NL166155C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, waarbij op een oppervlak van een half- geleiderlichaam een van een opening voorziene eerste laag van siliciumdioxyde en in de gehele opening een tweede laag van siliciumdioxyde worden aangebracht, aan welke tweede laag een dusdanige hoeveelheid van een verbinding van een element verschillend van een doteringsstofelement is toegevoegd dat de etssnelheid van de twerkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, waarbij op een oppervlak van een half- geleiderlichaam een van een opening v - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, waarbij op een oppervlak van een half- geleiderlichaam een van een opening voorziene eerste laag van siliciumdioxyde en in de gehele opening een tweede laag van siliciumdioxyde worden aangebracht, aan welke tweede laag een dusdanige hoeveelheid van een verbinding van een element verschillend van een doteringsstofelement is toegevoegd dat de etssnelheid van de twerkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, waarbij op een oppervlak van een half- geleiderlichaam een van een opening v

Info

Publication number
NL166155C
NL166155C NL7009238.A NL7009238A NL166155C NL 166155 C NL166155 C NL 166155C NL 7009238 A NL7009238 A NL 7009238A NL 166155 C NL166155 C NL 166155C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
manufacturing
device including
dioxide
silicon
Prior art date
Application number
NL7009238.A
Other languages
English (en)
Other versions
NL7009238A (nl
NL166155B (nl
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co
Publication of NL7009238A publication Critical patent/NL7009238A/xx
Publication of NL166155B publication Critical patent/NL166155B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL166155C publication Critical patent/NL166155C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6329—Deposition from the gas or vapour phase using physical ablation of a target, e.g. physical vapour deposition or pulsed laser deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
    • H10P14/662—Laminate layers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
    • H10P14/668—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials
    • H10P14/6681—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si
    • H10P14/6682—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/69215—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H10P14/6923—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/04—Dopants, special
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/043—Dual dielectric
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/106—Masks, special
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/118—Oxide films
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/141—Self-alignment coat gate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/145—Shaped junctions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/147—Silicides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/151—Simultaneous diffusion
NL7009238.A 1969-06-24 1970-06-24 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, waarbij op een oppervlak van een half- geleiderlichaam een van een opening voorziene eerste laag van siliciumdioxyde en in de gehele opening een tweede laag van siliciumdioxyde worden aangebracht, aan welke tweede laag een dusdanige hoeveelheid van een verbinding van een element verschillend van een doteringsstofelement is toegevoegd dat de etssnelheid van de twerkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, waarbij op een oppervlak van een half- geleiderlichaam een van een opening v NL166155C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP44049370A JPS4932028B1 (nl) 1969-06-24 1969-06-24

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7009238A NL7009238A (nl) 1970-12-29
NL166155B NL166155B (nl) 1981-01-15
NL166155C true NL166155C (nl) 1981-06-15

Family

ID=12829123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7009238.A NL166155C (nl) 1969-06-24 1970-06-24 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, waarbij op een oppervlak van een half- geleiderlichaam een van een opening voorziene eerste laag van siliciumdioxyde en in de gehele opening een tweede laag van siliciumdioxyde worden aangebracht, aan welke tweede laag een dusdanige hoeveelheid van een verbinding van een element verschillend van een doteringsstofelement is toegevoegd dat de etssnelheid van de twerkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, waarbij op een oppervlak van een half- geleiderlichaam een van een opening v

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3761328A (nl)
JP (1) JPS4932028B1 (nl)
DE (1) DE2031235C3 (nl)
FR (1) FR2047914B1 (nl)
GB (1) GB1282063A (nl)
NL (1) NL166155C (nl)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4069493A (en) * 1970-10-02 1978-01-17 Thomson-Csf Novel integrated circuit and method of manufacturing same
FR2186734A1 (en) * 1972-05-29 1974-01-11 Radiotechnique Compelec Microwave semiconductor component production - by simultaneous multiple diffusion from doped insulation films
CA1131801A (en) * 1978-01-18 1982-09-14 Johannes A. Appels Semiconductor device
NL184552C (nl) * 1978-07-24 1989-08-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor hoge spanningen.
US4252582A (en) * 1980-01-25 1981-02-24 International Business Machines Corporation Self aligned method for making bipolar transistor having minimum base to emitter contact spacing
US4414737A (en) * 1981-01-30 1983-11-15 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Production of Schottky barrier diode
US4883767A (en) * 1986-12-05 1989-11-28 General Electric Company Method of fabricating self aligned semiconductor devices
DE3806287A1 (de) * 1988-02-27 1989-09-07 Asea Brown Boveri Aetzverfahren zur strukturierung einer mehrschicht-metallisierung
US5120669A (en) * 1991-02-06 1992-06-09 Harris Corporation Method of forming self-aligned top gate channel barrier region in ion-implanted JFET
US8226840B2 (en) * 2008-05-02 2012-07-24 Micron Technology, Inc. Methods of removing silicon dioxide
US12120257B2 (en) * 2020-04-07 2024-10-15 Amosense Co., Ltd. Folding plate and manufacturing method therefor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3342650A (en) * 1964-02-10 1967-09-19 Hitachi Ltd Method of making semiconductor devices by double masking
US3432405A (en) * 1966-05-16 1969-03-11 Fairchild Camera Instr Co Selective masking method of silicon during anodization

Also Published As

Publication number Publication date
FR2047914A1 (nl) 1971-03-19
DE2031235C3 (de) 1979-01-18
NL7009238A (nl) 1970-12-29
US3761328A (en) 1973-09-25
GB1282063A (en) 1972-07-19
DE2031235A1 (de) 1971-01-14
FR2047914B1 (nl) 1973-11-16
JPS4932028B1 (nl) 1974-08-27
NL166155B (nl) 1981-01-15
DE2031235B2 (de) 1978-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7501529A (nl) Veldeffect halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7510336A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het ver- vaardigen daarvan.
NL165002C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting, waarbij oneffenheden van het oppervlak van een substraat worden verwijderd.
NL186608C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinjectie-logicainrichting.
NL161617B (nl) Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL161305B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL163059B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrich- ting, waarbij een op een oppervlak van een halfgeleider- lichaam aangebrachte laag materiaal met ionen wordt ge- bombardeerd.
NL153947B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7613893A (nl) Halfgeleiderinrichting met gepassiveerd opper- vlak, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting.
NL166155C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, waarbij op een oppervlak van een half- geleiderlichaam een van een opening voorziene eerste laag van siliciumdioxyde en in de gehele opening een tweede laag van siliciumdioxyde worden aangebracht, aan welke tweede laag een dusdanige hoeveelheid van een verbinding van een element verschillend van een doteringsstofelement is toegevoegd dat de etssnelheid van de twerkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, waarbij op een oppervlak van een half- geleiderlichaam een van een opening v
NL162250C (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen.
NL142283B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een op het halfgeleideroppervlak aangebrachte laag siliciumoxyde.
FR1519780A (fr) Dispositifs semi-conducteurs intégrés et leurs procédés de fabrication
NL168997B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, waarbij groeven in een hoofdoppervlak van een plaatje halfgeleidermateriaal worden gevormd en waarbij het andere hoofdoppervlak zolang aan een lap- bewerking wordt onderworpen, dat ten minste een van de groeven wordt blootgelegd.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL7313572A (nl) Werkwijze voor het etsen van silicium- of ger- mplakken en halfgeleiderinrichtingen ver- igd met toepassing van deze werkwijze.
FR1343800A (fr) Dispositifs semi-conducteurs et leurs procédés de fabrication
NL143733B (nl) Werkwijze voor het selectief etsen van een gedeelte van een siliciumlichaam en geetst siliciumlichaam.
NL154059B (nl) Werkwijze voor het etsen van siliciumnitride in aanwezigheid van gedoteerd silicium.
NL155131B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL7712388A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
CH541880A (de) Dünnschicht-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
BE750088A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting
NL181767C (nl) Halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en het overdragen van pakketten minderheidsladingsdragers en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent