NL150619B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en een halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en een halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.Info
- Publication number
- NL150619B NL150619B NL686804373A NL6804373A NL150619B NL 150619 B NL150619 B NL 150619B NL 686804373 A NL686804373 A NL 686804373A NL 6804373 A NL6804373 A NL 6804373A NL 150619 B NL150619 B NL 150619B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semiconductor device
- manufacture
- accordance
- device manufactured
- manufactured
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2252—Diffusion into or out of group IV semiconductors using predeposition of impurities into the semiconductor surface, e.g. from a gaseous phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
- H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1908267 | 1967-03-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL6804373A NL6804373A (enrdf_load_stackoverflow) | 1968-09-30 |
NL150619B true NL150619B (nl) | 1976-08-16 |
Family
ID=11989508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL686804373A NL150619B (nl) | 1967-03-29 | 1968-03-28 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en een halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR1557549A (enrdf_load_stackoverflow) |
GB (1) | GB1172491A (enrdf_load_stackoverflow) |
NL (1) | NL150619B (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1255995A (en) * | 1968-03-04 | 1971-12-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and method of making same |
US3615941A (en) * | 1968-05-07 | 1971-10-26 | Hitachi Ltd | Method for manufacturing semiconductor device with passivation film |
JPS501872B1 (enrdf_load_stackoverflow) * | 1970-01-30 | 1975-01-22 | ||
DE102006003283A1 (de) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Gp Solar Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit unterschiedlich stark dotierten Bereichen |
-
1968
- 1968-03-20 GB GB03570/68A patent/GB1172491A/en not_active Expired
- 1968-03-28 NL NL686804373A patent/NL150619B/xx not_active IP Right Cessation
- 1968-03-28 FR FR1557549D patent/FR1557549A/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR1557549A (enrdf_load_stackoverflow) | 1969-02-14 |
DE1764065B2 (de) | 1972-11-02 |
GB1172491A (en) | 1969-12-03 |
DE1764065A1 (de) | 1972-03-02 |
NL6804373A (enrdf_load_stackoverflow) | 1968-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL152114B (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL161616C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL160680C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. | |
NL159912C (nl) | Werkwijze voor het vormen van voorwerpen en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. | |
NL156631B (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van biaxiaal verstrekte slangfoelies. | |
NL142526B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen. | |
NL148654B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL152116B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL143167B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van gestrekte polypropeenfoelies. | |
NL143072B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL162511B (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL154061B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
NL140101B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL157749C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL154062B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze. | |
NL153025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting in een huis en een volgens deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting in een huis. | |
NL149638B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL146522B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van georienteerde foelies van polyethyleentereftalaat. | |
NL144777B (nl) | Werkwijze voor het gelijktijdig vervaardigen van een aantal in een halfgeleiderlichaam opgenomen halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderlichaam vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL153719B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL153950B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een draagstrook voor naalden en draagstrook vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL151558B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL141401B (nl) | Werkwijze voor het disproportioneren van alkenen. | |
NL142278B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een bodem van een voor een halfgeleidende inrichting bestemde omhulling en bodem, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL150619B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en een halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NL80 | Information provided on patent owner name for an already discontinued patent |
Owner name: HITACHI |
|
V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |