FR2567279A1 - Procede d'exposition d'une pastille de semi-conducteur par une lampe a vapeur de mercure - Google Patents

Abstract

L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE POUR EXPOSER, A TRAVERS UN MASQUE, DES PETITES SECTIONS D'UNE PASTILLE DE SEMI-CONDUCTEUR, EN SUCCESSION, A LA LUMIERE RAYONNEE PAR UNE LAMPE A VAPEUR DE MERCURE EN DES ETAPES A UN NIVEAU HAUT, PENDANT CHACUNE DESQUELLES LA CONSOMMATION DE COURANT DE LA LAMPE EST A UN NIVEAU HAUT, EN ECLAIRANT CONTINUELLEMENT LA LAMPE ET EN ALTERNANT DE MANIERE REPETEE CHAQUE ETAPE A UN NIVEAU HAUT ET UNE ETAPE A UN NIVEAU BAS PENDANT LAQUELLE LA CONSOMMATION DE COURANT DE LA LAMPE EST A UN NIVEAU BAS. SELON L'INVENTION, L'ETAPE A UN NIVEAU HAUT EST REPETEE EN AUGMENTANT GRADUELLEMENT LA CONSOMMATION DE COURANT DE LA LAMPE A VAPEUR DE MERCURE 1 AVEC LE TEMPS D'ECLAIREMENT AFIN DE COMPENSER UNE REDUCTION GRADUELLE DE LA QUANTITE DE LUMIERE RAYONNEE PAR LA LAMPE; UN OBTURATEUR 4 EST OUVERT ET FERME UNE SEULE FOIS PENDANT CHAQUE ETAPE AU NIVEAU HAUT AFIN D'EXPOSER LA PETITE SECTION CORRESPONDANTE DE LA PASTILLE DE SEMI-CONDUCTEUR 2 A UNE POSITION D'EXPOSITION. L'INVENTION S'APPLIQUE A LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES.

Description

La présente invention se rapporte à un procédé d'exposition d'une pastille

de semiconducteur par une

lampe à vapeur de mercure.

Lors de la fabrication d'un dispositif à semiconducteur tel qu'un circuit intégré, un circuit intégré à grande échelle, un circuit intégré à super

grande échelle ou analogue, un processus de photo-

fabrication est effectué. Par exemple, afin de retirer des portions d'un film d'oxyde de silicium formé sur une surface d'un substrat, qui, par exemple, est une pastille de silicium, un processus de photofabrication est effectué selon une configuration d'image comme une configuration de circuit. Ce processus de photofabrication comprend des étapes telles qu'un film d'un vernis photosensible est formé sur le film d'oxyde de silicium sur le substrat en silicium et le film de vernis photosensible est alors exposé à des rayons ultraviolets à travers un photomasque ayant une image de la configuration. Après exposition, le film de vernis photosensible est développé et le film d'oxyde de silicium est alors soumis à un traitement d'attaque. Ensuite, un traitement de formation d'un circuit comme une diffusion, une implantation d'ions ou analogue est appliqué au substrat en silicium à travers le

film d'oxyde de silicium ainsi attaqué.

Une pastille de semiconducteur est généralement circulaire avec sa surface supposée être divisée en sections minuscules carrées agencées en rangées et colonnes. Chacune de ces sections minuscules sera ensuite découpée pour former des puces qui seront respectivement des dispositifs à semiconducteur. Une feuille d'une pastille de semiconducteur a généralement 76 mm, 127 mm ou 152 mm. Les dimensions de telles pastilles de semiconducteur ont tendance à augmenter en liaison avec

les progrès de leur technologie de fabrication.

Une lampe à vapeur de mercure de forte puissance est indispensable afin d'exposer simultanément toute la surface d'une pastille de semiconducteur afin que toutes les sections minuscules, qui seront individuellement formées en puces, soient imprimées en une fois. L'utilisation d'une lampe à vapeur de mercure de forte puissance est cependant accompagnée de problèmes tels que cela rend important un système d'exposition o la lampe est assemblée et qu'il faut un degré considérablement élevé de technique pour l'uniformité de l'éclairement à la surface de la pastille de semiconducteur. En conséquence, il est très difficile de répondre à la tendance de l'agrandissement des pastilles de semiconducteur dans la pratique. En tenant compte de ce qui précède, on a récemment proposé d'exposer des sections minuscules, qui sont agencées en rangées et colonnes sur une pastille de semiconducteur, l'une après l'autre, en succession, de façon que des images de configuration soient imprimées en

succession et respectivement sur les sections minuscules.

Dans un tel procédé échelonné d'exposition, on expose une surface qui n'est équivalente qu'à l'une des sections minuscules dans chaque opération d'exposition. Par conséquent, le procédé échelonné d'exposition permet l'utilisation d'une lampe à mercure de faible puissance, ce qui amène des avantages sensibles tels que le système d'exposition employé sera réduit en dimension et l'éclairement peut être facilement rendu uniforme à la surface de chaque pastille de semiconducteur parce que la surface de chaque exposition est petite. Par suite, une image de configuration peut être imprimée à un degré élevé

de précision.

Cependant, une lampe à vapeur de mercure ne peut être de manière répétée allumée et éteinte en un court cycle parce que la vapeur de mercure qu'elle renferme subit une condensation alors que la lampe est éteinte. Il est par conséquent avantageux de forcer une lampe à vapeur de mercure à s'éclairer de manière répétée et de manière alternée à un faible niveau de consommation de courant et à un fort niveau de consommation de couranttout en maintenant la lampe à vapeur de mercure à-Un état continuellement éclairé, d'exposer une section minuscule d'une pastille de semiconducteur, laquelle section minuscule a pris une position d'exposition-à la lumière de la lampe à vapeur de mercure lorsque la lampe à vapeur de mercure est éclairée au fort niveau de consommation de:

courant et lorsque la lampe à vapeur-de mercure est -

éclairée au faible niveau de consommation-de courant, de déplacer la pastille de semiconducteur de manière échelonnée de façon qu'une autre section minuscule de la pastille de semiconducteur, laquelle autre section minuscule doit être soumise à l'exposition suivante, puisse prendre la position d'exposition, tandis que la lumière de la lampe à vapeur de mercure est supprimée au moyen d'un obturateur. Le mode ci- dessus.peut produire un niveau requis de quantité de lumière au fort niveau de consommation de courant et en même temps, maintient la lampe à vapeur de mercure à son état éclairé au faible niveau de consommation de courant tout en évitant de

gâcher le courant électrique.

Dans un tel procédé échelonné d'exposition, la lumière de la lampe à vapeur de mercure n'est pas utilisée tandis que l'obturateur est fermé, avec pour résultat-des inconvénients tels que beaucoup d'électricité est encore perdue et que l'obturateur peut être considérablement endommagé du fait de son exposition à la lumière de forte énergie. L'obturateur doit fonctionner rapidement, parce que si son mouvement d'ouverture ou de fermeture est lent, une exposition non uniforme d'une pastille de semiconducteur du fait de ce lent mouvement d'ouverture ou

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de fermeture de l'obturateur pose un problème. Afin de répondre à cette condition, il est indispensable que l'obturateur soit de poids léger. Cependant, un obturateur léger aura inévitablement pour résultat une mauvaise résistance à la chaleur. Par suite, un tel obturateur de poids léger a tendance à subir une déformation du fait de la chaleur qui s'accumule alors qu'il interrompt la lumière et par conséquent à développer un mauvais fonctionnement nuisant à son opération régulière

d'ouverture et de fermeture.

En tenant compte de ce qui précède, on peut envisager d'éclairer, pendant chaque période de fermeture de l'obturateur, la lampe à vapeur de mercure avec une consommation de- courant plus faible que sa consommation de courant pendant le temps d'exposition, c'est-à-dire alors

que l'obturateur est maintenu ouvert.

On a cependant trouvé qu'un tel procédé d'exposition posait un autre problème. En effet, lorsqu'une lampe à vapeur de mercure est éclairée avec sa consommation de courant modifiée à un court intervalle de temps tout en maintenant la lampe à vapeur de mercure pour

qu'elle éclaire continuellement afin d'accomplir les trai-

tements d'exposition de pastilles de semiconducteur à une vitesse rapide, la quantité de lumière rayonnée par la lampe à vapeur de mercure diminue peu à peu avec l'écoulement du temps éclairé de la lampe à vapeur de mercure, pour des causes telles que des électrodes usées et une transmittence réduite de la lumière du fait du dép8t du matériau pulvérisé de formation des électrodes sur la paroi de l'enveloppe. Par suite, il est impossible d'effectuer une exposition uniforme sur une période prolongée de temps et par conséquent de fabriquer des

dispositifs à semiconducteur de performance uniforme.

En tenant compte de ce qui précède, la présente invention a pour objet un procédé d'exposition d'une pastille de semiconducteur par une lampe à vapeur de mercure, lequel procédé d'exposition est capable, à un faible prix, de minimiser la diminution graduelle de la quantité de lumière rayonnée par la lampe à vapeur de mercure et également d'effectuer l'exposition, qui est accomplie de manière répétée à un court intervalle de

temps, de manière stable sur une longue période de temps.

Selon un aspect de l'invention, on prévoit en conséquence un procédé d'exposition à travers un masque de configuration, de petites sections d'une pastille de semiconducteur en succession, à la lumière rayonnée d'une lampe à vapeur de mercure à des étapes à un niveau haut, pendant chacune desquelles la consommation de courant de la lampe à vapeur de mercure est à un niveau haut, en éclairant continuellement la lampe à vapeur de mercure et en alternant de manière répétée chacune des étapes à un niveau haut et une étape à un niveau bas pendant laquelle la consommation de la lampe à vapeur de mercure est à un niveau bas, procédé dans lequel l'étape au niveau haut est répétée tout en augmentant graduellement la consommation de courant de la lampe à vapeur de mercure le long du passage du temps éclairé de la lampe à vapeur de mercure afin de compenser une réduction graduelle de la quantité

de lumière à rayonner par la lampe à vapeur de mercure.

Selon le procédé d'exposition de l'invention, la lampe à vapeur de mercure est éclairée à un faible niveau de consommation de courant tandis que la lumière rayonnée par la lampe à vapeur de mercure n'est pas utilisée pour l'exposition. Il est ainsi possible de réduire, de manière importante, l'électricité perdue par la lampe à vapeur de mercure et en même temps d'éviter une dégradation possible

de l'obturateur du fait de sa surchauffe.

L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci

apparaîtront plus clairement au cours de la description

explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant un mode de réalisation de l'invention, et dans lesquels: - la figure i est une illustration schématique simplifiée d'un exemple d'un système d'exposition; - la figure 2 est une représentation graphique montrant un exemple de la forme d'onde de la consommation de courant d'une lampe à vapeur de mercure, sur l'axe des ordonnées, laquelle forme d'onde varie du fait de la répétition d'une étape à un niveau haut (H) et d'une étape à un niveau bas (B), le temps étant indiqué sur l'axe des abscisses; - la figure 3 est une vue fragmentaire et en plan d'une pastille de semiconducteur, illustrant certaines des sections à exposer; - la figure 4 est un diagramme montrant la façon dont la consommation de courant de la lampe à vapeur de mercure augmente graduellement par étapes du niveau haut de consommation d'énergie le long du passage du temps éclairé de la lampe à vapeur de mercure, sur l'axe des ordonnées, le temps étant indiqué en abscisses; - la figure 5 est une illustration schématique d'un exemple de lampe à vapeur de mercure, et - la figure 6 est une vue schématique fragmentaire et agrandie de la lampe à vapeur de mercure

illustrée sur la figure 5.

L'invention sera décrite ci-après en détail en

se référant aux dessins joints.

Pour imprimer une image de configuration par des rayons ultraviolets à la fagon ci-dessus mentionnée, on emploie un système d'exposition ayant un système optique de focalisation de la lumière et de projection tel que représenté par exemple sur la-figure 1. Sur la figure 1, le chiffre de référence i indique une lampe à vapeur de mercure à-arc court qui est unesource de lumière d'exposition. Cette lampe à vapeur de mercure à arc court 1 est installée en une position telle que son arc soit placé sur le point focal d'un miroir 5 focalisant la lumière. La lumière L, qui a été émise par la lampe à vapeur de mercure 1 à arc court, est focalisée par le miroir 5 focalisant la lumière, puis est projetée sur un photomasque 11 portant une image de configuration de circuit par un premier miroir plan 6, un intégrateur 8, un second miroir plan 7 et une lentille convergente 10. La lumière, qui a été transmise à travers le photomasque 11, est projetée par une lentille réduc-trice 12 sur une pastille de semiconducteur 2 supportée en-place sur un sensibilisateur (non représenté) et portant un film de vernis photosensible fait d'une résine sensible aux rayons ultraviolets et formé à la surface supérieure de la pastille de semiconducteur 2, pour ainsi imprimer, sur la pastille de semiconducteur 2, une image de configuration de circuit correspondant au photomasque 11 mais réduite en dimension avec un rapport de réduction de 1/10;- 1/5. Le chiffre de référence 4 désigne un obturateur, tandis que 9 indique un filtre. = Dans la présente invention, une pastille de semiconducteur est exposée à la façon qui suit. Dans le système montré sur la figure 1, du courant-électrique est continuellement appliqué à une lampe à vapeur de mercure-i incorporée dans un miroir 5 focalisant la lumière de façon que la lampe à vapeur de mercure soit continuellement éclairée. Tout en maintenant l'état d'éclairement ci-dessus, le courant électrique à appliquer à-la lampe à vapeur de mercure 1 est alors contr8lé par un circuit de commande de fonctionnement 3 afin que le courant électrique prenne la forme d'onde de base illustrée à titre d'exemple sur la figure 2. En conséquence, le niveau de consommation de courant de la lampe à vapeur de mercure i alterne périodiquement et de manière répétée entre un niveau haut, c'est-à-dire l'étape A pendant laquelle la consommation de courant de la lampe à vapeur de mercure 1

est à un niveau tel qu'environ 1,3 - 2,5 fois la -

consommation nominale de courant de la lampe à vapeur de mercure 1 et un niveau bas, c'est-à-dire l'étape B, o la consommation de courant de la lampe à vapeur de mercure-1 est à un niveau égal ou proche de sa consommation nominale. A l'étape A du niveau haut de consommation de courant, un obturateur 4 est ouvert puis est fermé afin de forcer la lumière rayonnée par la lampe à vapeur de mercure 1 à exposer une petite section d'une pastille de semiconducteur 2 à travers un photomasque 11 pendant un temps constant, laquelle petite section est placée à une

position d'exposition.

L'étendue de l'exposition peut être contrôlée à un niveau prescrit souhaité sur la surface exposée de la pastille de semiconducteur 2 en établissant de manière appropriée le temps d'ouverture de l'obturateur 4. En d'autres termes, l'étendue de l'exposition peut être contrôlée en maintenant l'obturateur 4 à sa position ouverte tandis que la lampe à vapeur de mercure 1 est éclairée à l'étape A o la consommation de courant de la lampe à vapeur de mercure 1 est à un haut niveau. Alors, après fermeture de l'obturateur 4, la lampe à vapeur de mercure 1 est éclairée à l'étape B o sa consommation de courant est au niveau bas. Pendant l'étape B, l'obturateur

est maintenu fermé.

L'alternance répétée de l'étape A au niveau haut et de l'étape B au niveau bas est effectuée en synchronisme avec le mode de déplacement échelonné de la pastille de semiconducteur 2. En effet, comme le montre la figure 3, la pastille de semiconducteur 2 est supposée être subdivisée en un certain nombre de sections minuscules P agencées en rangées et colonnes. Ces sections minuscules P sont alors déplacées de manière échelonnée l'une après l'autre en succession vers la position d'exposition dans le système d'exposition, o elles sont exposées l'une après l'autre en succession en y étant maintenues peu de temps à l'arrêt. Une opération d'exposition est accomplie après l'action d'ouverture et de fermeture de l'obturateur 4 pendant que la lampe à vapeur de mercure i est éclairée à l'étape A, pour ainsi imprimer une image de configuration sur l'une des sections minuscules P de la pastille de semiconducteur 2. La pastille 2 est déplacée de manière échelonnée alors que l'obturateur 4 est fermé, de façon qu'une autre section minuscule P, qui doit être ensuite exposée, atteigne la position d'exposition. L'exposition est alors répétée de la même façon afin d'accomplir l'exposition de toutes les sections minuscules P agencées sur la pastille de

semiconducteur.

A la façon ci-dessus, la lampe à vapeur de mercure 1 est éclairée tandis que l'étape A au niveau haut de consommation de courant et l'étape B au niveau bas de consommation de courant alternent de manière continue et répétée. L'opération d'ouverture et de fermeture de l'obturateur et la position de décalage échelonné de la pastille de semiconducteur 2 sont contrôlées en association avec l'étape A et l'étape B. La période de temps Ta de chaque étape A au niveau haut de consommation de courant peut être établie à une valeur constante, par exemple de l'ordre de 100 ms à 1 000 ms, tandis que les périodes de temps Tb des étapes B au faible niveau de consommation de courant peuvent être les mêmes ou différentes et peuvent être comprises par exemple entre 100 ms et 1 000 ms. Afin de compenser la réduction graduelle de la quantité de lumière rayonnée avec l'écoulement de temps aux étapes A, l'étape A est répétée tout en augmentant peu à peu la consommation de courant avec le temps. L'exposition de la pastille de semiconducteur est effectuée à la fagon ci- dessus décrite. Il faut garder à l'esprit le fait que le mode d'augmentation graduelle de la consommation de courant dans les étapes A au niveau haut de consommation de courant n'est pas nécessairement limité à un mode de réalisation particulier. Le niveau de consommation de courant peut varier selon les caractéristiques inhérentes de chaque lampe à vapeur de mercure à employer. Plus particulièrement, une courbe de courant qui augmente avec le temps pour compenser une réduction graduelle de la quantité de lumière rayonnée avec le temps, est établie sur la base des expériences pour l'étape A. Il est possible d'utiliser, selon la courbe de courant ou de puissance ainsi établie, un moyen pour contrôler la consommation de courant-de la lampe à vapeur de mercure aux étapes A. Alternativement, il est également possible d'employer un moyen pour mesurer, par un photocapteur, la quantité de lumière rayonnée vers la pastille de semiconducteur et ensuite contrôler la consommation de courant de la lampe à vapeur de mercure à chaque étape A par un circuit de commande d'opération 3 selon le degré de réduction de lumière par rapport à la quantité initiale de lumière. Dans certains modes de réalisation spécifiques de l'invention, la variation, dépendant du temps, de la

consommation de courant aux étapes A peut prendre, macros-

copiquement parlant, la forme d'une variation linéaire

telle que celle montrée par exemple sur la figure 4.

Il est inutile de changer la consommation de courant dans chacune des étapes B du faible niveau de consommation d'énergie, si la consommation de courant est à un niveau égal ou proche de la consommation nominale de courant de la lampe à vapeur de mercure. Dans la mise en pratique du procédé selon l'invention, il est.possible d'utiliser, comme circuit de commande de fonctionnement 3 pour l'éclairement de la lampe à vapeur de mercure 1, un circuit traditionnellement connu comme moyen pour effectuer un tel contr8le du

courant tel quel ou sous une forme partiellement modifiée.

La figure 5 est une-illustration schématique montrant un exemple d'une lampe à vapeur de-mercure à arc

court à assembler en tant que source de lumière d'expo-

sition dans un système d'exposition utile dans la mise en pratique d'un mode de réalisation de l'invention. Sur la figure 5, le chiffre de référence 101 indique une enveloppe faite en verre de silice, qui est équipée à ses

deux parties extrêmes, de bases 102A, 102B, respec-

tivement. Les chiffres de référence 103, 104 désignent respectivement une tige de support d'anode et une tige de support de cathode. Une anode 105 est montée au bout de la tige de support d'anode 103 tandis qu'une cathode 106 est fixée solidement au bout de la tige de support de cathode 104. Cette anode 105 et cette cathode 106 sont disposées en relation face à face, centralement, à l'intérieur de l'enveloppe 101. Comme cela est illustré à échelle agrandie sur la figure 6, l'anode 105 est formée d'une partie de base 51 ayant une forme de colonne de-grand diamètre et d'une partie de bout en cône tronqué 53 s'étendant vers l'avant et vers l'intérieur de la-partie de base 51 et se terminant par une surface plane 52. La cathode 106 est formée d'une partie de base 61 et d'une

partie de bout 62 en forme de c8ne.

Un exemple d'une telle lampe 1 à vapeur de mercure à arc court est comme suit: Spécification: Consommation nominale de courant 500 W

(50V, 10A)

Anode 105: Diamètre externe D de la i partie de base 51 4,0 mm Diamètre D2 de la surface 52 du bout 2,0 mm Angle d'ouverture Ck de la partie 53 du bout 90 degrés Cathode 106: Diamètre externe D3 de la partie de base 61 2,0 mm Distance entre les électrodes 3,0 mm Pression dans l'enveloppe tandis que la lampe est allumée environ 13 millibars En.utilisant un système d'exposition d'une pastille de semiconducteur équipé d'une lampeà vapeur de mercure de la structure ci-dessus, incorporée en tant que source de lumière d'exposition, l'exposition d'une configuration a été entreprise sur une pastille de semiconducteur en silicium selon le procédé échelonné d'exposition tout en contrôlant l'éclairement de la lampe

à vapeur de mercure aux conditions qui suivent.

Etape A Intervalle de temps Ta: 400 ms Consommation de courant: sensiblement accrue en une configuration linéaire, en partant à 750 W, et au bout d'un temps écoulé de 600 heures, se

terminant à 1 kW.

Etape B Intervalle de temps Tb 400 ms Consommation de courant: maintenue constante à 500 W Dans les conditions ci-dessus, il a été possible d'obtenir les mêmes résultats d'exposition que les résultats initiaux d'exposition même au bout de 600 heures. Le procédé de l'invention peut amener les effets avantageux qui suivent: (1) La lampe à vapeur de mercure est éclairée à un faible niveau de consommation de courant tandis que la lumière rayonnée par la lampe à vapeur de mercure n'est pas utilisée pour l'exposition. Il est ainsi possible de réduire, de manière importante, l'électricité perdue par la lampe à vapeur de mercure et en même temps d'éviter une dégradation possible de l'obturateur du fait de sa surchauffe. Dans un mode de réalisation préféré, la lampe à vapeur de mercure peut être éclairée à son niveau nominal de consommation de courant aux étapes du faible niveau de consommation de courant et sa consommation de

courant est accrue aux étapes du niveau élevé de consom-

mation de courant. Ainsi, le degré d'exposition peut être ajusté selon la nécessité ou comme on le souhaite. En conséquence, l'exposition des pastilles de semiconducteur peut être effectuée de manière avantageuse avec une petite lampe à vapeur de mercure. Par suite, le système d'exposition ne nécessite pas trop de place pour son installation, ce qui permet d'abaisser le prix requis pour l'entretien d'une salle propre ou analogue o le système d'exposition est installé et en conséquence d'abaisser de manière significative le prix de fabrication d'un

dispositif à semiconducteur.

(2) Les étapes au niveau élevé de consommation de courant sont répétées tandis que l'on augmente peu à peu la consommation de courant de la lampe à vapeur de mercure tandis que le temps d'éclairement de la lampe à vapeur de mercure passe. L'exposition de la pastille de semiconducteur est effectuée dans les étapes d'un tel niveau élevé de consommation de courant. Même si la transmittence de la lumière de l'enveloppe de la lampe à vapeur de mercure diminue du fait d'une usure de ses électrodes et d'un dépSt du matériau formant les électrodes sur l'enveloppe, la quantité réduite de lumière rayonnée peut être compensée par l'augmentation de la consommation de courant. Il est ainsi possible de maintenir la quantité de lumière rayonnée par la lampe à vapeur de mercure même au stade ultérieur des étapes du fort niveau de consommation de courant au même niveau que le niveau initial de quantité de lumière. Par suite, des pastilles de semiconducteur peuvent être exposées à un niveau de quantité stable de lumière rayonnée sur une

longue période de temps.

(3) Le contr8le du degré d'exposition est effectué au moyen d'un obturateur. Comme la réduction dépendant du temps de la quantité de lumière rayonnée par la lampe à vapeur de mercure est compensée, comme on l'a mentionné ci-dessus, en augmentant la consommation de courant de la lampe à vapeur de mercure avec l'écoulement du temps aux étapes A du niveau haut de consommation de courant, la commande d'ouverture et de fermeture de l'obturateur peut être maintenue constante. Par conséquent, il est inutile d'effectuer une commande difficile telle qu'un changement de la durée d'ouverture de l'obturateur d'une très courte période de temps. Par conséquent, l'exposition peut être répétée à une vitesse

rapide et également de manière stable.

Claims (5)

REVENDICATIONS

1.- Procédé pour exposer, à travers un masque de configuration, en succession, des:petites sections d'une pastille de semiconducteur à la lumière rayonnée d'une lampe à vapeur de mercure dans des étapes à un niveau haut, pendant chacune desquelles la consommation-de courant de la lampe à vapeur de mercure est à un niveau haut, en éclairant continuellement la lampe à vapeur de mercure et en alternant de manière répétée chacune des étapes à un niveau haut et une étape à un niveau bas pendant laquelle la consommation de courant de la lampe à vapeur de mercure est à un niveau bas, caractérisé en ce que l'étape à un niveau haut est répétée tout en augmentant graduellement la consommation de courant de la lampe à vapeur de mercure (1) avec le passage du temps éclairé de la lampe à vapeur de mercure afin de compenser une réduction graduelle de la quantité 'de lumière rayonnee

par la lampe à vapeur de mercure.

2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un obturateur (4) est ouvert puis fermé une fois seulement pendant la durée de chaque étape au niveau haut afin d'exposer la petite section correspondante de la pastille de semiconducteur à une

position d'exposition. -

3.- Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la durée d'ouverture de l'obturateur

dans chacune des étapes au niveau haut est constante. -

4.- Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la durée d'ouverture de l'obturateur

est comprise entre 100 ms et 1 000 ms.

t7279 5.- Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la pastille de semiconducteur (2) est déplacée de manière échelonnée pour mettre la petite section suivante à la position d'exposition alors que l'obturateur est fermé. 6.- Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'obturateur est fermé pendant un

temps compris entre 100 ms et 1 000 ms.

7.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le niveau de la consommation de courant dans chacune-des étapes au niveau bas est sensiblement égal à la consommation nominale de courant de la lampe à vapeur de mercure et le niveau de la consommation de courant dans chacune des étapes au niveau haut est compris entre 1,3 et 2,5 fois la consommation

nominale de courant de la lampe à vapeur de mercure.