NL163673C - Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde half- geleiderinrichting met een veldeffecttransistor van het overgangstype. - Google Patents

Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde half- geleiderinrichting met een veldeffecttransistor van het overgangstype.

Info

Publication number
NL163673C
NL163673C NL6809049.A NL6809049A NL163673C NL 163673 C NL163673 C NL 163673C NL 6809049 A NL6809049 A NL 6809049A NL 163673 C NL163673 C NL 163673C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
semiconductor device
field effect
effect transistor
type field
Prior art date
Application number
NL6809049.A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL163673B (nl
NL6809049A (OSRAM
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of NL6809049A publication Critical patent/NL6809049A/xx
Publication of NL163673B publication Critical patent/NL163673B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL163673C publication Critical patent/NL163673C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/347—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
    • H10D30/83—FETs having PN junction gate electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/40—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00 with at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of IGFETs with BJTs
    • H10D84/401—Combinations of FETs or IGBTs with BJTs
    • H10D84/403—Combinations of FETs or IGBTs with BJTs and with one or more of diodes, resistors or capacitors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/037—Diffusion-deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/053—Field effect transistors fets
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/085—Isolated-integrated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/145—Shaped junctions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/151—Simultaneous diffusion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
NL6809049.A 1967-06-30 1968-06-27 Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde half- geleiderinrichting met een veldeffecttransistor van het overgangstype. NL163673C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR112637 1967-06-30

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL6809049A NL6809049A (OSRAM) 1968-12-31
NL163673B NL163673B (nl) 1980-04-15
NL163673C true NL163673C (nl) 1980-09-15

Family

ID=8634224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL6809049.A NL163673C (nl) 1967-06-30 1968-06-27 Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde half- geleiderinrichting met een veldeffecttransistor van het overgangstype.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3595714A (OSRAM)
DE (1) DE1764578C3 (OSRAM)
FR (1) FR1559611A (OSRAM)
GB (1) GB1229294A (OSRAM)
NL (1) NL163673C (OSRAM)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS509635B1 (OSRAM) * 1970-09-07 1975-04-14
FR2124142B1 (OSRAM) * 1971-02-09 1973-11-30 Simplex Appareils
DE2131993C2 (de) * 1971-06-28 1984-10-11 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Verfahren zum Herstellen eines niederohmigen Anschlusses
JPS524426B2 (OSRAM) * 1973-04-20 1977-02-03
DE2351985A1 (de) * 1973-10-17 1975-04-30 Itt Ind Gmbh Deutsche Planardiffusionsverfahren zum herstellen einer monolithisch integrierten festkoerperschaltung
JPS51101478A (OSRAM) * 1975-03-04 1976-09-07 Suwa Seikosha Kk
US3955269A (en) * 1975-06-19 1976-05-11 International Business Machines Corporation Fabricating high performance integrated bipolar and complementary field effect transistors
US4314267A (en) * 1978-06-13 1982-02-02 Ibm Corporation Dense high performance JFET compatible with NPN transistor formation and merged BIFET
JPH065745B2 (ja) * 1986-07-31 1994-01-19 株式会社日立製作所 半導体装置
IT1237666B (it) * 1989-10-31 1993-06-15 Sgs Thomson Microelectronics Processo per la fabbricazione di un componente limitatore della tensione di programmazione e stabilizzatore di tensione incorporato inun dispositivo elettrico con celle di memoria eeprom
US5296047A (en) * 1992-01-28 1994-03-22 Hewlett-Packard Co. Epitaxial silicon starting material

Also Published As

Publication number Publication date
GB1229294A (OSRAM) 1971-04-21
NL163673B (nl) 1980-04-15
DE1764578B2 (de) 1978-11-23
US3595714A (en) 1971-07-27
DE1764578C3 (de) 1979-08-02
DE1764578A1 (de) 1971-08-19
NL6809049A (OSRAM) 1968-12-31
FR1559611A (OSRAM) 1969-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH466873A (de) Integrierte Halbleitervorrichtung
NL161616C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
DK119934B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et halvlederorgan.
NL159235B (nl) Schakeling voorzien van een veldeffecthalfgeleiderinrichting.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL156631B (nl) Inrichting voor het vervaardigen van biaxiaal verstrekte slangfoelies.
DK121771B (da) Halvlederkomponent med en felteffekttransistor med isoleret styreelektrode samt fremgangsmåde til fremstilling af komponenten.
DK122554B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et halvlederorgan.
DK118413B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af en halvlederkomponent.
NL144091B (nl) Halfgeleiderveldeffectinrichting van het type met een geisoleerde poortelektrode.
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL163369C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
DK117847B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et halvlederapparat indeholdende en felteffekttransistor.
NL163673B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde half- geleiderinrichting met een veldeffecttransistor van het overgangstype.
NL162511B (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL157749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL161300C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting met een zenerdiode en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
DK117846B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et halvlederapparat.
NL149638B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
AT302418B (de) Halbleitervorrichtung, insbesondere Transistor
NL152115B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een siliciumhalfgeleiderinrichting door etsen.
NL167278C (nl) Geintegreerde schakeling met veldeffekttransistoren.
NL152708B (nl) Halfgeleiderinrichting met een veldeffecttransistor met geisoleerde poortelektrode.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee