NL191868B - Werkwijze voor het vervaardigen van een MIS-FET - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een MIS-FETInfo
- Publication number
- NL191868B NL191868B NL8803143A NL8803143A NL191868B NL 191868 B NL191868 B NL 191868B NL 8803143 A NL8803143 A NL 8803143A NL 8803143 A NL8803143 A NL 8803143A NL 191868 B NL191868 B NL 191868B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- mis
- fet
- fabricating
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
- H01L29/66575—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/082—Ion implantation FETs/COMs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30588 | 1988-01-06 | ||
| JP30588 | 1988-01-06 | ||
| JP63211638A JP2666403B2 (ja) | 1988-01-06 | 1988-08-26 | Ｍｉｓ型半導体装置の製造方法 |
| JP21163888 | 1988-08-26 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8803143A NL8803143A (nl) | 1989-08-01 |
| NL191868B true NL191868B (nl) | 1996-05-01 |
| NL191868C NL191868C (nl) | 1996-09-03 |
Family
ID=26333260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8803143A NL191868C (nl) | 1988-01-06 | 1988-12-22 | Werkwijze voor het vervaardigen van een MIS-FET |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5270235A (nl) |
| JP (1) | JP2666403B2 (nl) |
| KR (1) | KR930008533B1 (nl) |
| DE (2) | DE3943738C2 (nl) |
| NL (1) | NL191868C (nl) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5407849A (en) * | 1992-06-23 | 1995-04-18 | Imp, Inc. | CMOS process and circuit including zero threshold transistors |
| US5482878A (en) * | 1994-04-04 | 1996-01-09 | Motorola, Inc. | Method for fabricating insulated gate field effect transistor having subthreshold swing |
| US5441906A (en) * | 1994-04-04 | 1995-08-15 | Motorola, Inc. | Insulated gate field effect transistor having a partial channel and method for fabricating |
| US5427964A (en) * | 1994-04-04 | 1995-06-27 | Motorola, Inc. | Insulated gate field effect transistor and method for fabricating |
| US5457060A (en) * | 1994-06-20 | 1995-10-10 | Winbond Electronics Corporation | Process for manufactuirng MOSFET having relatively shallow junction of doped region |
| US5559050A (en) * | 1994-06-30 | 1996-09-24 | International Business Machines Corporation | P-MOSFETS with enhanced anomalous narrow channel effect |
| FR2794898B1 (fr) | 1999-06-11 | 2001-09-14 | France Telecom | Dispositif semi-conducteur a tension de seuil compensee et procede de fabrication |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3895966A (en) * | 1969-09-30 | 1975-07-22 | Sprague Electric Co | Method of making insulated gate field effect transistor with controlled threshold voltage |
| US4112455A (en) * | 1977-01-27 | 1978-09-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Field-effect transistor with extended linear logarithmic transconductance |
| JPS568879A (en) * | 1979-07-03 | 1981-01-29 | Nec Corp | Insulating gate field effect transistor |
| JPS5833870A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| US4514893A (en) * | 1983-04-29 | 1985-05-07 | At&T Bell Laboratories | Fabrication of FETs |
| JPS62105464A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-08-26 JP JP63211638A patent/JP2666403B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-22 NL NL8803143A patent/NL191868C/nl not_active IP Right Cessation
- 1988-12-28 KR KR1019880017621A patent/KR930008533B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-01-03 US US07/292,757 patent/US5270235A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-04 DE DE3943738A patent/DE3943738C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-01-04 DE DE3900147A patent/DE3900147C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890012395A (ko) | 1989-08-26 |
| DE3900147A1 (de) | 1989-07-20 |
| DE3943738C2 (de) | 1995-12-07 |
| DE3900147C2 (de) | 1996-02-08 |
| JPH02367A (ja) | 1990-01-05 |
| NL8803143A (nl) | 1989-08-01 |
| US5270235A (en) | 1993-12-14 |
| KR930008533B1 (ko) | 1993-09-09 |
| NL191868C (nl) | 1996-09-03 |
| JP2666403B2 (ja) | 1997-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL186643C (nl) | Werkwijze voor het veresteren van natuurhars. | |
| NL189516C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van roet. | |
| NL191081C (nl) | Werkwijze voor het modificeren van een chirurgisch element. | |
| NL194218B (nl) | Werkwijze voor het produceren van een vaste-stof beeldopnemer. | |
| NL185429C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een plaatvormig lichaam. | |
| NL184350B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een dentaalbrug en een daarvoor geschikt kussen. | |
| NL193258B (nl) | Keten voor het kiezen van een werkingsmodus. | |
| NL188432C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een mosfet. | |
| NL190388C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting. | |
| NL1003284A1 (nl) | Werkwijze voor het vergroten van de elektrotransport-flux van polypeptiden. | |
| NL192232B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een magnetoresistief element. | |
| NL194969B (nl) | Werkwijze voor het repareren van een vuurvast lichaam. | |
| KR890016060A (ko) | N2--l-리신 유도체 및 이를 사용한 리시노프릴의 제조방법 | |
| NL188953B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrode. | |
| NL191868C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een MIS-FET | |
| NL187169C (nl) | Werkwijze voor het bekleden van een oppervlak. | |
| NL194057B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ge´mpregneerde kathodestruktuur. | |
| NL194258B (nl) | Werkwijze voor het behandelen van een eiwithoudend materiaal. | |
| NL193793B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van spaanplaten. | |
| NL192065B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een kathode. | |
| NL191222B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een BiCMOS-schakeling. | |
| NL189006C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een vulcaniseerbare polymeersamenstelling en werkwijze voor bereiden van een vulcanisaat daarvan. | |
| NL189317C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van staafvormig materiaal. | |
| NL185032C (nl) | Inrichting voor het dragen van bommen. | |
| NL194107B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1A | A request for search or an international-type search has been filed | ||
| BB | A search report has been drawn up | ||
| BC | A request for examination has been filed | ||
| V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20080701 |