MXPA04011878A - Metodo para fabricar un original de un medio optico para grabar informacion, metodo para fabricar un estampador de un medio optico para grabar informacion, original y estampador de un medio optico para grabar informacion y un medio optico para grabar - Google Patents

Abstract

El objeto de la presente invencion es proveer un metodo para fabricar un original de un medio optico para grabar informacion, un metodo para fabricar un estampador de un medio optico para grabar informacion, un original y un estampador de un medio optico para grabar informacion y un medio optico para grabar informacion, en el cual la forma de un patron de huecos y/o una ranura sigue siendo de alta calidad al reducir el cambio de estado de un material inorganico al transcribir un patron predeterminado de huecos y/o una ranura en un lado del estampador, aun cuando un material inorganico se usa como una capa protectora. Un metodo para fabricar un original 106 de un medio optico para grabar informacion para transcribir un patron predeterminado de huecos y/o una ranura en un estampador del medio optico para grabar informacion, incluye formar una capa protectora 102 que incluye un primer material inorganico que cambia su estado con exposicion en un sustrato 101, formar el patron de huecos y/o una ranura en la capa protectora 102 con exposicion o desarrollo, y formar una capa aislante inorganica 107 en el patron de huecos y/o una ranura.

Description

MÉTODO PARA FABRICAR UN ORIGINAL DE UN MEDIO ÓPTICO PARA GRABAR INFORMACIÓN, MÉTODO PARA FABRICAR UN ESTAMPADOR DE UN MEDIO ÓPTICO PARA GRABAR INFORMACIÓN, ORIGINAL Y ESTAMPADOR DE UN MEDIO ÓPTICO PARA GRABAR INFORMACIÓN Y UN MEDIO ÓPTICO PARA GRABAR INFORMACIÓN CAMPO DE LA INVENCIÓN La presente invención se refiere a un método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información, un método para fabricar un estampador de un medio óptico para grabar información, un original y un estampador de un medio óptico para grabar información y un medio óptico para grabar información en sí. ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN Generalmente, un medio óptico para grabar información tal como un disco óptico es fabricado al usar un sustrato de disco. El sustrato de disco es producido mediante un moldeo por inyección y similares, con el uso de un estampador que tiene un patrón predeterminado de huecos y/o una ranura durante el proceso. Más adelante, un ejemplo de un método para fabricar el estampador convencional de un medio óptico para grabar información se describirá con referencia a las figuras 5 (a) a (e) . Durante el proceso de fabricar el estampador convencional, primero como se muestra en la figura 5 (a), los Ref 160204 patrones deseados tales como ranuras guía, huecos de información y similares son formados en un original de grabación 503, el cual está hecho del sustrato 501 y una capa protectora tipo película 502 sobre el mismo, como una imagen latente 505 con una exposición con el uso de una luz de grabación 504 tal como una luz de láser, un haz de electrones o similares. A continuación, como se muestra en la figura 5 (b) , un desarrollo se lleva a cabo en el original de grabación 503 después de la exposición. Por consiguiente, un original 506 que tiene el patrón de huecos y/o una ranura es producido, en el cual el patrón deseado grabado como la imagen latente 505 es formado correspondiente a huecos o salientes. Observar que, al fabricar un original para un DVD o un medio óptico para grabar información de siguiente generación, exposición con el uso de un láser de rayos ultravioleta o un haz de electrones y desarrollo con el uso de una solución de álcali son muy empleados. Luego, como se muestra en la figura 5 (c) , una película conductora 507 se forma en el original 506 al usar un método de bombardeo iónico o un método de deposición sin electrodos. A continuación, como se muestra en la figura 5 (d) , una capa de metal 508 es formada mediante chapeado que usa la película conductora 507. Después de esto, como se muestra en la figura 5 (e) , la capa de metal 508 solamente, o la capa de metal 508 con la película conductora 507, es desprendida del original 506 y un proceso de conformación tal como pulimento o troquelado de lado posterior se lleva a cabo en la capa de metal 508. A partir del proceso, un estampador 509a sin la película conductora 507 o el estampador 509b con la película conductora 507 es completado. Observar que, en algunas situaciones, se usa un estampador producido por otro proceso como sigue: el patrón de huecos y/o una ranura de la capa de metal 508 es transcrito después de aplicar chapeado o el método 2P más de una vez en la capa de metal 508 que es desprendida del original 506. Al usar el estampador 509a y 509b producido mediante los procesos anteriores, el sustrato de disco de un medio óptico para grabar información es producido mediante moldeo por inyección o similares. Además, un medio óptico para grabar información es fabricado al usar el sustrato de disco. Aquí, un fotorresist tipo positivo ha sido descrito anteriormente. No obstante, la descripción anterior aplicará también a un fotorresist de tipo negativo, excepto que los huecos y/o una ranura en el original estén/esté invertido (s) . En el proceso convencional de fabricar un estampador de un medio óptico para grabar información, un fotorresist hecho de un material orgánico ha sido usado generalmente como la capa protectora 502. Sin embargo, cuando tal fotorresist se usa como la capa protectora 502, es difícil hacer bordes definidos del patrón de huecos y/o una ranura en el fotorresist con la exposición. Esto se debe a que la cantidad de exposición cambia continuamente en el límite de una porción expuesta y una porción no expuesta y los bordes del patrón se pueden inclinar después de retirar la capa protectora. Por lo tanto, formar un patrón diminuto de huecos y/o una ranura ha sido una tarea difícil. Por ende, aun cuando se usa una luz de grabación que tiene la misma longitud de onda que el proceso convencional, se ha propuesto un método para fabricar un estampador en el cual la capa protectora 502 se hace de un material inorgánico termosensible como un material que puede cambiar de fase que permite la formación de bordes más afilados del patrón diminuto de huecos y/o una ranura en comparación con un método que usa un fotorresist hecho de un material orgánico (ver publicación de patente sin examinar japonesa H10-97738, por ejemplo) . Un fotorresistente convencional, que está hecho de un material orgánico tal como resina novolac y PMMA y usado al fabricar un estampador de un medio óptico para grabar información, tiene una estabilidad bastante alta al formar una capa de metal de un estampador mediante chapeado . Cuando un material inorgánico tal como un material que puede cambiar de fase es usado como una capa protectora, los bordes del patrón de huecos y/o una ranura que se forma con un desarrollo se pueden afilar. No obstante, durante la formación de la capa de metal mediante chapeado, el material inorgánico usado como una capa protectora cambia su estado. Como se acaba de describir, si el material inorgánico cambia su estado, se vuelve difícil mantener la forma de alta calidad del patrón de huecos y/o una ranura de la capa protectora . BREVE DESCRIPCIÓN DE LA INVENCIÓN La presente invención se dirige a solucionar los problemas convencionales antes mencionados. El objeto de la presente invención es proveer: un método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información; un método para fabricar un estampador de un medio óptico para grabar información; un original y un estampador de un medio óptico para grabar información y un medio óptico para grabar información, en el cual la forma del patrón de huecos y/o una ranura se mantiene favorable al reducir el cambio de estado del material inorgánico al transcribir el patrón predeterminado de huecos y/o una ranura en un lado del estampador. En un primer método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de la presente invención, un original de un medio óptico para grabar información es fabricado mediante los siguientes procesos: una capa protectora que incluye un material inorgánico el cual cambia su estado con exposición es formada en un sustrato; un patrón de huecos y/o una ranura es formado en la capa protectora con exposición y desarrollo en la capa protectora; y una capa aislante es formada en el patrón de huecos y/o una ranura. En otras palabras, en el método para fabricar el estampador, la capa aislante es formada entre la capa protectora y una película conductora. La capa aislante permite la reducción de una reacción química entre la capa protectora y la película conductora al separarlas físicamente. Además, si la capa aislante contiene un material inorgánico con baja conductividad eléctrica, la capa protectora y la película conductora se pueden aislar eléctricamente (casi un estado aislado) , y una reacción de descomposición de la capa protectora en sí promovida por actividad electrónica y también se puede reducir una reacción entre la capa protectora y la película conductora. Observar que, el material inorgánico con baja conductividad eléctrica de preferencia tiene una conductividad eléctrica más baja que la capa protectora. Además, cuando un material orgánico se usa para la capa aislante, para formar una capa como un sólido en el original es difícil. En otras palabras, no se puede formar un patrón afilado de huecos y/o una ranura en el estampador porque se forma una película de un material orgánico con un estado líquido. Por otra parte, cuando se usa en cambio el material inorgánico, el patrón afilado de huecos y/o una ranura es fácilmente mantenido porque se puede usar un método de evaporación, particularmente un método de bombardeo iónico. En un método para fabricar un original y un estampador de la presente invención, se puede aplicar procesamiento al vacío mientras se forma la capa aislante. Como el procesamiento al vacío, por ejemplo, se puede usar un método de evaporación al vacío, un método de bombardeo iónico, un método de deposición química de vapor o similares. Particularmente, el método de bombardeo iónico se prefiere más porque se puede llevar a cabo fácilmente una alta adhesividad en la capa protectora, para reducir el polvo y para formar una película estable. Cuando materiales que contienen un material que tiene una buena propiedad de desprendimiento se usan para la capa aislante, tales como fluoruros o carbón tipo diamante, el método de la presente invención se puede llevar a cabo de manera favorable porque los residuos de la capa aislante inorgánica se pueden reducir en el estampador. Cuando materiales que contienen dióxido de silicio se usan para la capa aislante y materiales que contienen oro o elementos del grupo platino para la película conductora, el método de la presente invención se puede llevar a cabo de manera favorable no sólo porque los residuos de la capa aislante inorgánica en el estampador se pueden reducir, sino también porque se hace posible disolver los residuos de la capa aislante que quedan en el estampador. Cuando materiales que contienen, por ejemplo: materiales solubles en álcali como óxido de tungsteno, óxido de niobio, óxido de estaño, óxido de molibdeno, silicio y similares; materiales solubles en agua como cloruro de sodio, cloruro férrico, yoduro de potasio, cloruro de rubidio y similares; y materiales solubles en ácido como óxido de estaño y cloruro de cobre, el método de la presente invención se puede llevar a cabo de manera favorable porque se hace posible disolver los residuos de la capa aislante que quedan en el estampador. El grosor de la capa aislante es de preferencia 5 nm o más y 150 nm o menos y además de preferencia 15 nm o más y 150 nm o menos. Un segundo método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de la presente invención es que, en el primer método para fabricar un original y un estampador de un medio óptico para grabar información de la presente invención, una capa de desprendimiento se forma en la capa aislante inorgánica durante la fabricación del original y la capa de desprendimiento se forma entre la capa aislante y la película conductora durante la fabricación del estampador. Con la capa de desprendimiento, el estampador se puede fabricar de manera favorable porque los residuos se pueden disolver y eliminar fácilmente aun cuando aparecen en el estampador. Como la capa de desprendimiento, se pueden usar diversos materiales inorgánicos o diversos materiales orgánicos, los cuales son altamente solubles en ácido, álcali, agua o un solvente orgánico. El grosor total de la capa aislante y la capa de desprendimiento hechas de un material inorgánico es de preferencia 150 nm o menos y el grosor de la capa aislante es de preferencia 5 nm o más, o 15 nm o más. Además, el grosor de la capa de desprendimiento hecha de un material orgánico es de preferencia 60 nm o menos . En cualquiera de los dos métodos para fabricar el original y el estampador, los materiales inorgánicos que comprenden la capa orgánica de preferencia contienen, por ejemplo, germanio, telurio, antimonio, selenio, molibdeno, tungsteno, titanio y similares, o un compuesto de estos elementos como un componente principal. Además, los materiales inorgánicos de la capa protectora pueden contener oro, platino, cobre, paladio, silicio o similares. Asimismo, aunque una deposición sin electrodos se prefiere más para formar la película conductora, se puede usar también un proceso al vacío tal como un bombardeo iónico.

De acuerdo con un método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de la presente invención, aun cuando un material inorgánico se usa como una capa protectora, una forma favorable del patrón de huecos y/o una ranura se puede mantener al reducir el cambio de estado del material durante un proceso de transcribir el patrón predeterminado de huecos y/o una ranura en un lado del estampador. Por lo tanto, se puede realizar el chapeado favorable y el material inorgánico, el cual no ha sido adecuado para chapeado en el pasado porque cambia su estado durante la exposición, se vuelve disponible como una capa protectora. BREVE DESCRIPCIÓN DE LAS FIGURAS Las figuras la-lf muestran un método para formar el patrón de la modalidad 1 de la presente invención. La figura 2 muestra un método de exposición al formar el patrón de la modalidad 1 de la presente invención. La figura 3 muestra la altura de un hueco o una ranura al formar el patrón de la modalidad 1 de la presente invención. Las figuras 4a-4f muestran un método para formar el patrón de la modalidad 2 de la presente invención. Las figuras 5a-5e muestran un método para formar el patrón de la técnica convencional .

DESCRIPCIÓN DE LAS MODALIDADES PREFERIDAS Más adelante, las modalidades de la presente invención se explicarán en detalle con referencia a las figuras. Modalidad 1 (1) Visión general de un método de fabricación A continuación, una visión general de un método para fabricar un estampador de un medio óptico para grabar información de la modalidad 1 de la presente invención se describirá con referencia a la figura 1 (a) a (f) . Primero, como se muestra en la figura 1 (a) , un patrón deseado tal como ranuras guía, huecos de información y similares se forman en un original de grabación 103 como una imagen latente 105 con una exposición con el uso de una luz de grabación 104 tal como una luz de láser, un haz de electrones o similares. Como el original de grabación 103, una capa protectora tipo película 102 hecha de un material inorgánico que cambia su estado con la exposición se forma sobre un sustrato 101 (esto es llamado un proceso de exposición) . A continuación, como se muestra en la figura 1 (b) , al realizar el desarrollo en el original de grabación 103 después de la exposición, el patrón diminuto de huecos y/o una ranura se forma en el original de grabación 103 y el patrón deseado grabado como la imagen latente 105 se forman correspondientes a los huecos o a las salientes (esto es llamado un proceso de desarrollo) . Luego, como se muestra en la figura 1 (c) , un original 106 es producido al formar una capa aislante inorgánica 107 en el patrón diminuto de huecos y/o una ranura en el original de grabación 103 (esto es llamado un proceso para formar una capa aislante inorgánica) . Además, como se muestra en la figura 1 (d) , una película conductora 108 se forma en la capa aislante inorgánica 107 mediante el método de deposición sin electrodos (esto es llamado un proceso para formar una película conductora) . Observar que, la película conductora 108 se puede formar también mediante el método de bombardeo iónico. Como se muestra en la figura 1 (e) , una capa de metal 109 se forma en la película conductora 108 mediante chapeado que usa la película conductora 108 (esto es llamado un proceso para formar una capa de metal) . Después de esto, como se muestra en la figura 1 (f) , la capa de metal 109 solamente, o la capa de metal 109 con la película conductora 108, es desprendida del original 106 y un proceso de conformación tal como un pulimento o troquelado de lado posterior se lleva a cabo en la capa de metal 109 (esto es llamado un proceso de desprendimiento) . A partir del proceso, un estampador 110a sin la película conductora 108 o un estampador 110b con la película conductora 108 es completado, en el cual el patrón de huecos y/o una ranura del original 106 es transcrito. Además, un sustrato es producido mediante moldeo por inyección con el uso del estampador y un medio óptico para grabar información es producido al usar el sustrato. Si el método de la presente invención es empleado, aun cuando una luz de grabación que tiene casi la misma longitud de onda que la convencional es usada para un fotorresist hecho de un material orgánico durante una exposición, se pueden producir un estampador con una densidad de grabación más alta que una convencional y además un medio óptico para grabar información. (2) Descripción detallada del método de fabricación A continuación, el método para fabricar un estampador de un medio óptico para grabar información de la modalidad 1 de la presente invención se describirá en más detalle. Como el sustrato 101 del original de grabación 103 que es expuesto durante el proceso de exposición (ver figura 1 (a) ) , se usa un sustrato hecho de diversos vidrios, silicio o resinas, por ejemplo. Como un material de una capa protectora 102 formada sobre el sustrato 101, un material inorgánico que cambia su estado cuando se usa la exposición, por ejemplo, germanio, telurio, antimonio, selenio, molibdeno, tungsteno, titanio y un material que contiene principalmente un compuesto de óxido o similar de estos elementos. Observar que, si estos materiales inorgánicos contienen metales nobles tales como oro, grupo platino, plata y cobre, o contienen dióxido de silicio o similares, la relación de la película restante durante el proceso de desarrollo se puede mejorar y estos materiales inorgánicos son adecuados para el método de la presente invención. Aquí, la capa protectora 102 hecha de un material inorgánico el cual cambia su estado con la exposición se forma sobre el sustrato 101 mediante un método de bombardeo iónico, un método de evaporación al vacío, un método de revestimiento por centrifugado o similares, por ejemplo. Particularmente, al usar el método de bombardeo iónico, se puede producir de manera favorable una capa protectora uniforme 102 que atrae menos polvo lo cual es adecuado para el método de la presente invención. Observar que, el original de grabación 103 puede incluir elementos de estructura diferentes de los anteriores tales como una capa de superficie colindante o una capa reflejante, siempre y cuando el original 103 mantenga la estructura antes descrita. A continuación, con referencia a la figura 2, se describe un método para exponer la capa protectora 102 en el original de grabación 103, en otras palabras, un método para grabar un patrón en el original de grabación 103. Como se muestra en la figura 2, el original de grabación 103 es colocado en una mesa de rotación 201 y se hace girar con la mesa 201. Una luz de grabación 104 emitida desde una fuente de luz 202 es enfocada mediante una lente 203 en una superficie del original de grabación 103. Observar que, si es necesario, la luz de grabación 104 puede ser modulada y desviada en la fuente de luz de grabación 202. Durante el proceso de grabación, una cabeza de grabación 204 y la mesa de rotación 201 son movidas en paralelo una con relación a la otra, como se muestra mediante la flecha A. Por lo tanto, se lleva a cabo una grabación tipo espiral en el original de grabación 103 y el patrón deseado es formado como la imagen latente 105 antes descrita. Como la luz de grabación 104, se puede usar una luz de láser o un haz de electrones. En el original de grabación 103 en el cual se forma el patrón deseado como la imagen latente 105, la velocidad de grabado es diferente en cada área donde su estado ha cambiado con la exposición tal como un cambio de fase y similares (en adelante, llamada un "área que ha cambiado su estado") y donde su estado no ha cambiado porque la exposición no ha sido aplicada (en adelante llamada "área que no ha cambiado su estado" ) . Por lo tanto, durante el proceso de desarrollo (ver figura 1 (b) ) , el original de grabación 103 es desarrollado mediante grabado al usar la diferencia de la velocidad de grabado. Grabado en seco tal como un grabado por iones reactivos, o grabado en húmedo con uso de ácido o álcali, son ejemplos de tal grabado; no obstante, cualesquier métodos se encuentran disponibles si la velocidad de grabado es diferente entre el área que ha cambiado su estado y el área que no ha cambiado su estado. Con tal proceso de desarrollo, se produce el original de grabación 103 del medio óptico para grabar información que tiene el patrón de huecos y/o una ranura. Durante el proceso de formación de la capa aislante inorgánica (ver figura 1 (c) ) , por ejemplo, un material inorgánico tal como un fluoruro, un óxido, un nitruro, carbón tipo diamante (en adelante descrito como DLC) o similares se forma en el original de grabación 103 como una película delgada al usar, por ejemplo, el método de bombardeo iónico, el método de evaporación al vacío, el método de deposición química de vapor (en adelante descrito como CVD) o similar. Por lo tanto, el original 106 es producido, el cual incluye el sustrato 101, la capa protectora desarrollada 102 (el original de grabación 103) y la capa aislante inorgánica 107. Con la capa aislante inorgánica 107, debido a que la capa protectora 102 se puede aislar de la película conductora 108 o la capa de metal 109, la reacción entre la capa protectora y otras capas, así como el estado de la capa protectora 102 que cambia, se puede prevenir. Además, los residuos de la capa aislante inorgánica 107 en el estampador 110 se pueden reducir. Observar que diversos materiales diferentes de los anteriores se pueden usar como materiales inorgánicos; sin embargo, materiales inorgánicos que satisfacen los siguientes requerimientos son preferibles para la modalidad 1 de la presente invención. (Requerimiento 1) Tener baja conductividad eléctrica y tener una alta resistencia a la descomposición eléctrica. (Requerimiento 2) Tener una buena propiedad de desprendimiento con relación a la película conductora 108. (Requerimiento 3) Capacidad de disolverse en un solvente que no corroe la superficie de la película conductora 108. El requerimiento 1 es necesario cuando un voltaje es aplicado mediante chapeado para prevenir que el material inorgánico reaccione con la película conductora 108 o con la capa de metal 109 que se forma mediante chapeado, o para prevenir descomposición eléctrica. Por ejemplo, debido a que un fluoruro, un óxido, un nitruro y similares son extremadamente estables, estos materiales se pueden usar de manera favorable en los métodos de la presente invención. El requerimiento 2 es efectivo para reducir los residuos del material inorgánico que permanecen en el estampador 110b al fabricar el estampador 110b con la película conductora 108. El requerimiento 3 es efectivo para eliminar los residuos del material inorgánico que quedan en el estampador 110b sin corroer el estampador 110b al usar, por ejemplo, álcali, agua y ácido al producir el estampador 110b con la película conductora 108. Los residuos ocurren debido al uso de un material inorgánico que es soluble en el solvente que no corroe la superficie del estampador 110b, tal como álcali y agua (también se puede usar ácido si la superficie del estampador 110b es un material que tiene una alta resistencia al ácido tal como oro o grupo platino) . Observar que, como se describe anteriormente, el requerimiento 2 y el requerimiento 3 son necesarios para reducir o eliminar los residuos al fabricar el estampador 110b con la película conductora 108 y no son necesarios al fabricar el estampador 110a sin la película conductora 108. Como materiales específicos que satisfacen estos requerimientos, los siguientes materiales son adecuados para el requerimiento 1 : fluoruros tales como fluoruro de magnesio o fluoruro de lantano; óxidos tales como dióxido de silicio u óxido de molibdeno; nitruros tales como nitruro de silicio o nitruro de aluminio; y compuestos de estos materiales. Como materiales que satisfacen el requerimiento 2, los siguientes materiales son adecuados para la presente invención; fluoruros tales como fluoruro de magnesio, fluoruro de lantano o fluoruro de calcio; DLC; y dióxido de silicio (observar que, para la película conductora 108, se necesita elegir un material que sea menos adhesivo al dióxido de silicio; tal como oro, un grupo platino, cobre o aluminio) . Cuando se usa oro como una película conductora, los siguientes materiales tienen buenas propiedades de desprendimiento y son favorables para el método de la presente invención: por ejemplo, un óxido de titanio, un óxido de aluminio, un óxido de bismuto o un óxido de estaño. En los materiales inorgánicos que satisfacen el requerimiento 2, no solamente los residuos de la capa aislante inorgánica 107 en el estampador 110b son reducidos, sino también la eliminación de los residuos mediante disolución se hace posible cuando lo residuos de la capa aislante inorgánica 107 en el estampador 110b aparecen. Como materiales que satisfacen el requerimiento 3, los siguientes materiales son adecuados para el método de la presente invención: un material soluble en álcali tal como óxido de tungsteno, óxido de niobio, óxido de estaño, óxido de molibdeno o silicio; un material soluble en agua tal como cloruro de sodio, cloruro férrico, yoduro de potasio o cloruro de rubidio; y un material soluble en ácido tal como óxido de estaño (para óxido de estaño, cuando una superficie del estampador está hecha de materiales que tienen una alta resistencia al ácido tales como oro o grupo platino) o cloruro de cobre. De más está decir, aparte de los materiales anteriores, materiales que satisfacen cada uno de los requerimientos se pueden usar en el método de la presente invención. Observar que, materiales hechos al mezclar los materiales que satisfacen el requerimiento 2 o requerimiento 3 antes descritos con los materiales que satisfacen el requerimiento 1 se pueden usar también . Para un método para formar la capa aislante inorgánica 107 hecha del material inorgánico anterior, se puede usar cualquier método si el método puede cumplir los requerimientos de grosor y uniformidad que se describen más adelante. Observar que, para el método para formar la capa aislante inorgánica 107, el método de bombardeo iónico es preferible porque la alta adhesividad en la capa protectora 102, para reducir el polvo y para formar una película estable, se puede realizar fácilmente. No obstante, debido a que el DLC no es adecuado para el método de bombardeo iónico, la capa aislante inorgánica 107 se puede formar de manera favorable al usar CVD. En esta situación, las condiciones para el método de bombardeo iónico o CVD se eligen de manera arbitraria. Además, cuando el método de bombardeo iónico se usa para formar la capa aislante inorgánica 107, los siguientes métodos están disponibles: bombardeo iónico con el uso de un gas inerte tal como argón o xenón, así como usar un objetivo tal como dióxido de silicio o nitruro de silicio que tiene una composición predeterminada; bombardeo iónico con el uso de una pluralidad de objetivos; y bombardeo iónico reactivo con el uso de objetivos (también puede ser un solo objetivo) en el cual flúor, oxígeno o nitrógeno y similares son más bajos que la composición predeterminada. El bombardeo iónico reactivo se puede realizar, por ejemplo, al mezclar un gas inerte tal como argón o xenón con flúor, oxígeno o nitrógeno. Por ejemplo, a fin de formar la capa aislante inorgánica 107 de dióxido de silicio, el bombardeo iónico RF se puede realizar también bajo potencia de 400 y una presión de horno de 2 mTorr al usar un objetivo de dióxido de silicio e introducir argón en un estado de alto vacío. De más está decir, la presente invención no se limita a la presión de horno y salida antes mencionadas.

En cuanto a un grosor de la capa aislante inorgánica 107, se deben satisfacer las dos condiciones que se describen a continuación. Primera condición Al chapear la capa de metal 109, el grosor necesita ser suficiente para reducir la reacción química de la capa protectora 102 solamente, o una reacción química entre la capa protectora 102 y la película conductora 108 o entre la capa protectora 102 y la capa de metal 109. Segunda condición Después de formar la capa aislante inorgánica 107, el grosor es suficiente para formar el patrón de huecos y/o una ranura que tiene una altura y forma deseadas en una superficie de la capa aislante inorgánica 107. EJEMPLO 1 Primero, se describe el ejemplo 1 de la primera condición. En la tabla 1, los resultados de producir el estampador 110 y medir la proporción de falta de falla de chapeado en cuatro casos donde se usaron una capa protectora diferente 102 y una capa aislante inorgánica diferente 107. Aquí, como la capa protectora 102, se usaron dos capas protectoras (una capa protectora A y una capa protectora B) las cuales se hicieron de óxido de Te que tiene una baja estabilidad para chapear la capa de metal 109. Como materiales de la capa aislante inorgánica 107, se usaron dióxido de silicio y óxido de tungsteno. Además, las variaciones de la resistencia al chapeado de la capa protectora 102 fueron medidas cuando el grosor de la capa aislante inorgánica 107 fue cambiado en un rango de 0 a 15 nm. La resistencia al chapeado para cada caso se mostró como el número de los resultados de chapeado favorables de diez pruebas de chapeado. TABLA 1 Proporción de falta de falla de chapeado (Número de falta de falla por 10 pruebas) Como es claro a partir de la tabla 1, cuando el grosor de la capa aislante inorgánica 107 fue 5 nm o más, la resistencia al chapeado de la capa protectora B mejoró claramente, que tuvo una resistencia al chapeado bastante alta y particularmente cuando el grosor es 15 nm o más, la resistencia al chapeado ya sea de la capa protectora A o la capa protectora B mejoró aún más. Observar que, aun cuando la capa aislante inorgánica 107 fue evaluada al usar otras capas protectoras que tienen baja resistencia al chapeado, la mejora también se obtuvo claramente y particularmente cuando el grosor fue 15 nm o más, se pudo obtener una mejor aún mayor. Observar que, se considera que el grosor de la capa aislante inorgánica 107 no tiene límite superior para satisfacer el requerimiento 1. EJEMPLO 2 A continuación, se describe el ejemplo 2 de la segunda condición. La tabla 2 muestra los resultados de la altura de un hueco o una ranura en la superficie de la capa aislante inorgánica 107, con relación a la altura del patrón de huecos y/o una ranura de los dos origináis 106 (Aquí, 35 nm y 90 nm) . El grosor de la capa aislante inorgánica 107 es cambiado en un rango de 15 a 240 nm. La altura del patrón de huecos y/o una ranura muestra una altura hl de un hueco o una ranura antes de formar la capa aislante, como se muestra en la figura 3. Además, el grosor de la capa aislante inorgánica 107 muestra el grosor de la saliente en el patrón de huecos y/o una ranura de la capa aislante inorgánica 107. Aquí, la separación entre pistas del original 106 es 320 nm. Además, en el original 106, secuencias de huecos cortas y largas de las cuales la longitud de hueco más corta es aproximadamente 100 nm, se forman como el patrón de huecos y/o una ranura. Como un material de la capa aislante inorgánica 107 se usa dióxido de silicio. Observar que, en la figura 3, la altura hl de un hueco o una ranura antes de formar la capa aislante muestra la altura del patrón de huecos y/o una ranura antes de formar la capa aislante inorgánica del original 106 y la altura h2 de un hueco o una ranura después de formar la capa aislante muestra la altura del patrón de huecos y/o una ranura de la superficie de la capa aislante inorgánica 107. TABLA 2 Altura de un hueco o una ranura después de formar la capa aislante inorgánica Como es claro a partir de la tabla 2, a medida que el grosor de la capa aislante inorgánica 107 incrementó, la diferencia entre la altura hl antes de formar la capa aislante y la altura h2 después de formar la capa aislante incrementó gradualmente. Sin embargo, debido a un error de medición de la altura, la medición es entre 2 y 3 nm, cuando el grosor de la capa aislante inorgánica 107 es 150 nm o menos, se puede decir que la altura hl antes de formar la capa aislante y la altura h2 después de formar la capa aislante son la misma esencia. A partir de los resultados, cuando el grosor de la capa aislante inorgánica 107 es 150 nm o menos, se pueden obtener efectos particularmente favorables de la presente invención. No obstante, aun cuando el grosor de la capa aislante inorgánica 107 es más de 150 nm, también está disponible en otras aplicaciones siempre y cuando el cambio de forma de huecos y/o una ranura debido a formación de la capa aislante inorgánica 107 sea aceptable y la presente invención sea todavía efectiva. Además, a fin de controlar la altura h2 después de formar la capa aislante, la altura hl antes de formar la capa aislante y la altura h2 después de formar la capa aislante necesita ser cambiada en forma intencional y la capa aislante inorgánica 107 que tiene un grosor de 150 nm o más se puede usar. A partir de los resultados de medición antes mencionados, el grosor de la capa aislante inorgánica 107 es de preferencia 5 nm o más y 150 nm o menos y particularmente 15 nm o más y 150 nm o menos. Lo anterior son las descripciones del ejemplo 1 y 2. Durante el proceso para formar la película conductora, en la capa aislante inorgánica 107 del original 106, la película conductora 108 hecha de materiales conductores tales como níquel o cobre es formada mediante un método de deposición sin electrodos. Observar que, al usar el método de bombardeo iónico o el método de evaporación al vacío, la película conductora 108 hecha de materiales conductores tales como níquel, cobre u oro se puede formar también. Durante el proceso de formar la capa de metal, la película conductora 108 se usa como un electrodo al formar la capa de metal 109. Durante el proceso de formar la capa de metal, la capa de metal 109 se forma en la película conductora 108 al realizar el chapeado tal como un chapeado de electroformación con níquel. Observar que, cuando se usa un método de deposición sin electrodos para formar la película conductora 108 durante el proceso de formar la película conductora, los residuos de la capa aislante inorgánica 107 que quedan en el estampador 110b se pueden reducir, porque la adhesividad entre la capa protectora 102 y la película conductora 108 se vuelve baja en comparación con el método del bombardeo iónico o el método de evaporación al vacío. Durante un proceso de desprendimiento, la capa de metal 109 solamente o la capa de metal 109 con la película conductora 108 es desprendida del original 106 y un proceso de conformación tal como pulimento o troquelado de lado posterior se lleva a cabo en la capa de metal 106. Con estos procesos, los estampadores 110a y 110b son completados. Observar que, cuando solamente la capa de metal 109 es desprendida del original 106 durante el proceso de desprendimiento, el desprendimiento se lleva a cabo fácilmente al realizar reformación de superficie como un tratamiento con plasma de oxígeno en la película conductora 108 antes del proceso de formar la capa de metal. Por otra parte, cuando la capa de metal 109 y la película conductora 108 son desprendidas del original 106 como una unidad integrada, unos pocos residuos de la capa aislante inorgánica 107 pueden quedar en la película conductora 108 (en el estampador 110b) . En una situación como ésta, un material inorgánico que satisface el requerimiento 2 o requerimiento 3 se puede usar como la capa aislante inorgánica 107. Si se usa un material que satisface el requerimiento 2, es muy efectivo para reducir los residuos. Aun cuando quedan residuos, los residuos se pueden desprender y eliminar fácilmente al usar una hoja de adhesivo y similares. Si se usa un material que satisface el requerimiento 3, los residuos se pueden disolver y eliminar al usar los siguientes solventes en los cuales el material usado como la capa aislante inorgánica 107 es soluble: álcali tal como solución acuosa de hidrato de sodio, solución acuosa de hidrato de potasio e hidróxido de tetrametilamonio (TMAH, por sus siglas en inglés) ; agua; y un ácido tal como ácido clorhídrico, por ejemplo. Observar que, cuando se usa un ácido para eliminar residuos, un material que tiene una alta resistencia al ácido tal como oro se puede usar como la película conductora 108 de antemano, porque el ácido puede corroer la superficie del estampador 110b. Además, como un material que combina tanto el requerimiento 2 como el requerimiento 3, dióxido de silicio para la capa aislante inorgánica 107 y metal noble que tiene una alta resistencia al ácido tal como oro o grupo platino para la película conductora 108, son también efectivos para reducir los residuos de la capa aislante inorgánica 107. En esta situación, no sólo el dióxido de silicio y el metal noble son muy efectivos para reducir los residuos porque tienen buenas propiedades de desprendimiento uno contra otro, sino que también son efectivos para eliminar los residuos al disolver el dióxido de silicio. Esto es porque la superficie del estampador está cubierta por oro y similares que tienen una alta resistencia al ácido y al usar, por ejemplo, ácido fluorado que tiene una concentración de aproximadamente 5%, los residuos se pueden eliminar. Observar que, otras concentraciones de ácido fluorado también se pueden usar. Como se mencionó anteriormente, de manera convencional, realizar el chapeado en el material inorgánico que cambia su estado con exposición ha sido difícil . Sin embargo, de acuerdo con el método para fabricar un estampador de un medio óptico para grabar información de la modalidad 1 de la presente invención, tal material inorgánico se vuelve disponible como una capa protectora. Por consiguiente, en comparación con el método para fabricar un estampador con el uso de un fotorresist convencional hecho de un material orgánico, un estampador que tiene una densidad de grabación más alta y además un medio óptico para grabar información se puede fabricar, aun cuando se usa una fuente de luz que tiene una longitud de onda similar a una convencional. Esto es porque la forma del patrón de huecos y/o una ranura se puede mantener en un estado favorable mientras se reducen los cambios del estado del material inorgánico al transcribir el patrón predeterminado de huecos y/o una ranura en el lado del estampador 110. Modalidad 2 A continuación, con referencia a la figura 4, se describe la modalidad 2 de la presente invención. Observar que, un método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de la modalidad 2 es igual a aquél de la modalidad 1, excepto por formar nuevamente una capa de desprendimiento 407b en una capa aislante inorgánica 407a, y colocar la capa de desprendimiento 407b entre la capa aislante inorgánica 407a y una película conductora 408 durante el proceso de fabricar el estampador. Por lo tanto, más adelante, a fin de evitar cualesquier explicaciones que se traslapen, las partes diferentes de la modalidad 1 se describen principalmente con referencia a la figura 4 (a) a (f) . En un método para fabricar un estampador de la modalidad 2, un proceso de exposición y procesos de desarrollo son los mismos que la modalidad 1. Durante el proceso de formar una capa aislante inorgánica, que es el mismo de la modalidad 1, la capa de desprendimiento 407b se forma después de que se forma la capa aislante inorgánica 407a. Como resultado, se produce el original 406. El proceso para formar la capa de desprendimiento 407b se describe ahora en más detalle. La capa de desprendimiento 407b está hecha de materiales que son solubles en un solvente: tales como álcali, solvente orgánico, agua y ácido (en ácido, una superficie del estampador necesita estar hecha de materiales que tengan una alta resistencia al ácido tal como oro o grupo platino) que no daña el estampador 410. Si esos materiales se usan al producir el estampador 410b con la película conductora 408, aun cuando residuos del material inorgánico ocurren en el estampador 410b, los residuos son eliminados efectivamente sin dañar el estampador 410b al usar el solvente antes mencionado. Como la capa de desprendimiento 407b, los siguientes materiales inorgánicos son adecuados para la presente invención; materiales solubles en álcali tales como óxido de tungsteno, óxido de niobio, óxido de estaño, óxido de molibdeno o silicio; materiales solubles en agua tales como cloruro de sodio, cloruro férrico, yoduro de potasio o cloruro de rubidio; materiales solubles en ácido tales como óxido de estaño y cloruro de cobre; y materiales que son solubles en el solvente orgánico tal como cloruro férrico o yoduro de potasio. Como un material orgánico, materiales que son solubles en los siguientes solventes son adecuados para la presente invención: un álcali tal como resina fenólica o una resina de acrilato; agua; ácido; y solvente orgánico. De más está decir, aparte de los materiales anteriores, cualquiera de los siguientes materiales que son solubles en un solvente que no daña el estampador son adecuados: álcali, solvente orgánico, agua, ácido (en ácido, cuando una superficie de un estampador está hecha de materiales que tienen una alta resistencia al ácido tales como oro o grupo platino) y similares. Cuando materiales inorgánicos se usan para la capa de desprendimiento 407b, la estructura es similar a aquélla descrita en la modalidad 1 en esencia. No obstante, para eliminar los residuos en el estampador 410b, el método aquí es más efectivo que el método en la modalidad 1. Esto es porque en la modalidad 2, la función de la capa aislante inorgánica 107 de la modalidad 1 se divide en las dos funciones de la capa aislante inorgánica 407a y la capa de desprendimiento 407b. Por lo tanto, un material que funciona altamente como la capa aislante pero sus residuos en el estampador 410b se vuelven un problema, se puede usar como la capa aislante inorgánica 407a, o un material que es altamente soluble en álcali pero no funciona bien como una capa aislante se puede usar como la capa de desprendimiento 407b. Los procesos para formar la capa aislante inorgánica 407a y la capa de desprendimiento 407b son los mismos que el método para formar la capa aislante inorgánica 107 de la modalidad 1. En cuanto al grosor de la capa aislante inorgánica 407a y la capa de desprendimiento 407b, a partir de los resultados de los experimentos descritos en el ejemplo 1 y ejemplo 2, el grosor de la capa aislante inorgánica 407a es de preferencia 5 nm o más, y el grosor total de la capa aislante inorgánica 407a y la capa de desprendimiento 407b es de preferencia 150 nm o menos. Además, el grosor de la capa aislante inorgánica 407a es con mayor preferencia 15 nm o más y el grosor total de la capa aislante inorgánica 407a y la capa de desprendimiento 407 es con mayor preferencia 150 nm o menos. Cuando un material orgánico se usa para la capa de desprendimiento 407b, el método para formar la capa aislante inorgánica 407a es el mismo que el método para formar la capa aislante inorgánica 107 de la modalidad 1 y para formar la capa de desprendimiento 407b, se puede usar el método de revestimiento por centrifugado o el método de evaporación al vacío. A partir de los resultados de los experimentos descritos en el ejemplo 1 y ejemplo 2, el grosor de la capa aislante inorgánica 407a es de preferencia 5 nm o más y 150 nm o menos, y con mayor preferencia 15 nm o más y 150 nm o menos. Cuando la capa de desprendimiento 407b hecha de los materiales orgánicos es formada ya sea por el método de revestimiento por centrifugado o por el método de evaporación al vacío, el patrón de huecos y/o una ranura en la capa aislante inorgánica 407a, de la cual el patrón de huecos y/o una ranura en el original de grabación 403 se refleja, se forma como un patrón despuntado (de borde redondo) de huecos y/o una ranura en la capa de desprendimiento 407b. Aquí, para investigar el grado de falta de filo del patrón de huecos y/o una ranura, se midieron las variaciones de la altura de superficie de un hueco o una ranura cuando el grosor de la capa de desprendimiento 407b cambia. La tabla 3 muestra los resultados de usar la capa de desprendimiento 407b formada mediante el método de revestimiento por centrifugado y la tabla 4 muestra los resultados de usar la capa de desprendimiento 407b formada mediante el método de evaporación al vacío. Las alturas de superficie de un hueco o una ranura de la capa aislante inorgánica durante la medición fueron 35 nm y 90 nm.

TABLA 3 Altura de superficie de un hueco o una ranura de capa de desprendimiento orgánica: Método de revestimiento por centrifugado TABLA 4 Altura de superficie de un hueco o una ranura de capa de desprendimiento orgánica: Método de evaporación al vacio A partir de los resultados de la tabla 3 y tabla 4, se puede ver que a medida que el grosor de la capa de desprendimiento 407b aumenta, la altura de un hueco o una ranura de la capa de desprendimiento 407b se vuelve pequeña. En otras palabras, el patrón de huecos y/o una ranura se vuelve despuntado. Además, cuando el grosor de la capa de desprendimiento 407b es 80 nm o más, el grosor en sí no es uniforme. Por lo tanto, el grosor de la capa de desprendimiento 407b es de preferencia 60 nm o menos al usar ya sea el método de revestimiento por centrifugado o el método de evaporación al vacío. Sin embargo, como se describe anteriormente, a medida que el grosor de la capa de desprendimiento 407b aumenta, el grado de falta de filo del patrón de huecos y/o una ranura se vuelve grande. Por ende, si el patrón de huecos y/o una ranura en el original de grabación 403 necesita ser reproducido de manera tan completa como sea posible en el estampador 410, es preferible hacer el grosor de la capa de desprendimiento 407b tan delgado como sea posible, o usar la capa de desprendimiento 407b hecha del material inorgánico. En el método para fabricar un estampador, el proceso para formar la película conductora, el proceso para formar la capa de metal y el proceso de desprendimiento son similares a la modalidad 1. Además, el proceso para eliminar residuos en el estampador 410b es similar a la modalidad 1 excepto por usar un solvente adecuado para la capa de desprendimiento 407b. Observar que, cuando se usan materiales orgánicos para la capa de desprendimiento 407b, justo como DLC se usó en la modalidad 1, la oxidación tal como el tratamiento con plasma de oxígeno es efectiva para la eliminación. Los estampadores 410a y 410b son completados a través de cada uno de los procesos antes mencionados . Más arriba, de acuerdo con el método para fabricar un estampador de un medio óptico para grabar información de la modalidad 2 de la presente invención, un material inorgánico, que no era convencionalmente adecuado para chapeado porque el material cambia su estado con exposición, se puede usar como la capa protectora. Por consiguiente, en comparación con el método para fabricar un estampador con el uso de un fotorresist convencional hecho de un material orgánico, aun cuando se usa una fuente de luz que tiene una longitud de onda similar a la convencional, se pueden fabricar un estampador con una densidad de grabación más alta y además un medio óptico para grabar información. Además, en comparación con el método para fabricar un estampador sin usar la capa de desprendimiento de la modalidad 1, se puede fabricar un estampador en el cual los residuos son fácilmente el iminados . Un método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información, un método para fabricar un estampador de un medio óptico para grabar información, un estampador de un medio óptico para grabar información y un medio óptico para grabar información de acuerdo con la presente invención son efectivos para permitir llevar a cabo un proceso de chapeado favorable en el cual un patrón de huecos y/o una ranura, que es producido al usar una capa protectora de un material inorgánico, se transcriben mediante chapeado. Particularmente, la presente invención es útil para procesos de micromaquinado en el orden de nanómetros que tienen un proceso para transcribir un patrón por medio de chapeado que es formado mediante fotolitografía, tal como fabricación de un medio óptico para grabar información o una micromáquina .

Se hace constar que con relación a esta fecha, el mejor método conocido por la solicitante para llevar a la práctica la citada invención, es el que resulta claro de la presente descripción de la invención.

Claims (28)

REIVINDICACIONES Habiéndose descrito la invención como antecede, se reclama como propiedad lo contenido en las siguientes reivindicaciones:

1. Un método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información para transcribir un patrón predeterminado de huecos o una ranura en un estampador del medio óptico para grabar información, caracterizado porque comprende: formar una capa protectora que incluye un primer material inorgánico sobre un sustrato, en donde el material cambia su estado con la exposición; formar el patrón de huecos o una ranura en la capa protectora con exposición y desarrollo; y formar una capa aislante en el patrón de huecos o una ranura.

2. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque la capa aislante está hecha de un segundo material inorgánico con baja conductividad eléctrica.

3. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 2, caracterizado porque la capa aislante contiene fluoruro como el segundo material inorgánico.

4. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 2, caracterizado porque la capa aislante contiene carbón tipo diamante como el segundo material inorgánico.

5. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 2, caracterizado porque la capa aislante contiene dióxido de silicio como el segundo material inorgánico.

6. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 2, caracterizado porque la capa aislante contiene un material soluble en álcali como el segundo material inorgánico.

7. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 6, caracterizado porque la capa aislante contiene al menos cualquiera de óxido de tungsteno, óxido de niobio, óxido de estaño, óxido de molibdeno y silicio como el segundo material inorgánico.

8. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 2, caracterizado porque la capa aislante contiene un material soluble en agua como el segundo material inorgánico.

9. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 8, caracterizado porque la capa aislante contiene al menos cualquiera de cloruro de sodio, cloruro férrico, yoduro de potasio y cloruro de rubidio como el segundo material inorgánico .

10. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 2, caracterizado porque la capa aislante contiene un material soluble en ácido como el segundo material inorgánico.

11. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 10, caracterizado porque la capa aislante se forma mediante un método de bombardeo iónico.

12. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 11, caracterizado porque un grosor de la capa aislante es 5 nm o más y 150 nm o menos.

13. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 12, caracterizado porque el grosor de la capa aislante es 15 nm o más y 150 nm o menos .

14. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 13, caracterizado porque el primer material inorgánico contiene germanio, telurio, antimonio, selenio, molibdeno, tungsteno, titanio y al menos cualquiera de los compuestos de estos elementos.

15. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 14, caracterizado porque una capa de desprendimiento se forma en la capa aislante.

16. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 15, caracterizado porque la capa de desprendimiento contiene un material soluble en álcali.

17. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 15, caracterizado porque la capa de desprendimiento contiene un material soluble en agua.

18. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 15, caracterizado porque la capa de desprendimiento contiene un material soluble en ácido.

19. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 15, caracterizado porque la capa de desprendimiento está hecha de un material inorgánico.

20. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 15, caracterizado porque tanto la capa aislante como la capa de desprendimiento están hechas de un material inorgánico y un grosor total de la capa aislante y la capa de desprendimiento es 150 nm o menos y el grosor de la capa aislante es 5 nm o más.

21. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 20, caracterizado porque el grosor de la capa aislante es 15 nm o más.

22. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 15, caracterizado porque la capa de desprendimiento está hecha de un material orgánico.

23. El método para fabricar un original de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 22, caracterizado porque el grosor de la capa de desprendimiento es 60 nm o menos .

24. Un original de un medio óptico para grabar información, caracterizado porque es fabricado mediante el método de cualquiera de las reivindicaciones 1 a 23.

25. Un original de un medio óptico para grabar información, caracterizado porque comprende: un sustrato; un patrón de huecos o una ranura en una capa protectora que se forma sobre el sustrato; y una capa aislante que se forma sobre el patrón de huecos o una ranura.

26. Un método para fabricar un estampador de un medio óptico para grabar información con el uso del original de conformidad con la reivindicación 24 ó 25, caracterizado porque comprende: formar una película conductora en el original ; formar una capa de metal en la película conductora; y desprender la capa de metal, o la capa de metal y la película conductora, del original.

27. Un estampador de un medio óptico para grabar información, caracterizado porque es fabricado mediante el método de fabricar un estampador de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 26.

28. Un medio óptico para grabar información, caracterizado porque es fabricado mediante uso del estampador de un medio óptico para grabar información de conformidad con la reivindicación 27.