JP2005268744A - 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 センサ40は、平凸レンズ41及び受光素子42を含んで構成される。平凸レンズ41の平坦部41aには、Cr(クロム)等を蒸着して遮光部43と光透過部44が形成されている。この平凸レンズ41は上面がウェハステージの上面15aと一致するように配置される。投影光学系PLと平凸レンズ41との間には液体wが供給され、投影光学系PLから液体wに入射した露光光のうち、光透過部44に入射した露光光は、気体中を通過せずに平凸レンズ41に入射して収束される。
【選択図】 図5
Description
上記課題を解決するために、本発明の第1の観点による露光装置は、照明系(IS)からの露光光を、投影光学系(PL)と液体(w)とを介して基板(W)上に照射することによって前記基板を露光する露光装置(EX)において、前記投影光学系の像面側に配置された光透過部(31、32)を介して、前記投影光学系を通過した露光光を受光する受光器(36、37)を有する計測手段(27)を備え、前記投影光学系と前記光透過部との間に液体がない状態で、前記計測手段の受光器で前記投影光学系を通過した露光光を受光することを特徴としている。
この発明によると、投影光学系の像面側に液体が供給されていない状態で、投影光学系を通過した露光光が投影光学系の像面側に配置された光透過部を介して計測手段の受光器で受光される。
上記課題を解決するために、本発明の第2の観点による露光装置は、照明系(IS)からの露光光を、投影光学系(PL)を介して基板(W)上に照射することによって前記基板を露光する露光装置(EX)において、前記投影光学系の像面側に配置され、前記投影光学系からの露光光が入射する光透過部(31、44、56)と、該光透過部からの光を受光器に入射させるための集光部材(41、45、52、57、62、71)とを有する計測手段(40、50、60、70)を備え、前記投影光学系からの露光光が気体中を通過せずに前記集光部材に入射するように、前記集光部材は、前記光透過部と前記受光器との間に配置されていることを特徴としている。
この発明によると、投影光学系からの露光光のうち、光透過部を透過した光は気体中を通過せずに集光部材に入射して集光される。尚、光透過部から集光部材に気体を通過しないように光を導くには、種々の方法があるが、光透過部と集光部材を接合しても良く、或いは、気体以外の媒質であって光透過性の媒質、例えば、液体、超臨界流体、ペースト、固体を光透過部と集光部材との間に、例えば薄膜状に介在させても良い。
上記課題を解決するために、本発明の第3の観点による露光装置は、投影光学系(PL)と液体(w)とを介して露光光を基板(W)上に照射することによって前記基板を露光する露光装置(EX)において、前記投影光学系に対向するように一方面が配置され、他方面の一部に光透過部(56)が形成された板状部材(51)と、前記光透過部からの光を受光する受光器(53)とを有する計測手段(50)を備え、前記計測手段の受光器による露光光の受光は、前記投影光学系と前記板状部材との間の液体(w)を介して行われることを特徴としている。
この発明によると、投影光学系からの露光光は液体を介して板状部材に入射し、板状部材に入射した光のうち光透過部を通過した光が計測手段が備える受光器に受光される。それゆえ、液浸露光の状態で露光光を計測することができる。
上記課題を解決するために、本発明の第4の観点による露光装置は、照明系(IS)からの露光光を、投影光学系(PL)と液体(w)とを介して基板(W)上に照射することによって前記基板を露光する露光装置(EX)において、前記投影光学系の像面側に配置され、前記投影光学系からの露光光が液体を介して入射する光透過部(31、32、44、56)と、該光透過部からの光を受光器(36、37)に入射させるための光学系(41、45、52、57、62、71、81、86、91、101、111)とを有する計測手段(40、50、60、70、80、85、90、100、110)を備え、前記光透過部からの光が気体中を通過せずに前記光学系に入射するように、前記光学系は、前記光透過部に近接して配置されていることを特徴としている。
この発明によると、投影光学系からの露光光のうち、光透過部を透過した光は計測手段に設けられた光学系によって気体中を通過しないよう導かれて受光器に入射する。それゆえ、受光器は光透過部を透過した光を効率良く受光できる。光透過部から光学系に気体を通過しないように光を導くには、前述のように気体以外の媒質を介在させてもよい。なお、光学系は一つの光学部材であってもよいし、複数の光学部材から構成されていてもよい。
本発明のデバイス製造方法は、上記の何れかの露光装置を用いることを特徴としている。
露光光を投影光学系(PL)と液体とを介して基板(W)上に照射することによって前記基板を露光する露光方法であって、前記投影光学系の光射出端の側に、前記露光光を計測する計測装置(27)を設置する設置ステップと、前記投影光学系の光射出端側の光路空間に前記液体を介在させずに前記計測装置で前記露光光を計測する計測ステップ(S14、S15)と、前記計測ステップの計測結果に基づいて、前記投影光学系の光射出端側の光路空間に前記液体を介在させて前記基板を露光する露光ステップ(S19)とを含み、前記投影光学系の光射出端と前記光路空間との界面に入射する前記露光光の入射角が、前記計測ステップと前記露光ステップとで異なることを特徴としている。
この方法によると、計測ステップにおける前記投影光学系の光射出端と前記光路空間との界面に入射する露光光の入射角を、前記露光ステップにおける入射角より小さく調整することによって投影光学系と計測装置との間の光路空間に液体に存在していなくても計測装置は良好に露光光を受光することができ、その受光した光で結像状態や露光光の調整を実行することができる。
また、本発明の露光方法は、露光光を投影光学系(PL)を介して基板(W)上に照射することによって前記基板を露光する露光方法であって、前記投影光学系から射出された前記露光光を気体を通過させずに受光器で受光する計測ステップと、前記投影光学系と液体とを介して前記基板上に前記露光光を照射することによって前記基板を露光する露光ステップとを含むことを特徴としている。
この方法によれば、露光光を気体中を通過せずに受光素子に送ることができるため、投影光学系の開口数が大きくなっても、投影光学系を通過した露光光を良好に受光することができる。
例えば、投影光学系の端面に入射する露光光束の角度(最外の光線と光軸とがなす角度)を調整(小さく)することで液体が無い状態でも投影光学系を通過した露光光を受光することができる。
また、本発明によれば、投影光学系の開口数の増大により大きな入射角を有する露光光が光透過部に入射しても光透過部を通過した露光光を確実に受光することができるという効果がある。
更に、本発明によれば、投影光学系と対向する一方面を平坦化でき、その板状部材の一方面への泡の付着や投影光学系と板状部材との間の液体の乱れ等を防止することができる。
また更に、本発明によれば、計測結果に応じて最適化した条件の下でマスクのパターンを基板上に露光転写することで、マスクに形成された微細なパターンを基板上に精確に転写することができる。この結果、高集積度のデバイスを歩留まり良く生産することができるという効果がある。
図1は、本発明の第1実施形態による露光装置の概略構成を示す図である。尚、図1に示す露光装置EXは、投影光学系PLとウェハWとの間の液体(純水)wを介して露光を行う液浸式の露光装置であって、半導体素子の回路パターンDPが形成されたレチクルRを用い、ステップ・アンド・リピート方式により、上記回路パターンDPの像をウェハWに転写する露光装置である。
σ=NAi/NAr
また、投影光学系PLの開口数NAは、通常ウェハW側の開口数NAwを示し、レチクル側の開口数NArは、投影光学系PLの倍率Mより、NAr=NAw/Mとして求められる。
次に、本発明の第2実施形態による露光装置について説明する。本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、第1実施形態においては、露光光センサ27は、投影光学系PLの像面側に液体wなしに計測動作(露光光の受光)を行ったが、以下の説明においては、露光光センサ27は投影光学系PLの像面側の液体wを介して計測動作を行う。また、図3に示す通り、第1実施形態で説明した露光光センサ27は照度むらセンサ36と照射量センサ37とを備えているが、以下では説明の簡単のため、主として露光光センサ27に設けられる照度むらセンサについて説明する。
次に、本発明の第3実施形態による露光装置について説明する。上述した第2実施形態と同様に、本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態においても主として露光光センサ27に設けられる照度むらセンサについて説明する。
次に、本発明の第4実施形態による露光装置について説明する。上述した第2,第3実施形態と同様に、本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態においても主として露光光センサ27に設けられる照度むらセンサについて説明する。図9は、本発明の第4実施形態による露光装置に設けられる照度むらセンサの概略構成を示す断面図である。図9に示す通り、本実施形態の露光装置に設けられる照度むらセンサ60は、平行平板61、平凸レンズ62、及び受光素子63を含んで構成される。
次に、本発明の第5実施形態による露光装置について説明する。上述した第2〜第4実施形態と同様に、本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態においても主として露光光センサ27に設けられる照度むらセンサについて説明する。図10は、本発明の第5実施形態による露光装置に設けられる照度むらセンサの概略構成を示す断面図である。図10に示す通り、本実施形態の露光装置に設けられる照度むらセンサ70は、平凸レンズ71及び受光素子72を含んで構成される。
次に、本発明の第6実施形態による露光装置について説明する。本実施形態の露光装置も全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態の露光装置が備える露光光センサ27は、上述した第2〜第5実施形態と同様に、投影光学系PLの像面側の液体wを介して計測動作を行うものである。但し、本実施形態においては、主として露光光センサ27に設けられる照射量センサについて説明する。
次に、本発明の第7実施形態による露光装置について説明する。本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態の露光装置が備える露光光センサ27は、上述した第2〜第5実施形態と同様に、投影光学系PLの像面側の液体wを介して計測動作を行うものである。但し、本実施形態においては、主として露光光センサ27に設けられる照射量センサについて説明する。
次に、本発明の第8実施形態による露光装置について説明する。本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態の露光装置が備える露光光センサ27は、上述した第2〜第5実施形態と同様に、投影光学系PLの像面側の液体wを介して計測動作を行うものである。但し、本実施形態においては、主として露光光センサ27に設けられる照射量センサについて説明する。
次に、本発明の第9実施形態による露光装置について説明する。本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態の露光装置が備える露光光センサ27は、上述した第2〜第5実施形態と同様に、投影光学系PLの像面側の液体wを介して計測動作を行うものであって、主に露光光センサ27に設けられる照度むらセンサについて説明する。
次に、本発明の第10実施形態による露光装置について説明する。本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態の露光装置が備える露光光センサ27は、上述した第2〜第5実施形態と同様に、投影光学系PLの像面側の液体wを介して計測動作を行うものであって、主に露光光センサ27に設けられる照度むらセンサについて説明する。
また、上記第2〜第5実施形態では、露光光を集光する集光部材として1つの平凸レンズ41,45,52,57,62,71を備える場合を例に挙げて説明し、上記第6〜第10実施形態では露光光を受光素子に入射させるための光学系として、集光板81、拡散板86、蛍光板91、導波部材101、及び積分球111を含む構成について説明した。しかしながら、平凸レンズ41,45,52,57,62,71と受光素子との間、並びに、集光板81、拡散板86、蛍光板91、導波部材101、及び積分球111と受光素子との間に複数のレンズを設けて露光光等を受光素子に導く構成が望ましい。
31 ピンホール(光透過部)
32 開口(光透過部)
34 NDフィルタ(光透過部)
36 照度むらセンサ(受光器)
37 照射量センサ(受光器)
40 照度むらセンサ(計測手段)
41 平凸レンズ(集光部材、光学部材)
44 光透過部
45 平凸レンズ(集光部材、光学部材)
45a 平坦部
50 照度むらセンサ(計測手段)
51 開口板(板状部材)
52 平凸レンズ(集光部材、光学部材)
53 受光素子
56 光透過部
57 平凸レンズ(集光部材、光学部材)
60 照度むらセンサ(計測手段)
62 平凸レンズ(集光部材、光学部材)
70 照度むらセンサ(計測手段)
71 平凸レンズ(集光部材、光学部材)
80 照射量センサ(計測手段)
81 集光板(光学系、集光部材、光学部材)
82 受光素子
83 マイクロレンズアレイ(波面分割素子、マイクロレンズアレイ素子)
85 照射量センサ(計測手段)
86 拡散板(光学系、拡散部材、光学部材)
87 受光素子
90 照射量センサ(計測手段)
91 蛍光板(光学系、波長変換手段)
92 受光素子
100 照度むらセンサ(計測手段)
101 導波部材(光学系)
102 受光素子
110 照度むらセンサ(計測手段)
111 積分球(光学系、導波部材)
112 受光素子
121 レンズ(光学素子)
122 レンズ(光学素子)
EX 露光装置
IS 照明光学系(照明系)
PL 投影光学系
W ウェハ(基板)
w 液体
Claims (35)
- 照明系からの露光光を、投影光学系と液体とを介して基板上に照射することによって前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の像面側に配置された光透過部を介して、前記投影光学系を通過した露光光を受光する受光器を有する計測手段を備え、
前記投影光学系と前記光透過部との間に液体がない状態で、前記計測手段の受光器で前記投影光学系を通過した露光光を受光することを特徴とする露光装置。 - 前記計測手段の受光器で、前記光透過部及び前記投影光学系を通過した露光光を受光する際に、前記投影光学系の端面に入射する露光光の入射角は、該端面から投影光学系と前記光透過部との間の空間へ該露光光が出射するように調整されていることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記投影光学系に露光光を導く照明系を更に備え、前記露光光束の角度調整は、前記照明系内の、前記投影光学系の瞳面と共役な面内における前記露光光の光束分布を調整することによって行われることを特徴とする請求項2記載の露光装置。
- 前記露光光束の角度調整は、前記照明系のコヒーレンスファクタσを調整することによって行われることを特徴とする請求項2又は請求項3記載の露光装置。
- 前記投影光学系の開口数NAは1以上であって、前記照明系のコヒーレンスファクタσは0.05〜0.50であることを特徴とする請求項4記載の露光装置。
- 前記計測手段は、前記光透過部からの光を受光器に入射させるための光学部材を有し、
前記光学部材は、前記光透過部からの光が気体中を通過しないように前記光透過部の近傍に配置されている
ことを特徴とする請求項1から請求項5の何れか一項に記載の露光装置。 - 前記計測手段は、板状部材を有し、
前記板状部材の一方面が前記投影光学系に対向するように配置され、他方面の一部に前記光透過部が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項6の何れか一項に記載の露光装置。 - 照明系からの露光光を、投影光学系を介して基板上に照射することによって前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の像面側に配置され、前記投影光学系からの露光光が入射する光透過部と、該光透過部からの光を受光器に入射させるための集光部材とを有する計測手段を備え、
前記投影光学系からの露光光が気体中を通過せずに前記集光部材に入射するように、前記集光部材は、前記光透過部と前記受光器との間に配置されていることを特徴とする露光装置。 - 前記投影光学系を通過した露光光は、液体を介して、前記計測手段の光透過部に入射することを特徴とする請求項8記載の露光装置。
- 前記集光部材は、前記投影光学系に対向する平坦部を有し、
前記光透過部は、前記平坦部に形成されていることを特徴とする請求項8又は請求項9記載の露光装置。 - 前記計測手段は、前記光透過部を有する板状部材を有し、前記集光部材は前記板状部材に密接していることを特徴とする請求項8又は請求項9記載の露光装置。
- 前記板状部材は、一方面が前記投影光学系に対向するように配置され、他方面の一部に前記光透過部が形成され、さらにその他方面に前記集光部材が密接していることを特徴とする請求項11記載の露光装置。
- 投影光学系と液体とを介して露光光を基板上に照射することによって前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系に対向するように一方面が配置され、他方面の一部に光透過部が形成された板状部材と、前記光透過部からの光を受光する受光器とを有する計測手段を備え、
前記計測手段の受光器による露光光の受光は、前記投影光学系と前記板状部材との間の液体を介して行われることを特徴とする露光装置。 - 照明系からの露光光を、投影光学系と液体とを介して基板上に照射することによって前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の像面側に配置され、前記投影光学系からの露光光が液体を介して入射する光透過部と、該光透過部からの光を受光器に入射させるための光学系とを有する計測手段を備え、
前記光透過部からの光が気体中を通過せずに前記光学系に入射するように、前記光学系は、前記光透過部と前記受光器との間に配置されていることを特徴とする露光装置。 - 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光を集光して前記受光器に入射させる集光部材を含むことを特徴とする請求項14記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光を波面分割して各々を集光することにより前記受光器に入射させる波面分割素子を含むことを特徴とする請求項15記載の露光装置。
- 前記集光部材は、マイクロレンズアレイ素子を含むことを特徴とする請求項15又は請求項16記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光を屈折作用を利用して前記受光器に入射させることを特徴とする請求項14から請求項17の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光を拡散させて前記受光器に入射させる拡散部材を含むことを特徴とする請求項14記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光を導波して前記受光器に入射させる導波部材を含むことを特徴とする請求項14記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光を反射作用を利用して前記受光器に入射させることを特徴とする請求項14記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、オプティカルインテグレータを含むことを特徴とする請求項21記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光を回折作用により前記受光器に入射させる回折素子を含むことを特徴とする請求項14記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部から入射した光の射出面に所定の光学加工が施された光学部材を含むことを特徴とする請求項14から請求項23の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光の波長を変換した上で、前記受光器に入射させる波長変換部材を含むことを特徴とする請求項14記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、蛍光部材を含むことを特徴とする請求項14又は請求項25記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、複数の光学素子を含み、
その複数の光学素子のうち前記光透過部に最も近い光学素子が前記光透過部に近接して配置されていることを特徴とする請求項14から請求項26の何れか一項に記載の露光装置。 - 前記投影光学系の開口数NAは1以上であることを特徴とする請求項14から請求項27の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記投影光学系の像面側で移動可能なステージを更に備え、
前記光透過部は、前記ステージに配置されていることを特徴とする請求項8から請求項28の何れか一項に記載の露光装置。 - 前記ステージは、前記基板を保持可能であることを特徴とする請求項29記載の露光装置。
- 前記投影光学系と前記光透過部との間を液体で満たすための液体供給機構を更に備えることを特徴とする請求項8から請求項30の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記液体供給機構は、前記基板を露光するために前記投影光学系と前記基板との間を液体で満たすことを特徴とする請求項31記載の露光装置。
- 請求項1から請求項32の何れか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 露光光を投影光学系と液体とを介して基板上に照射することによって前記基板を露光する露光方法であって、
前記投影光学系の光射出端の側に、前記露光光を計測する計測装置を設置する設置ステップと、
前記投影光学系の光射出端側の光路空間に前記液体を介在させずに前記計測装置で前記露光光を計測する計測ステップと、
前記計測ステップの計測結果に基づいて、前記投影光学系の光射出端側の光路空間に前記液体を介在させて前記基板を露光する露光ステップとを含み、
前記投影光学系の光射出端と前記光路空間との界面に入射する前記露光光の入射角が、前記計測ステップと前記露光ステップとで異なることを特徴とする露光方法。 - 露光光を投影光学系を介して基板上に照射することによって前記基板を露光する露光方法であって、
前記投影光学系から射出された前記露光光を気体を通過させずに受光器で受光する計測ステップと、
前記投影光学系と液体とを介して前記基板上に前記露光光を照射することによって前記基板を露光する露光ステップと
を含むことを特徴とする露光方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2005223275A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Canon Inc | 投影露光装置、デバイス製造方法及びセンサユニット |
JP2006173317A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Canon Inc | 受光ユニット、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2008010754A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2008028386A (ja) * | 2006-07-17 | 2008-02-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、放射センサおよび放射センサ製造方法 |
JP2008288528A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Canon Inc | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2009111361A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-05-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
JP2010526435A (ja) * | 2007-05-03 | 2010-07-29 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | イメージセンサ、イメージ検出方法、及びコンピュータプログラム |
JP2011003898A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Asml Netherlands Bv | 液浸リソグラフィ装置のためのセンサ |
US7880862B2 (en) | 2006-12-21 | 2011-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device fabrication method |
JP4720747B2 (ja) * | 2004-12-02 | 2011-07-13 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012119420A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Ushio Inc | 光照射装置 |
JP2012182281A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Ushio Inc | 光照射装置 |
US9513558B2 (en) | 2003-09-29 | 2016-12-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP2017515151A (ja) * | 2014-05-07 | 2017-06-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置用のダイヤモンドベースの監視装置、およびダイヤモンドベースの監視装置を備えるリソグラフィ装置 |
US11106144B2 (en) | 2017-07-10 | 2021-08-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic method and apparatus |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5136566B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2013-02-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
-
2004
- 2004-09-29 JP JP2004284218A patent/JP4466300B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9513558B2 (en) | 2003-09-29 | 2016-12-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US10025194B2 (en) | 2003-09-29 | 2018-07-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
US7522264B2 (en) | 2004-02-09 | 2009-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus, device manufacturing method, and sensor unit |
JP2005223275A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Canon Inc | 投影露光装置、デバイス製造方法及びセンサユニット |
US7256868B2 (en) | 2004-02-09 | 2007-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus, device manufacturing method, and sensor unit |
JP4720747B2 (ja) * | 2004-12-02 | 2011-07-13 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP4612833B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2011-01-12 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006173317A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Canon Inc | 受光ユニット、露光装置及びデバイス製造方法 |
US7595862B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method of manufacturing device |
JP2008010754A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2008028386A (ja) * | 2006-07-17 | 2008-02-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、放射センサおよび放射センサ製造方法 |
US7880862B2 (en) | 2006-12-21 | 2011-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device fabrication method |
JP2010526435A (ja) * | 2007-05-03 | 2010-07-29 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | イメージセンサ、イメージ検出方法、及びコンピュータプログラム |
TWI418924B (zh) * | 2007-05-03 | 2013-12-11 | Asml Netherlands Bv | 影像感測器、微影曝光裝置、影像偵測方法、電腦程式產品及圖案化設備 |
US9329500B2 (en) | 2007-05-03 | 2016-05-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus configured to reconstruct an aerial pattern and to compare the reconstructed aerial pattern with an aerial pattern detected by an image sensor |
US8975599B2 (en) | 2007-05-03 | 2015-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Image sensor, lithographic apparatus comprising an image sensor and use of an image sensor in a lithographic apparatus |
JP2008288528A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Canon Inc | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US8013976B2 (en) | 2007-05-21 | 2011-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method |
US8194231B2 (en) | 2007-10-02 | 2012-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
JP2009111361A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-05-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
US8395772B2 (en) | 2009-06-19 | 2013-03-12 | Asml Netherlands B.V. | Sensor, a table and lithographic apparatus |
JP2011003898A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Asml Netherlands Bv | 液浸リソグラフィ装置のためのセンサ |
JP2012119420A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Ushio Inc | 光照射装置 |
JP2012182281A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Ushio Inc | 光照射装置 |
JP2017515151A (ja) * | 2014-05-07 | 2017-06-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置用のダイヤモンドベースの監視装置、およびダイヤモンドベースの監視装置を備えるリソグラフィ装置 |
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