NL194219C - Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser. - Google Patents

Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser. Download PDF

Info

Publication number
NL194219C
NL194219C NL8603229A NL8603229A NL194219C NL 194219 C NL194219 C NL 194219C NL 8603229 A NL8603229 A NL 8603229A NL 8603229 A NL8603229 A NL 8603229A NL 194219 C NL194219 C NL 194219C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
straight
layer
distributed feedback
semiconductor laser
feedback semiconductor
Prior art date
Application number
NL8603229A
Other languages
English (en)
Other versions
NL194219B (nl
NL8603229A (nl
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of NL8603229A publication Critical patent/NL8603229A/nl
Publication of NL194219B publication Critical patent/NL194219B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL194219C publication Critical patent/NL194219C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1082—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
    • H01S5/1085—Oblique facets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/124—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers incorporating phase shifts
    • H01S5/1243—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers incorporating phase shifts by other means than a jump in the grating period, e.g. bent waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4056—Edge-emitting structures emitting light in more than one direction

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

1 194219
Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser
De onderhavige uitvinding betreft een gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser, omvattende: - een eerste bekledingslaag; 5 - een activerende laag die op het bovenoppervlak van de eerste bekledingslaag is aangebracht; - een geleidingslaag die op het bovenoppervlak van de activerende laag is aangebracht, die een traliewerk met regelmatige afstanden omvat - een tweede bekledingslaag die op het oppervlak van de geleidingslaag is aangebracht; en - een optische golfgeleider die laserlicht uitzendt voor het verschuiven van de fase van het door haar 10 gevoerde licht.
De uitvinding heeft aldus betrekking op een meerlagige halfgeleiderlaser met gedistribueerde terugkoppeling die in een enkele longitusinale modus kan function eren. Een halfgeleiderlaser van deze soort is uit octrooischrift DE 3.445.725 al bekend. Bij een gedistribueerde teruggekoppelde halfgeleiderlaser is oscillatie in een enkele longitudinale modus gewenst. Gebruikelijk gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlasers 15 hebben traliewerken gebruikt, die onder regelmatige constanten zijn gerangschikt, voor het gedistribueerd terugkoppelen van het licht via Bragg-reflectie. Het is echter moeilijk gebleken een enkele longitudinale modus in gebruikelijke gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlasers op te wekken, veelal worden twee longitudinale modi voor het licht opgewekt, waardoor het verspringen in modus plaatsvindt
Ten einde bovengenoemd nadeel weg te nemen en voor het bereiken van een enkele longitudinale 20 modus, zijn gedistribueerd terugekoppelde halfgeleiderlasers voorgesteld, die de constante (pitch) in de nabijheid van het midden van het traliewerk kunnen veranderen, voor het opwekken van een faseverschil van rt, dat wil zeggen λ/4 faseverschuiving (λ = oscillatiegolflengte).
Het is echter moeilijk een nauwkeurig traliewerk te vervaardigen, waarvan de constante in de nabijheid van het midden van het traliewerk kan veranderen, waardoor er een gerede kans is een grote hoeveelheid 25 inferieure inrichtingen te vervaardigen, hetgeen de opbrengst van vervaardigde lasers verlaagd.
Het is derhalve het doel van de onderhavige uitvinding bovengenoemde nadelen weg te nemen en een gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser te verschaffen, die in een enkele longitudinale modus kan oscilleren, zonder dat een nauwkeurig traliewerk voor het veranderen van de constante steek (pitch) vervaardigd behoeft te worden en zonder dat de opbrengst van het vervaardigen van de lasers wordt 30 verlaagd.
Dit doel wordt bereikt door een optische golfleider die op de tweede bekledingslaag is aangebracht en die bestaat uit de volgende delen: - een eerste recht, langwerpig stuk; - een tweede recht, langwerpig stuk, 35 evenwijdig, maar niet op een lijn liggend met het eerste rechte stuk; en - een tussenliggend stuk grenzend aan de eerste en tweede rechte, langwerpige stukken, welke middelen de fase van het langs de optische golfgeleider uitgezonden licht over λ/4 verschuiven, waarbij λ de golflengte van het licht is, waarbij het tussenliggende stuk zodanig gerangschikt is, dat de werkzame afstand van het traliewerk langs het tussenliggende stuk enigszins langer is dan in het geval dat licht door de eerste 40 en tweede recht-langwerpige stukken passeert, - waarbij de relatie tussen de lengte van het tussenliggende stuk en de hoek van het tussenliggende stuk en de hoek Θ waaronder zich dit tussenstuk bevindt tussen het eerste en het tweede rechte, langwerpige stuk (8c) als volgt luidt: 45 · =+ 5 + m)(^)i -cos Θ waarin Θ ongelijk aan 0°, Aq de eigenlijke traliewerkconstante is, n de orde van het traliewerk (7) is en m een geheel getal is.
Volgens een voorkeursuitvoeringsvorm kan een enkele longitudinale modus qua laserlicht worden opgewekt door gebruikmaking van een optische golfgeleider die omvat: een eerste recht, langwerpig stuk dat zich 50 loodrecht uitstrekt op de richting waarin zich de bovenrand en de onderzijde van het traliewerk uitstrekken. Een verdere voorkeursuitvoeringsvorm voorziet er in dat de lengte 1 van het gebogen deel bij voorkeur minder dan ongeveer één-tiende van de gehele lengte van de laag. De hoek Θ is bij voorkeur kleiner dan 10 graden. Het gebogen deel kan eveneens een glad gekromd, langwerpig stuk omvatten. De traliewerk kan op het bovenoppervlak van de actieve laag worden aangebracht. De optische golfgeleider kan op het 55 bovenoppervlak van de tweede bekledingslaag worden aangebracht. De optische golfgeleider heeft een rechthoekige doorsnede. De optische golfgeleider kan een richelgolfgeleider (ridge) zijn. De optische golfgeleider kan een indexgolfgeleider zoals een begraven heterostructuur zijn, of een ribbe en een planair 194219 2 kanaalsubstraat.
Verdere kenmerken, details en voordelen van de onderhavige uitvinding zullen duidelijk worden aan de hand van een tekening, van uitvoeringsvormen van de onderhavige uitvinding, waarin tonen: 5 figuur 1 een perspectivisch aanzicht van een voorkeursuitvoeringsvorm van een gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser volgens de onderhavige uitvinding, figuur 2 een bovenaanzicht van een gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser uit figuur 1, figuur 3 een schema dat het principe van λ/4-faseverschuiving toont, en figuur 4 een bovenaanzicht van een andere voorkeursuitvoeringsvorm van een gedistribueerd terug-10 gekoppelde halfgeleiderlaser volgens de uitvinding.
Een uitvoeringsvorm van een gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser (figuur 1) omvat een n-type GaAs-substraat 1; een eerste bekledingslaag 2, zoals een n-type At^Ga^^As-laag, die op hef bovenoppervlak van het n-type GaAs-substraat is aangebracht; een actieve laag 3, zoals een AlyGa^yAs (y < x)-laag, 15 die op het bovenoppervlak van de activerende laag 2 is aangebracht; een geleidingslaag 4, zoals een p-type A^Ga^zS (y < z < x)-laag, die op het bovenoppervlak van de actieve laag 3 is aangebracht; en een tweede bekledingslaag 5, zoals een p-AI^Ga^^As-laag, die op het bovenoppervlak van de geleidingslaag 4 is aangebracht
Traliewerk of roosters 7 zijn aangebracht op het bovenoppervlak van de geleidingslaag 4. Het traliewerk 20 (gratings) 7 zijn met regelmatige constanten en met driehoekige dwarsdoorsneden gerangschikt De bovenrand en de onderzijde van het traliewerk strekt zich in de richting parallel aan de eindvlakken 6a en 6b uit. Voorts is, zoals getoond is in figuren 1 en 2, de tweede bekledingslaag 5 van een richelgolfgeleider 8 die zich bovenwaarts uitstrekt, voorzien. De richelgolfgeleider 8 heeft een rechthoekige dwarsdoorsnede en strekt zich vanuit het eindvlak 6a naar het tegengestelde eindvlak 6b uit. De richelgolfgeleider 8 omvat een 25 eerste recht, langwerpig stuk 8a, een gebogen deel 8b en een tweede recht, langwerpig stuk 8c. Het eerste rechte, langwerpige stuk 8a strekt zich van het eindvlak 6a naar het midden van het bovenoppervlak van de tweede bekledingslaag 5 in de richting loodrecht op het eindvlak 6a uit. Het gebogen deel 8b strekt zich onder een hoek Θ van het eerste rechte, langwerpige stuk 8a uit, waarvan de lengte van het gebogen stuk is. Het tweede rechte, langwerpige stuk 8c strekt zich van het eind van het gebogen deel 8b naar het 30 tegengestelde eindvlak 6b in de richting parallel aan het eerste rechte, langwerpige stuk 8a uit
Hieronder is beschreven hoe de lengte van het gebogen deel 8b van de richelgolfgeleider 8 en de hoek daarvan uit het eerste rechte, langwerpige stuk 8a en het tweede rechte, langwerpige stuk 8c moet worden bepaald. In geval de bovenrand en de onderzijde van het traliewerk zich in de richting parallel aan de eindvlakken 6a en 6b, zoals bovengenoemd, uitstrekt, kan de traliewerkconstante (grating pitch) (figuur 35 3) ' in hef gebogen deel 8b door de volgende formule worden weergegeven, wanneer de constante met o wordt benoemd, wanneer de hoek Θ - 0°: cosö ' '
Zoals te zien is uit formule (1) is de traliewerkconstante, waar het licht langs passeert, in het gebied dat 40 met hef gebogen deel 8b in de nabijheid van het midden van de richelgolfgeleider 8 enigszins langer dan in de rechte, langwerpige stukken 8a en 8c, zoals getoond is in figuur 3b. Voorts is de traliewerkconstante, in geval dat de rechte richelgolfgeleider geen einddeel heeft, getoond in figuur 3(A).
Indien de traliewerkfasen Ω1, Ω2 en Ω3 bepaald worden, zoals in figuur 3(A) en 3(B) getoond wordt, kunnen de volgende formules worden toegepast: 45 waarbij n de orde van het traliewerk is. Uit de formules (2) en (3) kan het faseverschil ΔΩ tussen Ω2 en Ω3 door de volgende formule worden uitgedrukt: + (2) go α,-ψ+η, (3) waarbij n de orde van het traliewerk is. Uit de formules (2) en (3) kan het faseverschil ΔΩ tussen Ω2 en Ω3 door de volgende formule worden uitgedrukt: ΔΩ b 2im( (4) 55 De formule (4) heeft geen relatie met Ω1. Indien gelijk is aan π + 2itm (m = geheel getal) kan een λ/4-faseverschuiving worden opgewekt. Daarom, onder gebruikmaking van ΔΩ = 2icm, kan de volgende formule worden toegepast:

Claims (9)

1. Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser, omvattende: - een eerste bekledingslaag; - een activerende laag die op het bovenoppervlak van de eerste bekledingslaag is aangebracht; 45. een geleidingslaag die op het bovenoppervlak van de activerende laag Is aangebracht, die een traliewerk met regelmatige afstanden omvat - een tweede bekledingslaag die op het oppervlak van de geleidingslaag is aangebracht; en - een optische golfgeleider die laserlicht uitzendt voor het verschuiven van de fase van het door haar gevoerde licht met het kenmerk dat, 50 een optische golfleider die op de tweede bekledingslaag is aangebracht en die bestaat uit de volgende delen: - een eerste recht, langwerpig stuk (8a); - een tweede recht, langwerpig stuk (8c), evenwijdig, maar niet op een lijn liggend met het eerste rechte stuk (8a); en 55. een tussenliggend stuk grenzend aan de eerste en tweede rechte, langwerpige stukken (8a en 8c), welke middelen de fase van het langs de optische golfgeleider (8) uitgezonden licht over %J4 verschuiven, waarbij λ de golflengte van het licht is, waarbij het tussenliggende stuk (8b) zodanig gerangschikt is, dat 19421® 4 de werkzame afstand van het traliewerk (7) langs het tussenliggende stuk enigszins langer is dan in het geval dat licht door de eerste en tweede recht-langwerpige stukken (8a en 8c) passeert, - waarbij de relatie tussen de lengte van het tussenliggende stuk en de hoek van het tussenliggende stuk en de hoek Θ waaronder zich dit tussenstuk bevindt tussen het eerste en het tweede rechte, 5 langwerpige stuk (8c) als volgt luidt: I = + 5 + m)(ir)i - cose waarin Θ ongelijk aan 0°, Aq de eigenlijke traliewerkconstante is, n de orde van het traliewerk (7) is en m een geheel getal is.
2. Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser volgens conclusie 1, waarin het eerste rechte, langwerpige stuk (8a) zich loodrecht uitstrekt op de richting van de bovenrand en de onderzijde van het traliewerk (7) uitstrekken.
3. Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser volgens conclusie 1, waarbij de lengte Λo van het tussenliggende stuk kleiner is dan ongeveer één-tiende van de gehele lengte van de laser.
3 194219 "HxrrH+m <5> De volgende formule kan verkregen worden uit de formules (5) en (1): 5 «-(5+™)(τ)τ^5Π (6> De volgende formule kan verkregen worden uit de formules (5) en (1): waarbij 0 = 0. Dienovereenkomstig kan, indien de lengte l de hoek Θ van het gebogen deel 6b zich volgens formule 6 verhouden, kan λ/4-faseverschuiving, hetgeen correspondeert met een faseverschuiving 10 van π, in hoge mate optreden in het langs de richelgolfgeleider 8 uitgezonden licht Bijvoorbeeld als m = 0 en A</n=0,125 pm, Θ = 5°, dan is £ -16,4 pm, waardoor het gemakkelijk is de gewenste faseverschuiving te bereiken. Zoals boven is beschreven, kan een uitvoeringsvorm een λ/4-faseverschuiving door middel van het gebogen deel 8b van de richelgolfgeleider 8 worden bereikt, zodat een enkele longitudinale oscillatiemodus 15 gemakkelijk kan worden verkregen zonder speciale moeite, dat wil zeggen zonder het verschuiven van de fase van het traliewerk 7 in de nabijheid van het midden van de richelgolfgeleider 8. Daardoor is het niet moeilijk een gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser volgens de uitvinding te vervaardigen, en derhalve kern de vervaardigingsopbrengst van lasers worden verhoogd. Het eerste rechte, langwerpige stuk 8b kan op het tweede rechte, langwerpige stuk 8c door middel van 20 de vorm van het gebogen stuk 8b, dat een glad gekromd langwerpig stuk omvat, zijn aangesloten, zoals getoond in figuur 4. In dit geval is er een voordeel dat het verlies aan licht klein is gedurende passage van het licht daardoorheen. De lengte € van het gebogen deel 8b is bij voorkeur kleiner dan ongeveer één-tiende van de gehele lengte van de laser, dat wil zeggen minder dan ongeveer éón-tiende van de afstand tussen het eindvlak 6a en het daartegenover liggende eindvlak 6b.
25 De hoek Θ van het gebogen deel 8b is bij voorkeur minder dan 10° ten einde het verlies aan licht vanwege verstrooiing te verminderen. Hoewel een richelgolfgeleider gebruikt wordt als een optische golfgeleider volgens de bovengenoemde voorkeursuitvoerinsgvorm van de uitvinding kunnen, indien noodzakelijk, vercheidende indexgolfgeleiders, zoals een begraven heterostructuur (BH) of een ribbe en planair kanaalsubstraat (CSP) eveneens worden gebruikt voor gedistribueerde teruggekoppelde halfgeleider-30 lasers volgens de uitvinding. Voorts kunnen, hoewel een n-AI^Ga^^As-laag 2 en een p-A^Ga^jAs-laag 5 als bekledingslagen worden gebruikt en een AlyGa^s-laag 3 als een activerende laag wordt gebruikt en een p-A^Ga^^As-laag 4 als een geleidingslaag wordt gebruikt, indien noodzakelijk, verscheidene halfgeleiderlagen tevens worden gebruikt. Figuur 4 toont een andere uitvoeringsvorm van de uitvinding, waarbij de rechte, langwerpige stukken 8a 35 en 8c onderling parallel zijn gerangschikt, maar onder een hoek ten opzichte van de richting loodrecht op de einddelen 6a en 6b. Dientengevolge zal er een faseverschuiving in het gebogen deel 8b ten opzichte van de recht, langwerpige stukken 8a en 8c zijn, op gelijke wijze als in de rangschikking van figuren 1 en 2. 1
4. Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser volgens conclusie 3, waarbij de hoek Θ minder dan 10° bedraagt.
5. Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser volgens conclusie 1, waarin het tussenliggende stuk (8b) gekromd is tussen de eerste en tweede delen (8a, 8c).
6. Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser volgens een of meer der voorgaande conclusies, 20 waarbij de traliewerken een driehoekige dwarsdoorsnede hebben.
7. Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser volgens conclusie 6, waarbij de optische golfgeieider een essentiële rechthoekige dwarsdoorsnede heeft.
8. Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser volgens conclusie 7, waarbij de optische golfgeieider de richelgolfgeleider is.
9. Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser volgens conclusie 1, waarbij de optische golfgeieider (8) een indexgolfgeleider, zoals een begraven heterostruciuur is, of een ribbe of een plenair kanaalsubstraat Is. Hierbij 2 bladen tekening
NL8603229A 1985-12-18 1986-12-18 Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser. NL194219C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28529585 1985-12-18
JP60285295A JPS62144378A (ja) 1985-12-18 1985-12-18 分布帰還覆半導体レ−ザ−

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8603229A NL8603229A (nl) 1987-07-16
NL194219B NL194219B (nl) 2001-05-01
NL194219C true NL194219C (nl) 2001-09-04

Family

ID=17689672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8603229A NL194219C (nl) 1985-12-18 1986-12-18 Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4833687A (nl)
JP (1) JPS62144378A (nl)
KR (1) KR950003961B1 (nl)
DE (1) DE3643361C2 (nl)
FR (1) FR2591818B1 (nl)
GB (1) GB2185149B (nl)
NL (1) NL194219C (nl)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01201977A (ja) * 1988-02-08 1989-08-14 Canon Inc 半導体レーザー装置
US5052015A (en) * 1990-09-13 1991-09-24 At&T Bell Laboratories Phase shifted distributed feedback laser
DE4233500A1 (de) * 1992-10-06 1994-04-07 Ant Nachrichtentech Lichtwellenleiter zur kontinuierlichen Phasenverschiebung der DFB-Gitterperiode für auf DFB-Gitterfeldern mit konstanter Gitterperiode basierende optoelektronische Komponenten
KR100271188B1 (ko) * 1993-07-07 2000-11-01 도낀 가부시끼가이샤 광 변조장치(optical modulator)
EP0641053A1 (en) * 1993-08-30 1995-03-01 AT&T Corp. Method and apparatus for control of lasing wavelength in distributed feedback lasers
DE4432410B4 (de) * 1994-08-31 2007-06-21 ADC Telecommunications, Inc., Eden Prairie Optoelektronisches Multi-Wellenlängen-Bauelement
DE19500135A1 (de) * 1995-01-04 1996-07-11 Deutsche Telekom Ag Optoelektronisches Bauelement mit einem Rückkoppelungsgitter mit axial veränderbarer Korrugationsperiode
DE19500136A1 (de) * 1995-01-04 1996-07-11 Deutsche Telekom Ag Optoelektronisches Bauelement mit axialer Gitterperiodenmodulation
DE19520819A1 (de) * 1995-05-30 1996-12-05 Deutsche Telekom Ag Verfahren zur Ausnutzung scheibenförmigen Ausgangsmaterials bei der Herstellung optoelektronischer Bauelemente mit Gittern variabler Gitterperiode
DE19708385A1 (de) 1997-03-01 1998-09-03 Deutsche Telekom Ag Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement
GB2379084B (en) * 2001-08-24 2006-03-29 Marconi Caswell Ltd Surface emitting laser
US6608855B1 (en) 2002-05-31 2003-08-19 Applied Optoelectronics, Inc. Single-mode DBR laser with improved phase-shift section
US6638773B1 (en) 2002-05-31 2003-10-28 Applied Optoelectronics, Inc. Method for fabricating single-mode DBR laser with improved yield
US7649916B2 (en) * 2004-06-30 2010-01-19 Finisar Corporation Semiconductor laser with side mode suppression
KR100568322B1 (ko) * 2004-10-29 2006-04-05 삼성전기주식회사 다파장 반도체 레이저 소자
US7606284B2 (en) 2005-12-05 2009-10-20 Electronics And Telecommunications Research Institute Semiconductor laser structure including quantum dot
CN103531700A (zh) * 2013-10-25 2014-01-22 中国电子科技集团公司第四十四研究所 能提高超辐射发光二极管芯片工作温度范围的波导结构
WO2019228426A1 (en) * 2018-05-30 2019-12-05 Huawei Technologies Co., Ltd. Laser chip design
WO2021148121A1 (en) * 2020-01-23 2021-07-29 Huawei Technologies Co., Ltd. Dfb laser with angled central waveguide section
CN115864134B (zh) * 2023-02-17 2023-04-25 福建慧芯激光科技有限公司 一种多弯波导dfb激光器芯片

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4096446A (en) * 1976-02-02 1978-06-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Distributed feedback devices with perturbations deviating from uniformity for removing mode degeneracy
JPS5390890A (en) * 1977-01-21 1978-08-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor laser device
JPS5456385A (en) * 1977-10-14 1979-05-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Wavelength variable distribution feedback type semiconductor laser device
US4178064A (en) * 1978-04-27 1979-12-11 Xerox Corporation Real time grating clock for galvanometer scanners in laser scanning systems
US4251780A (en) * 1978-07-03 1981-02-17 Xerox Corporation Stripe offset geometry in injection lasers to achieve transverse mode control
US4302729A (en) * 1979-05-15 1981-11-24 Xerox Corporation Channeled substrate laser with distributed feedback
US4518219A (en) * 1980-01-25 1985-05-21 Massachusetts Institute Of Technology Optical guided wave devices employing semiconductor-insulator structures
JPS5728385A (en) * 1980-07-26 1982-02-16 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor laser
US4464762A (en) * 1982-02-22 1984-08-07 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Monolithically integrated distributed Bragg reflector laser
JPS60101990A (ja) * 1983-11-08 1985-06-06 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
JPH0666509B2 (ja) * 1983-12-14 1994-08-24 株式会社日立製作所 分布帰還型半導体レ−ザ装置
JPS60178134A (ja) * 1984-02-21 1985-09-12 Toshiba Corp 紙葉類送り出し装置
JPS6189690A (ja) * 1984-10-09 1986-05-07 Fujitsu Ltd 半導体レ−ザ
US4716570A (en) * 1985-01-10 1987-12-29 Sharp Kabushiki Kaisha Distributed feedback semiconductor laser device
JPS61195425A (ja) * 1985-02-26 1986-08-29 Canon Inc 浮動小数点演算処理装置
JPS61216383A (ja) * 1985-03-20 1986-09-26 Nec Corp 分布帰還型半導体レ−ザ

Also Published As

Publication number Publication date
DE3643361C2 (de) 1996-02-29
GB2185149A (en) 1987-07-08
JPS62144378A (ja) 1987-06-27
US4833687A (en) 1989-05-23
NL194219B (nl) 2001-05-01
DE3643361A1 (de) 1987-06-19
GB8630146D0 (en) 1987-01-28
FR2591818B1 (fr) 1994-02-25
KR870006687A (ko) 1987-07-14
KR950003961B1 (ko) 1995-04-21
NL8603229A (nl) 1987-07-16
FR2591818A1 (fr) 1987-06-19
GB2185149B (en) 1989-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL194219C (nl) Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser.
EP0195425B1 (en) Distributed feedback semiconductor laser
Labilloy et al. Finely resolved transmission spectra and band structure of two-dimensional photonic crystals using emission from InAs quantum dots
DE68905757T2 (de) Integrierte optikvorrichtung zur messung des brechungsindex einer fluessigkeit.
US8526478B2 (en) Semiconductor optical integrated element
Henry et al. Observation of destructive interference in the radiation loss of second-order distributed feedback lasers
US6876791B2 (en) Diffraction grating device
DE4425711A1 (de) Oberflächenemittierendes Laserdiodenfeld, sowie Verfahren zum Betreiben hiervon, Photodetektor, Photodetektorfeld, optisches Verbindungssystem und optisches Mehrfachwellenlängen-Kommunikationssystem
KR960024453A (ko) 광 센싱 장치
JPH0263012A (ja) 光デバイス
JP2624279B2 (ja) スラブ導波光出射半導体レーザー
EP1931000A1 (en) Semiconductor photo-element and external resonance laser having the semiconductor photo-element
EP0533475B1 (en) Optical semiconductor device, method of producing the optical semiconductor device, and laser device using optical semiconductor devices
Viasnoff-Schwoob et al. Compact wavelength monitoring by lateral outcoupling in wedged photonic crystal multimode waveguides
US6018541A (en) DFB laser waveguide having periodic distribution of gains and absorptions of energy
US20060165147A1 (en) Single mode distributed feedback laser
US7606284B2 (en) Semiconductor laser structure including quantum dot
GB2209408A (en) Optical waveguide device having surface relief diffraction grating
JP2020194011A (ja) グレーティングカプラ、グレーティングカプラアレイ、受光アンテナおよび測距センサ
BE1006207A3 (nl) Geintegreerd afstembaar optisch filter.
US7277465B2 (en) Semiconductor laser
JPS63111689A (ja) 分布帰還型半導体レ−ザ
US4805183A (en) Distributed feedback semiconductor laser device
JPS63133105A (ja) 光フイルタ素子
JP2008058344A (ja) オールパス波長フィルタ及び光偏向器

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20030701