NL9500518A - Halfgeleidergeheugenschakeling. - Google Patents
Halfgeleidergeheugenschakeling. Download PDFInfo
- Publication number
- NL9500518A NL9500518A NL9500518A NL9500518A NL9500518A NL 9500518 A NL9500518 A NL 9500518A NL 9500518 A NL9500518 A NL 9500518A NL 9500518 A NL9500518 A NL 9500518A NL 9500518 A NL9500518 A NL 9500518A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- region
- type
- voltage
- zone
- channel
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 68
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 12
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 9
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 58
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/403—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh
- G11C11/404—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh with one charge-transfer gate, e.g. MOS transistor, per cell
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7391—Gated diode structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/7722—Field effect transistors using static field induced regions, e.g. SIT, PBT
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/10—DRAM devices comprising bipolar components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
Halfgeleidergeheugenschakeling.
De uitvinding heeft betrekking op eenhalfgeleidergeheugeninrichting met ten minste éénhalfgeleidergeheugencel in een voor de halfgeleider-geheugencellen gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam,waarbij elke halfgeleidergeheugencel is samengesteld uit eentransistor van het overgangstype met een kanaalgebied vaneen eerste geleidingstype en een capaciteit van twee doorisolerend materiaal van elkaar gescheiden eerste en tweedeelektrodegebieden, waarbij het kanaalgebied van develdeffekttransistor ten minste plaatselijk wordt begrensddoor een met een eerste geleider verbonden ringvormigstuurgebied van het aan het eerste geleidingstypetegengestelde tweede geleidingstype en zich in de richtingloodrecht op een hoofdvlak van het halfgeleiderlichaamuitstrekt tussen een met een tweede geleider verbonden, eendeel van lage weerstand bevattend toevoergebied van heteerste geleidingstype en het, het eerste elektrodegebied vande capaciteit vormende opslaggebied van het eerstegeleidingstype.
Een dergelijke halfgeleidergeheugenschakeling is bekenduit het Amerikaanse octrooischrift 3.986.180. Bij eenuitvoeringsvorm van de bekende halfgeleidergeheugen¬inrichting is het opslaggebied gevormd in het aan hethoofdoppervlak grenzende deel van het kanaalgebied enbestaat het tweede elektrodegebied uit het door een dunnelaag isolerend materiaal van het hoofdoppervlak gescheidendeel van een strookvormige metalen geleider. Deze opbouw vande veldeffekttransistor en de condensator maakt het mogelijkom halfgeleidergeheugenschakelingen met een grote dichtheidaan halfgeleidergeheugencel1en te vervaardigen.
De uitvinding beoogt te voorzien in halfgeleider-geheugenschakelingen met een dergelijke opbouw, die bij eengrote werksnelheid en gering energieverbruik kunnen worden' bedreven.
Daartoe voorziet de uitvinding in een halfgeleider-geheugenschakeling van de in de aanhef beschreven soort methet kenmerk, dat de transistor van het overgangstype een bipolaire transistor van het doorslagtype is, dat het, heteerste elektrodegebied van de capaciteit vormende,opslaggebied sterk gedoteerd is en apart van hettoevoergebied is aangebracht, dat het kanaalgebied verarmdi is en een hoge soortelijke weerstand heeft met eendoteringsconcentratie van 10χ cm tot 10'LOcm' , waarbij hetverarmde kanaalgebied zodanige lage doteringen en afmetingenheeft, dat de spanningsverdeling erin een spanningsbarrièrevoor ladingsdragers kan vormen, die onder bestuur van de aanl het stuurgebied aangelegde spanning ten opzichte van de aande genoemde geleiders aangelegde spanning stroom-spanningskarakteristieken van de transistor geeft, dieonverzadigd zijn, waarbij het ene van de toevoer en deopslaggebieden tegen het oppervlak van het halfgeleider-i lichaam aanligt en het andere daarmede in de richtingloodrecht op het oppervlak van het halfgeleiderlichaam isgealigneerd.
Deze keuze van de doteringsstofconcentratie en deafmetingen van het door het stuurgebied omsloten deel van) het kanaalgebied heeft tot gevolg dat de veldeffekt-transistor een niet verzadigde stroomspanningskarakteristiekvertoont.
Hierbij wordt opgemerkt dat een halfgeleiderpoort-schakeling, die is voorzien van in een gemeenschappelijk) halfgeleiderlichaam vormende veldeffekttransistors, waarvande kanaalgebieden van een eerste geleidingstype zich van hethoofdoppervlak van het halfgeleiderlichaam in een richtingloodrecht op het hoofdoppervlak door een aan het hoofd¬oppervlak in het halfgeleiderlichaam gevormd oppervlakte-) gebied van het aan het eerste geleidingstype tegengesteldetweede geleidingstype uitstrekken tot een voor develdeffekttransitors gemeenschappelijk toevoergebied van heteerste geleidingstype bekend is uit de publikatieElectronics 49 (1976, 08, 19) 17, 4E/6E. Bij de voor deze5 halfgeleiderpoortschakelingen toe te passen veldeffekt¬transistors strekkende de verarmingslagen, die - bijafwezigheid van uitwendige spanningen - als gevolg van deaan de gelijkrichtende overgangen tussen het alsgemeenschappelijk stuurgebied dienst doende oppervlakte- gebieden en de kanaalgebieden optredende diffusiepotentiaalworden opgewekt in de kanaalgebieden zich uit over de geheledoorsnede van de kanaalgebieden.
Verder wordt opgemerkt dat uit de publikatie IEEETransactions on Electron Devices 22 (1975, 04) 4, 185/197veldeffekttransistors, die een niet verzadigde stroom-spanningskarakteristiek vertonen, bekend zijn. Deze nietverzadigde stroomspanningskarakteristieken treden op bijals enkelvoudig halfgeleiderelement uitgevoerde veldeffekt-transistors, waarbij het toevoergebied op zeer korteafstand van het stuurgebied is gevormd ter verkleining vande kanaalserieweerstand van het kanaalgebied in de doorverarmingslagen teweeg te brengen afgeknepen toestand.
De uitvinding wordt toegelicht aan de hand van detekening. Hierin toont resp. tonen:
Fig. IA - 1D schematische weergaven van de grondgedachtevan de geheugencel volgens de uitvinding;
Fig. 2A - 2C energiediagrammen voor de geheugencel indrie werktoestanden;
Fig. 3 een equivalentieschema van de geheugencel volgenseen uitvoeringsvorm van de uitvinding;
Fig. 4 - 8 geheugeninrichtingen van het type met eenbipolaire doorslagtransistor (punch-through bipolartransistor) volgens uitvoeringsvormen van de uitvinding, 1 waarin fig. 4 en 5 schematische dwarsdoorsneden zijn vangeheugeninrichtingen; fig. 5B - 5D schematischedwarsdoorsneden zijn van hoe de inrichting volgens fig. 5wordt vervaardigd en fig. 6 - 8 schematische dwarsdoorsnedenzijn van geheugencel1en; en tenslottei Fig. 9 en 10 schematische dwarsdoorsneden van degeheugeninrichtingen volgens andere uitvoeringsvormen van deuitvinding.
Fig. IA, IB, 1C en 1D tonen schema's ter toelichting vande werkprincipes van kenmerkende voorbeelden van dehalfgeleidergeheugencel volgens de uitvinding.
Fig. 2A, 2B en 2C tonen drie wijzen van• spanningsverdeling in een geheugencel als weergegeven infig. IA - 1D.
Fig. IA toont een voorbeeld van een geheugencel met een l Ak. « _ opslaggebied 11 van het n+-type, een kanaalgebied 12 van hetn'-type en een toevoergebied 13 van het n+-type, gevormd ineen halfgeleidersubstraat of ondergrond 15 van het p-type.
In de praktijk kunnen de twee gebieden van het n+-type in deondergrond 15 van het p-type met hoge soortelijke weerstand(dat wil zeggen lage doteringsconcentratie) gevormd worden.In dit stadium vormt de als diffusiepotentiaal optredendespanning tussen de n+ gebieden 11 en 13 en de ondergrondverarmingslagen of spanningsbarrières, die de twee n+-typei gebieden omgeven. Op deze wijze worden geleidingselektronenopgesloten in de n+-type gebieden door de inwendigespanning. Het gebied tussen de twee n+-type gebieden 11 en13 wordt gevormd door een siliciumgebied van het n'-type vanhoge soortelijke weerstand, bijvoorbeeld door diffusie ofί selectieve groei. In dit stadium bestaat eveneens eeningebouwde spanning tussen het gebied 12 van het n'-type ende ondergrond 15 van het p-type, evenals tussen het gebied12 van het n'-type en de gebieden 11 en 13 van het n+-type.De spanningsverdeling in deze geheugencel is weergegeven inl fig. 2A. De spanningsbarrière wordt gevormd tussen hettoevoergebied 13 en het opslaggebied 11 en heeft een hoogteΦ. Verondersteld wordt, dat het opslaggebied 11 en hettoevoergebied 13 in hoofdzaak loodrecht op het halfgeleider-oppervlak (niet weergegeven) staan en dat het opslaggebied> 11 is aangebracht aan de oppervlaktezijde. Wanneer eenpositieve spanning aan het halfgeleideroppervlak wordtaangelegd voor het verhogen van de spanning van het gebied11 van het n+-type ten opzichte van die van het gebied 13van het n+-type, wordt de aangelegde spanning in hoofdzaak) gebruikt in het gedepleteerde gebied van hoge soortelijkeweerstand voor het vormen van een spanningsverdeling alsweergegeven in fig. 2B. De hoogte van de spanningsbarrièreΦ voor elektronen in het gebied 13 van het n+-type in derichting naar het gebied 11 van het n+-type, wordt verlaagd5 en de elektronen in het gebied 13 van het n+-type beginnenover de spanningsbarrière heen naar het opslaggebied 11 tebewegen. Dan wordt het toevoergebied 13 positief geladen(tekort aan elektronen) en het opslaggebied 11 negatief(overmaat aan elektronen) dankzij de stroomvloeiing tussen het toevoergebied 13 en het opslaggebied 11. Bijgevolg wordtde spanningsbarrière Φ tussen het toevoergebied 13 en hetgebied 12 van het n'-type verhoogd en wordt de spanningsvaltussen het gebied 12 van het n'-type en het opslaggebied 11verlaagd. Op deze wijze ontstaat de spanningsverdeling, dieis weergegeven met de onderbroken lijn in fig. 1B. Bijgevolgneemt de stroomvloeiing geleidelijk af en houdt uiteindelijkop. Indien de spanning, die aan het halfgeleideroppervlakwordt aangelegd, gedurende het laadproces wordtuitgeschakeld, wordt het opslaggebied 11 negatief geladen enhet toevoergebied positief. Op deze wijze wordt de spanning(voor elektronen) van het opslaggebied 11 hoger dan die vanhet toevoergebied 13 in tegenstelling tot de spannings¬verdeling bij het oplaadproces. Deze toestand is in fig. 2Cweergegeven.
Men kan zien, dat het toevoergebied en het opslaggebiedverwisseld kunnen worden. Het opslaggebied slaat namelijkvrije ladingsdragers op, zoals beschreven is, maar hetopslaggebied kan eveneens gedepleteerd worden (vrijeladingsdragersverliezen). Met andere woorden kan hetzijovermaat van ladingsdragers of tekort aan ladingsdragers alsgeheugentoestand gebruikt worden. In dit geval zal,afhankelijk van de doteringsconcentratie van de ondergrond15 en eveneens door het effektieve bereik van het elekrischeveld, dat door deze ladingen gevormd wordt, despanningsverdeling veranderen van de getrokken kromme tot inde onderbroken kromme (die het geval weergeeft van eenideale isolator, d.w.z. oneindige Debye lengte).
Wanneer de lekstrook van het opslaggebied beschouwdwordt, verdient het niet de voorkeur dat het gebied met hogesoortelijke weerstand zich te ver uitbreidt tot debuitenzijde van het opslaggebied tot in de ondergrond. Vooreen snelle werking van een geheugencel is het van belang decapaciteit te verlagen die behoort bij de pn overgang(d.w.z. de breedte van de depletielaag te vergroten) zodathet doelmatig is een laag van hoge soortelijke weerstandnabij en rondom de n+-type gebieden 11 en 13 aan te brengen.Verder verdient het vanuit een vervaardigingsoogpunt van eenhalfgeleiderinrichting de voorkeur het omgevende gebied te laten bestaan uit een halfgeleidergebied met eengelijkmatige doteringsconcentratie. Er bestaat een optimaledoteringsconcentratie van de ondergrond voor eenhalfgeleiderinrichting met een bepaalde (gewenste)werksnelheid. In de geheugenceistrukturen, die in fig. 1B, 1C en 1D zijn weergegeven, is de voorkoming van lekstroomverbeterd. In fig. 1B en 1C wordt het verbindingskanaal-gebied 12 smaller gemaakt in vergelijking met ten minste hetopslaggebied of het toevoergebied. In fig. 1D wordt hetverbindingskanaalgebied 12 zodanig gevormd, dat het eenzogenaamde "normaal uit" struktuur vormt, waarin de dragersdoor het centrale gebied van het kanaalgebied 12 bewogenworden, dat geopend wordt door de inleesspanning envervolgens gesloten na het opslaan van de ladingsdragers,hetgeen tot stand wordt gebracht door het uitschakelen vande inleesspanning.
Het uitlezen van de opgeslagen gegevens kan opverschillende wijzen plaatsvinden. De eenvoudigste wijze ishet uitbreiden van het toevoergebied tot de buitenzijde ende aanwezigheid of afwezigheid van een stroom te detecteren,wanneer een uitleesspanning wordt aangelegd. In fig. 2C iszichtbaar, dat de invloed van de opgeslagen lading zichuitbreidt tot de buitenzijde van het opslaggebied 11,kenmerkend voor de Debye lengte. Bijgevolg is het, wanneereen taster gevoelig is voor een elektrisch veld of eenelektrische spanning en wordt aangebracht nabij hetopslaggebied binnen de Debye lengte, mogelijk de opgeslageninformatie niet destructief af te tasten. Een FET of SIT kanbijvoorbeeld nabij het opslaggebied 11 worden aangebrachtbinnen de Debye lengte voor het detecteren van deverandering van weerstand door het elektrische veld. Bijwijze van alternatief kan een halfgeleiderdiode verbondenzijn tussen de toevoer- en opslaggebïeden op zodanige wijze,dat de opgeslagen lading niet door de diode zal vloeien.Wanneer bijvoorbeeld het opslaggebied is gevormd met eengebied van het n+-type en elektronen opslaat, wordt de anodevan een diode met het opslaggebied verbonden. In eendergelijk geval zal een uitleesimpuls van negatievepolariteit aan het brongebied worden aangelegd. Wanneer er geen geheugeninhoud is (geen overmaat elektronen) in hetopslaggebied, zal de uitleesimpuls een veld in degeleidingsrichting over de diode vormen en kan stroomvloeien. Wanneer er een geheugeninhoud is (overmaatelektronen) in het opslaggebied, verlaagt de uitleesimpulsslechts het keerveld over de diode en kan geen stroomvloeien. Op deze wijze kan een niet-destructieve uitlezingtot stand worden gebracht door het aftasten van deafwezigheid van een stroom. Verschillende conventionelemethoden kunnen gebruikt worden voor het uitlezen van deopgeslagen geheugeninhoud. Een van de meest effektieveuitlezingen voor het verbeteren van de integratiedichtheiden het discriminatievermogen is het aanleggen van eenelektrisch veld tegengesteld aan de richting, die gebruiktwerd bij het opslagproces. Het geheugen kan uitgelezenworden door de terugstroming van de stroom vanuit deopslagcel 11 naar het toevoergebied 11 via de stroom-koppeling of een statische koppeling af te tasten. Op dezewijze is, tenzij het geheugen met een zeer kleine stroom| wordt uitgelezen, het leesproces destructief. Een anderedestructieve uitlezing bestaat in een methode, waarin eenleespanning van dezelfde polariteit als die van deopslagspanning aan de opslagcel wordt aangelegd en deafwezigheid of de verlaging van de stroom wordt uitgelezen» als geen geheugeninhoud.
Zoals uit de bovenstaande beschrijving blijkt, ligt hethoofdprincipe in het memoriseren of een lading zich in eencel aan de ene zijde of in een cel aan de andere zijdebevindt. Dit kan een ping-pong of volleybal-geheugen genoemdi worden. Als een wijziging van dit ping-pong-geheugen kan decel aan één zijde op een gemeenschappelijke spanning wordengehouden en de spanning van de andere cel of destroomvloeiïng vanuit de andere cel gedetecteerd worden voorhet aftasten van opgeslagen informatie. Ook kunnen er velei variaties in een dergelijk ping-pong-geheugen aangebrachtworden, zoals de vakman duidelijk zal zijn.
In het volgende worden concrete uitvoeringsvormen van dehalfgeleidergeheugenschakeling volgens de uitvindingbeschreven.
Fig. 3A toont een equivalente basisketen, die vantoepassing is op de meeste onderstaande uitvoeringsvormen.Hier is een capaciteit 101 verbonden met één van destroomelektroden (weergegeven als het afvoergebied in defiguur) van een veldeffekttransistor 100 van het statischeinductietype. Een stuurelektrode van transistor 100 isverbonden met de adreslijn 124 en een toevoergebied isverbonden met een cijferlijn 123. De capaciteit 101 wordtten minste gedeeltelijk gevormd door de afvoercapaciteit.
De transistor van het statische inductietype 100 wordtgevormd met een bipolaire transistor van het doorslagtype(punch-through type) met een in hoofdzaak afgeknepenbasisgebied.
Deze bipolaire transistor van het doorslagtype (punch-through bipolar transistor) is werkzaam als statischeinductietransistor, wanneer het basisgebied nagenoegvolledig gedepleteerd is (afgeknepen) en toch een spannings-barrière vormt voor ladingsdragers in het emittorgebied.Hoewel de struktuur van het bipolaire type gebieden bevatvan twee geleidingstypen in de stroombaan (d.w.z. emittor-en collectorgebieden van één geleidingstype en eenbasisgebied van het andere geleidingstype) is hetbasisgebied van de transistor van het bipolairedoorslagprincipe volgens de uitvoeringsvormen van deonderhavige uitvinding, nagenoeg volledig gedepleteerd.Bijgevolg zal het geleidingstype van het basisgebiednagenoeg volledig zijn betekenis verliezen, met uitzonderingdat het basisgebied geïoniseerde doteerstofatomen bevat vaneen zodanige polariteit, dat ladingsdragers vanuit deemittor- en collectorgebieden worden afgestoten. Daarom isde bipolaire transistor van het doorslagtype volgens deuitvoeringsvormen van de onderhavige uitvinding analoog teachten aan een unipolaire transistor. Wanneer een niet-gedepleteerd gebied van hetzelfde geleidingstype nabij eennagenoeg volledig gedepleteerd basisgebied gevormd wordt,zal een dergelijk niet-gedepleteerd gebied in dezebeschrijving een "poortgebied" worden genoemd.
Fig. 4 toont een schematische doorsnede van geheugen-cellen van het bipolaire doorslagtransistortype volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding. Elke geheugencel bevateen ondergrond 715 van het p-type, een toevoergebied 713 vanhet n+-type, een gebied 713' van het n"-type (dat alstoevoergebied gebruikt kan worden maar ook achterwegegelaten indien dit gewenst is), een gebied 711' van het n‘-type, een opslaggebied 711 van het n+-type, een basisgebied754 van het p-type tussen het gebied 711' van het n'-type,en 713' een metaallaag 721, die op het n+-type opslaggebied711 is aangebracht met daartussen een isolatiegebied 716,waarbij een isolatiegebied 718 is aangebracht tussenaangrenzende geheugencel1en en deze van elkaar scheidt, eenpoortgebied 714 van het p-type aanligt aan het basisgebied754 van het p-type en een metaalgebied 724, dat verbonden ismet het poortgebied 714 van het p-type.
Wanneer een inleesbewerking wordt uitgevoerd, wordt despanning van de opslagcel 711 verlaagd via de spanning op demetaalelektrode 721 en tegelijk wordt een zodanige spanningin de geleidingsrichting aangelegd aan de poortelektrode724, dat de in het kanaalgebied gevormde spanningsbarrièreverkleind wordt door het versmallen en verlagen van hetbarrièregebied in het kanaalgebied tussen het toevoergebied713 en het opslaggebied 711. Daardoor worden ladingsdragershet opslaggebied ingedreven en daarin opgeslagen door eenstroomvloeiïng door het kanaalgebied. Voor opslagcellen,waarin geen dragers (elektronen) moeten worden opgeslagenwordt een dergelijke spanning niet aan de poortelektrode 724aangelegd. Wanneer geheugencel1en een tweedimensionalematrix vormen, kunnen de geheugencel1en bestuurd worden doorde spanning die wordt aangelegd aan de zogenaamdekolomelektrode 721 en de zogenaamde rijelektrode 724.Gedurende de opslagtoestand van de geheugencel1en kan elkeelektrode geaard worden en kan de energievoeding wordenuitgeschakeld.
Wanneer de geheugencel1en uitgelezen moeten worden,wordt de spanningsbarrière van het kanaalgebied verlaagddoor de spanning, die aan de poortelektrode 754 wordtaangelegd en bovendien kan, indien dit nodig is, de spanningvan de toevoergebieden 713 en 713' enigszins verlaagdworden.
Fig. 5 toont een schematische doorsnede doorhalfgeleidergeheugencellen van het bipolaire doorslagtypevolgens een verdere uitvoeringsvorm van de uitvinding. Degeheugeninrichting bevat een ondergrond 715 van het p-type,i toevoergebieden 713 van het n+-type, die zijn ingebed in deondergrond 715, een gebied 713' van het n'-type, basis¬gebieden 754 van het p-type tussen het toevoergebied 713 ende opslaggebieden 711, isolatiegebieden 718 tussen degeheugencellen en metaalgebieden 721, die op hetI opslaggebied 711 zijn aangebracht via de isolerende laag718. In dit geval wordt geen elektrode voor het basisgebied754 aangebrcaht. Het basisgebied 754 is gevormd uit eenhalfgeleider van het p-type (of een intrinsieke) met eenhoge soortelijke weerstand. De opslagcel is voorzien van eeni metaalisolator-halfgeleiderstruktuur.
De inleesbewerking van de geheugencel wordt in hoofdzaaktot stand gebracht door een positieve spanning, die aan dezogenaamde kolomelektrode 721 wordt aangelegd, terwijl deuitleesbewerking in hoofdzaak wordt uitgevoerd door de) positieve spanning, die aan de zogenaamde rij elektrode 713(toevoergebied) wordt aangelegd. Indien aanvullendeelektroden in het poortgebied 754 worden aangebracht, zal dewerkprestatie van de geheugencel nog worden verbeterd.
Fig. 5B, 5C en 5D tonen schematisch de vervaardigings-j stappen van de geheugencellen, die in fig. 36A zijnweergegeven. Fig. 5B toont de stap, waarin het toevoergebied713 van het n+-type wordt gevormd door gebruik te maken vanselectieve diffusie van het doteringsstof van het n-type,zoals arseen (As), antimoon (Sb), fosfor (P) en dergelijke, ) onder gebruikmaking van siliciumoxyde (SiC^) voor de laag785, die gevormd is op de ondergrond 715 van silicium van het p-type in de vorm van een masker. De ondergrond heeft . . 14 20 -3 een dotermgsconcentratie van ongeveer 10 tot 10 cm .
De siliciumoxydelaag 785, die in fig. 5B is aangegeven, 5 wordt na de diffusie verwijderd. In fig. 5C worden onder gebruikmaking van de bekende epitaxiale groeimethode een laag 713' van het n-type met een doteringsconcentratie van10 17 -3 ongeveer 10 tot 10 cm , een laag 754 van het p-type met . . 10 17 -3 een dotermgsconcentratie van ongeveer 10 tot 10 cm en een laag 711 van het n-type met een stoorstofconcentratie10 17 -3 van ongeveer 10 tot 10 cm gevormd, waarna hetsiliciumoxyde (S1O2) van de laag 716 door oxydatie gevormdwordt. In de oxydelaag 716 wordt een maskerpatroon (of1 venster) gevormd door gebruik te maken van fotolitho-grafische techniek en het terugspringende deel wordt gevormddoor de laag 754 van het p-type (in sommige gevallen kan delaag 754 van het p-type blijven) door gebruik te maken vangerichte etstechnieken zoals plasma-etsen, chemisch etsen enI versproeiïngsetsen of dergelijke. Vervolgens kan eenisolerend materiaal gevormd worden of neergeslagen en eenoppervlakte-elektrode daarop worden neergeslagen.
Poortelektroden als aangegeven in fig. 35 kunnen gevormdworden door een gericht neerslaan van een isolerendi materiaal, selectief etsen van de isolator, en opdampen ofneerslaan van metaal of polykristallijn silicium.
Fig. 6 toont schematisch een doorsnede door geheugen-cellen van het bipolaire doorslagtype volgens een verdereuitvoeringsvorm van de uitvinding, waarin elke bitlijn van1 andere gescheiden is en omgeven door een gebied van hogesoortelijke weerstand. De inrichting bevat een ondergrond715 van het p-type, gebieden 731 van het n' (of p*) typetussen toevoergebieden van het n+-type en de ondergrond 715,poortgebieden 714 van het p+-type, basisgebieden 754 van heti p'-type, metaallagen 723, kanaalgebieden 711' van hetn'-type, een opslaggebied 711 van het n+-type,isolatiegebieden 716 en 718 die rondom en tussen dedesbetreffende geheugencellen zijn gevormd, enmetaalgebieden 721, die op het opslaggebied 711 gevormd zijn) via de isolerende laag 716. Het toevoergebied (bitlijn) 713is verbonden met het metaalgebied 723 buiten de cel, zodatde spanning van het toevoergebied 713 bestuurd kan wordendoor de spanning, die aan het metaalgebied 723 wordtaangelegd. De struktuur, die gevormd wordt door het> toevoergebied 713 van het n+-type, het kanaalgebied 754 vanhet p'-type en het kanaalgebied 711' van het n'-type, vormtweliswaar een bipolaire transistor, maar het kanaalgebiedvan het p'-type 754 en het kanaalgebied van het n'-type zijnnagenoeg volledig afgeknepen door de, als gevolg van diffusie optredende, inwendige spanning. De afmetingen vandergelijke gebieden, evenals de doteringsconcentraties, zijnop geschikte wijze gekozen voor het vormen van een geschiktespanningsbarrière door de inwendige spanning. Heti metaalgebied 721 (de woordlijn) wordt op het opslaggebied711 gevormd via het isolerende gebied 716. Het isolerendegebied 718 in het terugspringende deel wordt aangebracht omgeheugencellen te scheiden. Het gebied 731 van het n‘- (ofP’·) type en van hoge soortelijke weerstand, dat zich tussen) het toevoergebied 713 en de ondergrond 715 bevindt, isaangebracht voor het verlagen van de capaciteit van debitlijn en voor het verbeteren van de snelle werking van deinrichting.
Fig. 7 toont een doorsnede van een halfgeleidergeheugen-> cel van het bipolaire doorslagtype volgens een verdereuitvoeringsvorm van de uitvinding, waarin het opslaggebiedgevormd is in een lager deel van de geheugencel. Degeheugencel bestaat uit een metaallaag 725, een ondergrond715 van het p+-type, een opslaggebied 711 van het n+-type, ) een kanaalgebied 754 van het p‘-type, een toevoergebied 713van het n+-type, een metaalgebied 723, dat verbonden is methet n+-typegebied 713 van een poortgebied 714 van het p+-type en een gebied 732 van het n-type. De struktuur diegevormd is door het toevoergebied 713 van het n+-type, het5 kanaalgebied 754 van het p‘-type en het opslaggebied 711 vanhet n+-type kan van het bipolaire transistortype geachtworden. Het gebied 754 van het p’-type kan het basisgebiedgenoemd worden, maar is nagenoeg afgeknepen door dedepletielaag die door de inwendige spanning gevormd wordt.
) De stroomvloeiïng tussen het opslaggebied 711 en hettoevoergebied 713 door het kanaalgebied 754 wordt inhoofdzaak bestuurd door de spanningsbarrière, die gevormdwordt door het poortgebied 714 en de spanning, die aan hetmetaalgebied 723 wordt aangelegd.
5 Fig. 8 toont schematisch een doorsnede doorhalfgeleidergeheugencellen volgens een verdere uitvoerings¬vorm van de uitvinding waarin het terugspringende deelrondom de cel is aangebracht. De geheugencel bestaat uit eenmetaallaag 725, een ondergrond 715 van het p+-type, een opslaggebied 711 van het n+-type, een kanaalgebied 754 vanhet p"-type, een poortgebied 714 van het p+-type, eentoevoergebied 713 van het n+-type, isolatiegebieden 716, 717 en 718, gelegen tussen de geheugencellen, en eenmetaallaag 723, die met het toevoergebied 713 verbonden is.De werkprincipes van de geheugencel van fig. 8 zijn analoogaan die van fig. 7. De doorslagstroom tussen geheugencellenvia het poortgebied 714, dat verbonden is met hetmetaalgebied 724 of tussen het poortgebied 714 en deondergrond 705, wordt evenwel op doelmatige wijzeonderdrukt. Verder wordt lekstroom vanuit het toevoergebied713 eveneens verhinderd. Daarom kan een gewenste spanningworden aangelegd, zonder dat een dergelijke lekstroom of eendoorslagstroom optreedt. Deze eigenschap is in het bijzonderwerkzaam om een ruim werkbereik te verkrijgen, wanneer dezegeheugencel wordt toegepast in de techniek van de analogegeheugens.
In de bovenbeschreven geheugencellen van het bipolairedoorslagtype wordt het opslaggebied gevormd door een sterkgedoteerd gebied. Het opslaggebied kan ook niet een sterkgedoteerd gebied zijn, maar gevormd worden met eeninversielaag, zoals te zien is bij de lading-gekoppeldeinrichtingen.
Fig. 9 toont een schema van een doorsnede vanhalfgeleidergeheugencellen volgens een verdere uitvoerings¬vorm van de uitvinding. De geheugencel bevat een ondergrond815 van het p-type, een toevoergebied 813 van het n+-type,gevormd in de ondergrond van het p-type, een kanaalgebied854 van het p‘-type, een opslaggebied 851 van het p"-type,een poortgebied 814 van het p+-type, een isolatiegebied 816,dat op het halfgeleideroppervlak gevormd is, en eenmetaallaag 821, die met het opslaggebied 851 gekoppeld isvia de isolerende laag 816.
Het kanaalgebied 854 van het p"-type is nagenoeg volledig gedepleteerd door de ingebouwde spanning afkomstig van de n+-p"-overgang tussen het gebied 854 van het p"-type en het gebied 813 van het n+-type. De doteringsconcentratie van het gebied 854 van p'-type is ongeveer 10 tot in1610 cm
Wanneer het gewenst is gegevens in de geheugencel in telezen, wordt een spanning, bijvoorbeeld van 10 V, aangelegdaan de metaallaag 821 (de woordlijn). Vervolgens wordenelektronen vanuit het toevoergebied 813 (de bitlijn)geïnjecteerd en opgeslagen in het opslaggebied 851. In deopslagtoestand van de inrichting wordt de spanning van dewoordlijn gehandhaafd op de helft van de inleesspanning,waardoor de elektronen in het opslaggebied 851 wordenopgesloten.
In de geheugencel1en, waarin geen gegevens moeten wordeningelezen (geheugencel1en waarin het niet gewenst is·elektronen te injecteren) wordt de spanning van de bitlijn831, die bij deze geheugencel1en hoort, verlaagd en opnagenoeg dezelfde spanning gehouden als die van de woordlijn821, waardoor verhinderd wordt dat elektronen in degeheugencel geïnjecteerd worden.
Voor het uitlezen van gegevens uit de geheugencel wordtde spanning van de woordlijn 821 verlaagd en op aardspanninggehandhaafd. Vervolgens zullen elektronen, die in hetopslaggebied 821 zijn opgeslagen, naar de bitlijn 813stromen. De elektronen worden bestuurd om door diffusie eneveneens door drift te stromen dankzij de werking van deinwendige spanning van de p+-n‘-overgang, waardoor een hogeelektronensnelheid verkregen wordt en een hoge werksnelheidvoor het inlezen van de cel verkregen kan worden. In hetbijzonder is het elektrische driftveld tussen het oppervlakvan de halfgeleider en het toevoergebied 813 werkzaam voorhet verhogen van de werksnelheid van de geheugencel.
Fig. 10 toont een doorsnede door halfgeleidergeheugen-cellen volgens een verdere uitvoeringsvorm van deuitvinding. Deze struktuur is analoog aan die van fig. 9. Deondergrond 835 is evenwel gevormd uit een isolerendmateriaal of een materiaal van hoge soortelijke weerstand.Het isolerende materiaal kan saffier, spinel of dergelijkezijn. De werkprincipes zijn verder analoog aan die van deinrichting van fig. 9. De isolerende ondergrond 835verbetert evenwel de snelle werking van de inrichting. Zoalseerder vermeld, gebruiken in vergelijking met conventionelehalfgeleidergeheugencellen die in hoofdzaak oppervlakte- geleiding van ladingsdragers gebruiken, de geheugencellenvan fig. 9 en 10 in hoofdzaak geleiding in de massa, diebeheerst wordt door de mobiliteit in de massa. Daardoor kaneen hogere werksnelheid verkregen worden. Indien de afstandtussen de metaalelektrode 821 en de bitlijn 813 wordtgekozen op ongeveer 4 tot 5 pm, is de overgangstijd vanelektronen, die de elektronen nodig hebben om door hetkanaalgebied te stromen, terug te brengen tot op 0,1 nano¬seconde. Verder kan in de struktuur van fig. 9 en 10,evenals die van andere figuren, de capaciteit van elkegeheugencel aanmerkelijk verbeterd worden. Zij bijvoorbeeldaangenomen, dat de middellijn van het opslaggebied 851gelijk is aan 5 pm en dat de hart-tot-hart afstand tussen deopslaggebieden 10 pm bedraagt, dan is een geheugenpatroonmet een dichtheid van 1.000.000 bits/cm^ realiseerbaar,wanneer alleen geheugencellen in beschouwing worden genomen.
Zoals aan de hand van verschillende uitvoeringsvormenbeschreven is, bevat een halfgeleidergeheugencel volgens deuitvinding een toevoer- en een opslaggebied, waarvan er éénniet is aangesloten, en een kanaalgebied, dat hettoevoergebied en het opslaggebied met elkaar verbindt en dateen spanningsbarrière bevat, waarbij de hoogte van dezespanningsbarrière bestuurbaar is met ten minste de spanningvan het toevoergebied ten opzichte van die van hetopslaggebied. Het is duidelijk, dat de spanningsbarrièrebestuurd wordt door de poortspanning. De poortstruktuur vanhet pn-overgangstype wordt duidelijk vervangen door eenSchottkey-barrière of MIS struktuur met inbegrip van een MOSstruktuur. Het halfgeleidermateriaal kan zijn uit de groepsilicium, germanium, III-V verbindingen, II-VI verbindingenen andere halfgeleiders. Halfgeleiders met een bredebandspleet zijn geschikt voor het geven van hogespanningsbarrières. Ook is het isolerende materiaal nietbeperkt tot diegene, welke beschreven zijn. Elk willekeurigisolerend materiaal met geschikte isolerende eigenschappenkan worden toegepast. Verder zal het duidelijk zijn dat dein de figuren weergegeven strukturen in hoofdzaakschematische weergaven zijn ter verduidelijking van deuitvindingsgedachte maar geen exacte uitvoeringen tonen. Zo behoudt bijvoorbeeld een ingebed n+-gebied in een ondergrondvan het p+-type niet nauwkeurig zijn vorm, maar vervormt totop zekere hoogte door wegdiffunderen of herverdeling van dedoteerstoffen. Ook kan het terugspringende deel, dat metisolerend materiaal gevormd is, van een willekeurige vormzijn in plaats van de aangegeven vierkante vorm. Verder zijnde doteringsconcentraties in het desbetreffendehalfgeleidergebied slechts voor sommige uitvoerings-voorbeelden genoemd. Het zal voor de vakman duidelijk zijn,i dat in andere uitvoeringsvoorbeelden de doterings¬concentraties en de afmetingen van de desbetreffende'gebieden gemakkelijk bepaald kunnen worden inovereenstemming met het gestelde doel. De terugspringendetoevoerstruktuur, de metalen elektrode, die zich langs dei bitlijn uitstrekt, en het gebied van hoge soortelijkeweerstand, dat de bitlijn omgeeft, zijn aangebracht voor hetverbeteren van de snelle werking. Daarom kunnen zijachterwege worden gelaten in gevallen, waarin een dergelijkehoge snelheid niet vereist is.
Claims (3)
1. Halfgeleidergeheugeninrichting met ten minste één halfgeleidergeheugencel in een voor de halfgeleider- geheugencellen gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam, waarbij elke halfgeleidergeheugencel is samengesteld uit een transistor van het overgangstype met een kanaalgebied van een eerste geleidingstype en een capaciteit van twee door isolerend materiaal van elkaar gescheiden eerste en tweede elektrodegebieden, waarbij het kanaalgebied van de veldeffekttransistor ten minste plaatselijk wordt begrensd door een met een eerste geleider verbonden ringvormig stuurgebied van het aan het eerste geleidingstype tegengestelde tweede geleidingstype en zich in de richting loodrecht op een hoof-dvlak van het halfgeleiderlichaam uitstrekt tussen een met een tweede geleider verbonden, een deel van lage weerstand bevattend toevoergebied van het eerste geleidingstype en het, het eerste elektrodegebied van de capaciteit vormende opslaggebied van het eerste geleidingstype, met het kenmerk, dat de transistor van het overgangstype een bipolaire transistor van het doorslagtype is, dat het, het eerste elektrodegebied van de capaciteit vormende, opslaggebied sterk gedoteerd is en apart van het toevoergebied is aangebracht, dat het kanaalgebied verarmd is en een hoge soortelijke weerstand 13 - 3 heeft met een doteringsconcentratie van 10 cm tot16 “3 10 cm , waarbij het verarmde kanaalgebied zodanige lagedoteringen en afmetingen heeft, dat de spanningsverdelingerin een spanningsbarrière voor ladingsdragers kan vormen,die onder bestuur van de aan het stuurgebied aangelegdei spanning ten opzichte van de aan de genoemde geleidersaangelegde spanning stroom-spanningskarakteristieken van detransistor geeft, die onverzadigd zijn, waarbij het ene vande toevoer en de opslaggebieden tegen het oppervlak van hethalfgeleiderlichaam aanligt en het andere daarmede in dei richting loodrecht op het oppervlak van het halfgeleider¬lichaam is gealigneerd.
2. Halfgeleidergeheugeninrichting volgens conclusie 1,met het kenmerk, dat het kanaalgebied en hetopslaggebied het genoemde tweede geleidingstype hebben, dathet opslaggebied is aangebracht in de nabijheid van hetoppervlak van het halfgeleiderlichaam en dat de geheugencelverder een isolerende laag bevat, die op het oppervlak vanhet halfgeleiderlichaam is gevormd, waarbij de middelen voorhet vormen van een tweede elektrode een geleidende elektrodebevatten, die op de genoemde isolerende laag gevormd is.
3. Halfgeleidergeheugeninrichting volgens conclusie 1,met het kenmerk, dat het opslaggebied hetgenoemde ene geleidingstype heeft en een gedeelte van lageweerstand bevat en dat het kanaalgebied een lage doterings-concentratie en zodanige afmetingen heeft, dat het kanaal¬gebied in hoofdzaak verarmd wordt door de invloed van de pnovergangen tussen de kanaal- en toevoergebieden en tussen dekanaal- en opslaggebieden zonder dat enigerlei voorspanningwordt aangelegd tussen de genoemde lijn en de genoemdetweede elektrode van de capaciteit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL9500518A NL9500518A (nl) | 1977-02-21 | 1995-03-16 | Halfgeleidergeheugenschakeling. |
Applications Claiming Priority (16)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1846577A JPS53103330A (en) | 1977-02-21 | 1977-02-21 | Semiconductor memory |
| JP1846577 | 1977-02-21 | ||
| JP52020653A JPS5852348B2 (ja) | 1977-02-26 | 1977-02-26 | 半導体メモリ |
| JP2065377 | 1977-02-26 | ||
| JP52035956A JPS5837995B2 (ja) | 1977-03-30 | 1977-03-30 | 半導体メモリ |
| JP3595677 | 1977-03-30 | ||
| JP3630477A JPS53121528A (en) | 1977-03-31 | 1977-03-31 | Semiconductor memory |
| JP3630477 | 1977-03-31 | ||
| JP3790577A JPS53123040A (en) | 1977-04-02 | 1977-04-02 | Semiconductor memory |
| JP3790577 | 1977-04-02 | ||
| JP8322677 | 1977-07-11 | ||
| JP8322677A JPS5418284A (en) | 1977-07-11 | 1977-07-11 | Semiconductor memory |
| NL7801879 | 1978-02-20 | ||
| NL7801879A NL191683C (nl) | 1977-02-21 | 1978-02-20 | Halfgeleidergeheugenschakeling. |
| NL9500518 | 1995-03-16 | ||
| NL9500518A NL9500518A (nl) | 1977-02-21 | 1995-03-16 | Halfgeleidergeheugenschakeling. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL9500518A true NL9500518A (nl) | 1995-06-01 |
Family
ID=27563828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL9500518A NL9500518A (nl) | 1977-02-21 | 1995-03-16 | Halfgeleidergeheugenschakeling. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| NL (1) | NL9500518A (nl) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3914749A (en) * | 1974-12-23 | 1975-10-21 | Ibm | D.C. stable single device memory cell |
-
1995
- 1995-03-16 NL NL9500518A patent/NL9500518A/nl not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3914749A (en) * | 1974-12-23 | 1975-10-21 | Ibm | D.C. stable single device memory cell |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| W.H. CHANG AND R.R. TROUTMAN: "Ungated Field-effect Transistor Memory Cell", IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN., vol. 17, no. 8, January 1975 (1975-01-01), NEW YORK US, pages 2222 - 2223, XP002043796 * |
| W.P. NOBLE JR: "Bulk Access-surface Storage Memory Cells", IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN., vol. 16, no. 10, March 1974 (1974-03-01), NEW YORK US, pages 3170 - 3172, XP002043795 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5883406A (en) | High-speed and high-density semiconductor memory | |
| JP4130486B2 (ja) | パワーｍｏｓｆｅｔ | |
| US4963951A (en) | Lateral insulated gate bipolar transistors with improved latch-up immunity | |
| US4590509A (en) | MIS high-voltage element with high-resistivity gate and field-plate | |
| US5489787A (en) | Semiconductor device having an insulated gate field effect transistor and exhibiting thyristor action | |
| US4284997A (en) | Static induction transistor and its applied devices | |
| JP5325198B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| US5808328A (en) | High-speed and high-density semiconductor memory | |
| EP0417738B1 (en) | Power semiconductor device | |
| JP4132070B2 (ja) | 輪郭形成タブ・フェルミスレショルド電界効果型トランジスタとその製造方法 | |
| KR910020923A (ko) | 파워트랜지스터 디바이스 및 제조방법 | |
| JPS5813031B2 (ja) | Ｍｏｓトランジスタ | |
| KR19990082088A (ko) | 드레인 전계 종결 영역을 구비하는 단채널 페르미-문턱 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| US20080157117A1 (en) | Insulated gate bipolar transistor with enhanced conductivity modulation | |
| EP1208600A2 (en) | High voltage semiconductor device having a field plate arrangement | |
| JP4680330B2 (ja) | シリコン・カーバイド・フィールド制御型バイポーラ・スイッチ | |
| KR860008623A (ko) | 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 | |
| KR860008624A (ko) | 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 | |
| KR950001949B1 (ko) | 이중 주입 전계효과 트랜지스터(double injection FET)의 제조방법 | |
| US6084254A (en) | Lateral bipolar mode field effect transistor | |
| KR20040057911A (ko) | 바이폴라 트랜지스터, 전자 회로 및 집적 회로 | |
| US6376880B1 (en) | High-speed lateral bipolar device in SOI process | |
| NL9500518A (nl) | Halfgeleidergeheugenschakeling. | |
| US5345103A (en) | Gate controlled avalanche bipolar transistor | |
| Fischer et al. | Effect of bipolar turn-on on the static current-voltage characteristics of scaled vertical power DMOSFET's |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1A | A request for search or an international-type search has been filed | ||
| BV | The patent application has lapsed |