NL8501932A - Werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamplamp en een inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamplamp en een inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. Download PDF

Info

Publication number
NL8501932A
NL8501932A NL8501932A NL8501932A NL8501932A NL 8501932 A NL8501932 A NL 8501932A NL 8501932 A NL8501932 A NL 8501932A NL 8501932 A NL8501932 A NL 8501932A NL 8501932 A NL8501932 A NL 8501932A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
mercury vapor
vapor lamp
power consumption
level
semiconductor wafer
Prior art date
Application number
NL8501932A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Ushio Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Electric Inc filed Critical Ushio Electric Inc
Publication of NL8501932A publication Critical patent/NL8501932A/nl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
NL8501932A 1984-07-07 1985-07-05 Werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamplamp en een inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. NL8501932A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59139773A JPS6120322A (ja) 1984-07-07 1984-07-07 水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法
JP13977384 1984-07-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8501932A true NL8501932A (nl) 1986-02-03

Family

ID=15253074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8501932A NL8501932A (nl) 1984-07-07 1985-07-05 Werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamplamp en een inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS6120322A (fr)
DE (1) DE3510522A1 (fr)
FR (1) FR2567279B1 (fr)
GB (1) GB2161283B (fr)
NL (1) NL8501932A (fr)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0143814B1 (ko) * 1995-03-28 1998-07-01 이대원 반도체 노광 장치
JP3517583B2 (ja) 1998-03-27 2004-04-12 キヤノン株式会社 露光装置、デバイス製造方法及び放電灯

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2422280A (en) * 1944-07-24 1947-06-17 Curtis Helene Ind Inc Fluorescent illumination
US3813576A (en) * 1972-07-21 1974-05-28 Rca Corp Series regulated power supply for arc discharge lamps utilizing incandescent lamps
US4024428A (en) * 1975-05-19 1977-05-17 Optical Associates, Incorporated Radiation-sensitive control circuit for driving lamp at various power levels
US4190795A (en) * 1977-09-09 1980-02-26 Coberly & Associates Constant intensity light source
GB2014335B (en) * 1978-02-14 1982-06-03 Kasper Instruments Apparatus for prolonging lamp life by minimizing power requirement levels
JPS54108478A (en) * 1978-02-14 1979-08-25 Ushio Electric Inc Printing or transcribing method of semiconductor and discharge lamp suitable for printing or transcription
JPS5858730A (ja) * 1981-10-05 1983-04-07 Hitachi Ltd 投影露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB2161283A (en) 1986-01-08
FR2567279A1 (fr) 1986-01-10
JPS6120322A (ja) 1986-01-29
GB2161283B (en) 1988-09-07
FR2567279B1 (fr) 1990-12-28
DE3510522A1 (de) 1986-02-27
GB8506122D0 (en) 1985-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4580959B2 (ja) 放射源、リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法
US7180575B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP5345443B2 (ja) 露光装置、露光光照射方法、及び表示用パネル基板の製造方法
US4732842A (en) Exposure method of semiconductor wafer by rare gas-mercury discharge lamp
JP5215272B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JPH0614508B2 (ja) ステップアンドリピート露光方法
EP1401248B1 (fr) Source de radiation, dispositif de lithographie et procédé de production de dispositif
JP2000031043A (ja) リソグラフィ装置
NL8501932A (nl) Werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamplamp en een inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
TW200424784A (en) Lithographic projection apparatus comprising a secondary electron removal unit
NL8501933A (nl) Werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamplamp en een inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL8501935A (nl) Werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamplamp en een inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
CN101133365A (zh) 曝光方法、形成凸起和凹陷图案的方法以及制造光学元件的方法
NL8501934A (nl) Werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamplamp en een inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
US4704346A (en) Process for the exposure of semiconductor wafer
US20120156623A1 (en) Semiconductor device manufacturing method, exposure method for exposure apparatus, exposure apparatus, and light source for exposure apparatus
Ury et al. New deep ultraviolet source for microlithography
JP3115822B2 (ja) 紫外線照射装置およびその照射方法
JPS6146023A (ja) 超高圧水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法
US3764210A (en) A lighting system for a halogen lamp in a duplicating machine
JPS6120323A (ja) 水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法
JPS6254440A (ja) 半導体ウエハの露光方法
EP1865356A2 (fr) Adressage amélioré d'un slm
JPS6120327A (ja) 超高圧水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法
JPS6254439A (ja) 半導体ウエハの露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed