NL7709363A - Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd onder toepassing van een dergelijke werkwijze. - Google Patents

Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd onder toepassing van een dergelijke werkwijze.

Info

Publication number
NL7709363A
NL7709363A NL7709363A NL7709363A NL7709363A NL 7709363 A NL7709363 A NL 7709363A NL 7709363 A NL7709363 A NL 7709363A NL 7709363 A NL7709363 A NL 7709363A NL 7709363 A NL7709363 A NL 7709363A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
conductor device
semic
semi
manufacture
applying
Prior art date
Application number
NL7709363A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL7709363A priority Critical patent/NL7709363A/xx
Priority to EP78200122A priority patent/EP0001300B1/en
Priority to DE7878200122T priority patent/DE2861353D1/de
Priority to CA000309394A priority patent/CA1118532A/en
Priority to US05/935,025 priority patent/US4199378A/en
Priority to IT26940/78A priority patent/IT1098127B/it
Priority to ES472793A priority patent/ES472793A1/es
Priority to AU39177/78A priority patent/AU517646B2/en
Priority to JP10296378A priority patent/JPS5446485A/ja
Publication of NL7709363A publication Critical patent/NL7709363A/xx

Links

Classifications

    • H10P14/61—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
    • H10D62/177—Base regions of bipolar transistors, e.g. BJTs or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/0112—Integrating together multiple components covered by H10D8/00, H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integrating multiple BJTs
    • H10D84/0116—Integrating together multiple components covered by H10D8/00, H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integrating multiple BJTs the components including integrated injection logic [I2L]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/02—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
    • H10D84/03—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology
    • H10D84/038—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology using silicon technology, e.g. SiGe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/60—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
    • H10D84/65—Integrated injection logic
    • H10W10/012—
    • H10W10/0124—
    • H10W10/0126—
    • H10W10/13—
NL7709363A 1977-08-25 1977-08-25 Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd onder toepassing van een dergelijke werkwijze. NL7709363A (nl)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7709363A NL7709363A (nl) 1977-08-25 1977-08-25 Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd onder toepassing van een dergelijke werkwijze.
EP78200122A EP0001300B1 (en) 1977-08-25 1978-07-31 Method of manufacturing a locos semiconductor device
DE7878200122T DE2861353D1 (en) 1977-08-25 1978-07-31 Method of manufacturing a locos semiconductor device
CA000309394A CA1118532A (en) 1977-08-25 1978-08-15 Method of manufacturing a semiconductor device
US05/935,025 US4199378A (en) 1977-08-25 1978-08-18 Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured while using such a method
IT26940/78A IT1098127B (it) 1977-08-25 1978-08-22 Metodo di fabbricazione di un dispositivo seminconduttore e dispositivo semiconduttore fabbricato con l'ausilio di tale metodo
ES472793A ES472793A1 (es) 1977-08-25 1978-08-23 Un metodo perfeccionado de fabricar un dispositivo semicon- ductor
AU39177/78A AU517646B2 (en) 1977-08-25 1978-08-23 Manufacturing semiconductors with sunken oxide pattern
JP10296378A JPS5446485A (en) 1977-08-25 1978-08-25 Method of producing semiconductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7709363A NL7709363A (nl) 1977-08-25 1977-08-25 Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd onder toepassing van een dergelijke werkwijze.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7709363A true NL7709363A (nl) 1979-02-27

Family

ID=19829072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7709363A NL7709363A (nl) 1977-08-25 1977-08-25 Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd onder toepassing van een dergelijke werkwijze.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4199378A (enExample)
EP (1) EP0001300B1 (enExample)
JP (1) JPS5446485A (enExample)
AU (1) AU517646B2 (enExample)
CA (1) CA1118532A (enExample)
DE (1) DE2861353D1 (enExample)
ES (1) ES472793A1 (enExample)
IT (1) IT1098127B (enExample)
NL (1) NL7709363A (enExample)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4269636A (en) * 1978-12-29 1981-05-26 Harris Corporation Method of fabricating self-aligned bipolar transistor process and device utilizing etching and self-aligned masking
JPS5852339B2 (ja) * 1979-03-20 1983-11-22 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JPS5696852A (en) * 1979-12-29 1981-08-05 Fujitsu Ltd Semiconductor device
EP0044721A3 (en) 1980-07-23 1982-05-12 Jarl Sundseth Air filters
JPS57149770A (en) * 1981-03-11 1982-09-16 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of semiconductor device
JPS57194572A (en) * 1981-05-27 1982-11-30 Clarion Co Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
US4624046A (en) * 1982-01-04 1986-11-25 Fairchild Camera & Instrument Corp. Oxide isolation process for standard RAM/PROM and lateral PNP cell RAM
US4961102A (en) * 1982-01-04 1990-10-02 Shideler Jay A Junction programmable vertical transistor with high performance transistor
CA1188418A (en) * 1982-01-04 1985-06-04 Jay A. Shideler Oxide isolation process for standard ram/prom and lateral pnp cell ram
US4444605A (en) * 1982-08-27 1984-04-24 Texas Instruments Incorporated Planar field oxide for semiconductor devices
US4507848A (en) * 1982-11-22 1985-04-02 Fairchild Camera & Instrument Corporation Control of substrate injection in lateral bipolar transistors
US4498227A (en) * 1983-07-05 1985-02-12 Fairchild Camera & Instrument Corporation Wafer fabrication by implanting through protective layer
US4860082A (en) * 1984-07-08 1989-08-22 Nec Corporation Bipolar transistor
JPS61220465A (ja) * 1985-03-27 1986-09-30 Toshiba Corp 半導体装置
US4622738A (en) * 1985-04-08 1986-11-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making integrated bipolar semiconductor device by first forming junction isolation regions and recessed oxide isolation regions without birds beak
US4700461A (en) * 1986-09-29 1987-10-20 Massachusetts Institute Of Technology Process for making junction field-effect transistors
JPH02121143U (enExample) * 1989-03-15 1990-10-01
GB2238658B (en) * 1989-11-23 1993-02-17 Stc Plc Improvements in integrated circuits
US5389553A (en) * 1993-06-30 1995-02-14 National Semiconductor Corporation Methods for fabrication of transistors
KR100384560B1 (ko) * 1995-06-30 2003-08-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자및그제조방법
KR0171000B1 (ko) * 1995-12-15 1999-02-01 양승택 자동 정의된 베이스 전극을 갖는 바이폴라 트랜지스터 구조 및 그 제조방법
JP2001217317A (ja) * 2000-02-07 2001-08-10 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3748187A (en) * 1971-08-03 1973-07-24 Hughes Aircraft Co Self-registered doped layer for preventing field inversion in mis circuits
US3928091A (en) * 1971-09-27 1975-12-23 Hitachi Ltd Method for manufacturing a semiconductor device utilizing selective oxidation
US3992232A (en) * 1973-08-06 1976-11-16 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing semiconductor device having oxide isolation structure and guard ring
GB1457139A (en) * 1973-09-27 1976-12-01 Hitachi Ltd Method of manufacturing semiconductor device
NL180466C (nl) * 1974-03-15 1987-02-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam voorzien van een in het halfgeleiderlichaam verzonken patroon van isolerend materiaal.
DE2429957B2 (de) * 1974-06-21 1980-08-28 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone eines bestimmten Leitungstyps in einem Halbleiterkörper
JPS5329555B2 (enExample) * 1974-11-22 1978-08-22
DE2605641C3 (de) * 1976-02-12 1979-12-20 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Hochfrequenztransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
US4066473A (en) * 1976-07-15 1978-01-03 Fairchild Camera And Instrument Corporation Method of fabricating high-gain transistors
JPS5338984A (en) * 1976-09-22 1978-04-10 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor device
US4111720A (en) * 1977-03-31 1978-09-05 International Business Machines Corporation Method for forming a non-epitaxial bipolar integrated circuit

Also Published As

Publication number Publication date
EP0001300B1 (en) 1981-11-25
IT7826940A0 (it) 1978-08-22
ES472793A1 (es) 1979-03-16
CA1118532A (en) 1982-02-16
IT1098127B (it) 1985-09-07
DE2861353D1 (en) 1982-01-28
US4199378A (en) 1980-04-22
AU517646B2 (en) 1981-08-13
JPS5446485A (en) 1979-04-12
JPS6140146B2 (enExample) 1986-09-08
EP0001300A1 (en) 1979-04-04
AU3917778A (en) 1980-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7611773A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting en halfgeleiderinrichting vervaar- digd door toepassing van een dergelijke werk- wijze.
NL7709363A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd onder toepassing van een dergelijke werkwijze.
NL7602960A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting.
SE7803690L (sv) Osmotiskt drivna angivningsanordningar samt process for utforande av desamma
NL7807983A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderin- richting.
NL7607866A (nl) Van schroefdraad voorzien bevestigingsorgaan.
NL7513161A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7605894A (nl) Elektro-therapeutisch toestel.
NL7608901A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd door middel van een dergelijke werkwijze.
NL7609420A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half-geleiderinrichting.
NL7610947A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfge- leiderinrichting.
NL7703941A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting en inrichting, vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL7602043A (nl) Opbrenginrichting.
NL7604445A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
SE438751B (sv) Bestralningslampa
NL7703160A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een afsluit- middel.
NL7608002A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een magnetische inrichting.
NL7812057A (nl) Werkwijze en inrichting ter vervaardiging van een bouw- plaat onder toepassing van gips.
NL7611057A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7603732A (nl) Vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7611928A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfge- leiderinrichting.
SE7700226L (sv) Flotatien e d jemte anordning for dess genomforande
NL184531C (nl) Verfinrichting.
NL182264C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen.
NL7700420A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze ter ver- vaardiging daarvan.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed