NO154192B - Fremgangsmùte ved rensing av rùsilicium. - Google Patents

Fremgangsmùte ved rensing av rùsilicium. Download PDF

Info

Publication number
NO154192B
NO154192B NO803355A NO803355A NO154192B NO 154192 B NO154192 B NO 154192B NO 803355 A NO803355 A NO 803355A NO 803355 A NO803355 A NO 803355A NO 154192 B NO154192 B NO 154192B
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
silicon
melt
aluminum
extraction
aluminium
Prior art date
Application number
NO803355A
Other languages
English (en)
Other versions
NO803355L (no
NO154192C (no
Inventor
Josef Dietl
Claus Holm
Erhard Sirtl
Original Assignee
Heliotronic Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heliotronic Gmbh filed Critical Heliotronic Gmbh
Publication of NO803355L publication Critical patent/NO803355L/no
Publication of NO154192B publication Critical patent/NO154192B/no
Publication of NO154192C publication Critical patent/NO154192C/no

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/037Purification

Description

Oppfinnelsen angår en fremgangsmåte ved rensing av råsilicium ved oppløsning av råsilicium i aluminium og behandling med en ekstraksjonssmelte.
Oppfinnelsen må i første rekke ses på bakgrunn av energiutvinning ved hjelp av siliciumsolceller. For å kunne
gi et økonomisk konkurransedyktig bidrag til forsyning av elektrisk energi med slike solceller er det nødvendig at grunnmaterialet, silicium, kan holdes tilgjengelig til en tilstrekkelig rimelig pris. Silicium som på jordkloden fore-kommer i praktisk uutømmelige mengder i form av siliciumdi-oxyd, må imidlertid først reduseres og renses. Rensingen av råsiliciumet via gassfase, som vanlig er ved fremstilling av høyverdige elektroniske byggeelementer, kan utelukkes da en slik metode er altfor kostbar. Det stilles imidlertid ikke så høye krav til renheten av solcellesilicium, slik at rimeligere renseprosesser vil kunne tilgripes.
I europeisk patentsøknad 2135 er en fremgangsmåte ved rensing av råsilicium beskrevet, hvor silicium føres inn i en metallsmelte, utkrystalliseres fra denne, behandles med en ekstraksjonssmelte og derefter efterrenses ved trekking fra smeiten under utnyttelse av seigring. I innledningen til denne europeiske patentsøknad er også et stort antall ytterligere litteratursteder som befatter seg med billig rensing av silicium, beskrevet.
I vest-tysk tilgjengeliggjort patentsøknad 2729464 er
en fremgangsmåte ved rensing av silicium beskrevet, hvor siliciumet før det i og for seg kjente kjemiske rensetrinn smeltes og derefter bringes til å størkne ved langsom av-kjøling, idet siliciumsmelten eventuelt også kan bringes i kontakt med en ekstraksjonssmelte.
Det tas ved oppfinnelsen sikte på ut fra den ovenfor angitte teknikkens stand å tilveiebringe en fremgangsmåte ved rensing av råsilicium som gir i det minste den samme virkning, men som er enklere og billigere.
Oppfinnelsen angår således en fremgangsmåte ved rensing av råsilicium ved oppløsning av råsilicium i aluminium og behandling med en ekstraksjonssmelte, og fremgangsmåten er sær-preget ved at blandingssmelten som fås ved oppløsnina av silicium i aluminium bringes i kontakt med en ekstraksjons-
smelte på basis av aluminiumsulfid, og at silicium der-
efter utkrystalliseres ved langsom avkjøling av aluminium-silicium-blandingssmelten til ikke under 600°C og fraskilles. Ved den foreliggende fremgangsmåte blir råsilicium (silicium av metallurgisk kvalitet) med et siliciuminnhold over 95 vekt%, fortrinnsvis over 98 vekti, som på egnet måte er blitt overført til et kornformig eller granulert materiale, anvendt.
Råsiliciumet blir enten smeltet sammen med den minste mengde aluminium som er nødvendig for oppløsning ved den tilsiktede ekstraksjonstemperatur og som kan utledes fra fasediagrammet (se Hansen, "Constitution of Binary Alloys", 2. utgave, McGraw Hill Book Company, Inc., New York 1958, side 133), eller inn-ført i allerede flytende aluminium. Den sistnevnte utførelses-form anvendes spesielt dersom fremgangsmåten skal utføres halvkontinuerlig eller helkontinuerlig og det flytende aluminium som fås efter fraskillelse fra renset silicium efter utkrystallisering av dette og som fremdeles inneholder råsilicium, skal tilsettes en ny charge med råsilicium og igjen tilføres til ekstraksjonsbeholderen.
Ved begynnelsen av den første ekstraksjonssyklus er det gunstig at aluminiumsulfid som sådant eller også i form av aluminium og svovel foreligger i ekstraksjonsdigelen som f.eks. kan bestå av carbon, og oppvarmes til en temperatur over dets smeltepunkt på 1100°C.
Ved temperaturer over 1100°C reagerer silicium i merk-bar grad allerede med sulfidslaggen under dannelse av flytende siliciumsulfider som avdampes fra systemet og slår seg ned på kalde steder, og det er derfor fordelaktig ved hjelp av egnede tilslag å senke aluminiumsulfidekstraksjonsslaggens smeltepunkt så meget at det blir mulig å foreta en ekstrak-sjon av aluminium-silicium-blandingssmelten ved en lavere temperatur av fortrinnsvis 1000-1050°C.
En smeltepunktsenkning av slaggen kan oppnås f.eks:, ved hjelp av egnede sulfidiske eller halogenidiske tilslag, spesielt fluorider og sulfider av alkali- og jordalkali-elementene. Det har vist seg å være spesielt gunstig som tilslag å anvende aluminiumoxyd, spesielt i en mengde av 20-40 vekt%, basert på den derved erholdte aluminiumsulfidekstraksjonssmelte.
Aluminiummengden og råsiliciumchargemengden avpasses med fordel slik i forhold til hverandre at siliciumet riktignok blir fullstendig oppløst, men slik at den erholdte aluminiumsmelte blir i det minste vidtgående mettet med silicium ved ekstraksjonstemperaturen, da det ikke er noen fordel med et overskudd av aluminium da dette bare betinger ytterligere omkostninger.
Hva gjelder vektforholdet mellom aluminium-silicium-blandingssmelte og aluminiumsulfidekstraksjonssmelte under ekstråksjonen, har et forhold av 1:0,5-1:1,5 vist seg å
være spesielt gunstig selv om også andre vektforhold kan anvendes. Selv ved et vektforhold av 1:0,1 fås en god renseeffekt, riktignok efter lengre ekstraksjonstider, og en god renseeffekt kan også oppnås ved anvendelse av vektforhold med en høyere andel av aluminiumsulfidekstraksjonssmelte enn.den andel som svarer til det angitte forhold av 1:1,5, hvorved imidlertid i dette tilfelle renseeffekten hverken blir forbedret eller påskyndet da henstandstiden efter gjennomblandingen må forlenges. Også i det sistnevnte tilfelle vil selvfølgelig omkostningene øke da større smelte-mengder vil måtte holdes på en høy temperatur.
For å gjøre ekstraksjonstiden kortere lønner det seg
å øke kontaktflatene mellom de to smelter ved hjelp av en egnet god gjennomblanding. Ifølge den foretrukne utførelses-form av den foreliggende fremgangsmåte kan dette oppnås ved omrøring, hvorved virkningen kan økes dersom røreverket blir trinnvis vertikalt forskjøvet og avvekslende gis forandret dreieretning. En egnet røreanordning er f.eks. et skovlrøre-verk som på grunn av dets utformning gir en virkemåte som er analog med virkemåten av en skipspropell, idet skovlrøre-verket fortrinnsvis er vertikalt forskyvbart. Som materiale for et slikt røreverk er fremfor alt carbon, spesielt grafitt, egnet.
Efter at råsiliciumholdig aluminium og aluminiumsulfid-ekstraks jons.smelten er blitt innført og smeltet, foretas med fordel en omrøring under en beskyttende gass i 1-3 timer, selvfølgelig avhengig av omrøringsintensiteten og dessuten av røreverkets og ekstraksjonsbeholderens dimensjoner. Som be-skyttelsesgass er f.eks. nitrogen eller argon egnede. Efter omrøringsfasen følger en såkalt beroligelsefase som gjennomsnittlig likeledes varer i 1-3 timer og under hvilken røre-verket er stanset og eventuelt er fjernet fra slaggen, og som resultat vil de små aluminiumdråper med det oppløste silicium synke fra ekstraksjonssmelten ned i metallsumpen.
Derefter blir de to smelter skilt fra hverandre, og aluminium-silicium-blandingssmelten blir senket til en temperatur av ikke under 600°C (eutektikumets temperatur 577°C!), fortrinnsvis til 650-700°C, og med fordel med 0,5-3°C pr. minutt.
Derefter blir blandingen overført fra digelen hvori den er blitt avkjølt, til fortrinnsvis en oppvarmbar sentrifuge for å fraskille de små utkrystalliserte siliciumplater ved at det flytende aluminium blir slynget ut. Sentrifugekurven og utkrystalliseringsdigelen kan bestå av et keramisk materiale eller av carbon, idet sentrifugekurven også kan bestå av stål. Det er også mulig for separering av blandingen å filtrere av de utkrystalliserte små siliciumplater f.eks. med kvartsull. De små siliciumplater som er blitt fraskilt ved hjelp av den ene eller den annen metode, blir for å fjerne restaluminiumet efter avkjølingen f.eks. renset med fortynnet, vandig saltsyre eller alkohol, idet ved den sistnevnte metode under anvendelse av ethanol rimelig aluminiumethylat dannes som omsetningsprodukt. For å fraskille også fremdeles innesluttet aluminium er det fordelaktig å nedmale de små siliciumplater til en størrelse av ca. 50^,um og på ny å utlute disse med fortynnet saltsyre eller alkohol, hvorved aluminiuminnholdet kan senkes til 400-600 ppm (basert på vekt) tilnærmet svarende til den maksimale oppløselighet for aluminium i silicium ved separeringstem-peraturen. Et slikt aluminiuminnhold i siliciumet kan tolereres som grunndoping i enkelte polykrystallinske sol-celletyper, mens aluminiuminnholdet ellers kan reduseres ytterligere ved hjelp av kjente metoder, som f.eks. slaggrensing, retningsorientert størkning eller avdampning under vakuum, alene eller i kombinasjon med hverandre. Dersom f.eks. slaggrensing anvendes, hvor siliciumet innføres i en ekstraksjonssmelte som f.eks. kan bestå av jordalkali-silikater og/eller jordalkalifluorider, kan den forutgående utluting med saltsyre eller alkohol dessuten sløyfes.
Det fraskilte aluminium oppviser, avhengig av den temperatur til hvilken det ble avkjølt for utkrystallisering av siliciumet, fremdeles et siliciumrestinnhold av 15-20
atom% som imidlertid ikke går tapt da aluminiumet derpå
igjen tilføres til ekstraksjonsdigelen for opptak av en ny charge råsilicium og derfor med fordel oppvarmes til 1000-1050°C. Aluminiumtap som oppstår på grunn av opparbeidelsen, blir fra tid til annen kompensert ved tilsetning av ferskt aluminium.
Forurensningene fra råsiliciumet blir på grunn av ekstraksjonssmelten i det vesentlige omdannet til sulfidiske for-bindelser som blir tilbake i slaggen i oppløst tilstand eller som avdampes fra systemet. Dersom ekstraksjonssmelten er blitt for sterkt anriket med forurensninger, vrakes slaggen og erstattes med ferskt aluminiumsulfid med tilsvarende tilslag av aluminiumoxyd.
Eksempel
En carbondigel med lokk ble anvendt som ekstraksjonsdigel som var forsynt med en gjennomføring for et propellrøreverk
av grafitt.
5 kg råsilicium (renhet 98%, kornstørrelsesfordeling
2-5 mm) og 5,5 kg aluminium (renhet 99,9%) ble fylt i denne digel og ved hjelp av en motstandsoppvarmningsanordning hvori digelen var anbragt, smeltet under en nitrogenatmos-fære og oppvarmet til ca. 1050°C. Derefter ble 8 kg aluminium-sulf idpulver (renhet 99,9%) tilsatt sammen med 2,5 kg korund-pulver (renhet 99,9%). Også efter smeltingen av aluminium-sulf idekstraks jonssmelten ble temperaturen holdt ved ca. 1050°C og blandingen omrørt i ca. 2 timer med et omdreinings-tall av 100-200 o/min, idet propellrøreverket ble trinnvis vertikalt forskjøvet og fremadrettet og tilbakerettet omdreiet.
Derefter ble røreverket slått av og trukket oppad ut fra smeiten. Efter ytterligere ca. 1,5 timer ved en vidtgående konstant temperatur av ca. 1050°C ble aluminium-silicium-blandingssmelten tappet og avkjølt i en ytterligere carbondigel til ca. 700°C i løpet av 4 timer. Derefter ble de utkrystalliserte små siliciumplater filtrert på et filter av presset kvartsull og vasket med 20 vekt%-ig vandig saltsyre. Efter filtreringen ble de små siliciumplater nedmalt i en wolframcarbidkulemølle til en gjennomsnittlig stykkstørrelse av ca. 50yum og på ny vasket med fortynnet, vandig saltsyre. Efter den fornyede filtrering og vasking med syre ble ca.
3,9 kg silicium erholdt med de nedenstående analyseverdier som ble bestemt med et atomabsorpsjonsspektrometer: under 600 ppm aluminium, og dessuten jern, kalsium og kobber under påvisbarhetsgrensen. Innholdet av bor og fosfor ble kolori-metrisk bestemt til hhv. 2 ppm og 0,2 ppm.
For en annen syklus ble det smeltede, flytende aluminium som fremdeles inneholdt ca. 20 atom% silicium, oppvarmet til ca. 1100°C, og 4 kg silicium med den ovenfor angitte spesifika-sjon ble tilsatt. Efter at siliciumet var blitt oppløst, ble smeiten med den i ekstraksjonsdigelen qjenværende aluminiumsulfidekstraksjonssmelte igjen renset, og forøvrig ble det gått frem analogt med den første rensesyklus. Ca. 4 kg silicium med de ovenfor angitte analyseverdier ble erholdt.

Claims (6)

1. Fremgangsmåte ved rensing av råsilicium ved oppløsning av råsiliciumet i aluminium og behandling med en ekstraksjonssmelte, karakterisert ved at blandingssmelten som fås ved oppløsning av silicium i aluminium bringes i kontakt med en ekstraksjonssmelte på basis av aluminiumsulfid, og at silicium derefter utkrystalliseres ved langsom avkjøling av aluminium-silicium-blandingssmelten til ikke under 600°C og fraskilles.
2. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at aluminium-silicium-blandingssmelten ekstraheres med aluminiumsulfidsmelten ved en temperatur av 1000-1050°C.
3. Fremgangsmåte ifølge krav 1 eller 2, karakterisert ved at det tilsettes en aluminium-sulf idekstraks jonssmelte inneholdende 20-40 vekt% aluminiumoxyd.
4. Fremgangsmåte ifølge krav 1-3, karakterisert ved at ekstraksjonen utføres med aluminium-silicium-blandingssmelten og aluminiumsulfid-ekstraks jonssmelten i et vektforhold av 1: 0,5-1:1,5.
5. Fremgangsmåte ifølge krav 1-4, karakterisert ved at aluminium-silicium-blandingssmelten og aluminiumsulfidekstraksjonssmelten bringes i kontakt med hverandre ved at de to smelter røres inn i hverandre.
6. Fremgangsmåte ifølge krav 1-5, karakterisert ved at aluminium-silicium-blandingssmelten avkjøles med en hastighet av 0,5-3°C pr. minutt for utkrystallisering av siliciumet.
NO803355A 1979-11-08 1980-11-07 Fremgangsmaate ved rensing av raasilicium. NO154192C (no)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792945072 DE2945072A1 (de) 1979-11-08 1979-11-08 Verfahren zum reinigen von rohsilicium

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NO803355L NO803355L (no) 1981-05-11
NO154192B true NO154192B (no) 1986-04-28
NO154192C NO154192C (no) 1986-08-06

Family

ID=6085448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO803355A NO154192C (no) 1979-11-08 1980-11-07 Fremgangsmaate ved rensing av raasilicium.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4308245A (no)
EP (1) EP0028811B1 (no)
JP (1) JPS5669218A (no)
AT (1) ATE1495T1 (no)
AU (1) AU538502B2 (no)
CA (1) CA1116832A (no)
DE (2) DE2945072A1 (no)
NO (1) NO154192C (no)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NO152551C (no) * 1983-02-07 1985-10-16 Elkem As Fremgangsmaate til fremstilling av rent silisium.
NO180532C (no) * 1994-09-01 1997-05-07 Elkem Materials Fremgangsmåte for fjerning av forurensninger fra smeltet silisium
NO329987B1 (no) 2009-02-26 2011-01-31 Harsharn Tathgar Halvkontinuerlig fremgangsmate for dannelse, separasjon og smelting av store, rene silisiumkrystaller
US8562932B2 (en) * 2009-08-21 2013-10-22 Silicor Materials Inc. Method of purifying silicon utilizing cascading process
CN101712474B (zh) * 2009-09-08 2011-09-28 南安市三晶阳光电力有限公司 采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法
KR101663435B1 (ko) * 2012-06-25 2016-10-14 실리코르 머티리얼즈 인코포레이티드 알루미늄의 정제 방법 및 실리콘을 정제하기 위한 정제된 알루미늄의 용도
HUP1500509A1 (hu) * 2015-10-29 2017-05-29 Bay Zoltan Alkalmazott Kutatasi Koezhasznu Nonprofit Kft Mernoeki Divizio Eljárás szilícium kristályok dúsítására és elválasztására fémolvadékból szilícium tisztítására

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT200106B (de) * 1956-12-24 1958-10-25 Degussa Verfahren zur Herstellung von reinstem Silizium
FR1194484A (fr) * 1958-01-24 1959-11-10 Electro Chimie Soc D Procédé d'obtention de silicium pur par cristallisation fractionnée
US3097068A (en) * 1959-05-29 1963-07-09 Union Carbide Corp Crystallization of pure silicon platelets
US3396012A (en) * 1965-10-04 1968-08-06 Dow Chemical Co Recovery of silicon from alloys thereof and from silicon sulfides
EP0002135B1 (en) * 1977-11-21 1982-11-03 Union Carbide Corporation Improved refined metallurgical silicon and process for the production thereof
US4195067A (en) * 1977-11-21 1980-03-25 Union Carbide Corporation Process for the production of refined metallurgical silicon

Also Published As

Publication number Publication date
EP0028811B1 (de) 1982-09-01
EP0028811A1 (de) 1981-05-20
US4308245A (en) 1981-12-29
JPS5669218A (en) 1981-06-10
DE3060811D1 (en) 1982-10-28
ATE1495T1 (de) 1982-09-15
AU6424580A (en) 1981-05-14
CA1116832A (en) 1982-01-26
DE2945072A1 (de) 1981-06-04
NO803355L (no) 1981-05-11
NO154192C (no) 1986-08-06
AU538502B2 (en) 1984-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4312850A (en) Semicontinuous process for the manufacture of pure silicon
US8329133B2 (en) Method and apparatus for refining metallurgical grade silicon to produce solar grade silicon
CN101855391B (zh) 用于处理硅粉末来获得硅晶体的方法
EP2467330B1 (en) Method of purifying silicon utilizing cascading process
US4539194A (en) Method for production of pure silicon
CN101665253B (zh) 多晶硅提纯方法及用于多晶硅提纯的坩埚、提纯设备
CA1133681A (en) Process for purifying silicon, and the silicon so produced
NO335984B1 (no) Fremgangsmåte for fremstilling av silisium av fotovoltaisk kvalitet
CA1194679A (en) Semicontinuous process for the production of pure silicon
CN101712474B (zh) 采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法
NO154192B (no) Fremgangsmùte ved rensing av rùsilicium.
Lu et al. Improved removal of boron from metallurgical-grade Si by CaO-SiO2-CaCl2 slag refining with intermittent CaCl2 addition
CN102616787B (zh) 一种去除工业硅中硼磷杂质的方法
CN112110450A (zh) 一种冶金级硅中杂质硼去除的方法
CN101775650A (zh) 一种太阳能多晶硅铸锭的制备方法及装置
CN101837980B (zh) 一种采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的方法
CN101671027B (zh) 一种冶金硅提纯方法及一种在线造渣除硼方法
CN102344142A (zh) 一种去除硼的硅提纯方法
CN111472048A (zh) 一种利用多元合金提纯多晶硅的方法
US3726666A (en) Dephosphorization of aluminum alloys by cadmium
JPH0696444B2 (ja) 高純度シリコンの製造方法
CA2153932C (en) Method for refining of silicon
CN110902684A (zh) 一种低硼磷高纯硅的制备工艺
JPH0557341B2 (no)