NL181767C - Halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en het overdragen van pakketten minderheidsladingsdragers en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting. - Google Patents
Halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en het overdragen van pakketten minderheidsladingsdragers en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting.Info
- Publication number
- NL181767C NL181767C NLAANVRAGE7200511,A NL7200511A NL181767C NL 181767 C NL181767 C NL 181767C NL 7200511 A NL7200511 A NL 7200511A NL 181767 C NL181767 C NL 181767C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semiconductor
- packages
- storing
- load
- transfer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/76866—Surface Channel CCD
- H01L29/76875—Two-Phase CCD
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
- G11C19/282—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements with charge storage in a depletion layer, i.e. charge coupled devices [CCD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26586—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation characterised by the angle between the ion beam and the crystal planes or the main crystal surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
- H01L29/1062—Channel region of field-effect devices of charge coupled devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7101182A FR2123592A5 (nl) | 1971-01-14 | 1971-01-14 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7200511A NL7200511A (nl) | 1972-07-18 |
NL181767B NL181767B (nl) | 1987-05-18 |
NL181767C true NL181767C (nl) | 1987-10-16 |
Family
ID=9070296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NLAANVRAGE7200511,A NL181767C (nl) | 1971-01-14 | 1972-01-13 | Halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en het overdragen van pakketten minderheidsladingsdragers en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3829884A (nl) |
JP (1) | JPS5637705B1 (nl) |
FR (1) | FR2123592A5 (nl) |
GB (1) | GB1322110A (nl) |
NL (1) | NL181767C (nl) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3906542A (en) * | 1972-06-14 | 1975-09-16 | Bell Telephone Labor Inc | Conductively connected charge coupled devices |
US3999208A (en) * | 1972-10-18 | 1976-12-21 | Hitachi, Ltd. | Charge transfer semiconductor device |
IE39611B1 (en) * | 1973-08-14 | 1978-11-22 | Siemens Ag | Improvements in or relating to two-phase charge coupled devices |
DE2342923C2 (de) * | 1973-08-24 | 1975-10-23 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung einer Zweiphasen-Ladungsverschlebeanordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Zweiphasen-Ladungs Verschiebeanordnung |
US4348690A (en) * | 1981-04-30 | 1982-09-07 | Rca Corporation | Semiconductor imagers |
US4396438A (en) * | 1981-08-31 | 1983-08-02 | Rca Corporation | Method of making CCD imagers |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3374406A (en) * | 1964-06-01 | 1968-03-19 | Rca Corp | Insulated-gate field-effect transistor |
US3305708A (en) * | 1964-11-25 | 1967-02-21 | Rca Corp | Insulated-gate field-effect semiconductor device |
US3564355A (en) * | 1968-02-08 | 1971-02-16 | Sprague Electric Co | Semiconductor device employing a p-n junction between induced p- and n- regions |
US3660697A (en) * | 1970-02-16 | 1972-05-02 | Bell Telephone Labor Inc | Monolithic semiconductor apparatus adapted for sequential charge transfer |
US3651349A (en) * | 1970-02-16 | 1972-03-21 | Bell Telephone Labor Inc | Monolithic semiconductor apparatus adapted for sequential charge transfer |
US3654499A (en) * | 1970-06-24 | 1972-04-04 | Bell Telephone Labor Inc | Charge coupled memory with storage sites |
US3676715A (en) * | 1970-06-26 | 1972-07-11 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor apparatus for image sensing and dynamic storage |
JPS5541920B2 (nl) * | 1971-09-11 | 1980-10-27 |
-
1971
- 1971-01-14 FR FR7101182A patent/FR2123592A5/fr not_active Expired
- 1971-12-31 GB GB6098871A patent/GB1322110A/en not_active Expired
-
1972
- 1972-01-13 NL NLAANVRAGE7200511,A patent/NL181767C/nl not_active IP Right Cessation
- 1972-01-13 US US00217595A patent/US3829884A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-01-14 JP JP640872A patent/JPS5637705B1/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5637705B1 (nl) | 1981-09-02 |
DE2201395A1 (de) | 1972-07-27 |
NL7200511A (nl) | 1972-07-18 |
GB1322110A (en) | 1973-07-04 |
DE2201395B2 (de) | 1976-07-22 |
US3829884A (en) | 1974-08-13 |
NL181767B (nl) | 1987-05-18 |
FR2123592A5 (nl) | 1972-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL182520C (nl) | Halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type voor het opslaan en in volgorde overdragen van pakketten ladingdragers. | |
NL165886C (nl) | Halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en in volgorgde overdragen van pakketten meerderheidsladingdragers. | |
NL172705C (nl) | Halfgeleidergeheugeninrichting voor het opslaan en in volgorde overdragen van pakketten minderheidsladingsdragers. | |
NL170901C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL161305C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL168744C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van in elkaar stapelbare bekervormige houders. | |
NL161302B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL158025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL140483B (nl) | Inrichting voor het lossen van gestapelde voorwerpen. | |
NL162789C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL163369C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL158022B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL163063C (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het lading- gekoppelde type voor het opslaan en in volgorde over- dragen van pakketten minderheidsladingsdragers. | |
NL150620B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL165887C (nl) | Halfgeleiderinrichting voor het opslaan en in volgorde overdragen van pakketten ladingsdragers. | |
NL181767C (nl) | Halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en het overdragen van pakketten minderheidsladingsdragers en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting. | |
NL7311769A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van meervoudig geoerienteerde houders. | |
NL155131B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
CH541880A (de) | Dünnschicht-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
NL166171C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van, uit meerdere lagen opgebouwde, gedrukte schakelingen en inrichting ter realisering van deze werkwijze. | |
NL167056B (nl) | Inrichting van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en in volgorde overdragen van pakketten lading- dragers. | |
NL163901C (nl) | Halfgeleiderschakeling van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en in volgorde overdragen van met een signaal overeenkomende pakketten ladingdragers, alsmede werkwijze ter vervaardiging daarvan. | |
NL163061C (nl) | Inrichting van het lading gekoppelde type voor het opslaan en overdragen van pakketten vrije ladings- drager en werkwijze voor het opslaan en in volgorde overdragen van pakketten vrije ladingsdragers in de inrichting. | |
NL7512828A (nl) | Halfgeleidergeheugeninrichting en werkwijze voor het vervaardigen ervan. | |
NL163675C (nl) | Werkwijze voor het in een voorafbepaalde richting overdragen van met informatiesignalen overeenkomende pakketten ladingsdragers in een halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
BB | A search report has been drawn up | ||
BC | A request for examination has been filed | ||
BV | The patent application has lapsed | ||
A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |