NL8501934A

NL8501934A - Werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamplamp en een inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.

Info

Publication number: NL8501934A
Application number: NL8501934A
Authority: NL
Original assignee: Ushio Electric Inc
Priority date: 1984-07-07
Filing date: 1985-07-05
Publication date: 1986-02-03
Also published as: JPS6120325A; GB2161285B; DE3510479C2; GB2161285A; FR2567281B1; GB8506124D0; FR2567281A1; DE3510479A1

Description

‘4<* N.Q. 33.058 1

Werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamplamp en een inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.

De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamplamp·

Bij het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, zoals een geïntegreerde schakeling, die op grote schaal, supergrote schaal is ge-5 integreerd, of dergelijke, wordt een foto-fabricageproces uitgevoerd.

Om bijvoorbeeld delen van een siliciumoxidefilm te verwijderen, die op een oppervlak van een substraat, bijvoorbeeld een siliciumplak is gevormd, wordt een foto-fabricageproces volgens een patroon, zoals een schakelingspatroon toegepast. Dit foto-fabricageproces omvat de stap-10 pen, dat een fotogevoelige film over de siliciumoxidefilm op het silιοί umsubst raat wordt gevormd en de fotogevoelige film daarna wordt belicht met ultraviolette stralen via een fotomasker met een beeldpa-troon. Na belichting wordt de fotogevoelige laag ontwikkeld waarna de siliciumoxidefilm wordt onderworpen aan een etsbehandeling. Daarna 15 wordt een schakeling-vormbehandeling, zoals diffusie, ionenimplantatie of dergelijke van het siliciumsubstraat door de aldus geëtste siliciumoxidefilm uitgevoerd.

Een halfgeleiderplak is in het algemeen cirkelvormig, waarbij het oppervlak daarvan is verdeeld in zeer kleine vierkante delen die in 20 rijen en kolommen zijn gerangschikt. Deze zeer kleine delen zullen elk daarna worden gesneden om chips te vormen die de respectieve halfgelei-derinrichtingen zullen zijn. Een halfgeleiderplak heeft in het algemeen een afmeting van 7,6 cm, 12,7 cm of 15,2 cm. De afmetingen van dergelijke halfgeleiderplakken hebben de neiging groter te worden gekoppeld 25 aan voortgangen in de fabricagetechnologie daarvan.

Een kwikdamplamp met een hoog uitgangsvermogen is onvermijdelijk om het gehele oppervlak van een halfgeleiderplak tegelijkertijd te belichten, zodat alle zeer kleine delen direkt worden bedrukt, welke individueel worden gevormd tot chips. De toepassing van een dergelijke 30 kwikdamplamp met een hoog uitgangsvermogen gaat echter gepaard met de problemen dat het belichtingsstelsel waarin de lamp is opgenomen, groot wordt en een zeer grote mate van techniek nodig is voor de belichtings-uniformiteit op het oppervlak van de halfgeleiderplak. Daarom is het zeer moeilijk om in de praktijk tegemoet te komen aan de tendens van 35 het vergroten van halfgeleiderplakken.

Met het oog op het voorgaande is recentelijk voorgesteld om zeer kleine delen die in rijen en kolommen op een halfgeleiderplak zijn ge- - C ^ ^ υ 4 . 2 it i * rangschikt, achtereenvolgens zodanig te belichten, dat patroonbeelden achtereenvolgens worden gedrukt op de respectieve kleine delen. Bij een dergelijke belichtingswerkwijze in stappen wordt een oppervlak dat equivalent is aan slechts een van de zeer kleine delen, in elke belich-5 tingsbewerking belicht. Hierdoor kan bij de stapsgewijze belichtingsme-thode een kwikdamp!amp rnet een laag uitgangsvermogen worden gebruikt, waardoor de wezenlijke voordelen worden bereikt, dat een belichtings-stelsel qua afmeting zou kunnen worden verkleind en de belichting op eenvoudige wijze uniform kan worden gemaakt op het oppervlak van elke 10 halfgeleiderplak, omdat het belichtingsoppervlak klein is. Als gevolg daarvan kan een patroon met een grote mate van nauwkeurigheid worden gedrukt.

Een kwikdamplamp kan echter niet herhaaldelijk in een korte cyclus worden in- en uitgeschakeld, omdat in de uitgeschakelde toestand van de 15 lamp de ingesloten kwikdamp een condensatie ondergaat. Het is daarom voordelig om een kwikdamplamp herhaaldelijk te ontsteken beurtelings op een laag niveau van vermogensverbruik en bij een hoog niveau van vermo-gensgebruik, terwijl de kwikdamplamp in een continue ontstoken toestand wordt gehandhaafd, waarbij een zeer klein deel van een halfgeleiderplak 20 dat een belichtingspositie heeft ingenomen, wordt belicht met licht uit de kwikdamplamp wanneer deze op het hoge niveau van vermogensverbruik is ingeschakeld en waarbij wanneer de kwikdamplamp op het lage niveau van vermogensgebruik is ingeschakeld, de halfgeleiderplak stapsgewijze wordt verschoven, zodat een ander zeer klein deel van de halfgeleider-25 plak, dat aan de volgende belichting moet worden onderworpen, de be-1ichtingspositie kan innemen, terwijl het licht uit de kwikdamplamp door middel van een sluiter wordt geblokkeerd. Op de bovengenoemde wijze kan een vereist niveau van lichthoeveelheid op het hoge niveau van vermogensgebruik worden bereikt en tegelijkertijd wordt de kwikdamplamp 30 in zijn ontstoken toestand op het lage niveau van vermogensverbruik gehouden, terwijl een verspilling van elektrisch vermogen wordt vermeden.

Bij een dergelijke stapsgewijze belichtingswerkwijze wordt het licht uit de kwikdamplamp niet gebruikt terwijl de sluiter gesloten is, 35 hetgeen nadelen tot gevolg heeft, dat een grote hoeveelheid elektriciteit nog wordt verspeeld en de sluiter onderhevig is aan aanzienlijke beschadigingen als gevolg van het blootstellen daarvan aan het licht met hoge energie. De sluiter moet snel werken omdat indien het openen of sluiten daarvan langzaam verloopt, een niet-uniforme belichting van 40 een halfgeleiderplak als gevolg van het langzaam openen of sluiten van J5Q 1 Sc» * t ‘ 3 de sluiter een probleem wordt. Teneinde aan deze eis te voldoen, is het onvermijdelijk dat de sluiter een licht gewicht heeft. Echter zal een sluiter met een licht gewicht beslist resulteren in een slechte warmte-bestendigheid. Als gevolg daarvan heeft een sluiter met een licht ge-5 wicht de neiging te deformeren als gevolg van warmte die wordt opgewekt terwijl het licht wordt afgeschermd, waardoor een foutief funktioneren ontstaat, hetgeen het vloeiend openen en sluiten nadelig beïnvloedt.

In verband met het voorgaande kan gedurende elke gesloten periode van de sluiter, de kwikdamp!amp worden bedreven met een vermogensver-10 bruik dat kleiner is dan het vermogensverbruik daarvan gedurende de belichtingstijd, d.w.z. terwijl de sluiter open wordt gehouden.

Echter is gevonden dat de bovengenoemde belichtingswerkwijze een nieuw probleem met zich meebrengt. Namelijk met het oog op het verlagen van de energiekosten en het verhogen van de hoeveelheid uitgestraalde 15 licht gedurende belichting verdient het steeds meer de voorkeur het verschil tussen het vermogensverbruik van de kwikdamp!amp gedurende de belichting en gedurende de gesloten periode van de sluiter te vergroten. Anderzijds zullen er indien het genoemde verschil te groot is, andere problemen ontstaan, dat wanneer de kwikdamp!amp langer is inge-20 schakeld, de elektroden in een vroeg stadium slijtage zullen ondergaan en de door de kwikdamp!amp uitgestraalde hoeveelheid licht dus wordt verminderd, of dat wanneer de kwikdamplamp op een hoog niveau van vermogensverbruik is ingeschakeld, het vermogensverbruik te hoog is en het omhulsel van de kwikdamplamp zal worden aangetast waardoor de levens-25 duur van de kwikdamplamp wordt verkort, of dat wanneer de kwikdamplamp op het lage niveau van vermogensverbruik is ingeschakeld, de kwikdamp op het omhulsel van de kwikdamplamp zal condenseren en de lichtafgifte van de kwikdamplamp zal worden verminderd.

Met het oog op het voorgaande heeft de uitvinding ten doel te 30 voorzien in een werkwijze voor het belichten van een halfgeleiderplak door middel van een kwikdamplamp, waarbij de belichting stabiel kan worden uitgevoerd, welke in een kort tijdsinterval wordt herhaald gedurende een lange tijdsperiode zonder dat de hierboven genoemde problemen optreden, terwijl de levensduur van de kwikdamplamp wordt verlengd.

35 Volgens een aspekt van de uitvinding is daarom voorzien in een werkwijze voor het achtereenvolgens door een patroonmasker heen belichten van kleine delen van een halfgeleiderplak met licht dat door een kwikdamplamp in stappen van hoog niveau wordt uitgestraald, gedurende welke het vermogensverbruik van de kwikdamplamp op een hoog niveau 40 ligt, doordat continu de kwikdamplamp is ingeschakeld en herhaaldelijk 35 3 1934 I * 4 elke stap van hoog niveau wordt afgewisseld door een stap van laag niveau, gedurende welke het vermogensverbruik van de kwikdamp!amp op een laag niveau ligt, waarbij de inschakeling van de kwikdamplamp in elk van de stappen van hoog niveau wordt uitgevoerd, terwijl het vermogens-5 verbruik beneden 2,5 maal het vermogensverbruik in de stap van laag niveau wordt geregeld.

Volgens de belichtingswerkwijze van deze uitvinding wordt de kwikdamplamp op een laag niveau van vermogensverbruik ingeschakeld, terwijl het door de kwikdamplamp uitgestraalde licht niet voor belichting wordt 10 gebruikt. Het is dus moyelijk om in aanzienlijke mate de door de kwikdamplamp verspilde energie te verminderen en tegelijkertijd mogelijke beschadigingen van de sluiter als gevolg van oververhitting te vermijden.

De uitvinding zal hierna nader worden toegelicht aan de hand van 15 de tekeningen. In de tekeningen toont: fig. 1 een vereenvoudigde schematische illustratie van een uitvoeringsvorm van een belichtingsstelsel; fig. 2 een grafische voorstelling van de golfvorm van het vermogensverbruik van een kwikdamplamp, welke golvorm varieert als gevolg 20 van de herhaling van een stap van hoog niveau en een stap van laag niveau; fig. 3 een aanzicht van een deel van een halfgeleiderplak, waarbij enige te belichten delen te zien zijn; fig. 4 een schematische illustratie van een uitvoeringsvorm van 25 een kwikdamplamp; en fig. 5 op vergrote schaal een schematische illustratie van een deel van de kwikdamplamp volgens fig. 5.

Voor het drukken van een patroon door middel van ultraviolette stralen op een hierboven besproken wijze wordt een belichtingsstelsel 30 gebruikt met een optisch licht-focusserend en projektiestelsel dat als voorbeeld in fig. 1 is getoond. In fig. 1 is met het verwijzingsnummer 1 een kwikdamplamp met een korte boog aangegeven, die de belichtings-lichtbron is. Deze kwikdamplamp 1 is in een zodanige positie geïnstalleerd, dat de boog daarvan zich bevindt in het brandpunt van een 35 licht-focusserende spiegel 5. Het licht L dat door de kwikdamplamp 1 wordt afgegeven, wordt door de licht-focusserende spiegel 5 gefocus-seerd en daarna op een fotomasker 11 geprojekteerd, dat een schake-lingspatroon bevat, door middel van een eerste vlakke spiegel 6, een integrator 8, een tweede vlakke spiegel 7 en een condensorlens 10. Het 40 licht dat door het fotomasker 11 wordt doorgelaten wordt via een ver- 3501934 * * 5 kleiningslens 12 op een halfgeleiderplak 2 geprojekteerd, die op een (niet getoond) opneemorgaan op zijn plaats wordt ondersteund en die is voorzien van een fotogevoelige film vervaardigd uit een hars dat gevoelig is voor ultraviolette stralen en op het bovenvlak van de halfgelei-5 derplak 2 is gevormd, waardoor op de halfgeleiderplak 2 een schake-lingspatroon wordt gedrukt, dat overeenkomt met het fotomasker 11 maar in afmeting is verkleind met een verkleiningsfaktor van 1/10 - 1/5. Met het verwijzingsnummer 4 is een sluiter aangegeven, terwijl het nummer 9 een filter aangeeft.

10 Volgens de uitvinding wordt de halfgeleiderplak op de volgende wijze belicht. Bij het in fig. 1 getoonde stelsel wordt continu elektrische energie toegevoerd aan een kwikdamplamp 1 die is ingebouwd in een licht-focusserende spiegel 5, zodat de kwikdamplamp 1 continu is ingeschakeld. Terwijl de ingeschakelde toestand wordt gehandhaafd wordt 15 de elektrische energie die aan de kwikdamplamp 1 wordt toegevoerd, daarna bestuurd door een besturingsschakeling 3, zodat het elektrische vermogen de basis-golfvorm aanneemt die bij wijze van voorbeeld in fig.

2 is geïllustreerd. Het niveau van vermogensgebruik van de kwikdamplamp wordt periodiek afgewisseld en herhaald tussen een hoog niveau, 20 namelijk stap A gedurende welke het vermogensgebruik van de kwikdamplamp 1 een niveau heeft dat ongeveer 1,3 - 2,5 maal het nominale vermo-gensverbruik voor de kwikdamplamp 1 is en een laag niveau, namelijk de stap B gedurende welke het vermogensgebruik van de kwikdamplamp 1 een laag niveau heeft dat gelijk is aan of dicht nabij het nominale vermo-25 gensverbruik ligt. In de stap A van het hoge niveau van vermogensver-bruik wordt een sluiter 4 geopend en daarna gesloten, teneinde met het door de kwikdamplamp 1 uitgestraalde licht een klein deel van een halfgeleiderplak 2 door een fotomasker 11 heen te belichten gedurende een constante tijdsperiode, welk klein deel in een belichtingspositie is 30 geplaatst.

De mate van belichting kan op een voorgeschreven gewenst niveau op het belichte oppervlak van de halfgeleiderplak 2 worden bestuurd door het op geschikte wijze instellen van de openingstijd van de sluiter 4.

Met andere woorden kan de mate van belichting worden bestuurd door het 35 houden van de sluiter 4 in zijn geopende stand, terwijl de kwikdamplamp 1 in de stap A is ingeschakeld, waarbij het vermogensverbruik van de kwikdamplamp 1 op een hoog niveau ligt. Daarna, na het sluiten van de sluiter 4, is de kwikdamplamp 1 ingeschakeld in de stap B, waarbij het vermogensgebruik op een laag niveau ligt. Gedurende de stap B wordt de 40 sluiter gesloten gehouden.

3501934 . V 9 6

De herhaalde afwisseling van stap A van het hoge niveau en stap B van het lage niveau wordt uitgevoerd synchroon met de wijze van de stapsgewijze verschuiving van de halfgeleiderplak 2. Zoals in fig. 3 is getoond is de halfgeleiderplak 2 verdeeld in een aantal zeer kleine de-5 len P die in rijen en kolommen zijn gerangschikt. Deze delen P worden daarna achtereenvolgens en stapsgewijze verschoven naar de belichtings-positie in het belichtingsstelsel, waar deze achtereenvolgens en na elkaar worden belicht terwijl deze gedurende een korte tijd worden stilgezet. Een belichtingsbewerking is uitgevoerd na het openen en sluiten 10 van de sluiter 4 gedurende de inschakeltijd van de kwikdamplamp 1 in de stap A, waardoor een patroon op een van de kleine delen P van de halfgeleiderplak 2 wordt gedrukt. De plak 2 wordt stapsgewijze verschoven, terwijl de sluiter gesloten is, zodat een ander klein deel P dat vervolgens moet worden belicht, de beiichtingspositie bereikt. Daarna 15 wordt de belichting op dezelfde wijze herhaald, teneinde de belichting van alle .delen P van de halfgeleiderplak te voltooien.

Op de bovengenoemde wijze wordt de kwikdamplamp 1 ingeschakeld, terwijl continu en herhaaldelijk de stap A van het hoge niveau van ver-mogensverbruik en de stap B van het lage niveau van vermogensgebruik 20 worden afgewisseld. Het openen en sluiten van de sluiter 4 en het stapsgewijze verschuiven van de halfgeleiderplak 2 worden in verband met de stap A en de stap B bestuurd. De tijdsperiode Ta van elke stap A van het hoge niveau van vermogensverbruik kan bijvoorbeeld constant worden ingesteld in het gebied van 100 msec, tot 1000 msec., terwijl de 25 tijdsperioden Tb van de stappen B van het lage niveau van vermogensverbruik hetzelfde of afwijkend kan zijn en bijvoorbeeld van 100 msec, tot 1000 msec, kan bedragen. De belichting van een halfgeleiderplak wordt uitgevoerd, terwijl de grootte van het vermogensverbruik in de stap A van het hoge. niveau van vermogensverbruik wordt geregeld in het gebied 30 van 1,3 tot 2,5 maal de grootte van het vermogensverbruik in stap B van het lage niveau van vermogensgebruik. Hierbij kan het vermogensgebruik in de stap B van het lage niveau van vermogensgebruik op geschikte wijze worden bepaald volgens het type van elke toe te passen kwikdamplamp. Gewoonlijk kan deze worden ingesteld op een niveau dat gelijk is aan 35 het nominale vermogensverbruik van elke te gebruiken kwikdamplamp, of binnen +10% van het nominale vermogensverbruik. Indien een kwikdamplamp onder zodanige voorwaarden zou worden ingeschakeld dat de grootte van het hoge niveau van vermogensverbruik 2,5 maal de grootte van het lage niveau van vermogensverbruik overschrijdt, zullen de elektroden daarvan 40 in een vroeg stadium een slijtage ondergaan, terwijl de hoeveelheid van 5K « Λ Λ $ >s -» ? i i O £& V y !» ·* Sf a 7

. A

V » het uit te stralen licht zal worden verminderd of instabiel zal worden.

Het zal dus onmogelijk zijn om de belichting in dezelfde toestand te handhaven als aan het begin. Het omhulsel van de kwikdamp!amp kan ook worden aangetast als gevolg van de oververhitting daarvan, waardoor het 5 mogelijk is dat een gevaarlijk ongeval als explosie kan optreden. Wanneer de lamp in de stap van het lage niveau van vermogensverbruik is ingeschakeld, kan de kwikdamp op het omhulsel condenseren, waardoor problemen kunnen ontstaan bij de lichtafgifte van de kwikdamplamp.

Indien het vermogensverbruik in de stap van het hoge niveau van 10 energieverbruik lager is dan 1,3 maal het vermogensverbruik in de stap van het lage niveau van vermogensverbruik, heeft het geen zin om elektriciteit te besparen door het schakelen van de kwikdamplamp op de bovengenoemde wijze.

Fig. 4 is een schematische illustratie van een voorbeeld van een 15 kwikdamplamp 1 met een korte boog, die als belichtingslichtbron in een belichtingsstelsel volgens de uitvinding kan worden toegepast. In fig.

4 geeft het verwijzingsnummer 101 een omhulsel uit siliciumdioxideglas aan, dat aan beide einddelen is voorzien van bases 102A respectievelijk 102B. Met de verwijzingsnunmers 103 en 104 zijn respectievelijk een 20 anode-ondersteuningsstang respectievelijk kathode-ondersteuningsstang aangegeven. Een anode 105 is op de punt van de anode-ondersteuningsstang 103 gemonteerd, terwijl een kathode 106 vast is bevestigd aan de punt van de kathode-ondersteuningsstang 104. Deze anode 105 en kathode 106 zijn tegenover elkaar en in het midden van de inwendige ruimte van 25 het omhulsel 101 geplaatst. Zoals op vergrote schaal in fig. 5 is geïllustreerd wordt de anode 105 gevormd door een basisdeel 51 dat een grote diameter en een kol omvorm heeft en een afgeknot-kegelvormig punt-deel 53 dat zich in voorwaartse en binnenwaartse richting vanaf het basisdeel 51 uitstrekt en eindigt in een vlak topoppervlak 52. De kathode 30 106 is gevormd uit een basisdeel 61 en een conusvormig puntdeel 62.

Een illustratieve specificatie van een dergelijke kwikdamplamp 1 met een korte boog is als volgt:

nominaal vermogensverbruik 500 W

(50V, 10A) 35 anode 105: buitendiameter ϋχ van het basisdeel 51 4,0 mm diameter D2 van het topoppervlak 52 2,0 mm openingshoek α van het puntdeel 53 90 graden kathode 106: 40 buitendiameter D3 van het basisdeel 61 2,0 mm ^ ni A ** «7 * rïfl È U Λ Λ hV * V V * 8 interelektrode-afstand 3,0 mm druk in het omhulsel terwijl de lamp is ingeschakeld ongeveer 13 atmosfeer.

Onder toepassing van een stelsel voor het belichten van een half-5 geleiderplak, dat is uitgevoerd met een kwikdamplamp van de bovengenoemde constructie, die als belichtingslichtbron is ingebouwd, werd een patroonheiichting op een siliciumhalfgeleiderplak uitgevoerd volgens de stapsgewijze belichtingswerkwijze, terwijl het inschakelen van de kwik-damplamp onder de volgende voorwaarden werd bestuurd.

10 Stap A.

Tijdsinterval Ta: 400 msec.

Vermogensverbruik: dit werd op 750 W constant gehouden.

Stap B.

Tijdsinterval Tb: 400 msec.

15 Vermogensverbruik: dit werd op de nominale waarde van 500 W con stant gehouden.

Onder de bovengenoemde voorwaarden was het mogelijk om belich-tingsresultaten te bereiken die overeenkwamen met de belichtingsresul-taten aan het begin, zelfs na een tijdsduur van 600 uren.

20 Voorts werden belichtingsonderzoeken ook uitgevoerd onder dezelfde voorwaarden als bij het bovengenoemde onderzoek, behalve dat de kwikdamp! ampen van verschillend nominaal vermogensverbruik werden toegepast en het vermogensverbruik in stap A van het hoge niveau van vermogensverbruik en het vermogensverbruik in stap B van het lage niveau van 25 vermogensverbruik werden veranderd in de diverse waarden die in tabel A zijn opgenomen. Wanneer de verhouding van het vermogensverbruik in stap A van het hoge niveau van vermogensverbruik tot dat in stap B van het lage niveau van vermogensverbruik 2,5 overschreed, werd de praktisch toepasbare levensduur van de kwikdamplampen aanzienlijk korter.

Λ -a /* 4 Λ “7 ?_ £ ,,j J V “ï < 9 CL != cu <5 s- -σ as ss <-co 3 co c -K ^ o ra ooooggogog 4-> > oooLnogoggg O S-*-* .3 3 ΙΟ 3 3 CO Ό 3 •r- CO --

4- > 3 j^oi α ia > S

O O CO

Ο.Γ-Γ- cn c -rt UO r—< q

JZ. CM CM CM N N N N Ν N W

i~

CU

> 3

(O

CU

> *pm c < o» r— co oooooogggg cu co oooococgcoggg m r— en ld cn en r-c r-c i—i o o o

CO i-I r-l r-C

I— sz 3 co -— >

CL

•i- CO

3 4->

5- CO jQ

ί ο > co 3 3 CU co

o> O

0 > 1 l O OOOOOOOOOO co 0 ocoocncncor^ooo <— jz ownnctcfiiuiais en

ï—I i—I i—I c—I N N M

1 i

S I

co *g

SI

tz

O

_ 4-> .3 O—·

£ S

cu ·Ρ” S_ OOOOOOOOOO 3 o oooooooggg o

coo LDcncncncNicMCMOOO +J

co o ^ ^ ^ co = 5 | = er 20 O CU * 3 0 * yj · ώ* O 4 10

De werkwijze volgens de uitvinding brengt de volgende voordelige effekten met zich mee: (1) De kwikdamplamp wordt ingeschakeld bij een laag niveau van vermogensverbruik, terwijl het door de kwikdamplamp uitgestraalde licht 5 niet voor belichting wordt gebruikt. Het is dan mogelijk om in aanzienlijke mate de door de kwikdamplamp verspilde energie te verminderen en tegelijkertijd mogelijke beschadigingen van de sluiter als gevolg van oververhitting te vermijden. Bij een bij voorkeur toe te passen uitvoeringsvorm kan de kwikdamplamp op het nominale niveau van vermogensver-10 bruik worden ingeschakeld in de stappen van het lage niveau van vermogensverbruik waarbij het vermogensverbruik wordt vergroot in de stappen van het hoge niveau van vermogensgebruik. De mate van belichting kan dus naar behoefte of wens worden ingesteld. Daarom kan de belichting van halfgeleiderplakken op geschikte wijze worden uitgevoerd met een 15 kleine kwikdamplamp. Als gevolg daarvan vereist het belichtingsstelsel niet een te grote ruimte voor de installatie daarvan, waardoor het mogelijk is om de kosten te verlagen, die nodig zijn voor het onderhoud van een schone ruimte of dergelijke, waarin het belichtingsstelsel is geïnstalleerd en daardoor de fabricagekosten van halfgeleiderinrich-20 tingen aanzienlijk te verlagen.

(2) Aangezien het inschakelen van de kwikdamplamp in de stap van het hoge niveau van vermogensverbruik wordt uitgevoerd door het regelen van het vermogensverbruik van de kwikdamplamp beneden 2,5 maal het vermogensverbruik in de stap van het lage niveau van vermogensverbruik, is 25 het mogelijk om de slijtage van de elektroden van de kwikdamplamp te vermijden of te verminderen en tegelijkertijd de beschadiging van het omhulsel daarvan als gevolg van overhitting te verhinderen. Bovendien is de kwikdamplamp vrij van problemen van lichtafgifte, die anders zouden optreden als gevolg van de condensatie van kwikdamp op het omhul-30 sel. Daarom kan de hoeveelheid licht die door de kwikdamplamp in de stappen van het hoge niveau van vermogensverbruik wordt uitgezonden, op hetzelfde niveau als de lichthoeveelheid aan het begin worden gehandhaafd. Als gevolg daarvan is het mogelijk om de belichting van halfgeleiderplakken uit te voeren met een stabiele hoeveelheid licht geduren-35 de een lange tijdsperiode, waarbij herhaaldelijk de stap van het hoge niveau van vermogensverbruik wordt afgewisseld door de stap van het lage niveau van vermogensgebruik in een kort tijdsinterval.

Het is duidelijk dat binnen het kader van de uitvinding diverse varianten mogelijk zijn.

§0 & & 9 O

Claims

1. Werkwijze voor het achtereenvolgens door een patroonmasker heen belichten van kleine delen van een halfgeleiderplak met licht dat door een kwikdamplamp in stappen van hoog niveau wordt uitgestraald, gedu- 5 rende welke het vermogensverbruik van de kwikdamplamp op een hoog niveau ligt, waarbij de kwikdamplamp continu is ingeschakeld en herhaaldelijk elke stap van hoog niveau wordt afgewisseld door een stap van laag niveau, gedurende welke het vermogensverbruik van de kwikdamplamp op een laag niveau ligt, met het kenmerk, dat het inschakelen van de 10 kwikdamplamp in elke stap van het hoge niveau wordt uitgevoerd, terwijl het vermogensverbruik beneden 2,5 maal het vermogensverbruik in de stap van laag niveau wordt geregeld.

2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat een sluiter slechts eenmaal gedurende de periode van elke stap van hoog niveau 15 wordt geopend en gesloten, waarbij een van de betreffende kleine delen van de halfgeleiderplak in een belichtingspositie wordt belicht en waarbij in de gesloten toestand van de sluiter de halfgeleiderplak stapsgewijze wordt verschoven om het volgende kleine deel in een bell chtingsposi tie te plaatsen.

3. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het vermo gensverbruik in de stap van laag niveau ligt binnen +10% van het nominale vermogensverbruik van de kwikdamplamp.

4. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het vermogensverbruik in de stap van hoog niveau ten minste 1,3 maal het vermo- 25 gensverbruik in de stap van laag niveau is.

5. Inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze volgens een van de voorafgaande conclusies. ******** 3501934