden som stikker ut fra kapillærkanalen, smeltes for tilforming av en kule som deretter kraftbindes til et elektrodeunderlag med den øvre enden av kapillærkanalen. I tilstanden at en kule er trykkbundet til elektrodeunderlaget ved den øvre enden eller etter nedbøyning av tråden utstrakt fra kulen til en sløyfe, kut-tes tråden. En ujevnhet tildannes under prosessen og et stort antall fine uregelmessigheter tilformes på overflaten av ujevnheten. Ujevnheten på et IC-substrat dyppes i et konduktivt bindemiddel, og ujevnheten presses og monteres på TTO-elektrodeunderlaget på monteringssubstratet. In JP 04130633, a method for reducing the connection resistance between an unevenness and a connecting electrode is described even if the amount of the conductive adhesive stored at the unevenness is small by forming a large number of fine irregularities on the surface of the unevenness. The surface at the top of a ceramic capillary channel has a fine irregularity. The upper end of the gold wire protruding from the capillary channel is melted to form a sphere which is then force-bonded to an electrode substrate with the upper end of the capillary channel. In the condition that a ball is pressure-bonded to the electrode substrate at the upper end or after bending the wire extended from the ball into a loop, the wire is cut. An asperity is formed during the process and a large number of fine irregularities are formed on the surface of the asperity. The bump on an IC substrate is dipped in a conductive binder, and the bump is pressed and mounted on the TTO electrode pad on the mounting substrate.

US 5194930 vedrører en loddekontaktstruktur og dens sammensetning. Spalten som er dannet loddekontakten mellom et bæresubstrat og en halvleder-chip, er fylt av en løse-middelfri fyllmasse tilformet ved herding av cykloalifatisk polyepoksy og/eller herdbar cyanatester eller en prepolymer avledet fra cyanatester, polyol, og et fyllmaterial som ikke avgir alfapartikler. US 5194930 relates to a solder contact structure and its composition. The gap formed by the solder contact between a carrier substrate and a semiconductor chip is filled with a solvent-free filler formed by curing cycloaliphatic polyepoxy and/or curable cyanate ester or a prepolymer derived from cyanate ester, polyol, and a filler material that does not emit alpha particles.

JP 63688724 omtaler en epoksysarnmensetning med lav viskositet og høy tiksotropi selv etter langvarig lagring. Den angitte sammensetningen inneholder (A) en epoksyharpiks, (B) en syreanhydridherder, (C) en herdeakselerator, (D) en fyllmasse og (E) en epoksy-modifisert silikonolje. JP 63688724 mentions an epoxy resin composition with low viscosity and high thixotropy even after long-term storage. The stated composition contains (A) an epoxy resin, (B) an acid anhydride hardener, (C) a cure accelerator, (D) a filler, and (E) an epoxy-modified silicone oil.

JP 01029416 omtaler en epoksyharpikssammensetning som er svært tiksotrop og har utmerket formbevaring samt er egnet til forsegling av integrerte kretser på chip. Sammensetningen skaffes ved blanding av en epoksyharpiks med et spesielt herdemiddel, en herdeakselerator, et fyllstoff og et fint silikapulver som er blitt gjort hydrofobt som et tiksotropt middel med dispersjon. JP 01029416 mentions an epoxy resin composition which is highly thixotropic and has excellent shape retention and is suitable for sealing integrated circuits on chips. The composition is obtained by mixing an epoxy resin with a special curing agent, a curing accelerator, a filler and a fine silica powder that has been made hydrophobic as a thixotropic agent with dispersion.

Fra JP 6313027 er det kjent en epoksyharpikssammensetning blant annet egnet for forsegling halvledere, og som består av (a) en tetrametyldihydroksybifenylglysideterisk epoksyharpiks og (b) en organisk polysiloksan. Komponent (b) innbefatter silikongum-mi eller silikonolje. Epoksyharpikskomponenten kan inneholde fyllstoffer, herdemidler eller herdeakseleratorer. From JP 6313027 there is known an epoxy resin composition suitable, among other things, for sealing semiconductors, and which consists of (a) a tetramethyldihydroxybiphenyl glycideteric epoxy resin and (b) an organic polysiloxane. Component (b) includes silicone rubber or silicone oil. The epoxy resin component may contain fillers, curing agents or curing accelerators.

Dessuten beskriver JP 06279654 en flytende epoksysarnmensetning hvor (A) en epoksyharpiks er blandet med (B) en silikonolje, (C) et herdemiddel og (D) en nærmere an-gitt formel med en molekylvekt i området 300-10000 som kompatibilitetsmiddel. Sammensetningen kan blandes med et uorganisk pulverfyllstoff, så som talkum, et koblingsmiddel, så som glycidylsilan, et fargestoff, så som sot, etc. In addition, JP 06279654 describes a liquid epoxy resin composition where (A) an epoxy resin is mixed with (B) a silicone oil, (C) a curing agent and (D) a specified formula with a molecular weight in the range 300-10,000 as compatibilizer. The composition may be mixed with an inorganic powder filler such as talc, a coupling agent such as glycidyl silane, a colorant such as carbon black, etc.

Med tanke på ovennevnte problemer ved tidligere kjent teknikk, har foreliggende oppfinnelse til hensikt å unngå disse. Således har foreliggende oppfinnelse til hensikt å tilveiebringe forbedrede halvlederenhetspakke og tilhørende pakkingsmetode som er i stand til å tilveiebringe en høy forbindelsespålitelighet og høy produktivitet. Ved foreliggende oppfinnelse er det således foretatt begrensninger av karakteristikken til viskositet og tioksotropi-indeksen for å tilveiebringe ønsket innkapslingskarakteristikker for fyllmidlene. Det skal også bemerkes at "polyepoksid" er et generelt uttrykk for epoksyharpiks og/eller epoksyforbindelser. In view of the above-mentioned problems with prior art, the present invention aims to avoid these. Thus, the present invention aims to provide an improved semiconductor device package and associated packaging method capable of providing high connection reliability and high productivity. In the present invention, limitations have thus been made on the characteristic of viscosity and the thioxotropy index in order to provide the desired encapsulation characteristics for the fillers. It should also be noted that "polyepoxide" is a general term for epoxy resin and/or epoxy compounds.

Ved foreliggende oppfinnelse er det funnet at grunnen for at konvensjonelle materialer er uegnet som et innkapslingsmiddel ligger ikke bare i viskositeten, men også i tiksotropi-indeksen (høy tiksotropi-indeks). For tilfellet av at harpiksbindemidlene inneholder polyepoksider og syreanhydrider, er det ved foreliggende oppfinnelse f.eks. funnet at strømningsevnen er hindret av samvirke med de frie syrer i syreanhydridet og polare grupper ved overflaten til et fyllstoff. For denne kunnskapen er i det påfølgende anordningen tilveiebrakt for å tilveiebringe foreliggende oppfinnelse. In the present invention, it has been found that the reason why conventional materials are unsuitable as an encapsulant lies not only in the viscosity, but also in the thixotropy index (high thixotropy index). In the event that the resin binders contain polyepoxides and acid anhydrides, the present invention e.g. found that the flowability is hindered by interaction with the free acids in the acid anhydride and polar groups at the surface of a filler. For this knowledge, the following device is provided to provide the present invention.

Nærmere bestemt er det ifølge foreliggende oppfinnelse tilveiebrakt en sammensetning hvor viskositeten og tiksotropien er under henholdsvis 100 Pa s og under 1,1 og er anvendt som innkapslingsmateriale i flip-chip bindingen. Denne sammensetningen herdes for å danne en innkapslingssjikt ved hvilken en halvlederanordning og et substrat er mekanisk sammenbundet. More specifically, according to the present invention, a composition has been provided where the viscosity and thixotropy are respectively below 100 Pa s and below 1.1 and is used as an encapsulation material in the flip-chip bond. This composition is cured to form an encapsulation layer by which a semiconductor device and a substrate are mechanically bonded.

Foreliggende oppfinnelse tilveiebringer en halvleder enhetspakke som omfatter: The present invention provides a semiconductor device package comprising:

(a) en halvlederanordning med et elektrodeunderlag, (a) a semiconductor device with an electrode substrate,

(b) et substrat med en terminal elektrode, (b) a substrate with a terminal electrode,

(c) en kuleelektrode dannet på elektrodeunderlaget til halvlederanordningen, (c) a ball electrode formed on the electrode substrate of the semiconductor device,

(d) et konduktivt adhesivt sjikt som er dannet til et konduktivt adhesiv med fleksibilitet og som etablerer en elektrisk forbindelse med kuleelektroden og terminalelektroden, og (e) et innkapslingssjikt som er dannet ved å herde en sammensetning med en viskositet på under 100 Pa s og en tiksotropi-indeks på under 1,1 og som fyller et gap definert mellom halvlederanordningen og substratet på en slik måte at halvlederanordningen og substratet er mekanisk sammenbundet. (d) a conductive adhesive layer formed into a conductive adhesive with flexibility and which establishes an electrical connection with the ball electrode and the terminal electrode, and (e) an encapsulation layer formed by curing a composition having a viscosity of less than 100 Pa s and a thixotropy index of less than 1.1 and which fills a gap defined between the semiconductor device and the substrate in such a way that the semiconductor device and the substrate are mechanically connected.

Innkapslingssjiktet, som mekanisk binder sammen halvlederanordningen og substrat, er dannet av et innkapslingsmiddel, som er i flytende tilstand ved pakketrinnet og som ikke har bare en lav viskositetskoeffisient på under 100 Pa - s, men også en lav tiksotropi-indeks på under 1,1. Som et resultat av en slik anordning ved et pakketrinn, flyter et slikt innkapslingsmiddel lett og spredes lett selv inn i tynne åpninger uten luftbobler. Temperaturen til fyllstoffet kan bli redusert. Disse anordninger gjør det mulig å forbedre ikke bare den elektriske forbindelsespåliteligheten (f.eks. halvlederanordning-til-substrat adhesjon og motstandsevne mot termiske sjokk), men også forbedre produktiviteten. The encapsulation layer, which mechanically binds the semiconductor device and substrate together, is formed by an encapsulant, which is in a liquid state at the packaging stage and which not only has a low viscosity coefficient of less than 100 Pa - s, but also a low thixotropy index of less than 1.1 . As a result of such a device at a packaging step, such an encapsulant flows easily and spreads easily even into thin openings without air bubbles. The temperature of the filler can be reduced. These devices make it possible to improve not only electrical connection reliability (eg, semiconductor device-to-substrate adhesion and thermal shock resistance), but also improve productivity.

Det er foretrukket at sammensetningen består i det vesentlige av (A) et harpiksbindemiddel som inneholder i det minste et polyepoksid, en karboksylisk syres anhydrid, en rheologimodifiserer og en latent herdeakselerator, og (B) et fyllstoff som er dannet av et dielektrisk materiale og at rheologimodifiseringsmiddelet forhindrer samvirke mellom en fri syre i anhydridet til karboksylsyren og en polar gruppe på overflaten til fyllstoffet. It is preferred that the composition consists essentially of (A) a resin binder containing at least a polyepoxide, a carboxylic acid anhydride, a rheology modifier and a latent cure accelerator, and (B) a filler formed from a dielectric material and that the rheology modifier prevents interaction between a free acid in the anhydride of the carboxylic acid and a polar group on the surface of the filler.

Det er foretrukket at rheologimodifiseringsmiddelet inneholder et substrat som er i stand til selektiv adsorpsjon av fri syre i anhydridet til karboksylsyren. It is preferred that the rheology modifier contains a substrate capable of selective adsorption of free acid in the anhydride of the carboxylic acid.

Det er foretrukket at rheologimodifisereren er en Lewis-base sammensetning. It is preferred that the rheology modifier is a Lewis base composition.

Det er foretrukket at rheologimodifisereren enten er en tertiær aminsammensetning, en tertiær fosfinsammensetning, et kvaternært ammoniumsalt, et kvatemært fosfoniumsalt eller en heterocyklisk forbindelse som inneholder i en cyklisk kjede et atom av nitrogen. It is preferred that the rheology modifier is either a tertiary amine composition, a tertiary phosphine composition, a quaternary ammonium salt, a quaternary phosphonium salt or a heterocyclic compound containing in a cyclic chain an atom of nitrogen.

Som beskrevet ovenfor, er innkapslingsmiddelet dannet i det vesentlige av (A) en syreanhydrid-herdende type epoksyharpiks og (B) et materiale som har en lav termisk utvidelseskoeffisient (f.eks. et dielektrisk materiale). Denne anordningen reduserer termisk spenning påført innkapslingssjiktet. Den anvendte rheologimodifisereren er en rheologimodifiserer som kan operere for å forhindre samvirke mellom en fri syre i syreanhydridet og en polar gruppe ved overflaten til fyllstoffet og følgelig tilveiebringes en lav viskositetskoeffisient og en lav tiokstrofi-indeks. As described above, the encapsulant is formed essentially of (A) an acid anhydride curing type epoxy resin and (B) a material having a low coefficient of thermal expansion (eg, a dielectric material). This device reduces thermal stress applied to the encapsulation layer. The rheology modifier used is a rheology modifier which can operate to prevent the interaction between a free acid in the acid anhydride and a polar group at the surface of the filler and thus provide a low viscosity coefficient and a low thioxstrophy index.

Det er foretrukket at anhydrid av karboksylsyre i harpiksbindemiddelet inneholder i det minste et anhydrid av en alicyklisk syre. It is preferred that the anhydride of carboxylic acid in the resin binder contains at least one anhydride of an alicyclic acid.

Det er foretrukket at foregående alicykliske syreanhydrider inneholder i det minste en anhydrid av en trialkyltetrahydroftalsyre. It is preferred that the preceding alicyclic acid anhydrides contain at least one anhydride of a trialkyltetrahydrophthalic acid.

Det karakteristiske for alicykliske syrers anhydrider med lav vannabsorpsjon er anvendt for å gi den ønskede motstandsevnen til harpiksbindemiddelet mot fuktighet. Alterna-tivt er viskositeten til harpiksbindemiddelet, som er væskeformet ved pakketrinnet, lavt slik at innkapslet fyllstoff kan bli avsluttet innenfor et kort tidsrom. Kostnadene av pro-duksjonen kan bli redusert. The characteristic of alicyclic acid anhydrides with low water absorption is used to give the desired resistance of the resin binder to moisture. Alternatively, the viscosity of the resin binder, which is liquid at the packaging step, is low so that encapsulated filler can be finished within a short period of time. The costs of production can be reduced.

Det er foretrukket at kuleelektroden til halvlederanordningen er en stumpkuleelektrode med totrinnet uttagninger. It is preferred that the ball electrode of the semiconductor device is a blunt ball electrode with two-stage withdrawals.

Slik anordning gjør det mulig å øke tettheten til kuleelektroden. Når en halvlederanordning monteres på et substrat, er tett anordnede kuleelektroder til halvlederanordningen og terminalelektroder på substratet elektrisk forbundet sammen. Følgelig anvendes et innkapslingsmiddel som har en lav viskositetskoeffisient og en lav tioksotropi-indeks slik at den lett kan flyte og fylle et gap definert mellom halvlederanordningen og substratet. Som et resultat blir det selv ved høytetthets halvlederenheter, forbedrete elektriske og mekaniske forbindelser mellom halvlederanordningen og substratet med hensyn til pålitelighet. Such a device makes it possible to increase the density of the ball electrode. When a semiconductor device is mounted on a substrate, densely arranged ball electrodes of the semiconductor device and terminal electrodes on the substrate are electrically connected together. Accordingly, an encapsulant is used which has a low viscosity coefficient and a low thioxotropy index so that it can easily flow and fill a gap defined between the semiconductor device and the substrate. As a result, even with high-density semiconductor devices, the electrical and mechanical connections between the semiconductor device and the substrate are improved in terms of reliability.

Foreliggende oppfinnelse tilveiebringer en halvleder enhetpakke-fremgangsmåte hvor en halvlederanordning med et elektrodeunderlag montert på et substrat med en terminalelektrode. Nærmere bestemt er fremgangsmåten kjennetegnet ved The present invention provides a semiconductor unit package method where a semiconductor device with an electrode substrate is mounted on a substrate with a terminal electrode. More specifically, the method is characterized by

(a) et første trinn for dannelse av en kuleelektrode på elektrodeunderlaget til halvlederanordningen, (b) et andre trinn for påføring av et konduktivt adhesiv rundt spissen av kuleelekt-kroden, (c) et tredje trinn innbefattende utførelse av en innretning av kuleelektroden og terminalelektroden, anbringelse av halvlederanordningen på substratet, og etablering, via det konduktive adhesivet, en elektrisk forbindelse mellom kuleelektroden og terminalelektroden, (d) et fjerde trinn for preparering av et innkapslingsmiddel dannet av en sammensetning hvor viskositeten og tiksotropi-indeksen er under 100 Pa • s og under 1,1, henholdsvis, (e) et femte trinn for å fylle et gap definert mellom halvlederanordningen og substratet med innkapslingsmiddel, og (f) et sjette trinn for å herde innkapslingsmiddelet for å tilveiebringe en mekanisk forbindelse mellom halvlederanordningen og substratet. (a) a first step of forming a ball electrode on the electrode substrate of the semiconductor device, (b) a second step of applying a conductive adhesive around the tip of the ball electrode, (c) a third step including making an arrangement of the ball electrode and the terminal electrode , placing the semiconductor device on the substrate, and establishing, via the conductive adhesive, an electrical connection between the ball electrode and the terminal electrode, (d) a fourth step of preparing an encapsulant formed from a composition whose viscosity and thixotropy index are below 100 Pa • s and under 1.1, respectively, (e) a fifth step of filling a gap defined between the semiconductor device and the substrate with encapsulant, and (f) a sixth step of curing the encapsulant to provide a mechanical connection between the semiconductor device and the substrate.

Siden innkapslingsmiddelet ikke bare har en lav viskositetskoeffisient under 100 Pa • s, men også en lav tioksotropi-indeks på under 1,1, gjør dette det mulig for et slikt innkapslingsmiddel ved innpakkingstrinnet å lett flyte og spre seg, selv inn i tynne gap uten luftbobler. Temperaturen ved fyllingen kan bli redusert. Denne anordning gjør det mulig å forbedre ikke bare den elektriske forbindelsespåliteligheten (f.eks. halvlederanordning-til-substrat adhesjon og motstandsevnen mot termiske sjokk), men også produktiviteten og forkorte pakketiden. Since the encapsulant not only has a low viscosity coefficient below 100 Pa • s, but also a low thioxotropy index of below 1.1, this enables such an encapsulant at the encapsulation step to easily flow and spread, even into thin gaps without air bubbles. The temperature during filling can be reduced. This device makes it possible to improve not only electrical connection reliability (eg, semiconductor device-to-substrate adhesion and thermal shock resistance), but also productivity and shorten packaging time.

Det er foretrukket at sammensetningen ved det fjerde trinnet består i det vesentlige av (A) et harpiksbindemiddel som inneholder i det minste ett polyepoksid, et anhydrid av en karboksylsyre, en rheologimodifiserer og en latent herdeakselerator, og (B) et fyllstoff som er dannet av et dielektrisk materiale og at rheologimodifiseringen forhindrer samvirke mellom en fri syre i karboksylsyrens anhydrid og en polar gruppe ved overflaten til fyllstoffet. It is preferred that the composition at the fourth step consists essentially of (A) a resin binder containing at least one polyepoxide, an anhydride of a carboxylic acid, a rheology modifier and a latent cure accelerator, and (B) a filler formed from a dielectric material and that the rheology modification prevents interaction between a free acid in the anhydride of the carboxylic acid and a polar group at the surface of the filler.

En slik anordning gjør det mulig å redusere både viskositeten og tiksotropi-indeksen til innkapslingsmiddelet ved det femte trinnet. Innkapslingsmiddelet er dessuten dannet i det vesentlige av (A) en syreanhydird-herdende type epoksyharpiks og (B) et materiale som har en lav termisk utvidelseskoeffisient (f.eks. et dielektrisk materiale). Denne anordningen reduserer termisk spenning påført etter pakkingen til det innkapslede sjiktet. Such a device makes it possible to reduce both the viscosity and the thixotropy index of the encapsulant at the fifth stage. Furthermore, the encapsulant is formed essentially of (A) an acid anhydride-curing type epoxy resin and (B) a material having a low coefficient of thermal expansion (eg, a dielectric material). This device reduces thermal stress applied after packing to the encapsulated layer.

Det er foretrukket at rheologimodifiseringsmiddelet inneholder en substans, som virker også som en herdeakselerator for en dobbelt væskeformet epoksyharpiks-type innkapslingsmiddel i en slik spormengde for å forhindre substrat fra å sperre dens herdefunksjon. It is preferred that the rheology modifier contains a substance, which also acts as a cure accelerator for a double liquid epoxy resin type encapsulant in such a trace amount to prevent the substrate from inhibiting its cure function.

En slik anordning styrer et innkapslingsmiddel på en slik måte at innkapslingsmiddelet ikke starter å herde før det fjerde trinnet og det femte trinnet, og herdes ved det sjette trinnet. Når herdingen er ferdig i det sjette trinnet, blir en rheologimodifiserer inkorpo-rert i innkapslingsharpikssjiktets nettverkstruktur. Dette eliminerer muligheten at tillegg av en rheologimodifiserer reduserer motstanden mot varme og motstanden mot fuktighet. Such a device controls an encapsulant in such a way that the encapsulant does not start to harden until the fourth stage and the fifth stage, and hardens at the sixth stage. When curing is complete in the sixth step, a rheology modifier is incorporated into the network structure of the encapsulating resin layer. This eliminates the possibility that the addition of a rheology modifier reduces the resistance to heat and the resistance to moisture.

Det er foretrukket at anhydrid av karboksylsyre i harpiksbindemiddelet ved det fjerde trinnet inneholder i det minste en anhydrid av en alicyklisk syre. It is preferred that the anhydride of carboxylic acid in the resin binder in the fourth step contains at least one anhydride of an alicyclic acid.

Det er foretrukket at alicyklisk syreanhydrid ved det fjerde trinnet inneholder i det minste et anhydrid av en trialkyltetrahydroftalsyre. It is preferred that the alicyclic acid anhydride in the fourth step contains at least one anhydride of a trialkyltetrahydrophthalic acid.

Siden en anhydrid av alicyklisk syre er lav i viskositet så vel som i vannabsorpsjon, blir tiden nødvendig for å fylle innkapslingsmiddelet ved det sjette trinnet redusert og motstanden mot fuktighet økes. Since an anhydride of alicyclic acid is low in viscosity as well as in water absorption, the time required to fill the encapsulant at the sixth step is reduced and the resistance to moisture is increased.

Det er foretrukket at kuleelektroden ved første trinnet er en stumpkuleelektrode med en totrinns uttagning. It is preferred that the ball electrode in the first stage is a blunt ball electrode with a two-stage extraction.

En slik anordning muliggjør høytetthets anbringelse av kuleelektrodene og innkapslingsmiddelet, som er lav med hensyn til viskositet så vel som med hensyn til tiksottopi-indeksen, lett spredbar selv inn i tynne åpninger definert mellom tett anordnede kuleelektroder og terminalelektroder til substratene. Som et resultat er den elektrisk mekaniske forbindelse mellom halvlederanordninger av substratet forbedret med hensyn til pålitelighet. Such a device enables high-density placement of the ball electrodes and the encapsulant, which is low in viscosity as well as in thixotropic index, easily spreadable even into thin openings defined between densely arranged ball electrodes and terminal electrodes of the substrates. As a result, the electromechanical connection between semiconductor devices of the substrate is improved in terms of reliability.

Det er foretrukket at ved det femte trinnet blir innkapslingsmiddelet injisert mellom halvlederanordningen og substratet ved romtemperatur. En slik anordning tilveiebringer en reduksjon av den termiske spenningen og forbedrer dermed motstandsevnen mot termisk sjokk. Som et resultat ble det tilveiebrakt en halvlederenhetpakke med forbedret elektrisk f orbindelsespålitelighet. It is preferred that in the fifth step the encapsulant is injected between the semiconductor device and the substrate at room temperature. Such a device provides a reduction of the thermal stress and thus improves the resistance to thermal shock. As a result, a semiconductor device package with improved electrical connection reliability was provided.

Det er foretrukket at ved det femte trinnet blir innkapslingsmiddelet injisert mellom halvlederanordningen og substratet under en de-trykksatt tilstand. It is preferred that in the fifth step the encapsulant is injected between the semiconductor device and the substrate under a depressurized condition.

En slik anordning tilveiebringer ikke bare en forbedring ved produktiviteten, men tilveiebringer også en halvlederenhetpakke med forbedret elektrisk forbindelsespålitelighet. Such a device not only provides an improvement in productivity, but also provides a semiconductor device package with improved electrical connection reliability.

Det er foretrukket at i det fjerde trinnet blir sammensetningen av innkapslingsmiddelet preparert ved å tilveiebringe en blanding av et anhydrid av en karboksylsyre og en del av et fyllstoff, underkasting av blandingen til en aldringsprosess og tillegging av et polyepoksid og øvrige fyllstoff til blandingen. It is preferred that in the fourth step the composition of the encapsulant is prepared by providing a mixture of an anhydride of a carboxylic acid and part of a filler, subjecting the mixture to an aging process and adding a polyepoxide and other fillers to the mixture.

Som et resultat av en slik anordning, avtar samvirket mellom en fri syre og en polar gruppe. Dette tilveiebringer et innkapslingsmiddel som har en lav viskositet og lav tioksotropi-indeks. As a result of such an arrangement, the interaction between a free acid and a polar group decreases. This provides an encapsulant having a low viscosity and low thioxotropy index.

Det er foretrukket at rheologimodifisereren inneholder en substans som kan selektivt adsorbere fri syre i anhydridet til karboksylsyren. It is preferred that the rheology modifier contains a substance which can selectively adsorb free acid in the anhydride of the carboxylic acid.

Som et resultat av en slik anordning blir en fri syre i en syreanhydrid selektivt adsorbert av en rheologimodifiserer, hvorpå et samvirke mellom fri syre og polargruppe forhindres. Dette tilveiebringer et innkapslingsmiddel som har en lav viskositet og en lav tiksotropi-indeks. As a result of such a device, a free acid in an acid anhydride is selectively adsorbed by a rheology modifier, whereupon an interaction between free acid and polar group is prevented. This provides an encapsulant having a low viscosity and a low thixotropy index.

Det er foretrukket at rheologimodifisereren er en Lewis-base sammensetning. It is preferred that the rheology modifier is a Lewis base composition.

Det er foretrukket at rheologimodifisereren enten er en tertiær arninsammensetning, en tertiær fosfinsammensetning, et kvaternært ammoniumsalt, et kvatemært fosfoniumsalt eller en heterocyklisk sammensetning som inneholder i en cyklisk kjede et nitrogen-atom. It is preferred that the rheology modifier is either a tertiary arnine composition, a tertiary phosphine composition, a quaternary ammonium salt, a quaternary phosphonium salt or a heterocyclic composition containing a nitrogen atom in a cyclic chain.

Som et resultat av en slik anordning forhindres interaksjonen mellom fri syre og polargruppen. Dette tilveiebringer et innkapslingsmiddel som har en lav viskositet og en lav tiksotropi-indeks. As a result of such a device, the interaction between the free acid and the polar group is prevented. This provides an encapsulant having a low viscosity and a low thixotropy index.

Foreliggende oppfinnelse tilveiebringer et innkapslingsmiddel for fylling av et gap mellom en halvlederanordning og et substrat for bruk ved pakking av en halvlederenhet. Dette innkapslingsmiddelet består i det vesentlige av: (A) et harpiksbindemiddel som inneholder i det minste et polyepoksid, et anhydrid av en karboksylsyre, en rheologimodifiserer og en latent herdeakselerator hvor vektprosenten av harpiksbindemiddelet er innenfor området fra 80% til 25%, og (B) en fyller som er dannet av et dielektrisk materiale hvor vektprosenten av fylleten er innenfor området fra 20% til 75%, The present invention provides an encapsulation means for filling a gap between a semiconductor device and a substrate for use in packaging a semiconductor device. This encapsulant consists essentially of: (A) a resin binder containing at least a polyepoxide, an anhydride of a carboxylic acid, a rheology modifier and a latent cure accelerator wherein the percentage by weight of the resin binder is within the range of 80% to 25%, and (B ) a filler which is formed from a dielectric material where the weight percentage of the filler is within the range from 20% to 75%,

hvor rheologimodifisereren virker som en sperre for interaksjonen mellom en fri syre i anhydridet til karboksylsyren og en polar gruppe ved overflaten til fyllstoffet. where the rheology modifier acts as a barrier to the interaction between a free acid in the anhydride of the carboxylic acid and a polar group at the surface of the filler.

Siden innkapslingen ikke bare har en lav viskositetskoeffisient under 100 Pa • s, men også en lav tiksotropi-indeks på under 1,1, gjør dette det mulig at et slikt innkapslingsmiddel flyter lett og sprer seg selv inn i tynne gap uten luftbobler. Temperaturen til fyllstoffet kan reduseres. Den latente herdeakseleratoren sikrer dessuten lagringsevne til innkapslingsmiddelet og praktisk herdeakselerasjonsfunksjon. Denne anordningen gjør det mulig å forbedre ikke bare den elektriske forbindelsespåliteligheten (f.eks. halvlederanordning-til-substratadhesjon og motstandsdyktighet mot termisk sjokk), men også produktiviteten. Since the encapsulant not only has a low viscosity coefficient below 100 Pa • s, but also a low thixotropy index of below 1.1, this enables such an encapsulant to flow easily and spread itself into thin gaps without air bubbles. The temperature of the filler can be reduced. The latent cure accelerator also ensures storage capacity of the encapsulant and practical cure acceleration function. This device makes it possible to improve not only electrical connection reliability (eg, semiconductor device-to-substrate adhesion and resistance to thermal shock), but also productivity.

Det er foretrukket at rheologimodifiseringsmiddelet inneholder en substans som er i stand til selektiv adsorpsjon av fri syre i anhydrid til karboksylsyren. It is preferred that the rheology modifier contains a substance capable of selective adsorption of free acid in anhydride to the carboxylic acid.

Det er foretrukket at rheologimodifiseringsmiddelet er en Lewis-basert sammensetning. It is preferred that the rheology modifier is a Lewis-based composition.

Det er foretrukket at rheologimodifiseringsmiddelet enten er en tertiær aminsammensetning, en tertiær fosfinsammensetning, et kvartemært ammoniumsalt, et kvartemært fosfoniumsalt, eller en heterocyklisk sammensetning som inneholder et atom av nitrogen i en cyklisk kjede. It is preferred that the rheology modifier is either a tertiary amine composition, a tertiary phosphine composition, a quaternary ammonium salt, a quaternary phosphonium salt, or a heterocyclic composition containing an atom of nitrogen in a cyclic chain.

Innkapslingsmiddelet er dannet i det vesentlige av (A) en epoksyharpiks av syreanhydrid-herdetypen og (B) et materiale som har en lav termisk utvidelseskoeffisient (f.eks. et dielektrisk materiale). Denne anordningen reduserer den termiske spenningen påført innkapslingssjiktet i en halvlederenhetpakke som skal dannes. Det anvendte rheologimodifiseringsmiddelet er dessuten et rheologimodifiseringsmiddel som hindrer samvirke mellom fri syre i anhydridet og en polar gruppe ved overflaten til fyllstoffet og følge-lig kan det tilveiebringes en lav viskositetskoeffisient og en lav tioksotropi indeks. The encapsulant is formed essentially of (A) an acid anhydride curing type epoxy resin and (B) a material having a low coefficient of thermal expansion (eg, a dielectric material). This device reduces the thermal stress applied to the encapsulation layer in a semiconductor device package to be formed. The rheology modifier used is also a rheology modifier which prevents interaction between free acid in the anhydride and a polar group at the surface of the filler and consequently a low viscosity coefficient and a low thioxotropy index can be provided.

Det er foretrukket at anhydridet til karboksylsyren i harpiksbindemiddelet inneholder i det minste en anhydrid av en alicyklisk syre. It is preferred that the anhydride of the carboxylic acid in the resin binder contains at least one anhydride of an alicyclic acid.

Det er foretrukket at ovennevnte alicykliske syreanhydrid inneholder i det minste en anhydrid av en trialkyltetrahydroftalsyre. It is preferred that the above-mentioned alicyclic acid anhydride contains at least one anhydride of a trialkyltetrahydrophthalic acid.

Karakteristikken til alicyklisk syres anhydrider med lav vannabsorpsjon er anvendt for å gi den ønskede motstand til harpiksbindemiddelet mot fuktighet. Viskositeten til harpiksbindemiddelet, som er i en tilstand av væskeform ved pakketrinnet, er dessuten lav slik at innkapslingsmiddel-fyllstoffet kan bli ferdig i løpet av en kort tid. Dermed kan kostnadene ved pakkingen bli redusert. The characteristic of alicyclic acid anhydrides with low water absorption is used to give the desired resistance to the resin binder against moisture. Furthermore, the viscosity of the resin binder, which is in a liquid state at the packaging stage, is low so that the encapsulant-filler can be completed within a short time. Thus, the costs of packaging can be reduced.

Det er foretrukket at harpiksbindemiddelet og fyllstoffet er anordnet for å være som en enkel væske. It is preferred that the resin binder and filler are arranged to be like a simple liquid.

En slik anordning forenkler igjen dispergering av fyllstoffet som derved gir ønsket innkapslingsmiddel for fremstilling av LSI'er. Such a device in turn facilitates dispersion of the filler which thereby provides the desired encapsulant for the production of LSIs.

Det er foretrukket at harpiksbindemiddelet i innkapslingsmiddelet har en sammensetning hvor: (a) det kjemiske ekvivalente forholdet mellom anhydridet til karboksylsyren og polyepoksid er innenfor området fra 0,8 til 1,1, (b) vektprosenten til nerdeakseleratoren i forhold til helheten av harpiksbindemiddelet er innen området fra 0,3% til 3%, og (c) vektprosenten til rheologimodifiseringsmiddelet i forhold til helheten av harpiksbindemiddelet er innenfor området av 0,02% til 0,3%. It is preferred that the resin binder in the encapsulant has a composition where: (a) the chemical equivalent ratio between the anhydride of the carboxylic acid and polyepoxide is within the range from 0.8 to 1.1, (b) the weight percentage of the nerd accelerator in relation to the totality of the resin binder is within the range of 0.3% to 3%, and (c) the weight percent of the rheology modifier relative to the totality of the resin binder is within the range of 0.02% to 0.3%.

Foreliggende oppfinnelse gir et innkapslingsmiddel for fylling av et gap mellom en halvlederanordning og et substrat for bruk ved pakking av en halvlederenhet. Dette innkapslingsmiddelet består i det vesentlige av: (A) et harpiksbindemiddel som inneholder i det minste et polyepoksid, et anhydrid av karboksysyre, et rheologimodifiseringsmiddel og et latent herdeakselerasjonsmiddel hvor vektprosenten av harpiksbindemiddelet er innenfor området av 80% til 25%, og (B) et fyllstoff som er dannet av et dielektrisk materiale hvor vektprosenten av fyllstoffet er innenfor området fra 20% til 75%, The present invention provides an encapsulation means for filling a gap between a semiconductor device and a substrate for use in packaging a semiconductor unit. This encapsulant consists essentially of: (A) a resin binder containing at least a polyepoxide, an anhydride of a carboxylic acid, a rheology modifier, and a latent cure accelerator wherein the percentage by weight of the resin binder is within the range of 80% to 25%, and (B) a filler which is formed from a dielectric material where the weight percentage of the filler is within the range from 20% to 75%,

hvor innkapslingsmiddelet er preparert ved: where the encapsulant is prepared by:

tilveiebringelse av en blanding av en anhydrid til en karboksylsyre og en del av et fyllstoff, providing a mixture of an anhydride of a carboxylic acid and a portion of a filler,

underleggelse av blandingen til en aldingsprosess, og subjecting the mixture to an aging process, and

tilføyning av et polyepoksyd og øvrige fyllstoffer til blandingen. addition of a polyepoxide and other fillers to the mixture.

Som et resultat av en slik anordning blir samvirke mellom fri syre i anhydridet til karboksylsyren og polargruppen ved overflaten til fyllstoffet undertrykket og tiksotropi-indeksen til innkapslingsmiddelet reduseres. As a result of such an arrangement, interaction between free acid in the anhydride of the carboxylic acid and the polar group at the surface of the filler is suppressed and the thixotropy index of the encapsulant is reduced.

I det påfølgende skal oppfinnelsen beskrives nærmere med henvisning til tegningene, hvor: Fig. 1 viser et tverrsnitt av en halvlederenhet av en utførelsesform ifølge foreliggende oppfinnelse. In what follows, the invention will be described in more detail with reference to the drawings, where: Fig. 1 shows a cross-section of a semiconductor unit of an embodiment according to the present invention.

Fig. 2 viser et tverrsnitt av en forbindelse av halvlederenheten vist på Fig. 1. Fig. 2 shows a cross-section of a connection of the semiconductor unit shown in Fig. 1.

Fig. 3 viser et tverrsnitt av en halvlederenhet dannet ved hjelp av en teknikk ved hjelp av en utførelsesform ifølge foreliggende oppfinnelse. Fig. 4 (a) - 4 (e) er tverrsnitt av en halvlederenhet ved forskjellige behandlingstrinn til en flip-chip bindeteknikk ifølge en utførelsesform av foreliggende oppfinnelse. Fig. S viser et flytdiagram som viser trinnene ved en flip-chip bindeteknikk ved en utfø-relsesform ifølge foreliggende oppfinnelse. Fig. 6 viser den generiske kjemiske sammensetningen av en bisfenol type epoksyharpiks i et harpiksbindemiddel anvendt ved en utførelsesform ifølge foreliggende oppfinnelse. Fig. 7 viser den generiske kjemiske sammensetningen av en trialkyltetrahydroftalsyre i et harpiksbindemiddel anvendt ved en utførelsesform ifølge foreliggende oppfinnelse. Fig. 8 viser et tverrsnitt av en konvensjonell halvlederenhet hvor en forbindelse er etablert ved en loddet kuleelektrode. Fig. 9 viser et tverrsnitt av en konvensjonell halvlederenhet i hvilken forbindelsen er etablert ved et lavsmeltningspunkt metallsjikt. Fig. 10 viser et tverrsnitt av en konvensjonell halvlederenhet ved hvilken forbindelsen er etablert ved å gjøre bruk av en sammentrekningsspenning når en innkapslingsharpiks herder. Fig. 11 viser et tverrsnitt av en konvensjonell halvlederenhet ved hvilken forbindelsen er etablert ved hjelp av et anisotropisk konduktivt adhesiv. Fig. 12 viser et tverrsnitt av en konvensjonell halvlederenhet ved hvilken forbindelsen er etablert ved hjelp av et konduktivt adhesiv. Fig. 1 viser i tverrsnitt en halvlederenhetpakke i samsvar med foreliggende oppfinnelse. Fig. 2 viser et tverrsnitt av en kobling av halvlederenhetpakken på fig. 1. Denne halvlederenhetpakken er dannet ved hjelp av en flip-chip bindingsmetode. Henvisningstallet 1 betegner en halvlederanordning slik som en LSI-chip. Henvisningstallet 2 betegner et elektrodeunderlag dannet på halvlederanordningen 1. Henvisningstallet 3 betegner en kuleelektrode av gull. Henvisningstallet 4 betegner et konduktivt adhesivt lag av en sammensetning (f.eks. et konduktivt adhesiv) i det vesendige dannet av et spesielt epoksyharpiks og et konduktivt pulver av f.eks. en legering av AgPd. Henvisningstallet 6 viser et substrat, f.eks. et keramisk substrat, på hvilke halvlederanordningen 1 er montert. Henvisningstallet 5 betegner en terminalelektrode dannet på substratet 6. Henvisningstallet 7 betegner et innkapslingssjikt dannet av et innkapslingsmiddel. Et slikt innkapslingsmiddel er i det vesentlige dannet av en epoksyharpiks av typen syreanhydrid-herdende. Dette innkapslingsmiddelet 7, når det forblir fluid, har en tiksotropi-indeks på under 1,1 og en viskositetskoeffisient på 100 Pa • s. Innkapslingsmiddelet 7 er injisert mellom halvlederanordningen 1 og substratet 6 ved hjelp av kapillærvirkning og herdes. Det skal bemerkes at tiksotropi-indeksen er indeks uttrykt ved At)/ A e hvor e er skjærehastigheten og r) er viskositetskoeffisienten. Her er vist tiksotropi-indeksen når skjæreraten e faller inn i området av 2 (l/sec) til 20 (l/sec). Fig. 3 viser et tverrsnitt av en halvlederenhetpakke ved hjelp av en flip-chip bindemetode som anvender en tapp-kuleelektrode. Halvlederenhetspakken på fig. 3 og halvlederenhetspakken på fig. 1 er hovedsakelig samme type med unntak av at førstnevnte halv-lederpakke anvender en tapp-kuleelektrode 14 ved totrinnet uttagning i stedet for kuleelektroden 13. Anvendelsen av en flip-chip bindemetode som anvender en tapp-kuleelektrode med totrinns uttagninger gjør det mulig å ta hånd om en halvlederanordning med et stort antall elektrodeunderlag, som er beskrevet nærmere senere. Fig. 3 shows a cross-section of a semiconductor unit formed by means of a technique by means of an embodiment according to the present invention. Fig. 4 (a) - 4 (e) are cross-sections of a semiconductor unit at different processing stages of a flip-chip bonding technique according to an embodiment of the present invention. Fig. S shows a flow diagram showing the steps of a flip-chip bonding technique in an embodiment according to the present invention. Fig. 6 shows the generic chemical composition of a bisphenol type epoxy resin in a resin binder used in an embodiment according to the present invention. Fig. 7 shows the generic chemical composition of a trialkyltetrahydrophthalic acid in a resin binder used in an embodiment according to the present invention. Fig. 8 shows a cross-section of a conventional semiconductor device where a connection is established by a soldered ball electrode. Fig. 9 shows a cross section of a conventional semiconductor device in which the connection is established at a low melting point metal layer. Fig. 10 shows a cross-section of a conventional semiconductor device in which the connection is established by making use of a contraction voltage when an encapsulation resin hardens. Fig. 11 shows a cross-section of a conventional semiconductor device in which the connection is established by means of an anisotropic conductive adhesive. Fig. 12 shows a cross-section of a conventional semiconductor unit in which the connection is established by means of a conductive adhesive. Fig. 1 shows in cross-section a semiconductor unit package in accordance with the present invention. Fig. 2 shows a cross-section of a connection of the semiconductor unit package of fig. 1. This semiconductor device package is formed using a flip-chip bonding method. Reference numeral 1 denotes a semiconductor device such as an LSI chip. The reference numeral 2 denotes an electrode substrate formed on the semiconductor device 1. The reference numeral 3 denotes a ball electrode made of gold. The reference number 4 denotes a conductive adhesive layer of a composition (e.g. a conductive adhesive) essentially formed of a special epoxy resin and a conductive powder of e.g. an alloy of AgPd. Reference number 6 shows a substrate, e.g. a ceramic substrate, on which the semiconductor device 1 is mounted. The reference numeral 5 denotes a terminal electrode formed on the substrate 6. The reference numeral 7 denotes an encapsulation layer formed by an encapsulation agent. Such an encapsulant is essentially formed from an epoxy resin of the acid anhydride-curing type. This encapsulant 7, when it remains fluid, has a thixotropy index of less than 1.1 and a viscosity coefficient of 100 Pa • s. The encapsulant 7 is injected between the semiconductor device 1 and the substrate 6 by capillary action and is cured. It should be noted that the thixotropy index is index expressed by At)/ A e where e is the shear rate and r) is the viscosity coefficient. Shown here is the thixotropy index when the shear rate e falls into the range of 2 (l/sec) to 20 (l/sec). Fig. 3 shows a cross-section of a semiconductor device package using a flip-chip bonding method using a pin-ball electrode. The semiconductor device package of FIG. 3 and the semiconductor device package of FIG. 1 is essentially the same type except that the former semiconductor package uses a pin-ball electrode 14 with two-stage tapping instead of the ball electrode 13. The use of a flip-chip bonding method using a pin-ball electrode with two-stage tapping makes it possible to hand about a semiconductor device with a large number of electrode substrates, which is described in more detail later.

En flip-chip metode, som bruker tapp-kuleelektroden 14 på fig. 3 er vist med henvisning til fig. 4 (a) - 4 (e) og fig. 5. Fig. 4 (a) - 4 (e) viser tverrsnittet av en halvlederenhetpakke ved forskjellige trinn ved en flip-chip bindingsmetode. Fig. 5 viser et flytdiagram over trinnene ved flip-chip bindingsmetoden. Pakkeprosessen er beskrevet trinn for trinn med henvisning til fig. 5. A flip-chip method, using the pin-ball electrode 14 of FIG. 3 is shown with reference to fig. 4 (a) - 4 (e) and fig. 5. Fig. 4 (a) - 4 (e) shows the cross-section of a semiconductor device package at different stages of a flip-chip bonding method. Fig. 5 shows a flow diagram of the steps in the flip-chip bonding method. The packaging process is described step by step with reference to fig. 5.

Ved trinn STI blir en tråd av gull (Au) anvendt for å danne tapp-kuleelektroden 14 ved elektrodeunderlaget 2 i halvlederanordningen (LSI chip) 1. Ved trinn ST2 blir en leve-ringsprosess utført og hver tapp-kuleelektrode 14 blir presset mot en mvåoverflate slik at ledeendene til tapp-kuleelektroden 14 flukter med hverandre. At step STI, a wire of gold (Au) is used to form the pin-ball electrode 14 at the electrode substrate 2 in the semiconductor device (LSI chip) 1. At step ST2, a delivery process is performed and each pin-ball electrode 14 is pressed against a mv surface so that the lead ends of the pin-ball electrode 14 are flush with each other.

Ved trinn ST3, som vist på Fig. 4 (a) - 4 (c), blir halvlederanordningen 1 med siden av tapp-kuleelektroden 14 vendt nedover så anbrakt på et substrat 20 med påføring av et konduktivt adhesiv 4a. Deretter blir halvlederanordningen 1 senket ned mot substratet 20 slik at tapp-kuleelektroden 14 søkes inn i det konduktive adhesivet 4a på substratet 20. Påfølgende blir halvlederanordningen 1 løftet opp, som et resultat av hvilke overfø-ring av konduktivt adhesiv 4a på tapp-kuleelektroden 14 er fullført. At step ST3, as shown in Fig. 4 (a) - 4 (c), the semiconductor device 1 with the side of the pin-ball electrode 14 turned downwards is then placed on a substrate 20 with the application of a conductive adhesive 4a. Next, the semiconductor device 1 is lowered towards the substrate 20 so that the pin-ball electrode 14 is sought into the conductive adhesive 4a on the substrate 20. Subsequently, the semiconductor device 1 is lifted up, as a result of which the transfer of conductive adhesive 4a onto the pin-ball electrode 14 is completed.

Ved trinn ST4 og ST5, som vist på fig. 4 (d), blir så halvlederanordningen 1 anbragt på det keramiske substratet 6 med terminalelektroden 5 derpå. Ved dette tidspunktet blir innretning av tapp-kuleelektroden 14 til halvlederanordningen 1 utført med terminalelektroden 5 til substratet 6 og det konduktivt adhesiv 4a blir varmet for å herde for å danne det konduktivt adhesivsjiktet 4. Som et resultat blir tapp-kuleelektroden 14 til At steps ST4 and ST5, as shown in fig. 4 (d), the semiconductor device 1 is then placed on the ceramic substrate 6 with the terminal electrode 5 thereon. At this time, alignment of the pin-ball electrode 14 of the semiconductor device 1 is performed with the terminal electrode 5 of the substrate 6 and the conductive adhesive 4a is heated to cure to form the conductive adhesive layer 4. As a result, the pin-ball electrode 14 becomes

halvlederanordningen 1 og terminalelektroden S til substratet 6 elektrisk sammenbundet. the semiconductor device 1 and the terminal electrode S of the substrate 6 electrically connected.

Ved trinn ST6 uføres testing av tilstedeværelse eller fravær av en elektrisk forbindelsesfeil. Dersom en elektrisk forbindelsesfeil er funnet, blir chip-erstatning utført ved trinn ST7 og flip-chip bindingsprosessen går tilbake til trinn ST4. Dersom ingen elektrisk forbindelsesfeil er funnet, går prosessen videre til trinn ST8. At step ST6, testing is carried out for the presence or absence of an electrical connection fault. If an electrical connection error is found, chip replacement is performed at step ST7 and the flip-chip bonding process returns to step ST4. If no electrical connection error is found, the process proceeds to step ST8.

Ved trinn ST8 blir et innkapslingsmiddel, som er dannet av en sammensetning med lav viskositet under 100 Pa • s og en lav tiksotropi-indeks på under 1,1 injisert mellom halvlederanordningen 1 og substratet 6 ved normal romtemperatur for således å harpiks-innkapsle forbindelsesdelene. Ved trinn ST9 blir påfølgende utført en varmebehandling for å herde et harpiksbindemiddel inneholdt i det injiserte innkapslingsmiddelet. Som et resultat blir irnikapslingsmiddelsjiktet 7 dannet (jfr. fig. 4 (e)), hvorpå halvlederanordningen 1 og substratet 6 er mekanisk sammenbundet ved hjelp av innkapslingsmiddelsjiktet 7. At step ST8, an encapsulant, which is formed by a composition with a low viscosity below 100 Pa • s and a low thixotropy index of below 1.1, is injected between the semiconductor device 1 and the substrate 6 at normal room temperature to thus resin-encapsulate the connecting parts. At step ST9, a heat treatment is subsequently performed to harden a resin binder contained in the injected encapsulant. As a result, the iron encapsulant layer 7 is formed (cf. Fig. 4 (e)), after which the semiconductor device 1 and the substrate 6 are mechanically bonded by means of the encapsulant layer 7.

Ved trinn ST10 ble den endelige testingen utført og flip-chip bindingsprosessen er full-ført. At step ST10, the final testing was performed and the flip-chip bonding process is complete.

Foreliggende oppfinnelse anvender en lav-viskositet, lav tiksotropi-indeks innkapslingsmiddel. Dette gir fordelen ved at innkapslingsmiddel-injiseringsprosessen kan bli gjort selv ved romtemperatur og det injiserte innkapslingsmiddelet flyter lett og sprer seg godt for å fylle tynne gap mellom halvlederanordningen 1 og substratet 6. Dette er tidssparende og forbindelsespåliteligheten ved en forbindelse gjort ved det konduktive adhesivet 4 kan bli opprettholdt. Innkapslingsmiddelet er dessuten en sammensetning vesentlig dannet av (a) en epoksyharpiks av syreanhydrid-herdetypen med forbedret flyteevne og (b) et fyllstoff slik som smeltet silisium, med andre ord den har en lav et-terherdingstermisk ekspansjonskoeffisient. Siden den termiske ekspansjonskoeffisienten til innkapslingsmiddelsjiktet 7 er lavt, styrer dette den termiske spenningen frembrakt ved forskjellen i termisk ekspansjonskoeffisient mellom halvlederanordningen 1 til silisiumet og substratet 6, f.eks. aluminiumoksyd. Et innkapslingsmiddel, dannet av harpiks av epoksygruppen, fremviser dessuten høy motstandsevne mot varme og har sterk adhesjon og derfor tilveiebringes det en forbindelsespålitelighet som forblir stabil selv ved høye temperaturer og høye fuktighetsforhold. The present invention uses a low-viscosity, low thixotropy index encapsulant. This gives the advantage that the encapsulant injection process can be done even at room temperature and the injected encapsulant flows easily and spreads well to fill thin gaps between the semiconductor device 1 and the substrate 6. This saves time and the connection reliability of a connection made by the conductive adhesive 4 can be maintained. Furthermore, the encapsulant is a composition substantially formed of (a) an acid anhydride curing type epoxy resin with enhanced fluidity and (b) a filler such as fused silicon, in other words it has a low ether-curing thermal expansion coefficient. Since the thermal expansion coefficient of the encapsulant layer 7 is low, this controls the thermal stress produced by the difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor device 1 of the silicon and the substrate 6, e.g. aluminum oxide. Moreover, an encapsulant formed from resin of the epoxy group exhibits high resistance to heat and has strong adhesion and therefore provides a connection reliability which remains stable even at high temperatures and high humidity conditions.

Siden det konduktivt adhesivet 4 har stor fleksibilitet, bidrar dette til å redusere de termiske spenningene og forbindelsespåliteligheten blir ytterligere forbedret. Since the conductive adhesive 4 has great flexibility, this helps to reduce the thermal stresses and the connection reliability is further improved.

I den foreliggende utførelsesform er kuleelektroden 3 dannet av gull. Andre funksjonel-le ekvivalente metaller, f.eks. kobber, kan bli anvendt for å danne kuleelektroden 3. Ved foreliggende utførelsesform er det dessuten anvendt tapp-kuleelektrode 14. Andre typer av kuleelektroder anvendt ved vanlige flip-chip bindingsteknikker kan også bli anvendt. Det skal imidlertid bemerkes at bruk av en tapp-kuleelektrode styrer siderettet ledning av konduktivt adhesiv sjikt 4 for derved å tilveiebringe mye høyere pakketetthet. In the present embodiment, the ball electrode 3 is formed of gold. Other functionally equivalent metals, e.g. copper, can be used to form the ball electrode 3. In the present embodiment, pin-ball electrode 14 is also used. Other types of ball electrodes used in normal flip-chip bonding techniques can also be used. However, it should be noted that the use of a pin-ball electrode controls lateral conduction of conductive adhesive layer 4 to thereby provide much higher packing density.

Ved foreliggende oppfinnelse blir det konstruktive adhesiv 4 dannet av et material av In the present invention, the constructive adhesive 4 is formed from a material of

epoksygruppen. Andre materialer med fleksibilitet kan bli anvendt, f.eks. materialer av gummigruppen (f.eks. SBR, NBR, IR, BR, CR), et materiale av akrylgruppen, et materiale av polyestergruppen, et materiale av polyamidgruppen, et materiale av polyetergrup-pen, et materiale av polyuretangruppen, et materiale av polyimidgruppen og et materiale av silisiumgruppen. Som konduktivt pulvermaterial som er inneholdt i det konduktivt the epoxy group. Other materials with flexibility can be used, e.g. materials of the rubber group (e.g. SBR, NBR, IR, BR, CR), a material of the acrylic group, a material of the polyester group, a material of the polyamide group, a material of the polyether group, a material of the polyurethane group, a material of the polyimide group and a material of the silicon group. As conductive powder material contained in the conductive

adhesivet, er pulver av edle metaller (sølv, gull, palladium) pulver av basisk metall (nikke, kobber), pulver av legeringer (loddemiddel, AgPd), blandingspulver av sølv- the adhesive, are powders of noble metals (silver, gold, palladium), powders of basic metals (nickel, copper), powders of alloys (solder, AgPd), mixed powders of silver-

belagt kobber og pulvere av ikke-metaller med ledeevne (karbon). Disse pulverne kan bli anvendt separat eller i kombinasjon. coated copper and powders of conductive non-metals (carbon). These powders can be used separately or in combination.

Innkapslingsmiddelet er dannet i det vesentlige av (A) et harpiksbindemiddel og (B) et fyllstoff. Harpiksbindemiddelets vesentlige komponenter er polyepoksid, et syreanhydrid og et rheologimodifiseringsmiddel. Et slikt polyepoksyd er såkalt epoksyforbindelser (epoksyharpiks) og der er ingen begrensninger til dens elementer. Eksempler på polyepoksid er epoksyharpiks av bisfenol-typen (jfr. fig. 6), epoksyharpiks av NOVOLAC-typen, en epoksyharpiks av glycidyleter-typen, en epoksyharpiks av glyci-dylester-typen, et epoksyharpiks av glycidylamin-typen, et epoksyharpiks av alicyklisk type, et epoksyharpiks av bifenyl-typen, et epoksyharpiks av naftalen-typen, et styrenok-sid, en alkylglycidyleter og en alkylglycidylester. De er anvendt separat eller i kombinasjon. The encapsulant is formed essentially of (A) a resin binder and (B) a filler. The essential components of the resin binder are polyepoxide, an acid anhydride and a rheology modifier. Such polyepoxide is so-called epoxy compounds (epoxy resin) and there are no limitations to its elements. Examples of polyepoxide are bisphenol-type epoxy resin (cf. Fig. 6), NOVOLAC-type epoxy resin, a glycidyl ether-type epoxy resin, a glycidyl ester-type epoxy resin, a glycidylamine-type epoxy resin, an alicyclic type, a biphenyl-type epoxy resin, a naphthalene-type epoxy resin, a styrene oxide, an alkyl glycidyl ether and an alkyl glycidyl ester. They are used separately or in combination.

Som anvendt syreanhydrid ved foreliggende oppfinnelse, kan herdemidler for epoksyforbindelser av epoksyharpikser bli anvendt. En av de mest foretrukne syreanhydrider er anhydrid av trialkyltetrahydroftalsyre (se Fig. 7). Andre foretrukne er anhydrider av metyltetrahydroftalsyrer og et anhydrid av metylheksahydroftalsyre og metyUiymisk syres anhydrid av den cyklisk alifatisk gruppen som er i væskeform ved 25°C. Andre syreanhydrider kan bli anvendt. Disse syreanhydrider kan bli anvendt separat eller i kombinasjon. Dersom disse ovenfor nevnte syreanhydridene er anvendt som predominerende elementer i harpiksbindemiddelet, gir dette en forbedret innkapslingsmiddel som har svært lav viskositet, høy motstandsresistans, høy fuktighetsresistans og høy adhesjon. As the acid anhydride used in the present invention, curing agents for epoxy compounds of epoxy resins can be used. One of the most preferred acid anhydrides is the anhydride of trialkyltetrahydrophthalic acid (see Fig. 7). Other preferred are anhydrides of methyltetrahydrophthalic acids and an anhydride of methylhexahydrophthalic acid and methylimimic acid anhydride of the cyclic aliphatic group which is in liquid form at 25°C. Other acid anhydrides may be used. These acid anhydrides can be used separately or in combination. If these above-mentioned acid anhydrides are used as predominant elements in the resin binder, this gives an improved encapsulant which has very low viscosity, high resistance to resistance, high moisture resistance and high adhesion.

I tillegg til de foregående vesentlige elementer av harpiksbindemiddelet, kan et tredje bindemiddelelement bli tillagt om ønskelig for å forbedre varmeresistansen, humiditets-resistansen, adhesjonsstyrken og for å justere den termiske ekspansjonskoeffisienten, rheologi og reaktivitet. In addition to the foregoing essential elements of the resin binder, a third binder element may be added if desired to improve the heat resistance, humidity resistance, adhesion strength and to adjust the thermal expansion coefficient, rheology and reactivity.

Ethvert pulverformet fyllstoff kan bli anvendt som en av de predominerende elementene til innkapslingsmiddelet så lenge dets gjennomsnittlige partikkeldiameter faller innenfor området av fra 1 |xm til 50 um. Silisiumoksider, aluminiumoksider, aluminiumnitrider, silisiumkarbider og silisifiseringsforbindelser, som alle er termisk stabile og har lave termiske ekspansjonskoeffisienter. Disse fyllstoffelementene er anvendt i enhver kombinasjon. Det er ingen bestemte grenser på fyllstoffdosen, men fortrinnsvis er det 20 - 80% på en vektbasis av hele innkapslingsmiddelet. Bruk av disse fyllstoffelementene tilveiebringer et forbedret innkapslingsmiddel som er overlegen ved isolasjon og som gir mindre termiske spenninger. Any powdered filler may be used as one of the predominant elements of the encapsulant as long as its average particle diameter falls within the range of from 1 µm to 50 µm. Silicon oxides, aluminum oxides, aluminum nitrides, silicon carbides and silicifying compounds, all of which are thermally stable and have low coefficients of thermal expansion. These filler elements are used in any combination. There are no definite limits to the filler dose, but preferably it is 20 - 80% on a weight basis of the entire encapsulant. Use of these filler elements provides an improved encapsulant that is superior in insulation and produces less thermal stress.

Ethvert rheologimodifiseringsmiddel for modifikasjon av innkapslingsmiddelets flyteevne kan bli anvendt så lenge som dens funksjon er for å forhindre en fri syre i syreanhydrider fra å samvirke med polargruppeoverflaten til fyllstoffet og for å redusere tiksotropi-indeksen til innkapslingsmiddelet. I det påfølgende skal foretrukne eksempler av rheologimodifiseringsmiddelet beskrives. Any rheology modifier for modifying the flowability of the encapsulant may be used as long as its function is to prevent a free acid in acid anhydrides from interacting with the polar group surface of the filler and to reduce the thixotropy index of the encapsulant. In the following, preferred examples of the rheology modifier will be described.

(1) Rheologimodifikasjonsmetode I (1) Rheology modification method I

Ved denne metoden er et syreanhydrid en for-blanding med en del av fyllstoffet. Blandingen underlegges en aldringsprosess. Blandingen kan f.eks. bli varmet opp til 100°C eller mindre. Dette følges av tillegg av en polyepoksidforbindelse, det øvrige fyllstoffet og andre tilleggsmiddel for å tilveiebringe et ønsket innkapslingsmiddel. In this method, an acid anhydride is a pre-mixture with part of the filler. The mixture is subjected to an aging process. The mixture can e.g. be heated to 100°C or less. This is followed by the addition of a polyepoxide compound, the other filler and other additives to provide a desired encapsulant.

(2) Rheologimodifikasjonsmetode TI (2) Rheology modification method TI

Ved denne metoden blir en substans som kan selektivt adsorbere frie syrer i et syreanhydrid, tillagt et innkapslingsmiddel. In this method, a substance which can selectively adsorb free acids in an acid anhydride is added to an encapsulating agent.

(3) Rheologimodifikasjonsmetode HI (3) Rheology modification method HI

Ved denne metoden blir en substans (f.eks. en Lewis-base forbindelse med verken N-H grupper eller O-H grupper) som samvirker mer sterkt med en fri syre enn en polar gruppe ved overflatefyllstoff tillagt et innkapslingsmiddel. In this method, a substance (e.g. a Lewis base compound with neither N-H groups nor O-H groups) which interacts more strongly with a free acid than a polar group by surface filler is added to an encapsulating agent.

Egnede Lewis-base forbindelser innbefatter tertiære aminforbindelser, tertiære fosfin-forbindelser, kvaternære ammoniumsalter slik som tetrabutylammoniumbromid, kvaternære fosfoniumsalter slik som tetrabutylfosfoniumbenzotirazolat, melaminer og hetero-cykliske forbindelser som inneholder de cykliske kjeder atomer av nitrogen slik som imidazolforbindelser. Det er mange Lewis-base forbindelser uten de ovenfor nevnte. Disse Lewis-base forbindelsene kan bli anvendt separat eller i kombinasjon. Suitable Lewis base compounds include tertiary amine compounds, tertiary phosphine compounds, quaternary ammonium salts such as tetrabutylammonium bromide, quaternary phosphonium salts such as tetrabutylphosphonium benzotyrazolate, melamines and heterocyclic compounds containing the cyclic chain atoms of nitrogen such as imidazole compounds. There are many Lewis base compounds other than those mentioned above. These Lewis base compounds can be used separately or in combination.

Innkapslingsmiddelet kan inneholde, etter behov, et oppløsningsmiddel, et dispersjons-middel, et rheologi reguleringsmiddel slik som leveleringsmiddel, et adhesjonfor-bedrende middel slik som et koblingsmiddel eller et reaksjonsregulerende middel slik som herdeakselerator. The encapsulating agent can contain, as required, a solvent, a dispersing agent, a rheology regulating agent such as a leveling agent, an adhesion-improving agent such as a coupling agent or a reaction regulating agent such as a hardening accelerator.

Rheologimodifisereren ifølge foreliggende oppfinnelse, som består av en Lewis base forbindelse slik som aminforbindelse er vanligvis anvendt som en reaksjons (herde) akselerator mellom en polyepoksid og en anhydrid av en karboksylsyre. The rheology modifier according to the present invention, which consists of a Lewis base compound such as an amine compound, is usually used as a reaction (curing) accelerator between a polyepoxide and an anhydride of a carboxylic acid.

Når rheologimodifisereren anvendes som herdeakselerator for et innkapslingsmiddel, fortsetter herdereaksjonen selv når lagret ved lav temperatur for å gå inn i geltilstanden. Dette begrenser innkapslingsmiddeltypen til dobbelt væsketypen, med andre blanding må bli utført rett før bruk. På den andre siden krever LSI innkapslingen at store meng-der av fyllstoff må bli dispergert jevnt, med andre ord er et innkapslingsmiddel av enkel væsketype ønskelig for LSI. When the rheology modifier is used as a curing accelerator for an encapsulant, the curing reaction continues even when stored at low temperature to enter the gel state. This limits the encapsulant type to the dual liquid type, with the second mixing must be done immediately before use. On the other hand, LSI encapsulation requires that large amounts of filler must be dispersed evenly, in other words, an encapsulating agent of simple liquid type is desirable for LSI.

For å summere opp kan rheologimodifisereren ifølge foreliggende oppfinnelse bli anvendt som en herdeakselerator for et innkapslingsmiddel av dobbelt væsketype, men ikke for et innkapslingsmiddel av enkel væsketype. To summarize, the rheology modifier according to the present invention can be used as a curing accelerator for a double liquid type encapsulant, but not for a single liquid type encapsulant.

Dersom dosen er redusert i en slik grad for å forhindre geldannelse i løpet av lagring, kan foreliggende rheologimodifiserende middel finne anvendelse ved et innkapslingsmiddel av enkel væsketypen. I et slikt tilfelle er herdeakselerasjonsfunksjonens rheologimodifisereren utført for dårlig til å tilfredsstille faktiske krav, med andre ord intet høynivås innkapslingsmiddel herde-karakteristikk tilveiebringes. If the dose is reduced to such an extent as to prevent gel formation during storage, the present rheology modifying agent can find use in an encapsulating agent of the simple liquid type. In such a case, the cure acceleration function's rheology modifier is performed too poorly to satisfy actual requirements, in other words no high level encapsulant cure characteristic is provided.

Foreliggende oppfinnelse er kjennetegnet ved at den anvender en latent herdeakselerator med både lagringsstabilitet og praktisk herdeakselerasjonsfunksjon og at substansene, f.eks. aminer, som vanligvis er anvendt som en herdeakselerator for innkapslingsmiddel av dobbelt-væsketypen anvendes som en rheologimodifiserer. En slik rheologimodifiserer tillegges i en slik grad at den ikke utfører noen herdefunksjon, men virker som en forbedring av grenseflatekarakteristikken. The present invention is characterized by the fact that it uses a latent hardening accelerator with both storage stability and a practical hardening acceleration function and that the substances, e.g. amines, which are usually used as a cure accelerator for dual-fluid type encapsulants are used as a rheology modifier. Such a rheology modifier is added to such an extent that it does not perform any hardening function, but acts as an improvement of the interface characteristic.

En latent herdeakselerator er katalysatoren hvis katalysatoraktiviteter er i høy grad fremmet ved anvendelse av f.eks. termisk energi. Generelt blir latente herdeakseleratorer smeltet (væskeformet) eller reaksjons-dissosiert ved anvendelse av energi for å øke aktiviteten. A latent curing accelerator is the catalyst whose catalyst activities are highly promoted by the use of e.g. thermal energy. Generally, latent cure accelerators are melted (liquid) or reaction-dissociated by the application of energy to increase activity.

Det er foretrukket at innkapslingsmiddelet har følgende sammensetning. It is preferred that the encapsulant has the following composition.

Det er foretrukket at harpiksbindemiddelet i det vesentlige består av et polyepoksid, en anhydrid av karboksylsyre, en herdeakselerator og en rheologimodifiserer ifølge følgen-de elementforhold. It is preferred that the resin binder essentially consists of a polyepoxide, an anhydride of carboxylic acid, a curing accelerator and a rheology modifier according to the following element ratios.

Ved foreliggende oppfinnelse er substratet 6 dannet av keramikk (f.eks. aluminiumoksid). Metallglassubstrater, glassubstrater, harpikssubstrater (f.eks. glassepoksysubstra-ter), polymerfilmsubstrater er slike som kan anvendes. In the present invention, the substrate 6 is formed of ceramics (e.g. aluminum oxide). Metal glass substrates, glass substrates, resin substrates (eg glass epoxy substrates), polymer film substrates are such that can be used.

Det er ingen bestemt begrensning av materialet for terminalelektroden 5. There is no particular limitation of the material for the terminal electrode 5.

Følgende utførelsesformer for undersøkelse av karakteristikken til halvlederenhetene tilveiebrakt ved hjelp av ovenfor beskrevne flip-chip bindemetode. The following embodiments for examining the characteristics of the semiconductor devices provided by the flip-chip bonding method described above.

UTFØRELSESFORM 1 EXECUTION FORM 1

En halvlederenhet med strukturen i fig. 1 dannes i samsvar med trinnene vist på fig. 4 (a) - 4 (e). Kuleelektroden 3 dannes ved hjelp av gull-belegging. Konduktivt adhesiv 4a har en sammensetning dannet i det vesentlige av pulver av AgPd og en epoksyharpiks med fleksibilitet. Konduktive adhesiv 4a varmes opp ved 120°C og som et resultat, herdes. Videre er et innkapslingsmiddel av sammensetningen a i Tabell 1 herdet ved 150°C. A semiconductor device with the structure of fig. 1 is formed in accordance with the steps shown in fig. 4 (a) - 4 (e). The ball electrode 3 is formed by gold coating. Conductive adhesive 4a has a composition formed essentially of powder of AgPd and an epoxy resin with flexibility. Conductive adhesive 4a is heated at 120°C and, as a result, hardens. Furthermore, an encapsulant of composition a in Table 1 is cured at 150°C.

UTFØRELSESFORM 2 EXECUTION FORM 2

Tapp-kuleelektroden 14 på fig. 3 dannes på et elektrodeunderlag 2 til halvlederanordningen 1 ved hjelp av gull-tråd binder. Følgende trinn er det samme som første utførel-sesform og utføres under de samme betingelser som i første utførelsesform. The pin-ball electrode 14 in fig. 3 is formed on an electrode substrate 2 to the semiconductor device 1 by means of a gold wire binder. The following step is the same as the first embodiment and is carried out under the same conditions as in the first embodiment.

UTFØRELSESFORM 3 EXECUTION FORM 3

Halvlederanordningen 1 monteres på substratet 6 under samme betingelser som første utførelsesform med unntak at i tredje utførelsesformen blir en innkapslingsmiddel-injiseringsprosess utført under nedtrykt tilstand. The semiconductor device 1 is mounted on the substrate 6 under the same conditions as the first embodiment with the exception that in the third embodiment an encapsulant injection process is carried out under a depressed state.

UTFØRELSESFORM 4 EXECUTION FORM 4

Halvlederanordningen 1 monteres på substratet 6 under samme betingelser som andre utførelsesform med unntak av at ved denne fjerde utførelsesformen anvendes sammensetningen b i Tabell 1. The semiconductor device 1 is mounted on the substrate 6 under the same conditions as the second embodiment, with the exception that in this fourth embodiment the composition b in Table 1 is used.

UTFØRELSESFORM 5 EXECUTION FORM 5

Halvlederanordningen 1 monteres på substratet 6 under samme betingelser som den andre utførelsesformen med unntak av at ved denne femte utførelsesformen er substratet 6 et glassepoksysubstrat og sammensetningen c i Tabell 1 anvendes. The semiconductor device 1 is mounted on the substrate 6 under the same conditions as the second embodiment with the exception that in this fifth embodiment the substrate 6 is a glass epoxy substrate and the composition c in Table 1 is used.

UTFØRELSESFORM 6 EXECUTION FORM 6

Halvlederanordningen 1 er montert på substratet 6 under samme betingelser som den andre utførelsesformen med unntak av at i den sjette utførelsesformen er substratet 6 et glassepoksysubstrat, det konduktivt adhesivet 4 inneholder pulver av sølv som konduktivt pulver og sammensetningen d i Tabell 1 anvendes. The semiconductor device 1 is mounted on the substrate 6 under the same conditions as the second embodiment with the exception that in the sixth embodiment the substrate 6 is a glass epoxy substrate, the conductive adhesive 4 contains silver powder as conductive powder and the composition d in Table 1 is used.

UTFØRELSESFORM 7 EXECUTION FORM 7

Halvlederanordningen 1 er montert på substratet 6 under samme betingelser som den andre utførelsesformen, med unntak av at i denne sjuende utførelsesformen er substratet 6 et glassubstrat, det konduktive adhesivet er dannet i det vesentlige av pulvere av sølv og uretanharpiks idet sammensetningen e i Tabell 1 anvendes og innkapslingsmiddel injiseres under nedtrykt tilstand. The semiconductor device 1 is mounted on the substrate 6 under the same conditions as the second embodiment, with the exception that in this seventh embodiment the substrate 6 is a glass substrate, the conductive adhesive is formed essentially of powders of silver and urethane resin, the composition e in Table 1 being used and encapsulant is injected under pressure.

UTFØRELSESFORM 8 EXECUTION FORM 8

Kuleelektroden 3 på Fig. 1 er dannet på elektrodeunderlaget 2 til halvlederanordningen The ball electrode 3 in Fig. 1 is formed on the electrode substrate 2 of the semiconductor device

1 ved hjelp av gull-belegging. Halvlederanordningen 1 er montert på substratet 6 på samme måte som den sjuende utførelsesformen og under de samme betingelser som den sjuende utførelsesformen. 1 by means of gold coating. The semiconductor device 1 is mounted on the substrate 6 in the same manner as the seventh embodiment and under the same conditions as the seventh embodiment.

SAMMENLIGNINGSEKSEMPEL1 COMPARISON EXAMPLE1

Halvlederanordningen 1 er montert på substratet 6 under de samme betingelser som andre utførelsesform med unntak av at ved det første sammenligningseksempelet anvendes sammensetningen f i Tabell 1. The semiconductor device 1 is mounted on the substrate 6 under the same conditions as the other embodiment, with the exception that in the first comparative example the composition f in Table 1 is used.

SAMMENLIGNINGSEKSEMPEL 2 COMPARISON EXAMPLE 2

Halvlederanordningen 1 er montert på substratet 6 under de samme betingelsene som den andre utførelsesformen med unntak av at den i det andre sammenligningseksempelet er anvendt sammensetning g i Tabell 1. The semiconductor device 1 is mounted on the substrate 6 under the same conditions as the second embodiment, with the exception that in the second comparative example, composition g in Table 1 is used.

Sammensetningene a - g er vist nedenfor. The compositions a - g are shown below.

SAMMENSETNING b: COMPOSITION b:

Disse to materialene ble knadd og underlagt en delingsprosess i 10 timer ved 60°C. Deretter ble følgende materialer tillagt dem. These two materials were kneaded and subjected to a splitting process for 10 hours at 60°C. Then the following materials were added to them.

SAMMENSETNING c: COMPOSITION c:

SAMMENSETNING d: COMPOSITION d:

SAMMENSETNING e: COMPOSITION e:

SAMMENSETNING f: COMPOSITION f:

SAMMENSETNING g: COMPOSITION g:

SAMMENLIGNINGSEKSEMPEL 3 COMPARISON EXAMPLE 3

Halvlederanordningen 1 er montert på substratet 6 på en konvensjonell måte vist i fig. 9. Substratet 6 er et alurniniumoksidsubstrat. Kuleelektroden 3 er dannet av gull. Terminalelektroden 5 er indium-belagt. innretning av kuleelektroden 3 med terminalelektroden 5 utføres og deretter presses halvlederelektroden 1 i en presse og samtidig varmes den opp til 170°C hvorpå kuleelektroden 3 og terminalelektroden 5 forbindes sammen. Et siUsiuminnkapslingsmiddel av nullspenningstypen blir videre injisert mellom halvlederanordningen 1 og substratet 6. Dette innkapslingsmiddelet herdes for å danne innkapslingssjiktet 10. The semiconductor device 1 is mounted on the substrate 6 in a conventional manner shown in fig. 9. The substrate 6 is an aluminum oxide substrate. The ball electrode 3 is formed of gold. The terminal electrode 5 is indium coated. arrangement of the ball electrode 3 with the terminal electrode 5 is carried out and then the semiconductor electrode 1 is pressed in a press and at the same time it is heated to 170°C whereupon the ball electrode 3 and the terminal electrode 5 are connected together. A silicon encapsulant of the zero voltage type is further injected between the semiconductor device 1 and the substrate 6. This encapsulant is cured to form the encapsulation layer 10.

SAMMENLIGNINGSEKSEMPEL 4 COMPARISON EXAMPLE 4

Halvlederanordningen 1 monteres på substratet 6 på en konvensjonell måte vist på fig. The semiconductor device 1 is mounted on the substrate 6 in a conventional manner shown in fig.

10. Kuleelektroden 3 er dannet av gull. Gullavsetningen 1 er dannet på terminalelektroden 5. Gull-avsetningen 11 er belagt med et akrylinnkapslingsmiddel. Innretning av kuleelektroden 3 med terminalelektroden 5 utføres. Halvlederanordningen 1 blir deretter presset mens samtidig innkapslingsmidler herdes ved UV bestråling og derved påfø-ring av varme for å danne innkapslingssjiktet 12. 10. The ball electrode 3 is made of gold. The gold deposit 1 is formed on the terminal electrode 5. The gold deposit 11 is coated with an acrylic encapsulant. Alignment of the ball electrode 3 with the terminal electrode 5 is carried out. The semiconductor device 1 is then pressed while at the same time encapsulants are cured by UV irradiation and thereby the application of heat to form the encapsulation layer 12.

SAMMENLIGNINGSEKSEMPEL 5 COMPARISON EXAMPLE 5

Halvlederanordningen 1 monteres på substratet 6 på en konvensjonell måte vist på fig. 11. Kuleelektroden 3 dannes av gull. Substratet 6 dannes av aluminiumoksid. Alurni-niumoksidsubstratet 6 belegges med et anisotropisk konduktivt adhesiv hvor partiklene med gull er dispergert i et epoksybindemiddel. Innretning av kuleelektroden 3 og terminalelektroden 5 utføres. Deretter presses halvlederanordningen i en presse samtidig som adhesivet herdes ved UV bestråling eller ved tilførsel av varme for å danne det anisotropiske konduktive adhesive sjiktet 13. Som et resultat blir kuleelektroden 3 og terminalelektroden 5 elektrisk og mekanisk sammenkoblet. The semiconductor device 1 is mounted on the substrate 6 in a conventional manner shown in fig. 11. The ball electrode 3 is made of gold. The substrate 6 is formed from aluminum oxide. The aluminum oxide substrate 6 is coated with an anisotropic conductive adhesive where the gold particles are dispersed in an epoxy binder. Arrangement of the ball electrode 3 and the terminal electrode 5 is carried out. The semiconductor device is then pressed in a press while the adhesive is cured by UV irradiation or by the application of heat to form the anisotropic conductive adhesive layer 13. As a result, the ball electrode 3 and the terminal electrode 5 are electrically and mechanically interconnected.

Viskositeten, tiksotropi-indeksen, injeksjonstiden til hver av innkapslingsmidlene anvendt i den første til åtte utførelsesformer og det første til femte sammenligningseksempel er vist nedenfor i (Tabell 2). The viscosity, thixotropy index, injection time of each of the encapsulants used in the first to eight embodiments and the first to fifth comparative examples are shown below in (Table 2).

INJISERINGSTID: tid nødvendig for innkapsling av 5-mm kvadratisk halvleder chip ved 25°C. INJECTION TIME: time required for encapsulation of 5-mm square semiconductor chip at 25°C.

Som det fremgår av Tabell 2, ved utførelsesformen ifølge foreliggende oppfinnelse, er injeksjonstiden kort og faller innenfor området 0,4 til 3,5 min. Foreliggende oppfinnelse er følgelig anvendbar for praktisk anvendelse. I sammenligningseksemplene er der-imot injeksjonstiden mye lengre enn den til foreliggende oppfinnelse. Sammenligningseksemplene er uegnet for praktiske anvendelser. Tabell 2 viser at injeksjonstiden korre-lerer med viskositet/tiksotropi-indeksen. Med andre ord, er ved foreliggende oppfinnelse viskositeten lav (dvs. under 100 Pa • s) og tiksotropi-indeksen er også lav (dvs. under 1,1), som reduserer i reduksjon i innkapslingsmiddelinjeksjons-tiden. På den andre siden er ved det andre sammenligningseksempelet viskositeten større enn 100 Pa • s og ved det første sammenligningseksempelet overskrider tioksotropi indeksen 1,1, som resulterer i økning i innkapslingsmiddel-injeksjonstiden. Sammenfattet vil når innkapslingsmiddel-viskositeten er under 100 Pa • s og når tiksotropi-indeksen er under 1,1 flyt-barheten til innkapslingsmiddelet bli forbedret for å bli egnet for praktiske anvendelser. As can be seen from Table 2, in the embodiment according to the present invention, the injection time is short and falls within the range of 0.4 to 3.5 min. The present invention is therefore applicable for practical use. In the comparative examples, however, the injection time is much longer than that of the present invention. The comparative examples are unsuitable for practical applications. Table 2 shows that the injection time correlates with the viscosity/thixotropy index. In other words, in the present invention the viscosity is low (ie below 100 Pa • s) and the thixotropy index is also low (ie below 1.1), which reduces in reduction in the encapsulant injection time. On the other hand, in the second comparative example, the viscosity is greater than 100 Pa • s and in the first comparative example, the thioxotropy index exceeds 1.1, which results in an increase in the encapsulant injection time. In summary, when the encapsulant viscosity is below 100 Pa • s and when the thixotropy index is below 1.1, the flowability of the encapsulant will be improved to be suitable for practical applications.

For å vurdere evalueringen av stabiliteten til forbindelsen ved hver av de første åtte utfø-relsesformene ved foreliggende oppfinnelse og de første til femte sammenligningseksemplene, ble forskjellige omgivelsestester gjort som vist i Tabellene 3 og 4. Evalueringsresultatene blir demonstrert. Som det fremgår av tabellene, er de første åtte eksemplene av oppfinnelsen ikke belagt med problemer i henhold til forbindelsesstabilitet. Hver utførelsesform bruker et innkapslingsmiddel hvor viskositeten og tioksotropi indeksen er henholdsvis under 100 Pa ■ s og under 1,1. Bruk av et slikt lav-viskositet, lav-tiksotropi innkapslingsmiddel tilveiebringer halvlederenhets pakker med høy produktivitet og høy motstandsevne mot forskjellige omgivelsesbetingelser uten hensyn til strukturen til kuleelektroden, substrattype, type av ytterligere middel og type av konduktivt adhesiv. In order to assess the evaluation of the stability of the compound in each of the first eight embodiments of the present invention and the first to fifth comparative examples, various environmental tests were made as shown in Tables 3 and 4. The evaluation results are demonstrated. As can be seen from the tables, the first eight examples of the invention are not plagued with problems according to connection stability. Each embodiment uses an encapsulant whose viscosity and thioxotropy index are below 100 Pa·s and below 1.1, respectively. Use of such a low-viscosity, low-thixotropy encapsulant provides semiconductor device packages with high productivity and high resistance to various environmental conditions regardless of the structure of the ball electrode, substrate type, type of additional agent, and type of conductive adhesive.

Ved hver av de første til åtte utførelsesformene blir en Lewis-base forbindelse, som samvirker sterkere med en fri syre enn polargruppen på overflaten til et fyllstoff anvendt som rheologimodifiseringsmiddel. Dette rheologimodifiseringsmiddel modifiserer ikke bare rheologi, men virker også som katalysat for reaksjon av polyepoksid med syreanhydrid. Dette forbedrer innkapslingsmiddelets resistans mot forskjellige omgivelsesbetingelser. In each of the first to eight embodiments, a Lewis base compound, which interacts more strongly with a free acid than the polar group on the surface of a filler, is used as a rheology modifier. This rheology modifier not only modifies rheology, but also acts as a catalyst for the reaction of polyepoxide with acid anhydride. This improves the encapsulant's resistance to various environmental conditions.

Det første sammenligningseksempelet skal nå diskuteres. Dette sammenligningseksempel bruker et innkapslingsmiddel som har en lav viskositet, men en høy tiksotropi-indeks og som et resultat av høy tiksotropi-indeks blir innkapslingsmiddelets injiseringstid lang. Dette bevirker at en viss sammenkobling blir kuttet av ved anvendelse av varme og termisk sjokk. Slike feil kan bli bevirket ved det faktum at når innkapsling-sinjeksjonstiden er lang, inneholder innkapslingsmiddelsjiktet uønskede luftbobler, som et resultat av hvilke en ikke jevn påføring av termisk spenning på innkapslingsmiddelsjiktet forekommer, som derved ødelegger konduktivitetssamvirket. The first comparative example will now be discussed. This comparative example uses an encapsulant which has a low viscosity but a high thixotropy index and as a result of high thixotropy index the injection time of the encapsulant becomes long. This causes some interconnection to be severed by the application of heat and thermal shock. Such errors can be caused by the fact that when the encapsulation-injection time is long, the encapsulant layer contains unwanted air bubbles, as a result of which a non-uniform application of thermal stress to the encapsulant layer occurs, thereby destroying the conductivity interaction.

Det andre sammenligningseksempel skal nå beskrives. Ved dette sammenligningseksempelet har det konduktive adhesivet høy fleksibilitet og innkapslingsmiddelet som er brukt, er for eksempel en høy-viskositetsharpiks av fenolherdende type epoksyharpiks-gruppe. Innkapslingsmiddelet må bli varmet opp for å forenkle injiseringen. Dette bevirker et visst samvirke med det å ha høy viskositet når innkapslingsmiddelet injiseres, som forårsaker brudd når den ustabile sammenkoblingen forefinnes ved en termisk sjokk-resistanstesting, siden innkapslingsmiddelets viskositet er høy og den konduktive adhesive forbindelsen ødelegges ved spenninger frembrakt når innkapslingsmiddelet injiseres. The second comparison example will now be described. In this comparative example, the conductive adhesive has high flexibility and the encapsulating agent used is, for example, a high-viscosity resin of the phenolic curing type epoxy resin group. The encapsulant must be warmed to facilitate injection. This causes some interaction with having a high viscosity when the encapsulant is injected, which causes breakage when the unstable interconnect is found by thermal shock resistance testing, since the viscosity of the encapsulant is high and the conductive adhesive bond is destroyed by stresses produced when the encapsulant is injected.

Det tredje og fjerde sammenligningseksempel skal beskrives. Ved disse sammenligningseksemplene vil sammenkoblingen brytes innenfor en relativ kort tid. Det fjerde sammenligningseksempelet lider av store forbindelsesresistivitetsvariasjoner når underlagt TEST 4 og 5. I det tredje sammenligningseksempel reduseres ikke den termiske spenningen ved sammenkoblingen og brudd er resultatet. I det fjerde sammenligningseksemplet får innkapslingsmiddelet sterke termiske spenninger og har høy vannabsorpsjon og brudd er resultatet. The third and fourth comparative example shall be described. In these comparison examples, the connection will be broken within a relatively short time. The fourth comparative example suffers from large connection resistivity variations when subjected to TESTS 4 and 5. In the third comparative example, the thermal stress is not reduced at the interconnection and breakage is the result. In the fourth comparative example, the encapsulant experiences strong thermal stresses and has high water absorption and breakage is the result.

Det femte sammenligningseksempel skal nå beskrives. Dette sammenligningseksemplet utsettes for en økning i forbindselsesresistiviteten når den underlegges TEST 1,4 eller 5. Grunnen for dette kan være at det anisotropiske konduktive adhesivets bindemiddel har en lav fuktighetsresistans og lav adhesjon ved høye temperaturer. Bruk av et anisotropisk konduktiv adhesiv dannet av et bindemiddel med høy humiditetsresistans vil bevirke sammenkoblingen til å brytes når underlagt en termisk sjokktest. The fifth comparative example will now be described. This comparison example is exposed to an increase in bond resistivity when subjected to TEST 1,4 or 5. The reason for this may be that the anisotropic conductive adhesive's binder has a low moisture resistance and low adhesion at high temperatures. Use of an anisotropic conductive adhesive formed from a binder with high humidity resistance will cause the interconnect to break when subjected to a thermal shock test.

En halvlederenhet pakke ifølge foreliggende oppfinnelse er svært pålitelig mot forskjellige omgivelsestilstander. Konvensjonelle innkapslingsmidler, som inneholder polyepoksid og syreanhydrid (herdemiddel) som et harpiksbindemiddel, har ikke blitt anvendt ved flip-chip bindingsmetoden ved hjelp av et konduktivt adhesiv. Dersom et harpiksbindemiddel fremstilt av polyepoksid og syreanhydrid (herdemiddel) er anvendt som et innkapslingsmiddel for halvlederenhetpakker, øker dette den tiksotropi-indeksen til innkapslingsmiddelet, som derfor gir problemet at innkapslingsmiddelet blir injisert til kun en del av gapet mellom halvlederanordningen og substratet. A semiconductor unit package according to the present invention is very reliable against different environmental conditions. Conventional encapsulants, which contain polyepoxide and acid anhydride (curing agent) as a resin binder, have not been used in the flip-chip bonding method using a conductive adhesive. If a resin binder made of polyepoxide and acid anhydride (curing agent) is used as an encapsulant for semiconductor device packages, this increases the thixotropy index of the encapsulant, which therefore causes the problem that the encapsulant is injected into only part of the gap between the semiconductor device and the substrate.

Foreliggende oppfinnelse ligger derfor på oppdagelsen at en høy tiksotropi-indeks resul-terende fra samvirket mellom en fri syre inneholdt i syreanhydrid og en polargruppe ved overflaten til fyllstoffet. Basert på denne kunnskapen tilveiebringer foreliggende oppfinnelse et organ som kan forhindre samvirke mellom syre og polargruppen. The present invention is therefore based on the discovery that a high thixotropy index resulting from the interaction between a free acid contained in the acid anhydride and a polar group at the surface of the filler. Based on this knowledge, the present invention provides a device that can prevent interaction between the acid and the polar group.

Det er en annen grunn hvorfor innkapslingsmiddel som inneholder polyepoksid og syreanhydrid (herdemiddel) som harpiksbindemiddel ikke har blitt anvendt. Det vil si et There is another reason why encapsulant containing polyepoxide and acid anhydride (curing agent) as resin binder has not been used. That is, a

slikt harpiksbindemiddel utsettes for en hydrolyse ved en sterkt fuktig atmosfære slik at det har blitt betraktet at bruk av harpiksbindemiddel bevirker problemer ved fuktighets-motstandsevnen til forbindelsen etablert ved et konduktivt adhesiv og følgelig pålitelig-heten. such resin binder is subjected to a hydrolysis in a highly humid atmosphere so that it has been considered that the use of resin binder causes problems with the moisture resistance of the connection established by a conductive adhesive and consequently the reliability.

Det er blitt bekreftet ved foreliggende oppfinnelse at selv om et harpiksbindemiddel, som bruker et syreanhydrid (spesielt en trialkyltetrahydroftalsyres anhydrid) som et herdemiddel, blir brukt som et innkapslingsmiddel i en flip-chip bindemetode, resulterer innkapslingssjikt som har tilstrekkelig motstand mot sin fuktighet for å tilfredsstille kra-vene ved praktisk anvendelse. Et slikt innkapslingsmiddel har dessuten en lav viskositet og også en lav tiksotropi-indeks slik at selv om innkapslingsmiddelet injiseres ved romtemperatur (lav temperatur) vil det trenge godt inn i små åpninger. Slike karakteristik-ker til foreliggende innkapslingsmiddel frembringer forskjellige fordelaktige karakteris-tikker slik som stor motstandsevne mot termiske sjokk. It has been confirmed by the present invention that even if a resin binder, which uses an acid anhydride (especially a trialkyl tetrahydrophthalic anhydride) as a curing agent, is used as an encapsulant in a flip-chip bonding method, an encapsulation layer that has sufficient resistance to its moisture to satisfy the requirements in practical application. Such an encapsulant also has a low viscosity and also a low thixotropy index so that even if the encapsulant is injected at room temperature (low temperature) it will penetrate well into small openings. Such characteristics of the present encapsulant produce various advantageous characteristics such as great resistance to thermal shocks.

I tilfellet av konvensjonelle halvlederenhetspakker hvor et flip-chip bindingstrinn med Sammensetningen f i Tabell 1 anvendes som et harpiksbindemiddel, er innkapslingsmiddelets tiksotropi-indeks så høy at luftbobler blir holdt i innkapslingsmiddelsjiktet. Konduktivt samvirke ødelegges ved TESTENE 3 og 5. På den andre siden i tilfelle av en konvensjonell halvlederenhetpakke hvor et flip-chip bindemiddel med Sammensetning g i Tabell 1 anvendes som et harpiksbindemiddel, må harpiksbindemiddelet bli oppvarmet for injisering. Som et resultat blir det konduktive samvirket ødelagt og motstandsevnen mot termiske sjokk blir liten. In the case of conventional semiconductor device packages where a flip-chip bonding step with Composition f in Table 1 is used as a resin binder, the thixotropy index of the encapsulant is so high that air bubbles are retained in the encapsulant layer. Conductive interaction is destroyed by TESTS 3 and 5. On the other hand, in the case of a conventional semiconductor device package where a flip-chip binder of Composition g in Table 1 is used as a resin binder, the resin binder must be heated for injection. As a result, the conductive interaction is destroyed and the resistance to thermal shocks becomes small.

Foreliggende oppfinnelse er generelt anvendbar på halvlederenhetpakke hvor en halvleder chip er montert på et substrat via et konduktivt adhesiv ved hjelp av en flip-chip bindemetode. Foreliggende oppfinnelse kan f.eks. anvendes på en multi-chip modul (MCM) hvor en anordning slik som LSI chip, chip kondensator er montert på et krets-kort og en fremgangsmåte for å fremstille den samme. The present invention is generally applicable to semiconductor unit packages where a semiconductor chip is mounted on a substrate via a conductive adhesive using a flip-chip bonding method. The present invention can e.g. applied to a multi-chip module (MCM) where a device such as LSI chip, chip capacitor is mounted on a circuit board and a method for manufacturing the same.

Claims (29)

1. Halvlederenhetpakke som innbefatter: (a) en halvlederanordning 1 med et elektrodeunderlag 2, (b) et substrat 6 med en terminal elektrode 5, (c) en kuleelektrode 3 dannet på elektrodeunderlaget 2 til halvledei^ordningen 1, karakterisert ved(d) et konduktivt adhesivt sjikt 4, som er dannet av et konduktivt adhesiv med fleksibilitet og som etablerer en elektrisk forbindelse mellom kuleelektroden 3 og terminalelektroden 5, og (e) et innkapslingsmiddelsjikt 7, som er dannet ved å herde en sammensetning med en viskositet på under 100 Pa s og en tiksotropi-indeks på under 1,1 og som fyller et gap definert mellom halvlederanordningen 1 og substratet 6 på en slik måte at halvlederanordningen 1 og substratet 6 er mekanisk sammenbundet.1. Semiconductor unit package including: (a) a semiconductor device 1 with an electrode substrate 2, (b) a substrate 6 with a terminal electrode 5, (c) a ball electrode 3 formed on the electrode substrate 2 of the semiconductor device 1, characterized by (d) a conductive adhesive layer 4, which is formed by a conductive adhesive with flexibility and which establishes an electrical connection between the ball electrode 3 and the terminal electrode 5, and (e) an encapsulating agent layer 7, which is formed by curing a composition with a viscosity of less than 100 Pa s and a thixotropy index of less than 1.1 and which fills a gap defined between the semiconductor device 1 and the substrate 6 in such a way that the semiconductor device 1 and the substrate 6 are mechanically connected. 2. Halvlederenhetpakke ifølge krav 1, karakterisert ved at sammensetningen består i det vesentlige av (A) et harpiksbindemiddel som inneholder i det minste et polyepoksid, en karboksyl-syres anhydrid, et rheologimodifiseringsmiddel, og en latent akselerator, og (B) et fyllstoff som er dannet av et dielektrisk materiale, og at rheologimodifisereren hindrer samvirke mellom en fri syre i anhydridet til karboksylsyren og en polar gruppe ved overflaten til nevnte fyllstoff.2. Semiconductor unit package according to claim 1, characterized in that the composition consists essentially of (A) a resin binder containing at least a polyepoxide, a carboxylic acid anhydride, a rheology modifier, and a latent accelerator, and (B) a filler which is formed of a dielectric material, and that the rheology modifier prevents interaction between a free acid in the anhydride of the carboxylic acid and a polar group at the surface of said filler. 3. Halvlederenhetpakke ifølge krav 2, karakterisert ved at rheologimodifiseringsmiddelet inneholder en substans som kan selektivt adsorbere den frie syren i anhydridet til karboksylsyren.3. Semiconductor unit package according to claim 2, characterized in that the rheology modifier contains a substance which can selectively adsorb the free acid in the anhydride of the carboxylic acid. 4. Halvlederenhetpakke ifølge krav 2, karakterisert ved at rheologimodifiseringsmiddelet er en Lewis-base forbindelse.4. Semiconductor unit package according to claim 2, characterized in that the rheology modifier is a Lewis base compound. 5. Halvlederenhetpakke ifølge krav 2, karakterisert ved at rheologimodifiseringsmiddelet er enten en tertiær aminforbindelse, en tertiær fosfin-forbindelse, et kvaternært ammoniumsalt, et kvaternært fosfoniumsalt, eller en heterocyklisk forbindelse som inneholder et atom av nitrogen i en cyklisk kjede.5. Semiconductor unit package according to claim 2, characterized in that the rheology modifier is either a tertiary amine compound, a tertiary phosphine compound, a quaternary ammonium salt, a quaternary phosphonium salt, or a heterocyclic compound containing an atom of nitrogen in a cyclic chain. 6. Halvlederenhetpakke ifølge krav 2, karakterisert ved at anhydridet til karboksylsyren i harpiksbindemiddelet inneholder i det minste en anhydrid av en alicyklisk syre.6. Semiconductor unit package according to claim 2, characterized in that the anhydride of the carboxylic acid in the resin binder contains at least one anhydride of an alicyclic acid. 7. Halvlederenhetpakke ifølge krav 6, karakterisert ved at det alicykliske syreanhydridet inneholder i det minste en anhydrid av en trialkyl tetra-hydroftalsyre.7. Semiconductor unit package according to claim 6, characterized in that the alicyclic acid anhydride contains at least one anhydride of a trialkyl tetrahydrophthalic acid. 8. Halvlederenhetpakke ifølge krav 1, karakterisert ved at kuleelektroden 3 til halvlederanordningen 1 er en tapp-kuleelektrode med to trinnede utragninger.8. Semiconductor unit package according to claim 1, characterized in that the ball electrode 3 of the semiconductor device 1 is a pin-ball electrode with two stepped protrusions. 9. Fremgangsmåte ved en halvlederenhetpakke hvor en halvlederanordning 1 har et elektrodeunderlag 2 montert på et substrat 6 med en terminalelektrode 5, karakterisert ved(a) et første trinn for dannelse av en kuleelektrode 3 på elektrodeunderlaget til halvlederanordningen 1, (b) et andre trinn for påføring av et konduktivt adhesiv rundt spissen av kuleelekt-kroden 3, (c) et tredje trinn innbefattende utførelse av en innretning av kuleelektroden 3 og terminalelektroden 5, anbringelse av halvlederanordningen 1 på substratet 6, og etablering av det konduktivt adhesivet, en elektrisk forbindelse mellom kuleelektroden 3 og terminalelektroden 5, (d) et fjerde trinn for preparering av et innkapslingsmiddel dannet av en sammensetning hvor viskositeten og tiksotropi-indeksen er henholdsvis under 100 Pa • s og under 1,1, (e) et femte trinn hvor gap definert mellom halvlederanordningen 1 og substratet 6 fylles med innkapslingsmiddelet, og (f) et sjette trinn hvor innkapslingsmiddelet herdes for mekanisk å forbinde halvlederanordningen 1 og substratet 6.9. Method of a semiconductor device package where a semiconductor device 1 has an electrode substrate 2 mounted on a substrate 6 with a terminal electrode 5, characterized by (a) a first step for forming a ball electrode 3 on the electrode substrate of the semiconductor device 1, (b) a second step for application of a conductive adhesive around the tip of the ball electrode 3, (c) a third step including making an arrangement of the ball electrode 3 and the terminal electrode 5, placement of the semiconductor device 1 on the substrate 6, and establishing the conductive adhesive, an electrical connection between the ball electrode 3 and the terminal electrode 5, (d) a fourth step for preparing an encapsulating agent formed from a composition whose viscosity and thixotropy index are respectively below 100 Pa • s and below 1.1, (e) a fifth step where gaps defined between the semiconductor device 1 and the substrate 6 are filled with the encapsulant, and (f) a sixth step where the encapsulant is hardened to mechanically connect the semiconductor device 1 and the substrate 6. 10. Fremgangsmåte ifølge krav 9, karakterisert ved at sammensetningen til det fjerde trinnet består i det vesentlige av (A) et harpiksbindemiddel som inneholder i det minste et polyepoksid, en anhydrid av en karboksylsyre, et rheologimodifiseringsmiddel og en latent herdeakselerator, og (B) et fyllstoff som er dannet av et dielektrisk materiale, og at rheologimodifiseringsmiddelet forhindrer samvirke mellom en fri syre i karboksylsyrens anhydrid og en polar gruppe ved overflaten til fyllstoffet.10. Method according to claim 9, characterized in that the composition of the fourth step consists essentially of (A) a resin binder containing at least a polyepoxide, an anhydride of a carboxylic acid, a rheology modifier and a latent cure accelerator, and (B) a filler which is formed of a dielectric material, and that the rheology modifier prevents interaction between a free acid in the anhydride of the carboxylic acid and a polar group at the surface of the filler. 11. Fremgangsmåte ifølge krav 9, karakterisert ved at rheologimodifiseringsmiddelet inneholder en substans, som også virker som en herdeakselerator for et innkapslingsmiddel av dobbelt-væske typen ved slik en spormengde for å forhindre substansen fra å fremvise dens herdeakselerasjonsfunksjon.11. Method according to claim 9, characterized in that the rheology modifier contains a substance, which also acts as a curing accelerator for an encapsulating agent of the double-liquid type at such a trace amount to prevent the substance from exhibiting its curing acceleration function. 12. Fremgangsmåte ifølge krav 10, karakterisert ved at anhydridet eller karboksylsyren i harpiksbindemiddelet i fjerde trinnet inneholder i det minste en anhydrid av en alicyklisk syre.12. Method according to claim 10, characterized in that the anhydride or carboxylic acid in the resin binder in the fourth step contains at least one anhydride of an alicyclic acid. 13. Fremgangsmåte ifølge krav 12, karakterisert ved at alicyklisk syreanhydrid ved det fjerde trinnet inneholder i det minste en anhydrid av en trialkyltetrahydrofralsyre.13. Process according to claim 12, characterized in that the alicyclic acid anhydride in the fourth step contains at least one anhydride of a trialkyltetrahydrofuralic acid. 14. Fremgangsmåte ifølge krav 9, karakterisert ved at kuleelektroden 3 ved det første trinnet er en tapp-kuleelektrode med totrinnet uttagninger.14. Method according to claim 9, characterized in that the ball electrode 3 in the first stage is a pin-ball electrode with two-stage extractions. 15. Fremgangsmåte ifølge krav 9, karakterisert ved at i det femte trinnet blir innkapslingsmiddelet injisert mellom halvlederanordningen 1 og substratet 6 ved romtemperatur.15. Method according to claim 9, characterized in that in the fifth step the encapsulant is injected between the semiconductor device 1 and the substrate 6 at room temperature. 16. Fremgangsmåte ifølge krav 9, karakterisert ved at ved det femte trinnet injiseres innkapslingsmiddelet mellom halvlederanordningens-substtatet under en påtrykket tilstand.16. Method according to claim 9, characterized in that in the fifth step, the encapsulant is injected between the semiconductor device's substrate under a pressurized state. 17. Fremgangsmåte ifølge krav 9, karakterisert ved at ved fjerde trinnet blir sammensetningen av innkapslingsmiddelet preparert ved å tilveiebringe en blanding av en anhydrid til karboksylsyren og en del av et fyllstoff, underlegging av blandingen en eldingsprosess, og tillegging av polyepoksid og øvrige fyllstoffer til blandingen.17. Method according to claim 9, characterized in that in the fourth step the composition of the encapsulant is prepared by providing a mixture of an anhydride to the carboxylic acid and part of a filler, subjecting the mixture to an aging process, and addition of polyepoxide and other fillers to the mixture. 18. Fremgangsmåte ifølge krav 10, karakterisert ved at rheologimodifiseringsmiddelet inneholder en substans som kan selektivt adsorbere fri syre i anhydridet til karboksylsyren.18. Method according to claim 10, characterized in that the rheology modifier contains a substance which can selectively adsorb free acid in the anhydride of the carboxylic acid. 19. Fremgangsmåte ifølge krav 10, karakterisert ved at rheologimodifiseringsmiddelet er en Lewis-base forbindelse.19. Method according to claim 10, characterized in that the rheology modifier is a Lewis base compound. 20. Fremgangsmåte ifølge krav 10, karakterisert ved at rheologimodifiseringsmiddelet enten er en tertiær aminforbindelse, en tertiær fosfinfor-bindelse, et kvaternært ammoniumsalt, et kvaternært fosfoniumsalt eller en heterocyklisk forbindelse som inneholder et atom av nitrogen i en cyklisk kjede.20. Method according to claim 10, characterized in that the rheology modifier is either a tertiary amine compound, a tertiary phosphine compound, a quaternary ammonium salt, a quaternary phosphonium salt or a heterocyclic compound containing an atom of nitrogen in a cyclic chain. 21. Innkapslingsmiddel for å fylle et gap mellom en halvlederanordning 1 og et substrat 6 for bruk i pakking av en halvlederenhet, karakterisert ved at innkapslingsmiddelet i det vesentlige består av: (A) et harpiksbindemiddel som inneholder i det minste ett polyepoksid, en anhydrid av en karboksylsyre, et rheologimodifiseringsmiddel, en latent herdeakselerator, hvor vektprosenten av harpiksbindemiddelet er innenfor området av 80% til 25%, og (B) et fyllstoff som er dannet av et dielektrisk materiale hvor vektprosenten av fyllstoff er innenfor området av 20% til 75%, hvor rheologimodifisereren virker for å forhindre samvirke mellom en fri syre i anhydridet til karboksylsyren og en polar gruppe ved overflaten til fyllstoffet.21. Encapsulant for filling a gap between a semiconductor device 1 and a substrate 6 for use in packaging a semiconductor device, characterized in that the encapsulant essentially consists of: (A) a resin binder containing at least one polyepoxide, an anhydride of a carboxylic acid , a rheology modifier, a latent cure accelerator, wherein the percentage by weight of the resin binder is within the range of 80% to 25%, and (B) a filler formed from a dielectric material wherein the percentage by weight of filler is within the range of 20% to 75%, where the rheology modifier acts to prevent interaction between a free acid in the anhydride of the carboxylic acid and a polar group at the surface of the filler. 22. Innkapslingsmiddel ifølge krav 21, karakterisert ved at rheologimodifiseringsmiddelet inneholder en substans som kan selektivt adsorbere den frie syren i anhydridet til karboksylsyren.22. Encapsulating agent according to claim 21, characterized in that the rheology modifier contains a substance which can selectively adsorb the free acid in the anhydride of the carboxylic acid. 23. Innkapslingsmiddel ifølge krav 21, karakterisert ved at rheologimodifiseringsmiddelet er en Lewis-base forbindelse.23. Encapsulating agent according to claim 21, characterized in that the rheology modifier is a Lewis base compound. 24. Innkapslingsmiddel ifølge krav 21, karakterisert ved at rheologimodifiseringsmiddelet enten er en tertiær aminforbindelse, en tertiær fosfin-forbindelse, et kvaternært ammoniumsalt, et kvaternært fosfoniumsalt, eller en heterocyklisk forbindelse som inneholder et atom av nitrogen i en cyklisk kjede.24. Encapsulating agent according to claim 21, characterized in that the rheology modifier is either a tertiary amine compound, a tertiary phosphine compound, a quaternary ammonium salt, a quaternary phosphonium salt, or a heterocyclic compound containing an atom of nitrogen in a cyclic chain. 25. Innkapslingsmiddel ifølge krav 21, karakterisert ved at anhydridet av karboksylsyren i harpiksbindemiddelet inneholder i det minste en anhydrid av en alicyklisk syre.25. Encapsulating agent according to claim 21, characterized in that the anhydride of the carboxylic acid in the resin binder contains at least one anhydride of an alicyclic acid. 26. Innkapslingsmiddel ifølge krav 25, karakterisert ved at det alicykliske syreanhydridet inneholder i det minste et anhydrid av en trialkyltetrahydroftalsyre.26. Encapsulating agent according to claim 25, characterized in that the alicyclic acid anhydride contains at least one anhydride of a trialkyltetrahydrophthalic acid. 27. Innkapslingsmiddel ifølge krav 21, karakterisert ved at harpiksbindemiddelet og fyllstoffet er anordnet for å være som en enkel væske.27. Encapsulant according to claim 21, characterized in that the resin binder and the filler are arranged to be like a simple liquid. 28. Innkapslingsmiddel ifølge krav 21, karakterisert ved at harpiksbindemiddelet har en sammensetning hvor (a) det kjemiske ekvivalentforholdet mellom anhydridet til karboksylsyren og po-lyepoksidet er innenfor området fra 0,8 til 1,1, (b) at vektprosenten til herdeakseleratoren i forhold til helheten av harpiksbindemiddelet er innenfor området fra 0,3% til 3%, og (c) at vektprosenten til rheologimodifiseringsmiddelet i forhold til helheten av harpiksbindemiddelet er innenfor området fra 0,02% til 0,3%.28. Encapsulant according to claim 21, characterized in that the resin binder has a composition where (a) the chemical equivalent ratio between the anhydride of the carboxylic acid and the polyepoxide is within the range from 0.8 to 1.1, (b) that the percentage by weight of the curing accelerator in relation to the whole of the resin binder is within the range of 0.3% to 3%, and (c) that the percentage by weight of the rheology modifier relative to the totality of the resin binder is within the range of 0.02% to 0.3%. 29. Anvendelse av et innkapslingsmiddel for å fylle et gap mellom en halvlederanordning 1 og et substrat 6 ved pakking av en halvlederenhet, hvor innkapslingsmiddelet i det vesentlige består av (A) et harpiksbindemiddel som inneholder i det minste et polyepoksid, en anhydrid av karboksylsyre, et rheologimodifiseringsmiddel, og en latent herdeakselerator hvor vektprosenten for harpiksbindemiddelet er innenfor området av 80% til 25%, og (B) et fyllstoff som er dannet av et dielektrisk materiale hvor vektprosenten av fyllstoffet er innenfor området av 20% til 75%, hvor innkapslingsmiddelet prepareres ved tilveiebringelse av en blanding av et anhydrid av en karboksylsyre og en del av et fyllstoff, underlegging av blandingen for en aldingsprosess, og tillegging av polyepoksid og det øvrige fyllstoffet til blandingen.29. Use of an encapsulant to fill a gap between a semiconductor device 1 and a substrate 6 in packaging a semiconductor device, wherein the encapsulant essentially consists of (A) a resin binder containing at least a polyepoxide, an anhydride of carboxylic acid, a rheology modifier , and a latent cure accelerator wherein the percentage by weight of the resin binder is within the range of 80% to 25%, and (B) a filler formed from a dielectric material wherein the percentage by weight of the filler is within the range of 20% to 75%, where the encapsulant is prepared by providing a mixture of an anhydride of a carboxylic acid and a portion of a filler, subjecting the mixture to an aging process, and addition of polyepoxide and the other filler to the mixture.
NO19975833A 1995-06-12 1997-12-11 Semiconductor Unit Pack, Semiconductor Unit Packing Procedure, and Enclosure for Semiconductor Unit Packing Use NO321429B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14437395 1995-06-12
JP07308798A JP3093621B2 (en) 1995-01-30 1995-11-28 Semiconductor device mounting method
US08/593,675 US5641996A (en) 1995-01-30 1996-01-29 Semiconductor unit package, semiconductor unit packaging method, and encapsulant for use in semiconductor unit packaging
PCT/JP1996/001600 WO1996042106A1 (en) 1995-06-12 1996-06-12 Semiconductor unit package, semiconductor unit packaging method, and encapsulant for use in semiconductor unit packaging

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NO975833D0 NO975833D0 (en) 1997-12-11
NO975833L NO975833L (en) 1998-02-03
NO321429B1 true NO321429B1 (en) 2006-05-08

Family

ID=27318812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO19975833A NO321429B1 (en) 1995-06-12 1997-12-11 Semiconductor Unit Pack, Semiconductor Unit Packing Procedure, and Enclosure for Semiconductor Unit Packing Use

Country Status (9)

Country Link
CN (1) CN1101594C (en)
AU (1) AU695142B2 (en)
CA (1) CA2221286A1 (en)
FI (1) FI974488A (en)
ID (2) ID19377A (en)
IN (1) IN192021B (en)
NO (1) NO321429B1 (en)
SE (1) SE522253C2 (en)
WO (1) WO1996042106A1 (en)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100522223B1 (en) * 1997-01-24 2005-12-21 로무 가부시키가이샤 Semiconductor device and method for manufacturing thereof
JPH10270496A (en) 1997-03-27 1998-10-09 Hitachi Ltd Electronic device, information processor, semiconductor device, semiconductor chip, and mounting method thereof
US6407461B1 (en) 1997-06-27 2002-06-18 International Business Machines Corporation Injection molded integrated circuit chip assembly
EP0933809B1 (en) * 1998-02-02 2006-11-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for mounting flip-chip semiconductor devices
US6995476B2 (en) 1998-07-01 2006-02-07 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, circuit board and electronic instrument that include an adhesive with conductive particles therein
US7834464B2 (en) * 2007-10-09 2010-11-16 Infineon Technologies Ag Semiconductor chip package, semiconductor chip assembly, and method for fabricating a device
US8957508B2 (en) * 2011-05-13 2015-02-17 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5658088B2 (en) * 2011-05-23 2015-01-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Semiconductor package component mounting structure and manufacturing method
CN107034028B (en) * 2015-12-04 2021-05-25 三星电子株式会社 Composition for removing silicone resin, method for thinning substrate and manufacturing semiconductor package using the same, and system using the same
US10894935B2 (en) 2015-12-04 2021-01-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for removing silicone resins and method of thinning substrate by using the same
US10157887B2 (en) * 2017-03-09 2018-12-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same
US10297564B2 (en) * 2017-10-05 2019-05-21 Infineon Technologies Ag Semiconductor die attach system and method

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63268724A (en) * 1987-04-24 1988-11-07 Matsushita Electric Works Ltd Liquid epoxy resin composition
JP2515344B2 (en) * 1987-07-24 1996-07-10 松下電工株式会社 One-part liquid epoxy resin composition for sealing
JPH04130633A (en) * 1990-09-20 1992-05-01 Matsushita Electron Corp Semiconductor device and manufacture thereof and capillary used therefor
US5194930A (en) * 1991-09-16 1993-03-16 International Business Machines Dielectric composition and solder interconnection structure for its use
JP2826049B2 (en) * 1992-11-18 1998-11-18 松下電子工業株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
US5436503A (en) * 1992-11-18 1995-07-25 Matsushita Electronics Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH06279654A (en) * 1993-02-26 1994-10-04 Matsushita Electric Works Ltd Liquid epoxy resin composition
JPH06313027A (en) * 1993-05-06 1994-11-08 Matsushita Electric Works Ltd Epoxy resin molding material for sealing

Also Published As

Publication number Publication date
CN1185231A (en) 1998-06-17
ID19376A (en) 1998-07-09
AU695142B2 (en) 1998-08-06
ID19377A (en) 1998-07-09
AU6015496A (en) 1997-01-09
IN192021B (en) 2004-02-07
WO1996042106A1 (en) 1996-12-27
NO975833L (en) 1998-02-03
NO975833D0 (en) 1997-12-11
FI974488A0 (en) 1997-12-11
SE9704602L (en) 1998-02-05
CA2221286A1 (en) 1996-12-27
SE9704602D0 (en) 1997-12-10
SE522253C2 (en) 2004-01-27
FI974488A (en) 1998-02-09
CN1101594C (en) 2003-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5641996A (en) Semiconductor unit package, semiconductor unit packaging method, and encapsulant for use in semiconductor unit packaging
US6214446B1 (en) Resin film and a method for connecting electronic parts by the use thereof
US6054761A (en) Multi-layer circuit substrates and electrical assemblies having conductive composition connectors
US20020089067A1 (en) Wafer applied fluxing and underfill material, and layered electronic assemblies manufactured therewith
US10440834B2 (en) Resin fluxed solder paste, and mount structure
US20040235221A1 (en) Electronic device and method for manufacturing the same
CN100472768C (en) Electronic packaging materials for use with low-k dielectric-containing semiconductor devices
NO321429B1 (en) Semiconductor Unit Pack, Semiconductor Unit Packing Procedure, and Enclosure for Semiconductor Unit Packing Use
US7279359B2 (en) High performance amine based no-flow underfill materials for flip chip applications
JP2007056070A (en) Under fill material for flip chip type semiconductor device, the flip chip type semiconductor device using the same and method for producing the device
JPH10289969A (en) Semiconductor device and sealing resin sheet for use therefor
JP3093621B2 (en) Semiconductor device mounting method
JPH0936177A (en) Semiconductor device and its manufacture
JP2003128874A (en) Liquid resin composition, manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
KR101557123B1 (en) Composition for underfill and method for mounting electronic device
JP2010192525A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3319741B2 (en) Semiconductor device package and sealing material for mounting the same
JP2008189760A (en) Underfill agent, semiconductor device obtained by using the same and method for producing the semiconductor device
KR101545962B1 (en) Solder ball having adhesion coating layer
TWI714621B (en) Fluxing underfill compositions
JPH11219982A (en) Conductive particle and anisotropic conductive adhesive agent provided therewith
JP2952814B2 (en) Connection unit between electronic components and board
KR20020091224A (en) Rheology-Controlled Epoxy-Based Compositions
JP2004067930A (en) Liquid encapsulation resin composition, semiconductor device using same and manufacturing process of the semiconductor device
KR101428466B1 (en) Non-conductive polymer adhesive material for packaging of device and method for packaging of device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Lapsed by not paying the annual fees