NL175535C - Werkwijze voor het vanuit de vloeistoffase aangroeien van ten minste een epitaxiale laag van samengesteld halfgeleidermateriaal op een dragerlichaam van samengesteld halfgeleidermateriaal. - Google Patents
Werkwijze voor het vanuit de vloeistoffase aangroeien van ten minste een epitaxiale laag van samengesteld halfgeleidermateriaal op een dragerlichaam van samengesteld halfgeleidermateriaal.Info
- Publication number
- NL175535C NL175535C NL7111290A NL7111290A NL175535C NL 175535 C NL175535 C NL 175535C NL 7111290 A NL7111290 A NL 7111290A NL 7111290 A NL7111290 A NL 7111290A NL 175535 C NL175535 C NL 175535C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- composite
- growing
- liquid phase
- epitaxial layer
- carrier body
- Prior art date
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title 2
- 239000000463 material Substances 0.000 title 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/064—Rotating sliding boat system
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/062—Vertical dipping system
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US6452370A | 1970-08-17 | 1970-08-17 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL7111290A NL7111290A (enrdf_load_stackoverflow) | 1972-02-21 |
| NL175535B NL175535B (nl) | 1984-06-18 |
| NL175535C true NL175535C (nl) | 1984-11-16 |
Family
ID=22056562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL7111290A NL175535C (nl) | 1970-08-17 | 1971-08-16 | Werkwijze voor het vanuit de vloeistoffase aangroeien van ten minste een epitaxiale laag van samengesteld halfgeleidermateriaal op een dragerlichaam van samengesteld halfgeleidermateriaal. |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5134391B1 (enrdf_load_stackoverflow) |
| AU (1) | AU459061B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
| BE (1) | BE771417A (enrdf_load_stackoverflow) |
| CA (1) | CA955507A (enrdf_load_stackoverflow) |
| CH (1) | CH548791A (enrdf_load_stackoverflow) |
| FR (1) | FR2104258A5 (enrdf_load_stackoverflow) |
| GB (1) | GB1300187A (enrdf_load_stackoverflow) |
| NL (1) | NL175535C (enrdf_load_stackoverflow) |
| SE (1) | SE377055B (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61126501U (enrdf_load_stackoverflow) * | 1985-01-26 | 1986-08-08 | ||
| JP3139329B2 (ja) * | 1995-07-14 | 2001-02-26 | 株式会社村田製作所 | 液相エピタキシャル成長装置 |
-
1971
- 1971-06-30 GB GB3061071A patent/GB1300187A/en not_active Expired
- 1971-07-30 SE SE978071A patent/SE377055B/xx unknown
- 1971-07-30 FR FR7129448A patent/FR2104258A5/fr not_active Expired
- 1971-08-11 CA CA120,465A patent/CA955507A/en not_active Expired
- 1971-08-16 CH CH1198871A patent/CH548791A/xx not_active IP Right Cessation
- 1971-08-16 JP JP46061715A patent/JPS5134391B1/ja active Pending
- 1971-08-16 NL NL7111290A patent/NL175535C/xx not_active IP Right Cessation
- 1971-08-16 AU AU32409/71A patent/AU459061B2/en not_active Expired
- 1971-08-17 BE BE771417A patent/BE771417A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2140582A1 (de) | 1972-02-24 |
| NL175535B (nl) | 1984-06-18 |
| GB1300187A (en) | 1972-12-20 |
| AU459061B2 (en) | 1975-03-13 |
| BE771417A (fr) | 1971-12-31 |
| CA955507A (en) | 1974-10-01 |
| NL7111290A (enrdf_load_stackoverflow) | 1972-02-21 |
| AU3240971A (en) | 1973-02-22 |
| CH548791A (de) | 1974-05-15 |
| JPS5134391B1 (enrdf_load_stackoverflow) | 1976-09-25 |
| FR2104258A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 1972-04-14 |
| DE2140582B2 (de) | 1975-06-19 |
| SE377055B (enrdf_load_stackoverflow) | 1975-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL180467C (nl) | Halfgeleiderinrichting, omvattende een op een halfgeleidersubstraat aangegroeide epitaxiale laag van halfgeleidermateriaal, die in afzonderlijke eilandzones is verdeeld door een door plaatselijke oxydatie van halfgeleidermateriaal van de laag in de laag gevormd patroon van isolerend materiaal. | |
| NL171309C (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, waarbij een laag van siliciumdioxyde wordt gevormd op een oppervlak van een monokristallijn lichaam van silicium. | |
| NL170901C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
| NL161305C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
| NL161302C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
| NL158025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL142287B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL7414007A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
| NL160984C (nl) | Werkwijze voor het elektrolytisch vormen van een oxyde- laag op het oppervlak van een lichaam van een gallium bevattende halfgeleidende verbinding. | |
| CA968674A (en) | Method of depositing an epitaxial semiconductor layer from the liquid phase | |
| NL163372C (nl) | Halfgeleiderinrichting, omvattende een monokristallijn halfgeleiderlichaam met een door aangroeien vanuit de dampfase verkregen halfgeleidende laag, die een gebied van monokristallijn materiaal en een gebied van polykristallijn materiaal omvat. | |
| NL7413791A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
| NL158022B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
| BE814426A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het aangroeien van epitaxiale lagen vanuit de vloeistoffase | |
| NL161920C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, waarbij de roostervervorming t.g.v. doteerstoffen wordt gecompenseerd. | |
| NL173286C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een dispersiegehard materiaal. | |
| NL175535C (nl) | Werkwijze voor het vanuit de vloeistoffase aangroeien van ten minste een epitaxiale laag van samengesteld halfgeleidermateriaal op een dragerlichaam van samengesteld halfgeleidermateriaal. | |
| NL173729C (nl) | Machine voor het aanbrengen van een voorwerpdrager. | |
| NL166074C (nl) | Inrichting voor het epitaxiaal uit vloeibare toestand neerslaan van meerdere halfgeleiderlaagjes op een substraat. | |
| NL185375C (nl) | Inrichting voor het epitaxiaal aanbrengen van een laag halfgeleidermateriaal. | |
| NL149860B (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een metaallaag van wolfraam of molybdeen op een halfgeleiderlichaam, alsmede halfgeleiderinrichting voorzien van schottkykeerlaag verkregen volgens deze werkwijze. | |
| NL176413C (nl) | Werkwijze voor het vormen van een drager voor een halfgeleiderelement. | |
| NL181767C (nl) | Halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en het overdragen van pakketten minderheidsladingsdragers en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting. | |
| NL7410978A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL159813B (nl) | Werkwijze voor het op een monokristallijn substraat aan- brengen van een epitaxiale monokristallijne laag halfge- leidend materiaal vanuit een smelt. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |