NO154192B - Fremgangsmùte ved rensing av rùsilicium. - Google Patents
Fremgangsmùte ved rensing av rùsilicium. Download PDFInfo
- Publication number
- NO154192B NO154192B NO803355A NO803355A NO154192B NO 154192 B NO154192 B NO 154192B NO 803355 A NO803355 A NO 803355A NO 803355 A NO803355 A NO 803355A NO 154192 B NO154192 B NO 154192B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- silicon
- melt
- aluminum
- extraction
- aluminium
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 54
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 36
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N aluminium sulfide Chemical compound [Al+3].[Al+3].[S-2].[S-2].[S-2] COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Si] Chemical compound [AlH3].[Si] KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 49
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012494 Quartz wool Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N aluminium triethoxide Chemical compound CCO[Al](OCC)OCC JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001914 calming effect Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012084 conversion product Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- DWFFKGPZNGKUPH-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenesilicon Chemical class S=[Si] DWFFKGPZNGKUPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
Description
Oppfinnelsen angår en fremgangsmåte ved rensing av råsilicium ved oppløsning av råsilicium i aluminium og behandling med en ekstraksjonssmelte.
Oppfinnelsen må i første rekke ses på bakgrunn av energiutvinning ved hjelp av siliciumsolceller. For å kunne
gi et økonomisk konkurransedyktig bidrag til forsyning av elektrisk energi med slike solceller er det nødvendig at grunnmaterialet, silicium, kan holdes tilgjengelig til en tilstrekkelig rimelig pris. Silicium som på jordkloden fore-kommer i praktisk uutømmelige mengder i form av siliciumdi-oxyd, må imidlertid først reduseres og renses. Rensingen av råsiliciumet via gassfase, som vanlig er ved fremstilling av høyverdige elektroniske byggeelementer, kan utelukkes da en slik metode er altfor kostbar. Det stilles imidlertid ikke så høye krav til renheten av solcellesilicium, slik at rimeligere renseprosesser vil kunne tilgripes.
I europeisk patentsøknad 2135 er en fremgangsmåte ved rensing av råsilicium beskrevet, hvor silicium føres inn i en metallsmelte, utkrystalliseres fra denne, behandles med en ekstraksjonssmelte og derefter efterrenses ved trekking fra smeiten under utnyttelse av seigring. I innledningen til denne europeiske patentsøknad er også et stort antall ytterligere litteratursteder som befatter seg med billig rensing av silicium, beskrevet.
I vest-tysk tilgjengeliggjort patentsøknad 2729464 er
en fremgangsmåte ved rensing av silicium beskrevet, hvor siliciumet før det i og for seg kjente kjemiske rensetrinn smeltes og derefter bringes til å størkne ved langsom av-kjøling, idet siliciumsmelten eventuelt også kan bringes i kontakt med en ekstraksjonssmelte.
Det tas ved oppfinnelsen sikte på ut fra den ovenfor angitte teknikkens stand å tilveiebringe en fremgangsmåte ved rensing av råsilicium som gir i det minste den samme virkning, men som er enklere og billigere.
Oppfinnelsen angår således en fremgangsmåte ved rensing av råsilicium ved oppløsning av råsilicium i aluminium og behandling med en ekstraksjonssmelte, og fremgangsmåten er sær-preget ved at blandingssmelten som fås ved oppløsnina av silicium i aluminium bringes i kontakt med en ekstraksjons-
smelte på basis av aluminiumsulfid, og at silicium der-
efter utkrystalliseres ved langsom avkjøling av aluminium-silicium-blandingssmelten til ikke under 600°C og fraskilles. Ved den foreliggende fremgangsmåte blir råsilicium (silicium av metallurgisk kvalitet) med et siliciuminnhold over 95 vekt%, fortrinnsvis over 98 vekti, som på egnet måte er blitt overført til et kornformig eller granulert materiale, anvendt.
Råsiliciumet blir enten smeltet sammen med den minste mengde aluminium som er nødvendig for oppløsning ved den tilsiktede ekstraksjonstemperatur og som kan utledes fra fasediagrammet (se Hansen, "Constitution of Binary Alloys", 2. utgave, McGraw Hill Book Company, Inc., New York 1958, side 133), eller inn-ført i allerede flytende aluminium. Den sistnevnte utførelses-form anvendes spesielt dersom fremgangsmåten skal utføres halvkontinuerlig eller helkontinuerlig og det flytende aluminium som fås efter fraskillelse fra renset silicium efter utkrystallisering av dette og som fremdeles inneholder råsilicium, skal tilsettes en ny charge med råsilicium og igjen tilføres til ekstraksjonsbeholderen.
Ved begynnelsen av den første ekstraksjonssyklus er det gunstig at aluminiumsulfid som sådant eller også i form av aluminium og svovel foreligger i ekstraksjonsdigelen som f.eks. kan bestå av carbon, og oppvarmes til en temperatur over dets smeltepunkt på 1100°C.
Ved temperaturer over 1100°C reagerer silicium i merk-bar grad allerede med sulfidslaggen under dannelse av flytende siliciumsulfider som avdampes fra systemet og slår seg ned på kalde steder, og det er derfor fordelaktig ved hjelp av egnede tilslag å senke aluminiumsulfidekstraksjonsslaggens smeltepunkt så meget at det blir mulig å foreta en ekstrak-sjon av aluminium-silicium-blandingssmelten ved en lavere temperatur av fortrinnsvis 1000-1050°C.
En smeltepunktsenkning av slaggen kan oppnås f.eks:, ved hjelp av egnede sulfidiske eller halogenidiske tilslag, spesielt fluorider og sulfider av alkali- og jordalkali-elementene. Det har vist seg å være spesielt gunstig som tilslag å anvende aluminiumoxyd, spesielt i en mengde av 20-40 vekt%, basert på den derved erholdte aluminiumsulfidekstraksjonssmelte.
Aluminiummengden og råsiliciumchargemengden avpasses med fordel slik i forhold til hverandre at siliciumet riktignok blir fullstendig oppløst, men slik at den erholdte aluminiumsmelte blir i det minste vidtgående mettet med silicium ved ekstraksjonstemperaturen, da det ikke er noen fordel med et overskudd av aluminium da dette bare betinger ytterligere omkostninger.
Hva gjelder vektforholdet mellom aluminium-silicium-blandingssmelte og aluminiumsulfidekstraksjonssmelte under ekstråksjonen, har et forhold av 1:0,5-1:1,5 vist seg å
være spesielt gunstig selv om også andre vektforhold kan anvendes. Selv ved et vektforhold av 1:0,1 fås en god renseeffekt, riktignok efter lengre ekstraksjonstider, og en god renseeffekt kan også oppnås ved anvendelse av vektforhold med en høyere andel av aluminiumsulfidekstraksjonssmelte enn.den andel som svarer til det angitte forhold av 1:1,5, hvorved imidlertid i dette tilfelle renseeffekten hverken blir forbedret eller påskyndet da henstandstiden efter gjennomblandingen må forlenges. Også i det sistnevnte tilfelle vil selvfølgelig omkostningene øke da større smelte-mengder vil måtte holdes på en høy temperatur.
For å gjøre ekstraksjonstiden kortere lønner det seg
å øke kontaktflatene mellom de to smelter ved hjelp av en egnet god gjennomblanding. Ifølge den foretrukne utførelses-form av den foreliggende fremgangsmåte kan dette oppnås ved omrøring, hvorved virkningen kan økes dersom røreverket blir trinnvis vertikalt forskjøvet og avvekslende gis forandret dreieretning. En egnet røreanordning er f.eks. et skovlrøre-verk som på grunn av dets utformning gir en virkemåte som er analog med virkemåten av en skipspropell, idet skovlrøre-verket fortrinnsvis er vertikalt forskyvbart. Som materiale for et slikt røreverk er fremfor alt carbon, spesielt grafitt, egnet.
Efter at råsiliciumholdig aluminium og aluminiumsulfid-ekstraks jons.smelten er blitt innført og smeltet, foretas med fordel en omrøring under en beskyttende gass i 1-3 timer, selvfølgelig avhengig av omrøringsintensiteten og dessuten av røreverkets og ekstraksjonsbeholderens dimensjoner. Som be-skyttelsesgass er f.eks. nitrogen eller argon egnede. Efter omrøringsfasen følger en såkalt beroligelsefase som gjennomsnittlig likeledes varer i 1-3 timer og under hvilken røre-verket er stanset og eventuelt er fjernet fra slaggen, og som resultat vil de små aluminiumdråper med det oppløste silicium synke fra ekstraksjonssmelten ned i metallsumpen.
Derefter blir de to smelter skilt fra hverandre, og aluminium-silicium-blandingssmelten blir senket til en temperatur av ikke under 600°C (eutektikumets temperatur 577°C!), fortrinnsvis til 650-700°C, og med fordel med 0,5-3°C pr. minutt.
Derefter blir blandingen overført fra digelen hvori den er blitt avkjølt, til fortrinnsvis en oppvarmbar sentrifuge for å fraskille de små utkrystalliserte siliciumplater ved at det flytende aluminium blir slynget ut. Sentrifugekurven og utkrystalliseringsdigelen kan bestå av et keramisk materiale eller av carbon, idet sentrifugekurven også kan bestå av stål. Det er også mulig for separering av blandingen å filtrere av de utkrystalliserte små siliciumplater f.eks. med kvartsull. De små siliciumplater som er blitt fraskilt ved hjelp av den ene eller den annen metode, blir for å fjerne restaluminiumet efter avkjølingen f.eks. renset med fortynnet, vandig saltsyre eller alkohol, idet ved den sistnevnte metode under anvendelse av ethanol rimelig aluminiumethylat dannes som omsetningsprodukt. For å fraskille også fremdeles innesluttet aluminium er det fordelaktig å nedmale de små siliciumplater til en størrelse av ca. 50^,um og på ny å utlute disse med fortynnet saltsyre eller alkohol, hvorved aluminiuminnholdet kan senkes til 400-600 ppm (basert på vekt) tilnærmet svarende til den maksimale oppløselighet for aluminium i silicium ved separeringstem-peraturen. Et slikt aluminiuminnhold i siliciumet kan tolereres som grunndoping i enkelte polykrystallinske sol-celletyper, mens aluminiuminnholdet ellers kan reduseres ytterligere ved hjelp av kjente metoder, som f.eks. slaggrensing, retningsorientert størkning eller avdampning under vakuum, alene eller i kombinasjon med hverandre. Dersom f.eks. slaggrensing anvendes, hvor siliciumet innføres i en ekstraksjonssmelte som f.eks. kan bestå av jordalkali-silikater og/eller jordalkalifluorider, kan den forutgående utluting med saltsyre eller alkohol dessuten sløyfes.
Det fraskilte aluminium oppviser, avhengig av den temperatur til hvilken det ble avkjølt for utkrystallisering av siliciumet, fremdeles et siliciumrestinnhold av 15-20
atom% som imidlertid ikke går tapt da aluminiumet derpå
igjen tilføres til ekstraksjonsdigelen for opptak av en ny charge råsilicium og derfor med fordel oppvarmes til 1000-1050°C. Aluminiumtap som oppstår på grunn av opparbeidelsen, blir fra tid til annen kompensert ved tilsetning av ferskt aluminium.
Forurensningene fra råsiliciumet blir på grunn av ekstraksjonssmelten i det vesentlige omdannet til sulfidiske for-bindelser som blir tilbake i slaggen i oppløst tilstand eller som avdampes fra systemet. Dersom ekstraksjonssmelten er blitt for sterkt anriket med forurensninger, vrakes slaggen og erstattes med ferskt aluminiumsulfid med tilsvarende tilslag av aluminiumoxyd.
Eksempel
En carbondigel med lokk ble anvendt som ekstraksjonsdigel som var forsynt med en gjennomføring for et propellrøreverk
av grafitt.
5 kg råsilicium (renhet 98%, kornstørrelsesfordeling
2-5 mm) og 5,5 kg aluminium (renhet 99,9%) ble fylt i denne digel og ved hjelp av en motstandsoppvarmningsanordning hvori digelen var anbragt, smeltet under en nitrogenatmos-fære og oppvarmet til ca. 1050°C. Derefter ble 8 kg aluminium-sulf idpulver (renhet 99,9%) tilsatt sammen med 2,5 kg korund-pulver (renhet 99,9%). Også efter smeltingen av aluminium-sulf idekstraks jonssmelten ble temperaturen holdt ved ca. 1050°C og blandingen omrørt i ca. 2 timer med et omdreinings-tall av 100-200 o/min, idet propellrøreverket ble trinnvis vertikalt forskjøvet og fremadrettet og tilbakerettet omdreiet.
Derefter ble røreverket slått av og trukket oppad ut fra smeiten. Efter ytterligere ca. 1,5 timer ved en vidtgående konstant temperatur av ca. 1050°C ble aluminium-silicium-blandingssmelten tappet og avkjølt i en ytterligere carbondigel til ca. 700°C i løpet av 4 timer. Derefter ble de utkrystalliserte små siliciumplater filtrert på et filter av presset kvartsull og vasket med 20 vekt%-ig vandig saltsyre. Efter filtreringen ble de små siliciumplater nedmalt i en wolframcarbidkulemølle til en gjennomsnittlig stykkstørrelse av ca. 50yum og på ny vasket med fortynnet, vandig saltsyre. Efter den fornyede filtrering og vasking med syre ble ca.
3,9 kg silicium erholdt med de nedenstående analyseverdier som ble bestemt med et atomabsorpsjonsspektrometer: under 600 ppm aluminium, og dessuten jern, kalsium og kobber under påvisbarhetsgrensen. Innholdet av bor og fosfor ble kolori-metrisk bestemt til hhv. 2 ppm og 0,2 ppm.
For en annen syklus ble det smeltede, flytende aluminium som fremdeles inneholdt ca. 20 atom% silicium, oppvarmet til ca. 1100°C, og 4 kg silicium med den ovenfor angitte spesifika-sjon ble tilsatt. Efter at siliciumet var blitt oppløst, ble smeiten med den i ekstraksjonsdigelen qjenværende aluminiumsulfidekstraksjonssmelte igjen renset, og forøvrig ble det gått frem analogt med den første rensesyklus. Ca. 4 kg silicium med de ovenfor angitte analyseverdier ble erholdt.
Claims (6)
1. Fremgangsmåte ved rensing av råsilicium ved oppløsning av råsiliciumet i aluminium og behandling med en ekstraksjonssmelte,
karakterisert ved at blandingssmelten som fås ved oppløsning av silicium i aluminium bringes i kontakt med en ekstraksjonssmelte på basis av aluminiumsulfid, og at silicium derefter utkrystalliseres ved langsom avkjøling av aluminium-silicium-blandingssmelten til ikke under 600°C og fraskilles.
2. Fremgangsmåte ifølge krav 1,
karakterisert ved at aluminium-silicium-blandingssmelten ekstraheres med aluminiumsulfidsmelten ved en temperatur av 1000-1050°C.
3. Fremgangsmåte ifølge krav 1 eller 2,
karakterisert ved at det tilsettes en aluminium-sulf idekstraks jonssmelte inneholdende 20-40 vekt% aluminiumoxyd.
4. Fremgangsmåte ifølge krav 1-3, karakterisert ved at ekstraksjonen utføres med aluminium-silicium-blandingssmelten og aluminiumsulfid-ekstraks jonssmelten i et vektforhold av 1: 0,5-1:1,5.
5. Fremgangsmåte ifølge krav 1-4, karakterisert ved at aluminium-silicium-blandingssmelten og aluminiumsulfidekstraksjonssmelten bringes i kontakt med hverandre ved at de to smelter røres inn i hverandre.
6. Fremgangsmåte ifølge krav 1-5, karakterisert ved at aluminium-silicium-blandingssmelten avkjøles med en hastighet av 0,5-3°C pr. minutt for utkrystallisering av siliciumet.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792945072 DE2945072A1 (de) | 1979-11-08 | 1979-11-08 | Verfahren zum reinigen von rohsilicium |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO803355L NO803355L (no) | 1981-05-11 |
NO154192B true NO154192B (no) | 1986-04-28 |
NO154192C NO154192C (no) | 1986-08-06 |
Family
ID=6085448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO803355A NO154192C (no) | 1979-11-08 | 1980-11-07 | Fremgangsmaate ved rensing av raasilicium. |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4308245A (no) |
EP (1) | EP0028811B1 (no) |
JP (1) | JPS5669218A (no) |
AT (1) | ATE1495T1 (no) |
AU (1) | AU538502B2 (no) |
CA (1) | CA1116832A (no) |
DE (2) | DE2945072A1 (no) |
NO (1) | NO154192C (no) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NO152551C (no) * | 1983-02-07 | 1985-10-16 | Elkem As | Fremgangsmaate til fremstilling av rent silisium. |
NO180532C (no) * | 1994-09-01 | 1997-05-07 | Elkem Materials | Fremgangsmåte for fjerning av forurensninger fra smeltet silisium |
NO329987B1 (no) | 2009-02-26 | 2011-01-31 | Harsharn Tathgar | Halvkontinuerlig fremgangsmate for dannelse, separasjon og smelting av store, rene silisiumkrystaller |
US8562932B2 (en) * | 2009-08-21 | 2013-10-22 | Silicor Materials Inc. | Method of purifying silicon utilizing cascading process |
CN101712474B (zh) * | 2009-09-08 | 2011-09-28 | 南安市三晶阳光电力有限公司 | 采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法 |
KR101663435B1 (ko) * | 2012-06-25 | 2016-10-14 | 실리코르 머티리얼즈 인코포레이티드 | 알루미늄의 정제 방법 및 실리콘을 정제하기 위한 정제된 알루미늄의 용도 |
HUP1500509A1 (hu) * | 2015-10-29 | 2017-05-29 | Bay Zoltan Alkalmazott Kutatasi Koezhasznu Nonprofit Kft Mernoeki Divizio | Eljárás szilícium kristályok dúsítására és elválasztására fémolvadékból szilícium tisztítására |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT200106B (de) * | 1956-12-24 | 1958-10-25 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von reinstem Silizium |
FR1194484A (fr) * | 1958-01-24 | 1959-11-10 | Electro Chimie Soc D | Procédé d'obtention de silicium pur par cristallisation fractionnée |
US3097068A (en) * | 1959-05-29 | 1963-07-09 | Union Carbide Corp | Crystallization of pure silicon platelets |
US3396012A (en) * | 1965-10-04 | 1968-08-06 | Dow Chemical Co | Recovery of silicon from alloys thereof and from silicon sulfides |
EP0002135B1 (en) * | 1977-11-21 | 1982-11-03 | Union Carbide Corporation | Improved refined metallurgical silicon and process for the production thereof |
US4195067A (en) * | 1977-11-21 | 1980-03-25 | Union Carbide Corporation | Process for the production of refined metallurgical silicon |
-
1979
- 1979-11-08 DE DE19792945072 patent/DE2945072A1/de not_active Withdrawn
-
1980
- 1980-09-19 JP JP12935580A patent/JPS5669218A/ja active Pending
- 1980-10-14 US US06/196,496 patent/US4308245A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-10-17 CA CA000362608A patent/CA1116832A/en not_active Expired
- 1980-11-06 AT AT80106837T patent/ATE1495T1/de not_active IP Right Cessation
- 1980-11-06 DE DE8080106837T patent/DE3060811D1/de not_active Expired
- 1980-11-06 EP EP80106837A patent/EP0028811B1/de not_active Expired
- 1980-11-07 NO NO803355A patent/NO154192C/no unknown
- 1980-11-10 AU AU64245/80A patent/AU538502B2/en not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0028811B1 (de) | 1982-09-01 |
EP0028811A1 (de) | 1981-05-20 |
US4308245A (en) | 1981-12-29 |
JPS5669218A (en) | 1981-06-10 |
DE3060811D1 (en) | 1982-10-28 |
ATE1495T1 (de) | 1982-09-15 |
AU6424580A (en) | 1981-05-14 |
CA1116832A (en) | 1982-01-26 |
DE2945072A1 (de) | 1981-06-04 |
NO803355L (no) | 1981-05-11 |
NO154192C (no) | 1986-08-06 |
AU538502B2 (en) | 1984-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4312850A (en) | Semicontinuous process for the manufacture of pure silicon | |
US8329133B2 (en) | Method and apparatus for refining metallurgical grade silicon to produce solar grade silicon | |
CN101855391B (zh) | 用于处理硅粉末来获得硅晶体的方法 | |
EP2467330B1 (en) | Method of purifying silicon utilizing cascading process | |
US4539194A (en) | Method for production of pure silicon | |
CN101665253B (zh) | 多晶硅提纯方法及用于多晶硅提纯的坩埚、提纯设备 | |
CA1133681A (en) | Process for purifying silicon, and the silicon so produced | |
NO335984B1 (no) | Fremgangsmåte for fremstilling av silisium av fotovoltaisk kvalitet | |
CA1194679A (en) | Semicontinuous process for the production of pure silicon | |
CN101712474B (zh) | 采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法 | |
NO154192B (no) | Fremgangsmùte ved rensing av rùsilicium. | |
Lu et al. | Improved removal of boron from metallurgical-grade Si by CaO-SiO2-CaCl2 slag refining with intermittent CaCl2 addition | |
CN102616787B (zh) | 一种去除工业硅中硼磷杂质的方法 | |
CN112110450A (zh) | 一种冶金级硅中杂质硼去除的方法 | |
CN101775650A (zh) | 一种太阳能多晶硅铸锭的制备方法及装置 | |
CN101837980B (zh) | 一种采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的方法 | |
CN101671027B (zh) | 一种冶金硅提纯方法及一种在线造渣除硼方法 | |
CN102344142A (zh) | 一种去除硼的硅提纯方法 | |
CN111472048A (zh) | 一种利用多元合金提纯多晶硅的方法 | |
US3726666A (en) | Dephosphorization of aluminum alloys by cadmium | |
JPH0696444B2 (ja) | 高純度シリコンの製造方法 | |
CA2153932C (en) | Method for refining of silicon | |
CN110902684A (zh) | 一种低硼磷高纯硅的制备工艺 | |
JPH0557341B2 (no) |