NL140363B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.

Info

Publication number
NL140363B
NL140363B NL666607399A NL6607399A NL140363B NL 140363 B NL140363 B NL 140363B NL 666607399 A NL666607399 A NL 666607399A NL 6607399 A NL6607399 A NL 6607399A NL 140363 B NL140363 B NL 140363B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
procedure
semi
manufacturing
application
conductive channel
Prior art date
Application number
NL666607399A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL6607399A (cg-RX-API-DMAC10.html
Original Assignee
Rca Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rca Corp filed Critical Rca Corp
Publication of NL6607399A publication Critical patent/NL6607399A/xx
Publication of NL140363B publication Critical patent/NL140363B/xx

Links

Classifications

    • H10W20/40—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P14/6309—
    • H10P14/6322—
    • H10P95/00—
    • H10W72/90—
    • H10W72/07554—
    • H10W72/5363—
    • H10W72/547—
    • H10W72/59—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/914—Doping
    • Y10S438/92—Controlling diffusion profile by oxidation
NL666607399A 1965-05-28 1966-05-27 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze. NL140363B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US459709A US3411199A (en) 1965-05-28 1965-05-28 Semiconductor device fabrication

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6607399A NL6607399A (cg-RX-API-DMAC10.html) 1966-11-29
NL140363B true NL140363B (nl) 1973-11-15

Family

ID=23825857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL666607399A NL140363B (nl) 1965-05-28 1966-05-27 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3411199A (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE (1) DE1564528A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
ES (1) ES327183A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
GB (1) GB1145879A (cg-RX-API-DMAC10.html)
NL (1) NL140363B (cg-RX-API-DMAC10.html)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3534235A (en) * 1967-04-17 1970-10-13 Hughes Aircraft Co Igfet with offset gate and biconductivity channel region
US3590477A (en) * 1968-12-19 1971-07-06 Ibm Method for fabricating insulated-gate field effect transistors having controlled operating characeristics
US3636617A (en) * 1970-03-23 1972-01-25 Monsanto Co Method for fabricating monolithic light-emitting semiconductor diodes and arrays thereof
FR2123179B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1971-01-28 1974-02-15 Commissariat Energie Atomique
US3807039A (en) * 1971-04-05 1974-04-30 Rca Corp Method for making a radio frequency transistor structure
US4575746A (en) * 1983-11-28 1986-03-11 Rca Corporation Crossunders for high density SOS integrated circuits
GB8400336D0 (en) * 1984-01-06 1984-02-08 Texas Instruments Ltd Field effect transistors
US7750654B2 (en) * 2002-09-02 2010-07-06 Octec Inc. Probe method, prober, and electrode reducing/plasma-etching processing mechanism

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL265382A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1960-03-08
US3183129A (en) * 1960-10-14 1965-05-11 Fairchild Camera Instr Co Method of forming a semiconductor
US3193418A (en) * 1960-10-27 1965-07-06 Fairchild Camera Instr Co Semiconductor device fabrication
US3203840A (en) * 1961-12-14 1965-08-31 Texas Insutruments Inc Diffusion method
NL297002A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1962-08-23 1900-01-01

Also Published As

Publication number Publication date
GB1145879A (en) 1969-03-19
US3411199A (en) 1968-11-19
ES327183A1 (es) 1967-03-16
DE1564528A1 (de) 1970-01-22
NL6607399A (cg-RX-API-DMAC10.html) 1966-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL159533B (nl) Werkwijze voor het met een tussenruimte scheiden van door verdeling van een halfgeleiderschijf gevormde halfgeleiderplaatjes, en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL154870B (nl) Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting.
NL153947B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze.
NL161616C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL154627B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderelement en magneetveld afhankelijk weerstandselement verkregen door toepassing van deze werkwijze.
NL152117B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinrichting voorzien van luchtspleten, alsmede de aldus vervaardigde inrichting.
NL161617B (nl) Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
NL148654B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL144091B (nl) Halfgeleiderveldeffectinrichting van het type met een geisoleerde poortelektrode.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL140656B (nl) Werkwijze voor het vormen van een halfgeleiderlichaam van silicium met een dun gebied met bepaald geleidingsvermogen aan het oppervlak van het lichaam en inrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van silicium, vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL143072B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL157749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL168654C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van een eerste geleidingstype met een door diffusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede geleidingstype.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL149638B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL144778B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting.
NL142278B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bodem van een voor een halfgeleidende inrichting bestemde omhulling en bodem, vervaardigd volgens deze werkwijze.