NL7410978A - Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.Info
- Publication number
- NL7410978A NL7410978A NL7410978A NL7410978A NL7410978A NL 7410978 A NL7410978 A NL 7410978A NL 7410978 A NL7410978 A NL 7410978A NL 7410978 A NL7410978 A NL 7410978A NL 7410978 A NL7410978 A NL 7410978A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semi
- procedure
- manufacturing
- manufactured according
- conductor
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/808—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a PN junction gate, e.g. PN homojunction gate
- H01L29/8083—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/026—Deposition thru hole in mask
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/051—Etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/053—Field effect transistors fets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/106—Masks, special
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7330278A FR2241875B1 (nl) | 1973-08-21 | 1973-08-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL7410978A true NL7410978A (nl) | 1975-02-25 |
Family
ID=9124148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL7410978A NL7410978A (nl) | 1973-08-21 | 1974-08-16 | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3951694A (nl) |
| JP (1) | JPS5223232B2 (nl) |
| CA (1) | CA1008974A (nl) |
| DE (1) | DE2438109A1 (nl) |
| FR (1) | FR2241875B1 (nl) |
| GB (1) | GB1479974A (nl) |
| IT (1) | IT1020027B (nl) |
| NL (1) | NL7410978A (nl) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2460037A1 (fr) * | 1979-06-22 | 1981-01-16 | Thomson Csf | Procede d'auto-alignement de regions differemment dopees d'une structure de semi-conducteur |
| DE2945854A1 (de) * | 1979-11-13 | 1981-05-21 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Ionenimplantationsverfahren |
| JPS6074447U (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-25 | 東北金属工業株式会社 | 密閉構造の電子装置 |
| US4557794A (en) * | 1984-05-07 | 1985-12-10 | Rca Corporation | Method for forming a void-free monocrystalline epitaxial layer on a mask |
| GB9326344D0 (en) * | 1993-12-23 | 1994-02-23 | Texas Instruments Ltd | High voltage transistor for sub micron cmos processes |
| JP2016500914A (ja) * | 2012-09-25 | 2016-01-14 | ピーエスティ・センサーズ・（プロプライエタリー）・リミテッドＰｓｔ Ｓｅｎｓｏｒｓ （Ｐｒｏｐｒｉｅｔａｒｙ） Ｌｉｍｉｔｅｄ | 電流切換トランジスタ |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3413531A (en) * | 1966-09-06 | 1968-11-26 | Ion Physics Corp | High frequency field effect transistor |
| US3457632A (en) * | 1966-10-07 | 1969-07-29 | Us Air Force | Process for implanting buried layers in semiconductor devices |
| US3431150A (en) * | 1966-10-07 | 1969-03-04 | Us Air Force | Process for implanting grids in semiconductor devices |
| GB1269359A (en) * | 1968-08-22 | 1972-04-06 | Atomic Energy Authority Uk | Improvements in or relating to semiconductors and methods of doping semiconductors |
| GB1324507A (en) * | 1969-12-18 | 1973-07-25 | Mullard Ltd | Methods of manufacturing a semiconductor device |
| US3713922A (en) * | 1970-12-28 | 1973-01-30 | Bell Telephone Labor Inc | High resolution shadow masks and their preparation |
-
1973
- 1973-08-21 FR FR7330278A patent/FR2241875B1/fr not_active Expired
-
1974
- 1974-08-08 DE DE2438109A patent/DE2438109A1/de not_active Withdrawn
- 1974-08-15 CA CA207,137A patent/CA1008974A/en not_active Expired
- 1974-08-16 NL NL7410978A patent/NL7410978A/nl unknown
- 1974-08-16 GB GB36189/74A patent/GB1479974A/en not_active Expired
- 1974-08-17 JP JP49093839A patent/JPS5223232B2/ja not_active Expired
- 1974-08-19 IT IT26410/74A patent/IT1020027B/it active
- 1974-08-20 US US05/498,913 patent/US3951694A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5051675A (nl) | 1975-05-08 |
| US3951694A (en) | 1976-04-20 |
| IT1020027B (it) | 1977-12-20 |
| GB1479974A (en) | 1977-07-13 |
| FR2241875A1 (nl) | 1975-03-21 |
| DE2438109A1 (de) | 1975-02-27 |
| FR2241875B1 (nl) | 1977-09-09 |
| CA1008974A (en) | 1977-04-19 |
| JPS5223232B2 (nl) | 1977-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL7510903A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL161302C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
| NL7506594A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze. | |
| NL170901C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
| NL161305C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
| NL7609815A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
| NL7506519A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekt- transistor, en veldeffekttransistor vervaardigd vol- gens deze werkwijze. | |
| NL182780C (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een vuurvaste module, in het bijzonder een katalysatordrager. | |
| NL158025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL160512C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een van uitsteeksels voorziene plaat. | |
| NL7410874A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een aantal filamenten, alsmede produkten verkregen volgens de werkwijze. | |
| NL152214B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een verpakking, alsmede vervaardigde verpakking. | |
| NL7414007A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
| NL171732B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een niet-geweven vezelbaan, alsmede inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. | |
| NL181696C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met tenminste een halfgeleiderelement in een voor de halfgeleiderelementen gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam. | |
| NL7413791A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
| NL7312547A (nl) | Halfgeleiderinrichting, werkwijze ter vervaardiging daarvan en schakeling bevattende de inrichting. | |
| NL158022B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
| NL161619C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
| NL7416779A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een bipolai- re transistor en bipolaire transistor vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL159824B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een lichtgevoelig half- geleiderelement. | |
| NL161920B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, waarbij de roostervervorming t.g.v. doteerstoffen wordt gecompenseerd. | |
| NL148364B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een treksluiting, alsmede treksluiting vervaardigd onder toepassing van deze werkwijze. | |
| NL7609607A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
| NL7607298A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. |