NL1022210C2 - Systeem voor het vervaardigen van halfgeleiderproducten. - Google Patents
Systeem voor het vervaardigen van halfgeleiderproducten. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1022210C2 NL1022210C2 NL1022210A NL1022210A NL1022210C2 NL 1022210 C2 NL1022210 C2 NL 1022210C2 NL 1022210 A NL1022210 A NL 1022210A NL 1022210 A NL1022210 A NL 1022210A NL 1022210 C2 NL1022210 C2 NL 1022210C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- wafer
- holder
- wafer loading
- semiconductor
- supports
- Prior art date
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title claims abstract description 362
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 154
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S206/00—Special receptacle or package
- Y10S206/832—Semiconductor wafer boat
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
Titel: Systeem voor het vervaardigen van halfgeleiderproducten
De uitvinding hee-v: betrekking op een systeem voor het vervaardigen van halfgeleiderproducten en meer in het bijzonder, op een systeem voor het vervaardigen van halfgeleiderproducten met een verticale reactiebuis 5 waardoor meerdere halfgeleiderwafers tegelijk kunnen worden bewerkt.
Aangezien gedurende de vervaardiging van halfgeleiders een thermisch proces een aanzienlijke tijd vergt, heeft het de voorkeur dat meerdere halfgeleiderwafers tegelijk worden behandeld. Over het algemeen wordt in een systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders gedurende het 10 thermische proces gebruik gemaakt van een waferlaadbak als waferlaadinrichting, waarop een halfgeleiderwafer horizontaal kan worden geplaatst en een verticale reactiebuis in pijpvorm, omdat de uniformiteit van het thermisch proces wordt beïnvloed door de uniformiteit van de stroom van het reactiegas. In de waferlaadbak zijn sleuven gevormd op 15 verticale afstand voor het ondersteunen van de halfgeleiderwafer en wordt tenminste een of twee kanten van de halfgeleiderwafer in de sleuven vastgezet.
In zo'n conventioneel systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders is echter, aangezien de halfgeleider wordt ondersteund aan de randen die in 20 de sleuven zijn geplaatst, een ondersteuningskracht geconcentreerd op de buitenrand van de halfgeleiderwafer, die contact heeft met de sleuven. In een thermisch proces bij hoge temperatuur is een aanzienlijke ondersteuningskracht geconcentreerd aan de randen van de halfgeleiderwafer, als de zwaartekrachtspanning wegens het gewicht van de 25 wafer en de thermische spanning wegens de verschillende thermische expansie inwerken op de halfgeleiderwafer, wat een blijvende mechanische deformatie van de halfgeleiderwafer als gevolg heeft, zoals kromtrekken, buigen en plooien. Zo'n mechanische vervorming wordt een groter probleem a O A a ·» λ
2 I
bij een halfgeleiderwafer van grote omvang met een diameter van 300 mm I
(12 inch) en groter, waardoor de betrouwbaarheid van het proces wordt I
verminderd. Om zo'n mechanische deformatie van de wafer door de I
behandeling bij hoge temperatuur te vermijden en de zwaartekracht en I
5 thermische spanningen gelijkmatig over de wafer te verdelen, is behoefte I
aan een waferlaadbak, die in staat is om een gehele onderzijde of een deel I
van een oppervlak van de halfgeleiderwafer te ondersteunen. Een systeem I
voor het vervaardigen van halfgeleiders met een aanvullende ondersteuning I
zal complex zijn en nog steeds een onvolledige oplossing bieden voor het I
10 vermijden van de mechanische deformatie, ondanks hogere proceskosten. I
Daarnaast zal een gebruiker moeite ondervinden bij het in en uitladen van I
de halfgeleiderwafer. I
Om bovengenoemde en verwante problemen op te lossen, is een doel I
van de uitvinding om een systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders I
15 te verschaffen, dat is in staat is om mechanische deformatie van een I
halfgeleiderwafer met een grote diameter gedurende een thermisch proces I
te verhinderen en waardoor de tijd voor het in en uitladen van de I
halfgeleiderwafer op een plaat met een waferhouder kan worden I
verminderd, waardoor de kosten voor het vervaardigen van de halfgeleider I
20 worden verminderd. I
In één aspect verschaft de uitvinding een systeem voor het I
vervaardigen van halfgeleiders dat in staat is meerdere halfgeleiderwafers I
in een verticale reactiebuis te laden en een thermisch proces uit te voeren, I
welk systeem een eerste waferlaadbak omvat die in de reactiebuis is I
25 gemonteerd en die een aantal houdersteunen omvat die een waferhouder I
ondersteunen in een vorm van een bord, waarbij de waferhouder verticaal wordt geladen op voorbepaalde intervallen en waarop de halfgeleiderwafer rust, een tweede waferlaadbak die zich binnen op of buiten de eerste laadbak bevindt en die een wafersteun omvat die onder de halfgeleiderwafer 30 is aangebracht voor het steunen van de halfgeleiderwafer die op de 1 022 2 1 0 3 waferhouder kan rusten, een afdekplaat die de eerste waferlaadbak en de tweede laadbak op hun laagste delen steunt, een deurplaat die de afdekplaat op het benedendeel van de afdekplaat ondersteunt en een liftinstallatie die tenminste één van de eerste en tweede waferlaadbakken 5 verticaal beweegt en de halfgeleiderwafer die op de waferhouder rust op een voorbepaalde hoogte van de waferhouder brengt.
De tweede waferlaadbak bevindt zich aan de binnenzijde van de eerste waferlaadbak. De eerste waferlaadbak omvat eerste steunpilaren die zijn opgesteld voor het vormen van een ontvangstruimte in de vorm van een 10 cilinder binnen de eerste waferlaadbak, een eerste bovenste bord en een eerste onderste bord waarop beiden uiteinden van de eerste steunpilaren zijn bevestigd, en houdersteunen die zijn gevormd op de eerste steunpilaren op een voorbepaald verticaal interval voor het horizontaal ondersteunen van de waferhouder. De houdersteunen zijn sleuven die worden gevormd door de 15 eerste steunpilaren van groeven te voorzien. De houdersteunen zijn uitsteeksels die in een recht hoek en over een voorbepaalde lengte t.o.v. de eerste steunpilaren naar het centrum van de ontvangstruimte uitsteken.
De tweede waferlaadbak omvat tweede steunpilaren die zijn ingesteld voor het vormen van een ontvangstruimte in de vorm van een cilinder 20 binnen de tweede waferlaadbak, een tweede bovenste bord en een tweede onderste bord, waarop beiden uiteinden van de steunpilaren zijn vastgemaakt en wafersteunen die zijn gevormd op de tweede steunpilaren op een voorbepaald verticaal interval voor het horizontaal ondersteunen van de halfgeleiderwafer. De wafersteunen zijn uitsteeksels die uit de tweede 25 steunpilaren een voorbepaalde lengte uitsteken. De uitsteeksels (kunnen) een voorbepaalde hellingshoek hebben.
De wafersteunen omvatten verder uitsteekselsteunen die zich tot een voorbepaalde hoogte naar boven uitstrekken vanuit de uiteinden van de uitsteeksels. De uiteinden van de uitsteekselsteunen hebben een naar 30 binnen of naar buiten gerichte hellingshoek richting het midden van de 1 n ? ? ? 1 n ____ 4 ontvangstruimte. De wafersteunen zijn sleuven die worden gevormd door de tweede steunpilaren van sleuven te voorzien. De onderzijden van de sleuf waarop de halfgeleiderwafer rust is over een voorbepaalde hoek naar beneden gericht. De voorbepaalde hoek heeft een helling in het bereik van 5 0.1 tot 45° t.o.v. de horizontaal.
IDe waferhouder omvat een hoofdbord dat een cirkelvormig bord is, en openingen die op de rand van het cirkelvormig bord zijn aangebracht voor het mogelijk maken dat de tweede waferlaadbak en de wafersteunen, uitsteeksels, of pilaren daar verticaal vrij doorheen kunnen bewegen. De 10 opening strekt zich over een voorbepaalde lengte en vorm uit van een omtrek van het hoofdbord naar het centrum van het hoofdbord.
De afdekplaat steunt de onderste delen van de eerste waferlaadbak en de tweede waferlaadbak.
De liftinstallatie beweegt elektrisch, door fïjnafregeling van een motor 15 of hydraulisch d.m.v. vloeistofdruk. De liftinstallatie is verbonden met een onderste deel van de tweede waferlaadbak en beweegt de tweede waferlaadbak verticaal. De liftinstallatie is verbonden met een onderste deel van de eerste waferlaadbak en beweegt de eerste waferlaadbak verticaal. De liftinstallatie omvat een liftregelaar die de hoogte regelt waarop de eerste 20 waferlaadbak en de tweede waferlaadbak verticaal bewegen binnen de breedte van iedere sleuf van de houdersteunen.
De tweede waferlaadbak bevindt zich vlakbij de eerste waferlaadbak, en de wafersteunen van de tweede waferlaadbak zijn uitsteeksels.
Het systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders volgens de 25 uitvinding omvat dubbele laadbakken met een eerste waferlaadbak waarin de waferhouder kan worden geladen en een tweede waferlaadbak die zich binnen of buiten de eerste waferlaadbak bevindt en waarin de halfgeleiderwafer kan worden geladen teneinde de halfgeleiderwafer tot een voorbepaalde hoogte t.o.v. de waferhouder op te tillen. Het is daardoor 30 mogelijk om de halfgeleiderwafer in of uit te laden zonder dat de 1 0222 1 0 5 waferhouder uit de eerste waferlaadbak hoeft te worden uitgeladen. Daardoor kan het in- of uitladen van de halfgeleiderwafer in een kortere tijd worden uitgevoerd.
Bovendien is de warmteverdeling uniform in de halfgeleiderwafer 5 doordat de halfgeleiderwafer op de waferhouder rust, die meestal gemaakt is van een warmtegeleidend materiaal, wanneer de halfgeleiderwafer wordt ingeladen. De uniformiteit in het vervaardigingproces van halfgeleiders kan daardoor worden verbeterd.
Het midden van de wafer kan verder, wanneer een wafer doorbuigt 10 gedurende een thermisch proces op hoge temperaturen, het centrum van de waferhouder raken met een geoptimaliseerd contactgebied voor het minimaliseren van de mechanische vervorming door het instellen van de tussenruimte tussen de eerste waferlaadbak en de tweede waferlaadbak voordat het proces wordt gestart. Het is zelfs mogelijk om de tussenruimte 15 gedurende het proces dynamisch aan te passen.
Ten slotte kan de vorm van de waferhouder worden veranderd voor het optimaliseren van het contactgebied van de halfgeleiderwafer met de waferhouder. Daardoor kan het optreden van mechanische of fysische defecten in het contactgebied worden voorkomen gedurende het thermische 20 proces.
Bovengenoemde doelen en voordelen van de uitvinding zullen duidelijker worden door het beschrijven van de voorkeursuitvoeringsvormen onder verwijzing naar de bij gevoegde tekening waarin:
Fig. 1 een doorsnede is van een systeem voor het vervaardigen van 25 halfgeleiders volgens de uitvinding;
Fig. 2a een vergroot zijaanzicht is van deel "A" van figuur 1;
Fig. 2b een zijaanzicht is van een dubbele bak die is gemonteerd op een systeem voor het vervaardigen van halfgeleiderwafers volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding; 1 ΠΟΟ o 1 λ 6
Fig. 3 een bovenaanzicht is van een dubbele bak die is gemonteerd in een systeem voor het vervaardigen van halfgeleiderwafers volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding;
Fig. 4 een bovenaanzicht is van uiteen genomen delen van de dubbele 5 bak die is gemonteerd op een systeem voor het vervaardigen van halfgeleiderwafers volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding;
Fig. 5 een bovenaanzicht is van een dubbele bak die is gemonteerd in
Ieen systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding; 10 Fig. 6 een bovenaanzicht is van een waferhouder die wordt gebruikt in de uitvoeringsvorm van fig. 5;
Fig. 7 een vergroot bovenaanzicht is van een dubbele bak die wordt verkregen bij de uitvoeringsvorm van fig. 5;
Fig. 8 een vergroot bovenaanzicht is van deel "B" van fig. 7; 15 Fig. 9a tot 9d doorsneden zijn van een waferhouder van een tweede waferlaadbak van een systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding;
Fig. 10a een doorsnede is van een waferhouder van een tweede waferlaadbak van een systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders 20 volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding;
Fig. 10b een doorsnede is die een gekromde halfgeleiderwafer op een wafersteun van een tweede waferlaadbak van fig. 10a toont, na een thermisch proces bij hoge temperatuur;
Fig. 11 een doorsnede is van een dubbele bak die is gemonteerd in een 25 systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding;
Fig. 12a een doorsnede in zijaanzicht is van een dubbele bak volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding, die in een reactiebuis is gemonteerd; Fig. 12b een doorsnede in zijaanzicht is van een dubbele bak wanneer 30 een halfgeleider wordt in- en uitgeladen; en 1 00901 fl 7
Fig. 12c een laterale doorsnede is die het hanteren van een halfgeleiderwafer in een dubbele bak volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding toont.
De uitvinding zal nu vollediger worden beschreven onder verwijzing 5 naar de bijgevoegde tekening, waarin voorkeursuitvoeringsvormen van de uitvinding zijn weergegeven. Deze uitvinding kan echter op veel verschillende wijzen worden uitgevoerd en dient niet te worden opgevat als beperkt tot de hierin beschreven uitvoeringsvormen; deze uitvoeringsvormen worden slechts verschaft zodat deze beschrijving grondig 10 en compleet zal zijn, en het concept van de uitvinding volledig aan de vakman zal overbrengen.
Fig. 1 is een doorsnede van een systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders volgens de uitvinding.
Fig. 2a is een vergrote doorsnede van deel "A" van fig. 1; 15 Fig. 2b is een zijaanzicht van een dubbele bak die op een halfgeleiderwafer is gemonteerd volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding.
Onder verwijzing naar fig. 1 omvat een systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders een reactiebuis 30 gedurende een thermisch 20 proces. Een dubbele bak omvat een eerste waferlaadbak 10 en een tweede waferlaadbak 20, waarin een halfgeleiderwafer 100 wordt geladen en die zich in de reactiebuis 30 bevinden. De eerste waferlaadbak 10 omvat een aantal wafersteunen die horizontaal zijn geladen en een afdekkap 40 die het onderste deel van de dubbele bak ondersteunt. Daarnaast omvat het 25 systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders een deurplaat 50, die de afdekplaat 40 ondersteunt, de dubbele bak in de reactiebuis 30 brengt hen de dubbele bak uit de reactiebuis 30 trekt en een liftinstallatie 50 die één plaat van de dubbele bak binnen een beperkte hoogte verticaal beweegt.
1022210 _ 8
Onder verwijzing naar figuren 2a en 2b omvat de dubbele bak de eerste waferlaadbak 10 en de tweede waferlaadbak 20 binnen de eerste laadbak 10.
Iln de eerste waferlaadbak 10 zijn een aantal van tenminste drie 5 eerste steunpilaren 11 parallel t.o.v. elkaar ingericht voor het vormen van een cilindrische ruimte om de halfgeleiderwafer 100 te ontvangen. In deze uitvoeringsvorm is het aantal van vier eerste steunpilaren 11 verschaft. Eerste bovenbord 12a en een eerste onderste bord 12b voor het resp. bevestigen van de eerste steunpilaren 11 op eenzelfde niveau zijn aan 10 beiden uiteinden van de eerste steunpilaren 11 bevestigd. Elk van de eerste steunpilaren 11 omvat een houdersteun 11a waarin een sleuf is gevormd tot een voorbepaalde diepte in elk van de eerste steunpilaren 11, en waarin zo een cirkelvormig bord in de houdersteun 11a kan worden gebracht. De houdei’steun 11a wordt in de vorm van een sleuf gevormd. Een waferhouder 15 25 in de vorm van een cirkelvormig bord wordt op de houdersteun 11a aangebracht. De houdersteun 11a kan een deel vormen dat uitsteekt over een voorbepaalde lengte vanuit het centrale midden van elk van de eerste steunpilaren 11. Het interval tussen de houdersteunen 11a is lang genoeg om een waferlaadblad (niet weergegeven) in te steken onder de halfgeleider 20 100.
In de tweede waferlaadbak 20 is het aantal van tenminste drie tweede steunpilaren 11 parallel t.o.v. elkaar opgesteld, voor het vormen van een cilindrische ruimte voor het ontvangen van een halfgeleiderwafer 100. Een tweede bovenste bord 22a en een tweede onderste bord 22b voor het 25 resp. bevestigen van tweede steunpilaren 21 op hetzelfde niveau zijn bevestigd aan beiden uiteinden van de tweede steunpilaren 21. Bij elke tweede steunpilaar 21 steekt een wafersteun 20a uit tot een voorbepaalde lengte vanuit het midden van elke van de tweede steunpilaren 21, voor het optillen van beide kanten van de halfgeleiderwafer 100. De wafersteun 20a 30 bevindt zich op het onderste deel van de waferhouder 25 en de positie 1022210 9 verandert in een deel tussen de houdersteunen 11a wanneer de halfgeleiderwafer wordt opgetild.
De eerste steunpilaren 11 en de tweede steunpilaren 21 zijn ingericht om elkaar niet te overlappen, zodat kan worden voorkomen dat de 5 wafersteun 20 wordt gepenetreerd met overlap van een openingsdeel 25a van de waferhouder 25, waarbij de halfgeleider 100 niet is ondersteund door de waferhouder 25.
De eerste waferlaadbak 10 en de tweede waferlaadbak 20 worden door één afdekplaat 40 ondersteund. De liftinstallatie 70 strekt zich door de 10 afdekplaat 40 uit en is verbonden met het onderste deel van de eerste waferlaadbak 10 of van de tweede waferlaadbak 20, en beweegt één van de eerste of tweede waferlaadbakken 10 of 20 en tilt zo de halfgeleiderwafer 100 op tot een voorbepaalde hoogte van de waferhouder 25.
De eerste waferlaadbak 10 en de tweede waferlaadbak 20 zijn 15 gevormd van kwarts of siliciumcarbide SiC, die een hoge duurzaamheid bij een hoge temperatuur bezitten. De waferhouder 25 is eveneens gevormd van kwarts of siliciumcarbide SiC. Het is echter gewenst dat de waferhouder 25 gevormd wordt door gebruik van siliciumcarbide SiC met het oog op de thermische geleiding of absorptie. In het bijzonder bij een thermisch proces 20 bij zeer hoge temperaturen is het gewenst dat de eerste en tweede waferlaadbakken en de waferhouder 25 worden gevormd door gebruik te maken van siliciumcarbide SiC.
Fig. 3 is een bovenaanzicht van een uitvoeringsvorm van een dubbele bak die is gemonteerd op een halfgeleiderwafer volgens de uitvinding. Fig. 4 25 is een bovenaanzicht in uiteen genomen delen van de dubbele bak die is gemonteerd op een halfgeleiderwafer volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding. Onder verwijzing naar figuren 3 en 4 is de eerste waferlaadbak 10 gemonteerd als een buitenste cirkel en de waferhouder 25 is op de houdersteun 11a aangebracht, die onderdeel uitmaakt van de eerste 30 waferlaadbak 10.
4 Λ Λ Λ Λ 4 λ 10
De waferhouder 25 omvat een hoofdbord 25b in de vorm van een cirkelvormige bord en een openingsdeel 25a, dat zich uitstrekt van de buitenomtrek van het hoofdbord 25b naar het midden daarvan. Het openingsdeel 25a wordt zodanig gevormd, dat de tweede steunpilaar 21 van 5 de tweede waferlaadbak 20 een geringe afstand verticaal door het openingsdeel 25a beweegt. De breedte van het openingsdeel 25a is groter dan de omvang van de wafersteun 20a.
De tweede waferlaadbak 20 wordt binnen de eerste waferlaadbak 10 gevormd. De halfgeleider 100 wordt binnen de tweede waferlaadbak 20 10 gevormd. Een deel van de omtrekrand van de halfgeleiderwafer 100 wordt I ondersteund door de wafersteun 20a van de tweede waferlaadbak 20.
Daardoor wordt de waferhouder 25 slechts door de houdersteun 11a van de eerste waferlaadbak 10 ondersteund, en wordt de halfgeleider 100 ondersteund door zowel de houdersteun 11a van de eerste waferlaadbak 10 15 als de tweede waferlaadbak 20. De halfgeleiderwafer 100 kan worden opgetild van de waferhouder 25 tot een bepaalde hoogte, door het verticaal bewegen van ofwel de eerste waferlaadbak 10 ofwel de tweede waferlaadbak 20. Hierbij heeft het de voorkeur dat de halfgeleiderwafer 100 wordt opgetild tot het midden van het interval tussen houdersteunen 11a. Aldus is 20 bij de halfgeleiderwafer 100 onder en boven ruimte en kan de halfgeleiderwafer 100 worden ingeladen en uitgeladen zonder het aanraken van naburige halfgeleiderwafers.
Fig. 5 is een bovenaanzicht van een andere uitvoeringsvorm van de dubbele bak die is gemonteerd in een systeem voor het vervaardigen van 25 halfgeleiders volgens de uitvinding.
Onder verwijzing naar figuur 5 bezit de eerste steunpilaar 11 een groef in het midden, die is gericht naar het centrum van de ontvangende ruimte. De tweede steunpilaar 21 is op een soortgelijke positie op de buitenomtrek opgesteld als de eerste steunpilaar 11. In de tweede 30 steunpilaar 21 wordt een sleuf als in de wafersteun 20a gevormd op een 1 Π999 1 Π - 11 voorbepaald interval. De houdersteun 11a wordt zodanig gevormd dat de waferhouder 25 wordt ondersteund door het onderste uiteinde van de eerste steunpilaar 11. Aangezien het niet noodzakelijk is om de eerste steunpilaar 11 en de tweede steunpilaar 21 zodanig in te richten zodat deze elkaar 5 kruisen, zijn de structuur en de vervaardiging van zo'n dubbele bak eenvoudig.
Fig. 6 is een bovenaanzicht van een waferhouder die wordt gebruikt in de uitvoeringsvorm van fig. 5. Onder verwijzing naar fig. 6 is het openingsdeel 25a gevormd in een vorm van een vierkant in het deel van het 10 hoofdbord 25b waar omheen de tweede steunpilaar 21 is opgesteld voor het voorzien in een geval waarbij de eerste steunpilaar 11 een doorsnede in de vorm van een vierkant heeft. Het heeft de voorkeur dat de vorm van de opening 25a dezelfde is als de vorm van de doorsnede van de tweede steunpilaar 21.
15 Fig. 7 is een bovenaanzicht van een dubbele bak die is verkregen van de uitvoeringsvorm van fig. 5. Fig. 8 is een bovenaanzicht van deel "B" van fig. 7.
Onder verwijzing naar fig. 7 en 8 is de eerste steunpilaar 11 van de eerste laadbak 10 soortgelijk aan die van fig. 5. De waferhouder 20a van de 20 tweede steunpilaar 21 is echter in de vorm van een uitsteeksel in plaats van een sleuf.
Fig. 9a tot 9d zijn doorsneden van een uitvoeringsvorm van een wafersteun van een tweede laadbak van een systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders volgens de uitvinding.
25 Onder verwijzing naar fig. 9a bevat wafersteun 20a een horizontaal uitsteeksel onder een rechte hoek t.o.v. de tweede steunpilaar 21. Het oppervlak van wafersteun 20a waarop halfgeleiderwafer 100 is geplaatst, is vlak zodat de halfgeleiderwafer 100 stabiel kan worden gesteund. In het bijzonder is het bovenoppervlak van de wafersteun 20a nagenoeg vierkant, 1n???in __ 12 waardoor de halfgeleider 100 stabiel op het oppervlak van de wafersteun 20a kan worden geplaatst.
Fig. 9b tot 9d tonen veranderingen in de wafersteun 20a van fig. 9a, waarbij de wafersteun 20a bepaalde hoeken bevat in opwaartse of 5 neerwaartse richting t.o.v. de horizontale positie. Indien de wafersteun 20a een opwaartse helling bezit zoals in fig. 9b is weergegeven, is het uiteinde waarop de halfgeleiderwafer 100 is geplaatst, afgerond of vlakgemaakt voor het voorkomen dat in een contactgebied van de halfgeleiderwafer 100 met de wafersteun 20a krassen optreden.
10 Zo’n wafersteun 20a kan defecten voorkomen zoals uitglijden of krassen gedurende het moment dat de halfgeleider 100 in contact is met de wafersteun 20a, door het minimaliseren van het contactgebied van de halfgeleiderwafer 100 met de wafersteun 20a.
Onder verwijzing naar fig. 9d omvat de wafersteun 20a verder een 15 uitstekende steun 201 die naar boven uitsteekt vanaf een uiteinde van de wafersteun 20a. In zo'n wafersteun 20a wordt halfgeleider 100 gesteund door een uiteinde van de uitstekende steun 201a i.p.v. het oppervlak van de wafersteun 20a. Het uiteinde van de uitstekende steun 201a kan horizontaal zijn gevormd of een opwaartse of neerwaartse hoek bezitten. De 20 uitsteekstelsteun 201a met een hellend uiteinde kan derhalve worden gebruikt gedurende een thermisch proces bij een hoge temperatuur en de uitsteekselsteun 201a met een vlak uiteinde kan worden gebruikt bij een proces met temperaturen in een middengebied.
Fig. 10a is een doorsnede van een andere uitvoeringsvorm van een 25 wafersteun van een tweede waferlaadbak van een systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders volgens de uitvinding. Fig. 10b is een doorsnede die een gekromde halfgeleiderwafer op een wafersteun toont van een tweede waferlaadbak 10a na een thermisch proces bij hoge temperatuur.
1 02221 0 13
Onder verwijzing naar fig. 10a is de wafersteun 20a in de vorm van een sleuf die is gevormd door het aanbrengen van een groef in de tweede steunpilaar 21. Het onderste deel van de wafersteun 20a heeft daarbij een neerwaarts hellende hoek met een voorbepaalde hoek in het bereik van 0,1 5 tot 45 graden voor het minimaliseren van het contactoppervlak van de halfgeleiderwafer 100 met de wafersteun 20a, waarbij derhalve slechts een gering deel van de uiteinde van de wafer 100 rust op de wafersteun 2a.
Onder verwijzing naar fig. 10b wordt bij het thermisch proces op hoge temperatuur de halfgeleiderwafer 100 verhit, waarbij het middendeel van 10 de halfgeleiderwafer 100 kromtrekt onder invloed van de zwaartekracht. Zo'n mechanische vervorming veroorzaakt dat de uiteinden van de halfgeleiderwafer 100 eveneens gekromd worden waarbij het contactoppervlak van de halfgeleiderwafer 100 met de wafersteun 20a toeneemt. Daardoor beweegt een steunpunt richting het midden van de 15 halfgeleiderwafer 100 en een steunkracht op de halfgeleiderwafer 100 die gekromd is, grijpt op een oppervlak aan meer dan op een contactpunt waardoor de spanning in de halfgeleiderwafer 100 wordt verminderd.
Fig. 11 is een doorsnede van een andere uitvoeringsvorm van de dubbele bak die is gemonteerd in een systeem voor het vervaardigen van 20 halfgeleiders volgens de uitvinding.
Onder verwijzing naar fig. 11 heeft elk van de eerste steunpilaren 11 twee pilaren die parallel zijn opgesteld t.o.v. elkaar en een voorbepaalde afstand t.o.v. elkaar bezitten. De afstand is groter dan de breedte van de sectie van de tweede steunpilaar 21. Een geval waarbij openingsdeel 25a 25 van de waferhouder 25 en de houdersteun 11a van de eerste steunpilaar 11 elkaar overlappen, waardoor de waferhouder 25 niet is ondersteund, kan daardoor worden voorkomen. Bovendien is zo'n eerste steunpilaar 11 voordelig omdat de eerste steunpilaar 11 en de tweede steunpilaar 21 symmetrisch t.o.v. elkaar kunnen worden opgesteld. De eerste en tweede 1 n o o o 1 π 14 j steunpilaren 11 en 21 kunnen hierdoor in de vorm van een cilinder worden gevormd, of een vierkant of andere vormen met een polygone doorsnede.
Fig. 12a is een zijaanzicht van een doorsnede van de dubbele bak volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding, die is opgesteld in een 5 reactiebuis. Fig. 12b is een zijdoorsnede van de dubbele bak wanneer een halfgeleiderwafer wordt ingeladen of uitgeladen volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding.
Onder verwijzing naar fig. 12a is de wafersteun 20a, wanneer het thermisch proces wordt uitgevoerd terwijl de halfgeleiderwafer 100 op de 10 dubbele bak is geladen, parallel t.o.v. de houdersteun 11a van de eerste laadbak 10 opgesteld. De halfgeleiderwafer 100 is derhalve ondersteund door waferhouder 25 terwijl de waferhouder 25 contact maakt. Vervolgens wordt een reactiegas in de reactiebuis 30 gebracht, en wordt de halfgeleiderwafer 100 thermisch behandeld.
15 Onder verwijzing naar fig. 12b wordt de deurplaat 50 van fig. 1, wanneer de halfgeleiderwafer 100 wordt ingeladen of uitgeladen voor of na het thermisch proces, omlaag gedaan, en wordt de dubbele bak in of uit de reactiebuis 30 getrokken voor het verschaffen van een positie waarbij de halfgeleiderwafer 100 kan worden in- of uitgeladen. Vervolgens heft de 20 liftinstallatie 70 ofwel de eerste waferlaadbak 10 ofwel de tweede waferlaadbak 20 tot een voorbepaalde hoogte voor het optillen van de halfgeleiderwafer 100 van de waferhouder 25 op een voorbepaalde hoogte.
De halfgeleiderwafer 100 is daardoor tussen de houdersteunen 11a opgesteld en heeft daaronder een ruimte en daarboven.
25 Fig. 12c toont een fase voor het uitladen van de halfgeleiderwafer uit de dubbele bak door gebruik te maken van een waferhandler 150.
Onder verwijzing naar fig. 12c wordt een blad 151 van waferhandler 150, indien onder en boven de halfgeleiderwafer 100 een lege ruimte is, zoals is weergegeven in fig. 12b, ingestoken onder halfgeleiderwafer 100 en 30 wordt halfgeleiderwafer 100 uit de tweede waferlaadbak 20 getrokken en in 1 n ? ? ? 1 n 15 een cassette geplaatst in de buitenruimte (niet weergegeven). De halfgeleiderwafer 100 kan uit de in de wafersteun 20a van de tweede waferlaadbak 20 worden geladen.
Het liftsysteem 70 is op de afdekplaat 40 gemonteerd en de deurplaat 5 50 onder de dubbele bak. Het liftsysteem 70 heeft de vorm van een cilinder waar een uiteinde van is verbonden met het tweede onderste bord 22b terwijl een ander uiteinde wordt gesteund door de deurplaat 50. De halfgeleiderwafer 100 wordt dus opgetild door het enigszins optillen van de tweede waferlaadbak 20. Teneinde te voorkomen dat de halfgeleiderwafer 10 100 tegen de waferhouder 25 aanbotst, heeft het de voorkeur dan de bewegingsruimte van de liftinstallatie 70 geringer is dat de breedte van de tussenruimte tussen de houdersteun 11a. Het liftsysteem 70 kan elektrisch worden bewogen door een werkwijze van fijnregeling van een motor of hydraulisch door een druk of vacuümkracht die een grote liftkracht zonder 15 schokken kan verschaffen.
De liftinstallatie 70 kan zijn verbonden met het eerste onderste bord 12b van de eerste waferlaadbak 10. De halfgeleiderwafer 100 kan zijn opgelicht van de waferhouder 25 door het verticaal bewegen van de eerste waferlaadbak 10. In dit geval dient de eerste waferlaadbak 10 naar beneden 20 te bewegen.
Zoals hierboven beschreven, omvat het systeem voor het vervaardigen van halfgeleiderwafers volgens de uitvinding de dubbele bak die is gevormd door het overlappen van eerste waferlaadbak 10 en tweede waferlaadbak 20 en steunt de halfgeleiderwafer 100 door gebruik van de waferhouder 25.
25 Hierdoor kan een halfgeleiderwafer met een diameter groter dan 12 inch, d.w.z. 300 mm, thermisch worden behandeld, zonder dat deze kromtrekt bij hoge temperatuur. Daarbuiten kan de waferhouder 25 onder de halfgeleiderwafer 100 dienen als warmteafvoer in een proces voor het vormen van een laag door thermische oxidatie of door chemische 30 dampafzetting (CVD) en een sintersproces, waarbij warmte uniform wordt Ά A O O <0 16 verspreid over de halfgeleiderwafer 100. De uniformiteit van het halfgeleiderproces kan daardoor worden verbeterd.
Bovendien is het mogelijk om de halfgeleiderwafer 100 direct in of uit de dubbele bak te laden zonder dat de waferhouder van de dubbele bak hoeft 5 te worden geladen, door de eerste waferlaadbak 10 en de tweede waferlaadbak 20 zodanig te kunnen configureren dat ze kunnen worden opgetild tot een voorbepaalde hoogte. De halfgeleiderwafer 100 kan daardoor worden in- of uitgeladen door gebruik van de waferhouder 25 in de dubbele bak.
10 Met betrekking tot de veiligheid van de handeling, heeft het de voorkeur dat de lichtste van de beide waferlaadbak 10 en tweede waferlaadbak 20 wordt opgetild wanneer de halfgeleiderwafer 100 wordt in-of uitgeladen.
De liftinstallatie 70 kan worden aangebracht onder de afdekplaat 40 15 of in de deurplaat 50 voor het optillen van de eerste waferlaadbak 10 of de tweede waferlaadbak 20. Zonder het aanvullende liftsysteem 70 kan de tweede waferlaadbak 20 worden geplaatst op een hoger gelegen deel dan de eerste waferlaadbak 10, door het verlagen van de deurplaat 50 uit de reactiebuis 30 en het afstemmen van de deurplaat 50 op de grond.
20 Aangezien de dubbele laadbak onder invloed is van zwaartekracht, wordt de tweede waferlaadbak 20 dan tot een voorbepaalde hoogte opgetild m.b.t. de eerste waferlaadbak 10. De halfgeleiderwafer 100 wordt daardoor gescheiden van de waferhouder 25. Teneinde de lifthoogte nauwkeurig te kunnen controleren, omvat de liftinstallatie 70 (niet weergegeven) een 25 motor voor het regelen van een hoogte zoals een stappenmotor. De liftregelaar (niet weergegeven) kan daardoor nauwkeurig de hoogte regelen waarop de halfgeleiderwafer 100 wordt opgetild van de waferhouder 25.
De regelaar (niet weergegeven) is tevens met een centrale regeleenheid (niet weergegeven) verbonden van het systeem voor het 30 vervaardigen van halfgeleider en kan worden geregeld door het aanmaken 1 n O O o 1 n* 17 van een regelbestand voor een proceseenheid. Het is dan mogelijk om het systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders te programmeren, voor het controleren van de hoogte van de halfgeleiderwafer 100 t.o.v. de waferhouder 25 gedurende het thermisch proces.
5 Volgens de uitvinding is de eerste waferlaadbak 10 buiten de tweede waferlaadbak 20 geplaatst, de tweede waferlaadbak 20 kan echter ook buiten de eerste waferlaadbak 10 zijn geplaatst. In dit geval kunnen bovengenoemde uitvoeringen worden toegepast. Het heeft echter de voorkeur dat de waferhouder 20a een uitsteekselachtige vorm heeft, die 10 uitsteekt vanuit de tweede steunpilaar 21 tot onder de halfgeleiderwafer 100, liever dan een sleufachtig type, dat wordt gevormd door het aanbrengen van een groef in de tweede steunpilaar 21.
In het systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders volgens de uitvinding wordt de halfgeleiderwafer ondersteund door de waferhouder die 15 zich onder de halfgeleiderwafer bevindt, waarbij derhalve een halfgeleiderwafer met een grote diameter kan worden gesteund, zonder dat deze mechanisch vervormt.
Bovendien kan de temperatuur, aangezien de waferhouder gedurende een thermisch proces dient als warmteafvoer, uniform worden geregeld 20 waardoor de betrouwbaarheid van het proces kan worden verbeterd.
Het systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders volgens de uitvinding omvat de dubbele bak met de eerste laadbak die de waferhouder steunt en de tweede laadbak die de halfgeleider van de waferhouder optilt tot een voorbepaalde hoogte. De halfgeleiderwafer kan derhalve worden in-25 en uitgeladen zonder dat de waferhouder wordt uitgeladen. De tijd die benodigd is voor het in- en uitladen van de halfgeleiderwafer kan daardoor worden verminderd.
Bovendien kan de vorm van de waferhouder worden veranderd voor het minimaliseren van het contactgebied van de halfgeleiderwafer met het 30 wafersteunpunt. Daardoor kan gedurende het thermisch proces worden 1 Π O O o 1 n - 18 voorkomen dat een mechanisch of fysisch defect optreedt in het contactgebied.
Hoewel de uitvinding is beschreven onder verwijzing naar voorkeursuitvoeringen daarvan zal door de vakman worden begrepen dat 5 verscheidene variaties in vorm en detail mogelijk zijn zonder af te wijken van de geest en het bereik van de uitvinding zoals deze is gedefinieerd in de navolgende conclusies en equivalenten daarvan.
1 022 ? 1 n
Claims (21)
1. Systeem voor het vervaardigen van halfgeleiders waarbij een aantal halfgeleiderwafers in een verticale reactiebuis wordt geladen en een thermisch proces wordt uitgevoerd, welk systeem omvat: een eerste waferlaadbak die is gemonteerd in de reactiebuis en die een 5 aantal houdersteunen omvat die een waferhouder ondersteunen in de vorm van een bord en verticaal zijn gevormd op een vooraf bepaalde afstand, op welke waferhouder de halfgeleiderwafer rust; een tweede waferlaadbak die zich in de eerste waferlaadbak bevindt en die wafersteunen bevat die zijn aangebracht onder de halfgeleiderwafer voor het 10 ondersteunen van de halfgeleiderwafer; een afdekplaat die de eerste waferlaadbak steunt en de tweede waferlaadbak op de onderste delen; een deurplaat die de afdekplaat ondersteunt op een onderste deel van de afdekplaat; 15 een liftinstallatie die tenminste één van de eerste of tweede waferlaadbakken verticaal beweegt en de halfgeleiderwafer die op de waferhouder rust, op een voorbepaalde hoogte van de waferhouder brengt gedurende de in- en uitlaadcyclus van de wafer; waarbij de waferhouder omvat: 20 een hoofdbord dat een cirkelvormig bord is; en openingsdelen die zijn gemaakt aan de rand van het cirkelvormig bord om de tweede waferlaadbak en de wafersteunen, daar verticaal vrij doorheen te laten bewegen.
2. Systeem volgens conclusie 1, waarbij de tweede waferlaadbak zich bevindt aan de binnenzijde van de eerste waferlaadbak.
3. Systeem volgens conclusie 1, waarbij de eerste waferlaadbak omvat: 1022210 eerste steunpilaren die zijn opgesteld voor het vormen van een ontvangstruimte in de vorm van een cilinder binnen de eerste waferlaadbak; een eerste bovenbord en een eerste onderbord waarop beide uiteinden I van de eerste steunpilaren zijn vastgezet; en I 5 houdersteunen die zijn gevormd om de eerste steunpilaren op I voorbepaalde verticale afstand voor het vormen van een horizontale waferhouder. I
4. Systeem volgens conclusie 3, waarbij de wafersteunen sleuven zijn die I worden gevormd door het aanbrengen van een groef in de eerste steunpilaren. I 10
5. Systeem volgens conclusie 3, waarbij de houdersteunen uitsteeksels I zijn die onder een rechte hoek t.o.v. de eerste steunpilaren naar het centrum van I de ontvangende ruimte uitsteken over een voorbepaalde lengte en met een I voorbepaalde vorm. I
6. Systeem volgens conclusie 3, waarbij het aantal van de eerste I I steunpilaren tenminste twee bedraagt die t.o.v. elkaar op een voorbepaalde afstand I I zijn gescheiden. I I 20 7. Systeem volgens conclusie 1, waarbij de tweede waferlaadbak omvat: I I tweede steunpilaren die zijn opgesteld voor het vormen van een I I ontvangende ruimte in de vorm van een cilinder binnen de tweede waferlaadbak; I I een tweede bovenste bord en een tweede onderste bord waarop de I I uiteinden van de tweede steunpilaren zijn aangebracht; en I I 25 wafersteunen die zijn gevormd op de tweede steunpilaren op I I voorbepaalde verticale afstand voor het horizontaal ondersteunen van de halfgeleiderwafer.
8. Systeem volgens conclusie 7, waarbij de wafersteunen uitsteeksels zijn I 30 die uitsteken van de tweede steunpilaren op voorbepaalde lengte en met voorbepaalde vorm.
9. Systeem volgens conclusie 8, waarbij de uitsteeksels een helling hebben onder een voorbepaalde hoek.
10. Systeem volgens conclusie 8, waarbij de wafersteunen verder 5 uitstekende steunen omvatten die zich over een voorbepaalde hoogte naar boven uitstrekken vanuit de uiteinden van de uitsteeksels.
11. Systeem volgens conclusie 10, waarbij de uiteinden van de uitstekende steunen een naar binnen of naar buiten verlopende hellingshoek 10 hebben t.o.v. het midden van de ontvangende ruimte.
12. Systeem volgens conclusie 7, waarbij de wafersteunen sleuven zijn die zijn gevormd door het aanbrengen van een groef in de tweede steunpilaren.
13. Systeem volgens conclusie 12, waarbij de onderkant van de sleuven waarop de halfgeleiderwafer steunt, een benedenwaartse hellingshoek heeft langs een voorbepaalde hoek.
14. Systeem volgens conclusie 13, waarbij de voorbepaalde hoek in het 20 bereik ligt van 0.1 tot 45 graden naar beneden t.o.v. de horizontaal.
15. Systeem volgens conclusie 1, waarbij het openingsdeel zich uitstreekt van een omtrekkingsrand van het hoofdbord naar het centrum van het hoofdbord over een voorbepaalde afstand en vorm. 25
16. Systeem volgens conclusie 1, waarbij het oppervlak van de waferhouder een groef heeft of uitsteekselvormige patronen, die in een additioneel proces zijn gemaakt van een gewoon cirkelvormig bord.
17. Systeem volgens conclusie 1, waarbij de afdekplaat de onderste delen van de eerste waferlaadbak en de tweede waferlaadbak ondersteunt.
18. Systeem volgens conclusie 1, waarbij het liftsysteem elektrisch I beweegt d.m.v. fijnregeling van de motor of hydraulisch door een vloeistofdruk. I
19. Systeem volgens conclusie 1, waarbij het liftsysteem is verbonden met I 5 een onderdeel van de tweede waferlaadbak en de tweede waferlaadbak verticaal I beweegt. I
20. Systeem volgens conclusie 1, waarbij de liftinstallatie is verbonden I met het onderste deel van de eerste waferlaadbak en de eerste waferlaadbak I 10 verticaal beweegt. I
21. Systeem volgens conclusie 1, waarbij het liftsysteem een liftregelaar I omvat die de hoogte regelt waarop de eerste waferlaadbak en de tweede I waferlaadbak verticaal bewegen binnen een afstand van de ruimte tussen de I 15 houdersteunen. I
122. Systeem volgens conclusie 1, waarbij de tweede waferlaadbak nabij de I eerste waferlaadbak, en de wafersteunen van de tweede waferlaadbak uitsteeksels zijn. 1022210
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20020073699 | 2002-11-26 | ||
| KR10-2002-0073699A KR100491161B1 (ko) | 2002-11-26 | 2002-11-26 | 반도체 제조장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL1022210A1 NL1022210A1 (nl) | 2004-05-27 |
| NL1022210C2 true NL1022210C2 (nl) | 2006-08-02 |
Family
ID=32322320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL1022210A NL1022210C2 (nl) | 2002-11-26 | 2002-12-19 | Systeem voor het vervaardigen van halfgeleiderproducten. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7077912B2 (nl) |
| JP (1) | JP3802871B2 (nl) |
| KR (1) | KR100491161B1 (nl) |
| CN (1) | CN1293615C (nl) |
| DE (1) | DE10259376A1 (nl) |
| NL (1) | NL1022210C2 (nl) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050188923A1 (en) * | 1997-08-11 | 2005-09-01 | Cook Robert C. | Substrate carrier for parallel wafer processing reactor |
| US7181132B2 (en) * | 2003-08-20 | 2007-02-20 | Asm International N.V. | Method and system for loading substrate supports into a substrate holder |
| US7727588B2 (en) * | 2003-09-05 | 2010-06-01 | Yield Engineering Systems, Inc. | Apparatus for the efficient coating of substrates |
| KR100891259B1 (ko) * | 2003-11-27 | 2009-04-01 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 기판 보관 유지 장비, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR100549273B1 (ko) * | 2004-01-15 | 2006-02-03 | 주식회사 테라세미콘 | 반도체 제조장치의 기판홀더 |
| US7402534B2 (en) | 2005-08-26 | 2008-07-22 | Applied Materials, Inc. | Pretreatment processes within a batch ALD reactor |
| US8012888B2 (en) * | 2006-02-23 | 2011-09-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| JP4643495B2 (ja) * | 2006-06-06 | 2011-03-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 電子部品の実装装置 |
| FR2902235B1 (fr) * | 2006-06-09 | 2008-10-31 | Alcatel Sa | Dispositif de transport, de stockage et de transfert de substrats |
| CN101012549B (zh) * | 2007-01-29 | 2010-05-19 | 尤耀明 | 硅片生产中的载片器 |
| WO2008108605A1 (en) * | 2007-03-08 | 2008-09-12 | Sosul Co., Ltd. | Elevator and apparatus and method for processing substrate using the same |
| US7900579B2 (en) | 2007-09-26 | 2011-03-08 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment method wherein the substrate holder is composed of two holder constituting bodies that move relative to each other |
| KR101420285B1 (ko) | 2008-01-09 | 2014-07-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비 그의 웨이퍼 로딩/언로딩 방법 |
| US9099514B2 (en) | 2012-03-21 | 2015-08-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer holder with tapered region |
| KR101390474B1 (ko) * | 2013-04-08 | 2014-05-07 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 |
| CN103280418B (zh) * | 2013-05-07 | 2016-04-13 | 上海华力微电子有限公司 | 高温氧化设备 |
| CN104253077B (zh) * | 2013-06-26 | 2017-08-25 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种用于扩散炉管的晶座 |
| CN103811401A (zh) * | 2014-03-11 | 2014-05-21 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 晶圆托架及包含该晶圆托架的工艺腔室 |
| TWI670391B (zh) * | 2014-05-14 | 2019-09-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有氣體分佈及個別泵送的批次固化腔室 |
| US10113236B2 (en) * | 2014-05-14 | 2018-10-30 | Applied Materials, Inc. | Batch curing chamber with gas distribution and individual pumping |
| KR102328643B1 (ko) * | 2014-12-30 | 2021-11-19 | (주)선익시스템 | 기판히팅시스템 |
| CN104600020B (zh) * | 2015-02-03 | 2018-01-26 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 晶圆承载器、热处理装置及热处理方法 |
| CN106153436B (zh) * | 2016-08-31 | 2021-05-11 | 厦门通灵生物医药科技有限公司 | 一种载片标本检测的热处理装置 |
| JP6469046B2 (ja) * | 2016-07-15 | 2019-02-13 | クアーズテック株式会社 | 縦型ウエハボート |
| JP2018067582A (ja) * | 2016-10-18 | 2018-04-26 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| CN107740191A (zh) * | 2017-12-01 | 2018-02-27 | 浙江海洋大学 | 一种热处理装置 |
| US20190279887A1 (en) * | 2018-03-07 | 2019-09-12 | Kuo Yang Ma | Vapor reduction device for a semiconductor wafer |
| US11361981B2 (en) * | 2018-05-02 | 2022-06-14 | Applied Materials, Inc. | Batch substrate support with warped substrate capability |
| JP7245071B2 (ja) * | 2019-02-21 | 2023-03-23 | 株式会社ジェイテクトサーモシステム | 基板支持装置 |
| EP4018473A4 (en) * | 2019-08-19 | 2023-09-27 | Oem Group, LLC | SYSTEMS AND METHODS FOR A LIFTING AND ROTARY WAFER HANDLING PROCESS |
| TWI735115B (zh) * | 2019-12-24 | 2021-08-01 | 力成科技股份有限公司 | 晶圓儲存裝置及晶圓承載盤 |
| CN112652532A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-13 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体结构的形成方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63241928A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Hitachi Ltd | 縦型加熱装置 |
| JPH04120723A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-21 | Kawasaki Steel Corp | ウエハ熱処理用治具 |
| JPH10242067A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理用基板支持具 |
| JPH10284429A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-23 | Sumitomo Sitix Corp | ウェーハ支持装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162047A (en) * | 1989-08-28 | 1992-11-10 | Tokyo Electron Sagami Limited | Vertical heat treatment apparatus having wafer transfer mechanism and method for transferring wafers |
| JP3250628B2 (ja) | 1992-12-17 | 2002-01-28 | 東芝セラミックス株式会社 | 縦型半導体熱処理用治具 |
| JP3348936B2 (ja) * | 1993-10-21 | 2002-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| US5820366A (en) | 1996-07-10 | 1998-10-13 | Eaton Corporation | Dual vertical thermal processing furnace |
| JPH10284577A (ja) * | 1997-04-09 | 1998-10-23 | Tokyo Electron Ltd | 被処理基板の移載方法 |
| US6321680B2 (en) * | 1997-08-11 | 2001-11-27 | Torrex Equipment Corporation | Vertical plasma enhanced process apparatus and method |
| JP3510463B2 (ja) * | 1997-11-10 | 2004-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の整列装置及び整列方法 |
| JP2002100664A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法および装置 |
| WO2002033743A1 (fr) | 2000-10-16 | 2002-04-25 | Nippon Steel Corporation | Porte-plaquette, element de support de plaquette, dispositif porte-plaquette et four de traitement thermique |
| KR100403991B1 (ko) * | 2001-01-09 | 2003-11-01 | 주성엔지니어링(주) | 챔버에 피처리물을 로딩 및 언로딩하는 방법 |
| KR20020068550A (ko) * | 2001-02-21 | 2002-08-28 | 삼성전자 주식회사 | 로드락 챔버에 구비되는 스토로지 엘리베이터 |
| KR100466811B1 (ko) * | 2002-09-11 | 2005-01-15 | 이흥탁 | 반도체 웨이퍼 파지장치 |
-
2002
- 2002-11-26 KR KR10-2002-0073699A patent/KR100491161B1/ko active IP Right Grant
- 2002-12-18 DE DE10259376A patent/DE10259376A1/de not_active Ceased
- 2002-12-19 US US10/322,486 patent/US7077912B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-19 NL NL1022210A patent/NL1022210C2/nl not_active IP Right Cessation
- 2002-12-26 JP JP2002377369A patent/JP3802871B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-11-25 CN CNB2003101154047A patent/CN1293615C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63241928A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Hitachi Ltd | 縦型加熱装置 |
| JPH04120723A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-21 | Kawasaki Steel Corp | ウエハ熱処理用治具 |
| JPH10242067A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理用基板支持具 |
| JPH10284429A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-23 | Sumitomo Sitix Corp | ウェーハ支持装置 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 013, no. 046 (E - 711) 2 February 1989 (1989-02-02) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 016, no. 379 (E - 1247) 13 August 1992 (1992-08-13) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 14 31 December 1998 (1998-12-31) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1999, no. 01 29 January 1999 (1999-01-29) * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1505118A (zh) | 2004-06-16 |
| DE10259376A1 (de) | 2004-06-17 |
| US7077912B2 (en) | 2006-07-18 |
| NL1022210A1 (nl) | 2004-05-27 |
| KR100491161B1 (ko) | 2005-05-24 |
| US20040099219A1 (en) | 2004-05-27 |
| KR20040045942A (ko) | 2004-06-05 |
| JP2004179600A (ja) | 2004-06-24 |
| CN1293615C (zh) | 2007-01-03 |
| JP3802871B2 (ja) | 2006-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL1022210C2 (nl) | Systeem voor het vervaardigen van halfgeleiderproducten. | |
| KR100885343B1 (ko) | 판형 대상물을 수용하기 위한 장치 및 상기 대상물을핸들링하기 위한 장치 | |
| US7570876B2 (en) | Method and system for loading substrate supports into a substrate holder | |
| KR101405299B1 (ko) | 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치 | |
| JPH09213647A (ja) | ウエハボート | |
| CN107039330A (zh) | 用于热处理腔室的边缘环 | |
| KR20090046858A (ko) | 베르누이 완드 | |
| TW200814226A (en) | Substrate transferring apparatus, substrate processing apparatus, substrate transferring arm and substrate transferring method | |
| KR20170058280A (ko) | 웨이퍼 보트 지지대 및 이것을 사용한 열처리 장치 | |
| JP4637475B2 (ja) | 取外し可能なサセプタを用いた半導体基板搬送システム、及び半導体基板の搬送方法 | |
| JP7312952B2 (ja) | 水平基板ボート | |
| KR102640172B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 이의 구동 방법 | |
| CN114570621A (zh) | 减压干燥装置 | |
| US20030075387A1 (en) | Wafer loading device | |
| US6163015A (en) | Substrate support element | |
| CN107749407B (zh) | 晶圆承载盘及其支撑结构 | |
| JP2018067582A (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| KR20040023963A (ko) | 초고온용 반도체 기판 홀더와 이를 장착하는 기판 로딩용보트및 이를 포함하는 초고온 열처리 장치 | |
| KR20040012825A (ko) | 다중카세트 스테이션으로부터 오븐내부로 실리콘웨이퍼를장착하고 분리하기 위한 장치 | |
| US5658028A (en) | Vertical wafer carrier handling apparatus | |
| KR102053593B1 (ko) | 리프트핀유닛의 이동방법 및 기판처리장치 | |
| KR20200022893A (ko) | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판이송방법 | |
| KR101433865B1 (ko) | 고정식 리프트 핀을 가지는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판의 로딩 및 언로딩 방법 | |
| KR100487576B1 (ko) | 열처리 공정용 반도체 제조장치 | |
| TWI836297B (zh) | 減壓乾燥裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AD1A | A request for search or an international type search has been filed | ||
| RD2N | Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report) |
Effective date: 20060329 |
|
| PD2B | A search report has been drawn up | ||
| V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20100701 |