JPS5858730A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPS5858730A JPS5858730A JP56157524A JP15752481A JPS5858730A JP S5858730 A JPS5858730 A JP S5858730A JP 56157524 A JP56157524 A JP 56157524A JP 15752481 A JP15752481 A JP 15752481A JP S5858730 A JPS5858730 A JP S5858730A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims 1
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- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 5
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明扛プロジェクションアライナに関し、特にウェー
ハ上での露光照度の安定化を図った照度ＩＩｔＩＩＩｌ
装置を備えたプロジェクションアライナに関するもので
あるう ホトリックラフイエ程のパターン膝元に際して現状では
プロジェクションとコンタクトの比は１：１マスクパタ
ーン像を投影光学系を介しつ工−ハ上に＆Ｉｍ−ｇせる
プロジェクションアライナか使用されるが、良好な焼付
會行なうためにはつ工−ハ上における照度を安定に保持
する必要があり、このためプロジェクションアライナに
は照度匍制御装置を付設している。この照鞭制御装置は
理想的にはウェーハ表面に実際に照射されているｉをセ
ンサにて検出し、この検出値を基準値と比較した結果に
基づいてランプ光量等にフィードバック制御する構成で
あることが好ましいが、ウェーハ面近傍でのセンサによ
る検出はマスクパターンが影になることから、現実的に
は困難であり、シたがってセン′Ｆは光学系内の他の部
位に設置せざる【得ないのか実情である。 ・ このため、従来ではセンサをランプの近傍あるいは照屓
光学糸の凹面礎近傍に配置しているか、これらの位置は
光学系全体からみれば上ｔｌｔＩｉｉｌ（ランプに近い
情）の位置であり、ここから史に多数の元学票子を通過
してウェーハに到る夷光量を正。
ハ上での露光照度の安定化を図った照度ＩＩｔＩＩＩｌ
装置を備えたプロジェクションアライナに関するもので
あるう ホトリックラフイエ程のパターン膝元に際して現状では
プロジェクションとコンタクトの比は１：１マスクパタ
ーン像を投影光学系を介しつ工−ハ上に＆Ｉｍ−ｇせる
プロジェクションアライナか使用されるが、良好な焼付
會行なうためにはつ工−ハ上における照度を安定に保持
する必要があり、このためプロジェクションアライナに
は照度匍制御装置を付設している。この照鞭制御装置は
理想的にはウェーハ表面に実際に照射されているｉをセ
ンサにて検出し、この検出値を基準値と比較した結果に
基づいてランプ光量等にフィードバック制御する構成で
あることが好ましいが、ウェーハ面近傍でのセンサによ
る検出はマスクパターンが影になることから、現実的に
は困難であり、シたがってセン′Ｆは光学系内の他の部
位に設置せざる【得ないのか実情である。 ・ このため、従来ではセンサをランプの近傍あるいは照屓
光学糸の凹面礎近傍に配置しているか、これらの位置は
光学系全体からみれば上ｔｌｔＩｉｉｌ（ランプに近い
情）の位置であり、ここから史に多数の元学票子を通過
してウェーハに到る夷光量を正。
確に把握することができないという問題かある。
また、前述のセンサ位ｔｉ１は光学系における結像位置
とは無関係に設定しているためウェハに釧達する全装置
を検出することができないという問題もある。し友がっ
て、従来のプロジェクションアライナでは実測で±４〜
５％の照Ｉｆ変動は避けられず、高品質ウェーハ製作の
障害となっている、したがって本発明の目的はマスクの
直近位置に照度モニタ用センサを配置して照度１１ｉ制
御装置全構成することＫより、ウェーハ上の照度に最も
近い状態の照Ｗｌｔ検出してこれら音制御でき、これに
よ如ウェーハ上での照度変動を抑制して高品質のウェー
ハ製作を可能にしたプロジェクションアライナを提供す
ることＫある。
とは無関係に設定しているためウェハに釧達する全装置
を検出することができないという問題もある。し友がっ
て、従来のプロジェクションアライナでは実測で±４〜
５％の照Ｉｆ変動は避けられず、高品質ウェーハ製作の
障害となっている、したがって本発明の目的はマスクの
直近位置に照度モニタ用センサを配置して照度１１ｉ制
御装置全構成することＫより、ウェーハ上の照度に最も
近い状態の照Ｗｌｔ検出してこれら音制御でき、これに
よ如ウェーハ上での照度変動を抑制して高品質のウェー
ハ製作を可能にしたプロジェクションアライナを提供す
ることＫある。
以下、本発明を図示の実施例に基づいて四明するっ
図は本発明のプロジェクションアライナの全体構成図の
一ガであり、ｌは所定のパターンを形成したマスク、２
Ｆｉこのマスクパターンを焼付露光するウェーハであっ
て、照明用元字糸３にてマスクｌｋ照明し、Ｉｉ！像用
元学光学にてマスクパターンをウェーハ表面にＭ書する
。開明用光学系」は、ランプ５より発するｊｔ、ｔ−コ
ンチンすレンズｂｔ−通してランプ＊’に拡大し友上で
赤外線カットミラー（コールドきラー）Ｂｔ−通し、一
旦レンズ９にてスリン）１０上に集束させる。そして更
に、スリッド１０？通過した光音レンズ１１曳平面鏡１
２鬼凹面鐘１３、レンズ１４にてマスク１上にスリット
元として結僚テせ、マスクの移動によってマスク上′に
走査８せるよう構成する。また、結像用光学系４は平面
ｆＮ１５．１６．１７、凹面鏡１Ｂ、凸面−１９によっ
てマスクパターンｔウエーノ１２表面に結曾し得るよう
に構成しているう一方、照度制御装［２０ｔｌ、前記マ
スク１の直近位置ンこ照度モニタ用のセンサ２１全配設
し、かつランプ５の近傍には調光用センサ２２【配設し
ているうこの調光量セン？２２の出力は１−ｖ変換２３
、平均埴アンプ２４？通して比較値としてマイクロコン
ピュータ２５内の比１！６２６に入力する。また、ｊａ
１度モニタ用のセンサ２１の出力はＦ１＠度に基づいて
演算器２７にて演算して設定＠２ｆ４とし、これを＠配
比較器２６に入力する。そして、この比較器２６の出力
は電源２９とトランス３０との間に介装してトランスの
１次電圧ｒＩＩＩ＠する制御部（スライダックや！０Ｒ
）３１に入力し、トランスの２次電圧を変化してランプ
５の輝度を変化するようにしている。
一ガであり、ｌは所定のパターンを形成したマスク、２
Ｆｉこのマスクパターンを焼付露光するウェーハであっ
て、照明用元字糸３にてマスクｌｋ照明し、Ｉｉ！像用
元学光学にてマスクパターンをウェーハ表面にＭ書する
。開明用光学系」は、ランプ５より発するｊｔ、ｔ−コ
ンチンすレンズｂｔ−通してランプ＊’に拡大し友上で
赤外線カットミラー（コールドきラー）Ｂｔ−通し、一
旦レンズ９にてスリン）１０上に集束させる。そして更
に、スリッド１０？通過した光音レンズ１１曳平面鏡１
２鬼凹面鐘１３、レンズ１４にてマスク１上にスリット
元として結僚テせ、マスクの移動によってマスク上′に
走査８せるよう構成する。また、結像用光学系４は平面
ｆＮ１５．１６．１７、凹面鏡１Ｂ、凸面−１９によっ
てマスクパターンｔウエーノ１２表面に結曾し得るよう
に構成しているう一方、照度制御装［２０ｔｌ、前記マ
スク１の直近位置ンこ照度モニタ用のセンサ２１全配設
し、かつランプ５の近傍には調光用センサ２２【配設し
ているうこの調光量セン？２２の出力は１−ｖ変換２３
、平均埴アンプ２４？通して比較値としてマイクロコン
ピュータ２５内の比１！６２６に入力する。また、ｊａ
１度モニタ用のセンサ２１の出力はＦ１＠度に基づいて
演算器２７にて演算して設定＠２ｆ４とし、これを＠配
比較器２６に入力する。そして、この比較器２６の出力
は電源２９とトランス３０との間に介装してトランスの
１次電圧ｒＩＩＩ＠する制御部（スライダックや！０Ｒ
）３１に入力し、トランスの２次電圧を変化してランプ
５の輝度を変化するようにしている。
以上の構成によればランプ５０元はコンデンサレンズ６
、スリット１０、凹面鏡１３等の照明用ｉ学系３にてラ
ンプ党のスリット僧をマスク１上ＫＭ倫し、マスクパタ
ーンｔ−新たな光源として構成する。そして、結慣用元
学系４は各種の鏡によプマスクパターン像ｔウエーノ・
２．上に結冑シ、マスクパターン全ウェーハに縮小露光
するのである。
、スリット１０、凹面鏡１３等の照明用ｉ学系３にてラ
ンプ党のスリット僧をマスク１上ＫＭ倫し、マスクパタ
ーンｔ−新たな光源として構成する。そして、結慣用元
学系４は各種の鏡によプマスクパターン像ｔウエーノ・
２．上に結冑シ、マスクパターン全ウェーハに縮小露光
するのである。
こＯとき、照度制御装置２０ｔ′１ランプ５の輝［１ｒ
−党用センサ２２にて検出してその増−した平均値【比
較器２６に入力する。一方、同時に照薇モニタ用センサ
２１ｔｉマスク１の直前位置のＳ＊Ｖ検出し、これ【演
算して設定値として比較器２６に人力する。そして、両
者を比較することによシ、マ（りｌ：ｌ：ｊノビエータ
２５ｔｊ制−：部ａｉ１ｒ１ｉ１１ｍしてランプ５に印
加される電圧、すなわちランプ５の輝度ｔ−１１制御す
るものである。これにより、ランプ輝度はマスク上にお
ける照度が常に一定となるように増減ＷＡ御嘔九、マス
クの定照度管可能にするのである。
−党用センサ２２にて検出してその増−した平均値【比
較器２６に入力する。一方、同時に照薇モニタ用センサ
２１ｔｉマスク１の直前位置のＳ＊Ｖ検出し、これ【演
算して設定値として比較器２６に人力する。そして、両
者を比較することによシ、マ（りｌ：ｌ：ｊノビエータ
２５ｔｊ制−：部ａｉ１ｒ１ｉ１１ｍしてランプ５に印
加される電圧、すなわちランプ５の輝度ｔ−１１制御す
るものである。これにより、ランプ輝度はマスク上にお
ける照度が常に一定となるように増減ＷＡ御嘔九、マス
クの定照度管可能にするのである。
したがって、本例によれば照度変動に対する影響の大さ
いレンズ等の透過型の光学素子を通過した光音モニタ用
として検出し、以後の元は照度変動に対する影響の小感
いｔｌｌＫよりウェーハ上に照射されることになるので
、モニタ用り照度はつ工−ハ土の間質とよく対応した！
＠度を検出でき、これにより照度制御装置２０によるウ
ェーハ上での照度変４ｂｋ極めて小さなものにできる。
いレンズ等の透過型の光学素子を通過した光音モニタ用
として検出し、以後の元は照度変動に対する影響の小感
いｔｌｌＫよりウェーハ上に照射されることになるので
、モニタ用り照度はつ工−ハ土の間質とよく対応した！
＠度を検出でき、これにより照度制御装置２０によるウ
ェーハ上での照度変４ｂｋ極めて小さなものにできる。
また、本例ではモニタ用のセンサ２１はランプのスリッ
ト元が結像される位ｆＫ配設しているため、ウェハ上に
到達する全党童に対する照度【検出することができ、モ
ニタによる設定値を更に安定なもの・と ・して制御精
度音高めることかできるのである。
ト元が結像される位ｆＫ配設しているため、ウェハ上に
到達する全党童に対する照度【検出することができ、モ
ニタによる設定値を更に安定なもの・と ・して制御精
度音高めることかできるのである。
なお、前例では照度モニタ用センサｌｖスクの直前の直
近位置に配置しているが、マスクの非パターン都に穴を
設け、この穴の血抜ｔ装置にセンサを配置するようにし
てもよいつ ここで、本発明者が実際に行なったところウェーハ上で
の照度変動を±２Ｘ以下に低減でさ、これにより３μｍ
プロセス製品に適用した場合３十０．３μｍの寸法Ｎ度
ｔｍ持することができたう以上のように本発明のプロジ
ェクションアライナは、照度ｌｌｌ１ｊ御装置の照度モ
ニタ用センサ全Ｖスクの直近位置に配設しているので、
照明用光学系の元学票子によるａ度変動を抑制でき、こ
れによやウェーハ上での照ｆ＆動を防止して良好な露元
會可能とし、高＆質のウェーハ倉高歩留りで製作するこ
とかできるという効果を奏する。
近位置に配置しているが、マスクの非パターン都に穴を
設け、この穴の血抜ｔ装置にセンサを配置するようにし
てもよいつ ここで、本発明者が実際に行なったところウェーハ上で
の照度変動を±２Ｘ以下に低減でさ、これにより３μｍ
プロセス製品に適用した場合３十０．３μｍの寸法Ｎ度
ｔｍ持することができたう以上のように本発明のプロジ
ェクションアライナは、照度ｌｌｌ１ｊ御装置の照度モ
ニタ用センサ全Ｖスクの直近位置に配設しているので、
照明用光学系の元学票子によるａ度変動を抑制でき、こ
れによやウェーハ上での照ｆ＆動を防止して良好な露元
會可能とし、高＆質のウェーハ倉高歩留りで製作するこ
とかできるという効果を奏する。
図は本発明の一実施例の構成図である、１・・・マスク
、２・・・ウェーハ、３・・・照明用光学系、４・・・
結像用光学系、５・・・ランプ、２０・・・胛度制御装
置、２１・・・照度モニタ用センサ、２２・・・Ｍｆ用
竜ンナ、２５・・・マイクロコンピュータ、２６・・・
比較器、２９・・・電源、３１・・・１制御部。
、２・・・ウェーハ、３・・・照明用光学系、４・・・
結像用光学系、５・・・ランプ、２０・・・胛度制御装
置、２１・・・照度モニタ用センサ、２２・・・Ｍｆ用
竜ンナ、２５・・・マイクロコンピュータ、２６・・・
比較器、２９・・・電源、３１・・・１制御部。
Claims (1)
- １、照明用光学系にて照明し次マスクのパターン會結儂
用元学系にてウェーハ上に結像するプロジェクションア
ライナであって、照明用光学系の一部に配置した照度モ
ニタ用センサの検出値に基づいて照明光源の光度を制御
してウェー７１上の照度を安定化させる照度制御装置ｔ
備え、前記照度モニタ用センサ′ｋＩＩｇＩＷｊ２マス
クの直近位置に設けたこと１％像とするプロジェクショ
ンアライナ、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56157524A JPS5858730A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56157524A JPS5858730A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858730A true JPS5858730A (ja) | 1983-04-07 |
| JPH0418454B2 JPH0418454B2 (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=15651547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56157524A Granted JPS5858730A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858730A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6119940A (ja) * | 1984-07-07 | 1986-01-28 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 吸気及び排気方法 |
| JPS6120322A (ja) * | 1984-07-07 | 1986-01-29 | Ushio Inc | 水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法 |
| JPS6146023A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-06 | Ushio Inc | 超高圧水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法 |
| US5679942A (en) * | 1993-08-27 | 1997-10-21 | Kabushiki Kaisha Sankyo Seiki Seisakusho | Magnetic card reader using two multi channel magnetic heads that can read magnetic track data in two separate and distinct directions |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51126071A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-02 | Hitachi Ltd | Mask pattern printing method and the equipment |
| JPS5775533U (ja) * | 1980-10-27 | 1982-05-10 | ||
| JPS57101839A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-24 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposure device for wafer or photomask |
-
1981
- 1981-10-05 JP JP56157524A patent/JPS5858730A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51126071A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-02 | Hitachi Ltd | Mask pattern printing method and the equipment |
| JPS5775533U (ja) * | 1980-10-27 | 1982-05-10 | ||
| JPS57101839A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-24 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposure device for wafer or photomask |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6119940A (ja) * | 1984-07-07 | 1986-01-28 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 吸気及び排気方法 |
| JPS6120322A (ja) * | 1984-07-07 | 1986-01-29 | Ushio Inc | 水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法 |
| JPH0514093B2 (ja) * | 1984-07-07 | 1993-02-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | |
| JPS6146023A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-06 | Ushio Inc | 超高圧水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法 |
| US5679942A (en) * | 1993-08-27 | 1997-10-21 | Kabushiki Kaisha Sankyo Seiki Seisakusho | Magnetic card reader using two multi channel magnetic heads that can read magnetic track data in two separate and distinct directions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0418454B2 (ja) | 1992-03-27 |
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