BE814426A - Werkwijze en inrichting voor het aangroeien van epitaxiale lagen vanuit de vloeistoffase - Google Patents

Werkwijze en inrichting voor het aangroeien van epitaxiale lagen vanuit de vloeistoffase

Info

Publication number
BE814426A
BE814426A BE143814A BE143814A BE814426A BE 814426 A BE814426 A BE 814426A BE 143814 A BE143814 A BE 143814A BE 143814 A BE143814 A BE 143814A BE 814426 A BE814426 A BE 814426A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
liquid phase
epitaxial layers
growing epitaxial
growing
layers
Prior art date
Application number
BE143814A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of BE814426A publication Critical patent/BE814426A/nl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/063—Sliding boat system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/068—Substrate holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02392—Phosphides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02395—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02546—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
BE143814A 1973-05-01 1974-04-30 Werkwijze en inrichting voor het aangroeien van epitaxiale lagen vanuit de vloeistoffase BE814426A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7306004A NL7306004A (nl) 1973-05-01 1973-05-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE814426A true BE814426A (nl) 1974-10-30

Family

ID=19818754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE143814A BE814426A (nl) 1973-05-01 1974-04-30 Werkwijze en inrichting voor het aangroeien van epitaxiale lagen vanuit de vloeistoffase

Country Status (10)

Country Link
US (2) US3940296A (nl)
JP (1) JPS5337186B2 (nl)
BE (1) BE814426A (nl)
CA (1) CA1026217A (nl)
CH (1) CH581497A5 (nl)
DE (1) DE2418830C3 (nl)
FR (1) FR2228302B1 (nl)
GB (1) GB1452546A (nl)
IT (1) IT1010136B (nl)
NL (1) NL7306004A (nl)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4028148A (en) * 1974-12-20 1977-06-07 Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation Method of epitaxially growing a laminate semiconductor layer in liquid phase
JPS5248949B2 (nl) * 1974-12-20 1977-12-13
US4026240A (en) * 1975-11-17 1977-05-31 Hewlett-Packard Company Liquid phase epitaxial reactor apparatus
JPS5271369U (nl) * 1976-11-17 1977-05-27
FR2470810A1 (fr) * 1979-12-07 1981-06-12 Labo Electronique Physique Procede de fabrication de structures semi-conductrices par croissance epitaxiale en phase liquide et structures obtenues
FR2476690A1 (fr) * 1980-02-27 1981-08-28 Radiotechnique Compelec Nacelle utilisable pour des depots epitaxiques en phase liquide et procede de depot mettant en jeu ladite nacelle
FR2557154A1 (fr) * 1983-12-22 1985-06-28 Rondot Michel Creuset pour epitaxie en phase liquide, a jeu reglable entre substrat et cloisons interbains
NL8403017A (nl) * 1984-10-04 1986-05-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij op een halfgeleiderlichaam een met mg gedoteerde epitaxiale laag wordt afgezet.
FR2588884B1 (fr) * 1985-10-22 1987-11-27 Labo Electronique Physique Creuset pour l'epitaxie en phase liquide de couches semiconductrices
JPS63118189U (nl) * 1987-01-27 1988-07-30
US5223079A (en) * 1991-03-18 1993-06-29 Motorola, Inc. Forming thin liquid phase epitaxial layers

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2516908A (en) * 1945-09-24 1950-08-01 American Can Co Apparatus for lining can ends
US2608177A (en) * 1949-04-25 1952-08-26 Armstrong Cork Co Closure lining machine
US2910041A (en) * 1956-11-29 1959-10-27 Grace W R & Co Gasket applying machine
US3565702A (en) * 1969-02-14 1971-02-23 Rca Corp Depositing successive epitaxial semiconductive layers from the liquid phase
US3747562A (en) * 1971-05-28 1973-07-24 Texas Instruments Inc Sliding furnace boat apparatus
NL190774A (nl) * 1971-06-18
JPS4880275A (nl) * 1972-01-28 1973-10-27
US3785884A (en) * 1972-07-21 1974-01-15 Rca Corp Method for depositing a semiconductor material on the substrate from the liquid phase
US3821039A (en) * 1973-03-22 1974-06-28 Rca Corp Method of epitaxially depositing a semiconductor material on a substrate
US3879235A (en) * 1973-06-11 1975-04-22 Massachusetts Inst Technology Method of growing from solution materials exhibiting a peltier effect at the solid-melt interface

Also Published As

Publication number Publication date
CA1026217A (en) 1978-02-14
CH581497A5 (nl) 1976-11-15
US3940296A (en) 1976-02-24
JPS5028754A (nl) 1975-03-24
IT1010136B (it) 1977-01-10
DE2418830A1 (de) 1974-11-21
US4308820A (en) 1982-01-05
FR2228302B1 (nl) 1977-03-04
DE2418830C3 (de) 1980-06-26
NL7306004A (nl) 1974-11-05
JPS5337186B2 (nl) 1978-10-06
DE2418830B2 (de) 1979-10-11
FR2228302A1 (nl) 1974-11-29
AU6841074A (en) 1975-10-30
GB1452546A (en) 1976-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7501683A (nl) Inrichting voor het aereren van vloeistoffen.
NL7415450A (nl) Inrichting voor het opbrengen van dunne lagen.
NL7506603A (nl) Ultra-filtratie en elektrodialyseapparaat en werkwijze voor het fraktioneren van vloeistof- fen.
NL7506280A (nl) Werkwijze voor het aeroob kweken van microoerga- nismen.
NL7500275A (nl) Werkwijze en inrichting voor het bereiden van of yoghurt.
NL7406548A (nl) Werkwijze voor het neerslaan van epitaxiale kristallijne lagen.
NL7415687A (nl) Werkwijze en inrichting voor het luchtledig maken van houders.
BE814426A (nl) Werkwijze en inrichting voor het aangroeien van epitaxiale lagen vanuit de vloeistoffase
NL7416258A (nl) Werkwijze en inrichting voor het denitreren van kooks.
NL7513403A (nl) Inrichting voor het weergeven van registratiedra- gers.
NL170711C (nl) Inrichting voor het doorlopend vervaardigen van houders.
NL7514592A (nl) Galvaniseerinrichting voor het gedeeltelijk me- talliseren van continu doorlopende voorwerpen.
NL7711759A (nl) Inrichting voor het zonder toepassing van aarde kweken van planten.
NL7514816A (nl) Werkwijze en inrichting voor het epitaxiaal doen aangroeien van een gelamelleerde halfgeleiderlaag.
NL7504388A (nl) Werkwijze en inrichting voor het navigeren van vaartuigen.
NL7409575A (nl) Werkwijze en inrichting voor het verven van poolmateriaal.
NL7414620A (nl) Werkwijze voor het isomeriseren van alkenen.
NL168890C (nl) Werkwijze voor kristalgroei vanuit de vloeibare fase.
NL7409487A (nl) Inrichting voor het besturen van gasturbinemo-
NL180384C (nl) Inrichting voor het scheiden van damp en vloeistof.
NL7411911A (nl) Werkwijze voor het groeien van kristallen.
NL7507808A (nl) Werkwijze voor het isomeriseren van alkenen.
NL178264C (nl) Diagnostische inrichting voor het kweken van microoerganismen.
NL7505388A (nl) Inrichting voor het regelen van het afgeven van vloeistof.
NL7410673A (nl) Werkwijze voor het maken van gelijkvormig georienteerde lagen van vloeibaar/kristallijne fasen op een dragermateriaal.