JP2010526435A - イメージセンサ、イメージ検出方法、及びコンピュータプログラム - Google Patents
イメージセンサ、イメージ検出方法、及びコンピュータプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010526435A JP2010526435A JP2010506104A JP2010506104A JP2010526435A JP 2010526435 A JP2010526435 A JP 2010526435A JP 2010506104 A JP2010506104 A JP 2010506104A JP 2010506104 A JP2010506104 A JP 2010506104A JP 2010526435 A JP2010526435 A JP 2010526435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- image
- image sensor
- substrate
- spatial pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明は、空間パターンの像検出に関する。空間パターンには、リソグラフィ層において基板を露光する放射ビームの断面における放射強度の空間的差異が含まれる。イメージセンサは、空間パターンの検出像を形成するレンズと、検出像の複数位置で放射強度を測定するイメージ検出器と、を備える。
【選択図】図3
Description
放射ビームB(例えばUV放射またはEUV放射)を調整するよう構成されている照明系(イルミネータ)ILと、
パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するよう構成され、パラメタに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めする第1の位置決め装置PMに接続されている支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
基板(例えばレジストを塗布されたウエーハ)Wを保持するよう構成され、パラメタに従って基板を正確に位置決めする第2の位置決め装置PWに接続されている基板テーブル(例えばウエーハテーブル)WTと、
パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの(例えば1つ以上のダイからなる)目標部分Cに投影するよう構成されている投影系(例えば屈折投影レンズ系)PSと、を備える。
−イメージセンサの座標系における空間像の位置、
−第1ベースライン、
についての情報を組み合わせることにより、基板Wを所望の位置に位置決めすることができる。位置センサIFを使用し第2位置決め装置PWの位置を制御して、マスクMAの空間像に対して高精度に基板Wを位置決めすることができる。
本装置の一実施例は透過イメージセンサTISと同様の方法で使用されてもよい。透過イメージセンサTISは、基板テーブルWT及びその上の基板Wの位置をマスクテーブルMTまたはマスクMAに対して決定し修正するために公知のリソグラフィ装置で使用されている。ところで、図7に模式的に示されるように、マスクMAまたはマスクテーブルMT上に特別に設計され設けられた対象物マーク31(典型的には基板レベルで64×40ミクロンの大きさを有する)の代わりに、これよりもかなり小さいマーク33(例えば基板レベルで1×1ミクロンのサイズ)が使用されてもよい。マーク33は、クリティカルパターン、すなわち基板Wに露光されるべきパターンに相当する形状及び寸法を有するパターンを含む。
上述の装置においてイメージセンサ21は、近接曲線を測定するために使用されてもよい。近接曲線とは、あるフィーチャの結像に近傍のフィーチャが与える影響を表す曲線である。近接曲線においては、レジストに転写されたクリティカルディメンションの変化が、ある形式のマスク(例えばバイナリマスク)におけるある形状の構造(例えば130nm径のライン)について測定される。測定は、形状のピッチをさまざまな値に変えて行われる。例えば、1:1(すなわちライン幅とライン間隔とが等しい)から数ライン(例えば10ライン)おきの孤立ラインまでの範囲でピッチを変更する。この範囲が近接曲線マークの形式で設けられていてもよい。
近接曲線に代えて、製品開発に重要である製品フィーチャにおけるクリティカルディメンション(CD)がイメージセンサ21により測定されてもよい。制御ユニット23のプロセッサ27は、製品フィーチャのクリティカルCDについての測定結果を受信してパラメタ調整データを演算してもよい。このときプロセッサ27は制御ユニット23のメモリ29等のメモリに記憶されている情報を使用してもよい。この場合、調整されるべきパラメタはやはり照明条件であってもよい。調整される照明条件にはNAの変更に関する調整やσの変更に関する調整が含まれてもよい。パラメタ調整デバイス25は反射性素子のアレイを備えてもよい。パラメタ調整デバイス25は既に述べたように、光源(図示せず)とマスクMAまたはマスクテーブルMTとの間においてマスクMAまたはマスクテーブルMTに近接して配置されている照明調整デバイスであってもよい。
イメージセンサ21は、所望のパターン構造の形状制御のためのOPCの目的でマスクMAのパターンに追加された構造がそのパターンに対し正しい位置にあるか否かを検証するために使用されてもよい。この追加された構造の位置が決定されると、制御ユニット23のプロセッサ27はその決定された位置を使用して、露光及びレジスト現像後の主構造に対する追加構造の影響を演算してもよい。このときプロセッサ27は制御ユニット23のメモリ29に記憶されている参照データを使用してもよい。位置が誤っており、主構造により実現すべき形状に追加構造が悪影響を与えることになる場合には、レジストへの本番の露光前にマスクを交換するか改良することができる。
現在、投影系PSの収差が変化したときにパターンの空間像がどのように変化するかをシミュレートするためにモデルが使われている。図6に示す装置を使用して、モデルの検証及びモデル誤差への対策が可能となる。
一実施例においては本発明に係るイメージセンサ1、21、IAS1、IAS2は、所望の空間パターンが形成されるようパターニング手段を最適化するために使用される。好ましい実施例においてはプログラム可能ミラーアレイがパターニングデバイスとして使用される。この方法は、
−放射ビームBの断面に空間パターンを形成するようパターニング手段MA上のパターンを使用することと、
−レンズ5を使用して前記空間パターンの検出像を形成することと、
−イメージ検出器1、21、IAS1、IAS2により前記検出像を検出することにより前記空間パターンを測定すること、とを備える。
−前記空間パターンを計算により予測するためにパターニング手段MA上のパターンについての情報(例えばプログラム可能ミラーのプログラムされた位置)を使用することと、
−測定された空間パターンと予測された空間パターンとを比較すること、とを更に備えてもよい。
Claims (19)
- リソグラフィ装置において基板(W)を露光する放射ビーム(B)の断面における放射強度の空間的差異を含む空間パターンを検出するイメージセンサ(1、21、IAS1、IAS2)であって、
前記空間パターンの検出像を形成するレンズ(5)と、
前記検出像における複数の位置で放射強度を測定するイメージ検出器(6)と、を備えることを特徴とするイメージセンサ。 - 前記検出像の放射強度の空間的差異を増幅する増幅デバイス(8)を備えることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記増幅デバイス(8)はマルチチャンネルプレートであることを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
- 位置決め装置(PW)により位置決めされ、
前記レンズ(5)はイメージセンサの位置を決定するための参照マーク(11)を備えることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のイメージセンサ。 - パターンが付与された放射ビームで基板(W)を露光するリソグラフィ露光装置であって、位置決め装置(PW)に設けられた請求項1から4のいずれかに記載のイメージセンサを備え、前記イメージセンサは、前記パターンが付与された放射ビームの空間パターンを測定するよう位置決めされることを特徴とするリソグラフィ露光装置。
- 基板(W)のアライメントマーク(P1、P2、P3、P4)の位置を測定するアライメントセンサを備え、前記アライメントセンサにより位置が決定されるように参照マーク(11)が設けられていることを特徴とする請求項5に記載のリソグラフィ露光装置。
- 前記イメージセンサの出力に接続され、前記イメージセンサによる前記空間パターンの測定結果に基づいて調整データを計算する制御ユニット(23)と、
前記調整データに基づいてリソグラフィ装置の少なくとも1つのパラメタを制御するパラメタ調整デバイス(25)と、を備えることを特徴とする請求項5または6に記載のリソグラフィ露光装置。 - 前記パターン付与された放射ビームはパターニングデバイス(MA)を使用して放射ビームにパターンを付与することにより形成され、前記パラメタ調整デバイス(25)は前記放射ビームの照明条件を調整する照明条件調整デバイスであることを特徴とする請求項7に記載のリソグラフィ露光装置。
- 前記少なくとも1つのパラメタは、前記放射ビームの照明条件に関連しており、前記パターニングデバイス(MA)の像を基板(W)に投影する投影系(PS)の開口数と、前記放射ビームの角分布と、前記放射ビームの放射生成のためにソース(SO)により与えられる照明の種類と、からなるグループから選択されることを特徴とする請求項8に記載のリソグラフィ露光装置。
- パターニングデバイス(MA)の空間像を生成する投影系(PS)を備え、前記空間像が前記空間パターンを構成することを特徴とする請求項5から9のいずれかに記載のリソグラフィ露光装置。
- 前記投影系の収差を測定する収差センサ(31)と、
前記パターニングデバイス(MA)と、測定された収差と、前記空間パターンへの収差の影響についてのモデルとについての情報を使用して、前記空間パターンを再構築しその再構築された空間パターンを前記イメージセンサにより測定された空間パターンと比較する制御ユニット(23)と、をさらに備えることを特徴とする請求項10に記載のリソグラフィ露光装置。 - 放射ビーム(B)の断面に空間パターンを形成するようパターニング手段(MA)を使用し、
イメージ検出器(1、21、IAS1、IAS2)により検出像を検出することにより前記空間パターンを測定し、
空間パターンを計算するために前記パターニング手段(MA)のパターンについての情報を使用し、
測定された空間パターンを計算された空間パターンと比較することを含むことを特徴とするイメージ検出方法。 - 所望の測定空間パターンに対応するパターンを決定するために比較結果を使用することを含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記空間パターンを形成するためにリソグラフィ露光装置を使用し、
所望の空間パターンを得るよう前記リソグラフィ露光装置の設定を決定するために比較結果を使用することを含むことを特徴とする請求項12または13に記載の方法。 - 放射ビーム(B)の断面に空間パターンを形成するためにパターニング手段(MA)のテストフィーチャ及びその近傍のフィーチャを含むパターンを使用し、
イメージ検出器(1、21、IAS1、IAS2)により検出像を検出することにより前記空間パターンを測定し、
前記テストフィーチャに対応する空間フィーチャの形成への前記パターン中の前記近傍のフィーチャの影響を決定することを含むことを特徴とするイメージ検出方法。 - 前記空間パターンの検出像を形成するためにレンズを使用し、前記検出像を検出するためにイメージ検出器を使用することを含むことを特徴とする請求項12から15のいずれかに記載の方法。
- 請求項12から15のいずれかに記載の方法を用いるデバイス製造方法であって、パターンが付与された放射ビームを基板(W)に投影することを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
- コンピュータアセンブリにロードされたときに前記コンピュータアセンブリに請求項12から16のいずれかに記載の方法を実行させるコンピュータ実行可能コードを備えるコンピュータプログラム。
- 像を基板に露光することにより形成される製品パターンを有する露光領域(39)を備えるパターニングデバイスであって、前記パターニングデバイスは前記露光領域に更なるパターンを備え、前記更なるパターンは請求項1から4のいずれかに記載のイメージセンサにより検出されるよう構成されていることを特徴とするパターニングデバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/797,505 US8975599B2 (en) | 2007-05-03 | 2007-05-03 | Image sensor, lithographic apparatus comprising an image sensor and use of an image sensor in a lithographic apparatus |
US11/797,505 | 2007-05-03 | ||
PCT/NL2008/050264 WO2008136666A2 (en) | 2007-05-03 | 2008-04-29 | Image sensor for lithography |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010526435A true JP2010526435A (ja) | 2010-07-29 |
JP5008765B2 JP5008765B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=39612571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010506104A Expired - Fee Related JP5008765B2 (ja) | 2007-05-03 | 2008-04-29 | イメージセンサ及びリソグラフィ露光装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8975599B2 (ja) |
EP (1) | EP2142961B1 (ja) |
JP (1) | JP5008765B2 (ja) |
KR (1) | KR101192675B1 (ja) |
CN (1) | CN101720449B (ja) |
TW (1) | TWI418924B (ja) |
WO (1) | WO2008136666A2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8975599B2 (en) * | 2007-05-03 | 2015-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Image sensor, lithographic apparatus comprising an image sensor and use of an image sensor in a lithographic apparatus |
CN102297656A (zh) * | 2010-06-23 | 2011-12-28 | 昆山意力电路世界有限公司 | 利用菲林底片与投影仪比对产品快速检验产品对称度的方法 |
CN112331576A (zh) * | 2014-10-03 | 2021-02-05 | 科磊股份有限公司 | 验证计量目标及其设计 |
US20230314967A1 (en) * | 2022-04-04 | 2023-10-05 | Onto Innovation Inc. | Low numerical aperture alignment |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0737958A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-02-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体処理工程監視装置 |
JPH10300671A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-13 | Yokogawa Electric Corp | 微粒子計測装置 |
JP2005129914A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-05-19 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2005268744A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
JP2005268759A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 光学部品及び露光装置 |
WO2006106833A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2007235132A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびエネルギセンサ |
Family Cites Families (79)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4454422A (en) * | 1982-01-27 | 1984-06-12 | Siemens Gammasonics, Inc. | Radiation detector assembly for generating a two-dimensional image |
EP0721608B1 (en) * | 1994-08-02 | 2003-10-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of repetitively imaging a mask pattern on a substrate |
US5841520A (en) * | 1995-08-09 | 1998-11-24 | Nikon Corporatioin | Exposure apparatus and method that use mark patterns to determine image formation characteristics of the apparatus prior to exposure |
US6545746B1 (en) * | 1996-03-04 | 2003-04-08 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
GB9618717D0 (en) * | 1996-09-07 | 1996-10-16 | Philips Electronics Nv | Image sensor |
US5821532A (en) * | 1997-06-16 | 1998-10-13 | Eastman Kodak Company | Imager package substrate |
US20060060781A1 (en) * | 1997-08-11 | 2006-03-23 | Masahiro Watanabe | Charged-particle beam apparatus and method for automatically correcting astigmatism and for height detection |
CN1122988C (zh) * | 1997-08-12 | 2003-10-01 | 株式会社三协精机制作所 | 光传感头装置及其制造方法 |
US6650421B2 (en) * | 1997-08-26 | 2003-11-18 | Nikon Corporation | Method and apparatus for inspecting optical device |
TW449672B (en) * | 1997-12-25 | 2001-08-11 | Nippon Kogaku Kk | Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same |
US6452677B1 (en) * | 1998-02-13 | 2002-09-17 | Micron Technology Inc. | Method and apparatus for detecting defects in the manufacture of an electronic device |
US6628390B1 (en) * | 2000-01-24 | 2003-09-30 | Kenneth C. Johnson | Wafer alignment sensor using a phase-shifted microlens array |
TW550377B (en) * | 2000-02-23 | 2003-09-01 | Zeiss Stiftung | Apparatus for wave-front detection |
US6538721B2 (en) * | 2000-03-24 | 2003-03-25 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus |
JP3429280B2 (ja) * | 2000-09-05 | 2003-07-22 | 理化学研究所 | 画像のレンズ歪みの補正方法 |
TW552561B (en) * | 2000-09-12 | 2003-09-11 | Asml Masktools Bv | Method and apparatus for fast aerial image simulation |
EP1332510B1 (en) * | 2000-09-20 | 2011-11-16 | Fei Company | Real time monitoring for simultaneous imaging and exposure in charged particle beam systems |
JP2002190443A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Hitachi Ltd | 露光方法およびその露光システム |
US6747282B2 (en) * | 2001-06-13 | 2004-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7085431B2 (en) * | 2001-11-13 | 2006-08-01 | Mitutoyo Corporation | Systems and methods for reducing position errors in image correlation systems during intra-reference-image displacements |
US6906305B2 (en) * | 2002-01-08 | 2005-06-14 | Brion Technologies, Inc. | System and method for aerial image sensing |
US6778275B2 (en) * | 2002-02-20 | 2004-08-17 | Micron Technology, Inc. | Aberration mark and method for estimating overlay error and optical aberrations |
US6664121B2 (en) * | 2002-05-20 | 2003-12-16 | Nikon Precision, Inc. | Method and apparatus for position measurement of a pattern formed by a lithographic exposure tool |
DE10224363A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-12-04 | Zeiss Carl Smt Ag | Verfahren zur Bestimmung von Wellenfrontaberrationen |
US6828542B2 (en) | 2002-06-07 | 2004-12-07 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
US7019312B2 (en) * | 2002-06-20 | 2006-03-28 | Mapper Lithography Ip B.V. | Adjustment in a MAPPER system |
US6880942B2 (en) * | 2002-06-20 | 2005-04-19 | Nikon Corporation | Adaptive optic with discrete actuators for continuous deformation of a deformable mirror system |
US6897940B2 (en) * | 2002-06-21 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | System for correcting aberrations and distortions in EUV lithography |
US7157703B2 (en) * | 2002-08-30 | 2007-01-02 | Ebara Corporation | Electron beam system |
JP2004111579A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
US7042550B2 (en) * | 2002-11-28 | 2006-05-09 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and computer program |
KR20040060509A (ko) * | 2002-12-30 | 2004-07-06 | 동부전자 주식회사 | Cmos 이미지 센서 |
JP4235459B2 (ja) * | 2003-01-22 | 2009-03-11 | キヤノン株式会社 | アライメント方法及び装置並びに露光装置 |
US7245356B2 (en) * | 2003-02-11 | 2007-07-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for optimizing illumination using a photolithographic simulation |
US7053355B2 (en) * | 2003-03-18 | 2006-05-30 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
EP1642222A2 (en) * | 2003-06-25 | 2006-04-05 | BAE Systems PLC | Design optimisation of computationally intensive design problems |
TWI237358B (en) * | 2003-06-27 | 2005-08-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Packaging structure of imaging sensor |
US6934930B2 (en) * | 2003-07-08 | 2005-08-23 | Texas Instruments Incorporated | Generating an optical model for lens aberrations |
JP3983206B2 (ja) * | 2003-08-21 | 2007-09-26 | 日本板硝子株式会社 | 画像読取装置 |
TWI263859B (en) * | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6842247B1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Reticle independent reticle stage calibration |
SG2014014971A (en) * | 2003-09-29 | 2014-04-28 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US7057187B1 (en) * | 2003-11-07 | 2006-06-06 | Xradia, Inc. | Scintillator optical system and method of manufacture |
US20050109916A1 (en) * | 2003-11-21 | 2005-05-26 | Eastman Kodak Company | Large pixel micro-lens |
SG148993A1 (en) * | 2003-12-03 | 2009-01-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, method for producing device, and optical part |
JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
WO2005069082A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-07-28 | International Business Machines Corporation | Differential critical dimension and overlay metrology apparatus and measurement method |
SG112969A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and methods for use thereof |
US8027813B2 (en) * | 2004-02-20 | 2011-09-27 | Nikon Precision, Inc. | Method and system for reconstructing aberrated image profiles through simulation |
SG116600A1 (en) * | 2004-04-09 | 2005-11-28 | Asml Masktools Bv | Optical proximity correction using chamfers and rounding at corners. |
JP2005322856A (ja) | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Nikon Corp | 開口数の計測方法、計測装置、調整方法、露光装置、および露光方法 |
US7463367B2 (en) * | 2004-07-13 | 2008-12-09 | Micron Technology, Inc. | Estimating overlay error and optical aberrations |
TWM267483U (en) * | 2004-07-16 | 2005-06-11 | Kingpak Tech Inc | Image sensor module |
TWI396225B (zh) * | 2004-07-23 | 2013-05-11 | 尼康股份有限公司 | 成像面測量方法、曝光方法、元件製造方法以及曝光裝置 |
US7331033B2 (en) * | 2004-08-27 | 2008-02-12 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Simulation of aerial images |
US20060055704A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Kruk James L | Empty space reduction for auto-generated drawings |
US7333175B2 (en) * | 2004-09-13 | 2008-02-19 | Asml Netherlands, B.V. | Method and system for aligning a first and second marker |
US7308368B2 (en) * | 2004-09-15 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for vibration detection, method and apparatus for vibration analysis, lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program |
US7196322B1 (en) * | 2004-10-08 | 2007-03-27 | Kingpak Technology Inc. | Image sensor package |
JP2008523426A (ja) * | 2004-12-09 | 2008-07-03 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置用の透過光学素子および対物レンズ |
US20060139607A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7312852B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4652830B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2011-03-16 | キヤノン株式会社 | 収差調整方法、デバイス製造方法及び荷電粒子線露光装置 |
US7282701B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
US20060219947A1 (en) * | 2005-03-03 | 2006-10-05 | Asml Netherlands B.V. | Dedicated metrology stage for lithography applications |
US7251015B2 (en) * | 2005-06-27 | 2007-07-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photolithography mask critical dimension metrology system and method |
US7749666B2 (en) * | 2005-08-09 | 2010-07-06 | Asml Netherlands B.V. | System and method for measuring and analyzing lithographic parameters and determining optimal process corrections |
US7695876B2 (en) * | 2005-08-31 | 2010-04-13 | Brion Technologies, Inc. | Method for identifying and using process window signature patterns for lithography process control |
TWI289365B (en) * | 2005-09-29 | 2007-11-01 | Visera Technologies Co Ltd | Wafer scale image module |
EP1785714B1 (en) * | 2005-11-15 | 2017-02-22 | Olympus Corporation | Lens evaluation device |
US7459669B2 (en) * | 2005-12-30 | 2008-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Sensor and lithographic apparatus |
US7433791B2 (en) * | 2006-02-17 | 2008-10-07 | Asml Masktools B.V. | Method of performing multiple stage model calibration for optical imaging simulation models |
US7643976B2 (en) * | 2006-02-28 | 2010-01-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for identifying lens aberration sensitive patterns in an integrated circuit chip |
US7638247B2 (en) * | 2006-06-22 | 2009-12-29 | Pdf Solutions, Inc. | Method for electron beam proximity effect correction |
JP4490406B2 (ja) * | 2006-10-11 | 2010-06-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4707701B2 (ja) * | 2006-11-08 | 2011-06-22 | エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. | 瞳を有する光学結像システムの結像性能をシミュレーションするモデルを生成する方法およびコンピュータプログラム |
US7566854B2 (en) * | 2006-12-08 | 2009-07-28 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Image sensor module |
US8975599B2 (en) | 2007-05-03 | 2015-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Image sensor, lithographic apparatus comprising an image sensor and use of an image sensor in a lithographic apparatus |
JP4694602B2 (ja) * | 2008-09-02 | 2011-06-08 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置およびそれを備えた電子機器 |
-
2007
- 2007-05-03 US US11/797,505 patent/US8975599B2/en active Active
-
2008
- 2008-04-29 KR KR1020097025102A patent/KR101192675B1/ko active IP Right Grant
- 2008-04-29 EP EP08741685.5A patent/EP2142961B1/en active Active
- 2008-04-29 JP JP2010506104A patent/JP5008765B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-29 US US12/598,377 patent/US9329500B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-29 CN CN2008800224908A patent/CN101720449B/zh active Active
- 2008-04-29 WO PCT/NL2008/050264 patent/WO2008136666A2/en active Application Filing
- 2008-05-02 TW TW097116377A patent/TWI418924B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0737958A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-02-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体処理工程監視装置 |
JPH10300671A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-13 | Yokogawa Electric Corp | 微粒子計測装置 |
JP2005268744A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
JP2005129914A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-05-19 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2005268759A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 光学部品及び露光装置 |
WO2006106833A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2007235132A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびエネルギセンサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8975599B2 (en) | 2015-03-10 |
CN101720449B (zh) | 2012-08-08 |
WO2008136666A2 (en) | 2008-11-13 |
US20100195071A1 (en) | 2010-08-05 |
US9329500B2 (en) | 2016-05-03 |
EP2142961B1 (en) | 2019-06-05 |
WO2008136666A3 (en) | 2009-01-15 |
TW200907555A (en) | 2009-02-16 |
TWI418924B (zh) | 2013-12-11 |
EP2142961A2 (en) | 2010-01-13 |
KR20100013318A (ko) | 2010-02-09 |
CN101720449A (zh) | 2010-06-02 |
JP5008765B2 (ja) | 2012-08-22 |
US20080273183A1 (en) | 2008-11-06 |
KR101192675B1 (ko) | 2012-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101266035B1 (ko) | 측정 방법, 측정 장치 및 기판 | |
JP5600145B2 (ja) | リソグラフィ装置のためのレベルセンサの構成及びデバイス製造方法 | |
CN102163001B (zh) | 控制光刻设备的方法和设备 | |
KR101066626B1 (ko) | 정렬 마크 제공 방법, 디바이스 제조 방법 및 리소그래피 장치 | |
JP4815305B2 (ja) | 位置合わせ測定機構及び位置合わせ測定方法 | |
CN102687073B (zh) | 检验方法和设备 | |
JP5112408B2 (ja) | リソグラフィ装置及び基板非平坦性を補償する方法 | |
CN102203676B (zh) | 散射仪和光刻设备 | |
JP4951033B2 (ja) | プロセス補償方法及びシステム並びにコンピュータプログラム | |
KR100825453B1 (ko) | 투영시스템의 배율측정방법, 디바이스 제조방법 및 컴퓨터프로그램물 | |
JP2007013192A (ja) | 測定方法及び較正基板 | |
US20100297561A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US20110043780A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2013048276A (ja) | 透過イメージセンシングのためのデバイスおよび方法 | |
JP4555276B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4643627B2 (ja) | フォーカステスト実施方法およびデバイス製造方法 | |
NL2017346A (en) | A method and apparatus for determining at least one property of patterning device marker features | |
CN112639623B (zh) | 用于测量对准标记的位置的设备和方法 | |
JP5008765B2 (ja) | イメージセンサ及びリソグラフィ露光装置 | |
US7242475B2 (en) | Method of determining aberration of a projection system of a lithographic apparatus | |
CN108292111B (zh) | 用于在光刻设备中处理衬底的方法和设备 | |
KR20110046355A (ko) | 캘리브레이션 방법 및 이러한 캘리브레이션 방법을 이용하는 리소그래피 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110809 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111220 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120312 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120508 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120529 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5008765 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |