NL151847B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam met een pn-overgang tussen twee halfgeleidende materialen alsmede een halfgeleiderinrichting voorzien van volgens de werkwijze vervaardigd halfgeleiderlichaam.
- Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam met een pn-overgang tussen twee halfgeleidende materialen alsmede een halfgeleiderinrichting voorzien van volgens de werkwijze vervaardigd halfgeleiderlichaam.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Ind Co LtdfiledCriticalMatsushita Electric Ind Co Ltd
Priority to NL6516853ApriorityCriticalpatent/NL151847B/nl
Publication of NL6516853ApublicationCriticalpatent/NL6516853A/xx
Publication of NL151847BpublicationCriticalpatent/NL151847B/nl
H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
H—ELECTRICITY
H01—ELECTRIC ELEMENTS
H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Landscapes
Engineering & Computer Science
(AREA)
Physics & Mathematics
(AREA)
Condensed Matter Physics & Semiconductors
(AREA)
General Physics & Mathematics
(AREA)
Computer Hardware Design
(AREA)
Microelectronics & Electronic Packaging
(AREA)
Power Engineering
(AREA)
Manufacturing & Machinery
(AREA)
Electromagnetism
(AREA)
NL6516853A1965-12-231965-12-23Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam met een pn-overgang tussen twee halfgeleidende materialen alsmede een halfgeleiderinrichting voorzien van volgens de werkwijze vervaardigd halfgeleiderlichaam.
NL151847B
(nl)
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam met een pn-overgang tussen twee halfgeleidende materialen alsmede een halfgeleiderinrichting voorzien van volgens de werkwijze vervaardigd halfgeleiderlichaam.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam met een pn-overgang tussen twee halfgeleidende materialen alsmede een halfgeleiderinrichting voorzien van volgens de werkwijze vervaardigd halfgeleiderlichaam.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam met een pn-overgang tussen twee halfgeleidende materialen alsmede een halfgeleiderinrichting voorzien van volgens de werkwijze vervaardigd halfgeleiderlichaam.
Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting.
Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
Werkwijze voor het vervaardigen van een planaire halfgeleiderinrichting, voorzien van een vrijwel uitsluitend uit palladium bestaande laag, alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
Werkwijze voor het aanbrengen van een gelijkrichtende p,n-keerlaag in een kristallijn halfgeleiderplaatje en halfgeleiderinrichting voorzien van het halfgeleiderplaatje vervaardigd volgens de werkwijze.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.