KR20050060010A - 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법, 광 정보 기록 매체의스탬퍼 제조방법, 광 정보 기록 매체의 원반과 스탬퍼, 및광 정보 기록 매체 - Google Patents

Abstract

본 발명의 목적은, 레지스트로서 무기 재료가 사용된 경우라도, 스탬퍼 측에 소정의 피트 및/또는 홈 패턴을 전사할 때에 무기 재료의 상태 변화를 감소시킴으로써 피트 및/또는 홈 패턴의 형상이 고-품질로 남는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법, 광 정보 기록 매체의 스탬퍼 제조방법, 광 정보 기록 매체의 원반과 스탬퍼, 및 광 정보 기록 매체를 제공하는 것이다.

광 정보 기록 매체의 스탬퍼에 소정의 피트 및/또는 홈 패턴을 전사하는 광 정보 기록 매체의 원반(106) 제조방법은, 노광에 의해 상태가 변화하는 제1 무기 재료를 포함하는 레지스트(102)를 기판(101) 상에 형성하는 단계, 노광 또는 현상에 의해 레지스트(102) 상에 피트 및/또는 홈 패턴을 형성하는 단계, 및 피트 및/또는 홈 패턴 상에 무기 격리층(107)을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

광 정보 기록 매체의 원반 제조방법, 광 정보 기록 매체의 스탬퍼 제조방법, 광 정보 기록 매체의 원반과 스탬퍼, 및 광 정보 기록 매체{METHOD OF MANUFACTURING MASTER OF OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, METHOD OF MANUFACTURING STAMPER OF OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, MASTER AND STAMPER OF AN OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM}

본 발명은, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법, 광 정보 기록 매체의 스탬퍼 제조방법, 광 정보 기록 매체의 원반과 스탬퍼, 및 광 정보 기록 매체 자체에 관한 것이다.

일반적으로, 광 디스크와 같은 광 정보 기록 매체는 디스크 기판을 사용하여 제조된다. 디스크 기판은, 프로세스 중에 소정의 피트(pits) 및/또는 홈(groove) 패턴을 갖는 스탬퍼를 사용하여, 사출 성형 등에 의해 제작된다.

이하, 도 5(a) 내지 도 5(e)를 참조하여, 종래의 광 정보 기록 매체의 스탬퍼 제조방법의 일례를 설명한다.

이 종래의 스탬퍼 제조 프로세스 중에는, 먼저 도 5(a)에 도시하는 바와 같이, 기판(501)과 이 위의 박막-형상 레지스트(502)로 이루어진 기록 원반(503)에, 레이저 광, 전자빔과 같은 기록광(504)을 사용하는 노광에 의해, 안내홈, 정보 피트 등과 같은 소망의 패턴들이 잠상(latent image)(505)으로서 형성된다.

다음에, 도 5(b)에 도시하는 바와 같이, 노광 후에 기록 원반(503)에 현상이 수행된다. 따라서, 잠상(505)으로서 기록된 소망의 패턴이 피트 또는 랜드(lands)에 대응하여 형성된 피트 및/또는 홈 패턴을 갖는 원반(506)이 제조된다. DVD나 차세대의 광 정보 기록 매체의 원반 제조시에는, 자외선 레이저 또는 전자빔을 사용하는 노광과, 알칼리 용액을 사용하는 현상이 널리 적용되고 있다는 것에 유의한다.

다음에, 도 5(c)에 도시하는 바와 같이, 원반(506) 상에, 스퍼터링법이나 무전해 증착법(electroless deposition method)을 이용하여 도전막(conductive film)(507)이 형성된다. 다음에, 도 5(d)에 도시하는 바와 같이, 도전막(507)을 사용하는 도금에 의해, 금속층(508)이 형성된다. 이 후, 도 5(e)에 도시하는 바와 같이, 금속층(508)만, 또는, 도전막(507)을 가지는 금속층(508)을 원반(506)으로부터 박리하고, 이 금속층(508)에 이면 연마(back side polishing)나 펀칭(punching)과 같은 정형(shaping) 프로세스를 실시한다. 이 프로세스로부터, 도전막(507)을 가지지 않는 스탬퍼(509a) 또는 도전막(507)을 가지는 스탬퍼(509b)가 완성된다. 경우에 따라서는, 원반(506)으로부터 박리된 금속층(508)에, 도금이나 2P법을 1회 이상 실시한 후에, 금속층(508)의 피트 및/또는 홈 패턴을 전사(transcribe)하는 것과 같은 다른 프로세스에 의해 제조된 스탬퍼가 사용된다는 것에 유의한다.

상기 프로세스들에 의해 제조된 스탬퍼(509a, 509b)를 사용함으로써, 사출 성형 등에 의해, 광 정보 기록 매체의 디스크 기판이 제조된다. 또한, 이 디스크 기판을 사용하여 광 정보 기록 매체가 제조된다. 여기에서는, 포지티브형(positive type) 포토레지스트를 설명하고 있다. 그러나, 상기 설명은, 원반 상의 피트 및/또는 홈이 역으로 되는 점을 제외하면, 네거티브형(negative type) 포토레지스트에도 적용할 수 있다.

이 종래의 광 정보 기록 매체의 스탬퍼 제조 프로세스에서는, 일반적으로, 레지스트(502)로서, 유기 재료로 이루어지는 포토레지스트가 사용되어 왔다. 그러나, 레지스트(502)로서 이러한 포토레지스트를 사용하는 경우에는, 노광에 의해 포토레지스트 상에 예리한 에지(sharp edges) 패턴의 피트 및/또는 홈을 만드는 것이 곤란하다. 이것은, 노광 부분과 비노광 부분의 경계부에서 노광량이 연속적으로 변화하고, 패턴의 에지들이 레지스트를 제거 후 경사질 수 있기 때문이다. 그러므로, 미세한 패턴의 피트 및/또는 홈을 형성하는 것은 곤란한 일이 되었다. 따라서, 종래의 프로세스와 동일한 파장을 갖는 기록광이 사용되더라도, 레지스트(502)가 상 변화 재료(phase-changeable material)와 같은 감열성(thermo-sensitive) 무기 재료로 이루어지는 스탬퍼 제조방법이 제안되어 있어(예를 들면, 일본국 특개평 10-97738호 공보 참조), 유기 재료로 이루어지는 포토레지스트를 사용하는 방법에 비해 미세한 패턴의 피트 및/또는 홈의 보다 예리한 에지의 형성이 가능하다.

종래에, 노볼락(novolac) 수지와 PMMA와 같은 유기 재료로 이루어지고 광 정보 기록 매체의 스탬퍼 제조에 사용되는 포토레지스트는, 도금에 의해 스탬퍼의 금속층을 형성할 때에 꽤 높은 안정성을 갖는다. 레지스트로서 상 변화 재료와 같은 무기 재료가 사용되는 경우에, 현상에 의해 형성된 피트 및/또는 홈 패턴의 에지는 예리하게 될 수 있다. 그러나, 도금에 의해 금속층을 형성할 때에는, 레지스트로서 사용된 무기 재료의 상태가 변화한다. 방금 설명한 바와 같이, 무기 재료의 상태가 변화하면, 레지스트의 고 품질 형상의 피트 및/또는 홈 패턴을 유지하는 것이 곤란하게 된다.

본 발명은 전술한 종래의 문제들을 해결하는 것을 목적으로 하고 있다. 본 발명의 목적은, 스탬퍼 측에 소정의 피트 및/또는 홈 패턴을 전사할 때에 무기 재료의 상태 변화를 감소시킴으로써 피트 및/또는 홈 패턴의 형상이 양호하게 유지되는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법; 광 정보 기록 매체의 스탬퍼 제조방법; 광 정보 기록 매체의 원반과 스탬퍼; 및 광 정보 기록 매체를 제공하는 것이다.

본 발명의 제1의 광 정보 기록 매체의 원반의 제조방법에 있어서, 광 정보 기록 매체의 원반은, 노광에 의해 상태가 변화하는 무기 재료를 포함하는 레지스트가 기판 상에 형성되는 프로세스; 레지스트에의 노광 및 현상에 의해 레지스트 상에 피트 및/또는 홈 패턴이 형성되는 프로세스; 및 피트 및/또는 홈 패턴 상에 격리층이 형성되는 프로세스에 의해 제조된다. 즉, 스탬퍼 제조방법에 있어서, 레지스트와 도전막 사이에 격리층이 형성된다.

격리층은 레지스트와 도전막을 물리적으로 분리시킴으로써 이들 간의 화학반응의 감소를 가능하게 한다.

또한, 격리층이 낮은 전도성의 무기 재료를 포함하면, 레지스트와 도전막은 전기적으로 격리될 수 있고(거의 절연 상태), 전자 활동성(electronic activity)에 의해 촉진되는 레지스트 자체의 분해 반응과, 레지스트와 도전막 간의 반응도 감소될 수 있다. 낮은 전도성의 무기 재료는 레지스트보다 낮은 전도성을 가지는 것이 바람직하다는 것에 유의한다. 또한, 격리층에 유기 재료가 사용되는 경우에는, 원반 상에 층을 고체로서 형성하는 것이 곤란하다. 즉, 액체 상태의 유기 재료막이 형성되기 때문에 스탬퍼 상에는 예리한 패턴의 피트 및/또는 홈이 형성될 수 없다. 한편, 대신에 무기 재료가 사용되는 경우에는, 증착법(evaporation method), 특히 스퍼터링법이 이용될 수 있기 때문에 예리한 패턴의 피트 및/또는 홈이 용이하게 유지된다.

본 발명의 원반과 스탬퍼의 제조방법에서는, 격리층을 형성할 때에 진공 처리가 행해질 수 있다. 진공 처리로서는, 예를 들면, 진공 증착법, 스퍼터링법, 화학적 기상 증착법(chemical vapor deposition method) 등이 이용될 수 있다. 특히, 레지스트에의 밀착성이 높고, 더스트(dust) 감소 및 안정한 막 형성이 용이하게 수행될 수 있기 때문에 스퍼터링법이 보다 바람직하다.

본 발명의 방법은, 불화물들 또는 다이아몬드상 카본(Diamond-Like Carbon)과 같은, 양호한 박리 특성을 갖는 재료를 포함하는 재료들이 격리층에 사용되는 경우에, 스탬퍼 상의 무기 격리층의 잔재(residues)가 감소될 수 있기 때문에 양호하게 수행될 수 있다.

본 발명의 방법은, 이산화규소를 포함하는 재료들이 격리층에 사용되고 금 또는 백금족의 원소들을 포함하는 재료들이 도전막에 사용되는 경우에, 스탬퍼 상의 무기 격리층의 잔재가 감소될 수 있을 뿐만 아니라, 스탬퍼에 남아 있는 격리층의 잔재의 용해가 가능하게 되기 때문에, 양호하게 수행될 수 있다.

본 발명의 방법은, 예를 들면, 산화텅스텐, 산화니오브, 산화주석, 산화몰리브덴, 실리콘 등과 같은 알칼리에 가용되는(alkali-soluble) 재료들; 염화나트륨, 염화철, 요오드화칼륨, 염화루비듐 등과 같은 수용성 재료들; 및 산화주석과 염화구리와 같은 산에 가용한(acid-soluble) 재료들을 포함하는 재료들이 사용되는 경우에, 스탬퍼에 남아 있는 격리층의 잔재의 용해가 가능하게 되기 때문에 양호하게 수행될 수 있다.

격리층의 두께는, 5 ㎚ 이상, 또는 150 ㎚ 이하가 바람직하고, 15 ㎚ 이상, 또는 150 ㎚ 이하가 더 바람직하다.

본 발명의 제2의 광 정보 기록 매체의 원반과 스탬퍼의 제조방법은, 본 발명의 제1의 광 정보 기록 매체의 원반과 스탬퍼의 제조방법에 있어서, 원반의 제조 중에 무기 격리층 상에 박리층이 형성되고, 스탬퍼의 제조 중에 격리층과 도전막 사이에 박리층이 형성되는 것이다. 박리층에 의해, 스탬퍼 상에 잔재가 발생한 경우라도 이 잔재가 용이하게 용해 및 제거될 수 있기 때문에 스탬퍼는 양호하게 제조될 수 있다. 박리층으로서는, 산, 알칼리, 물, 또는 유기 용매에의 용해성이 높은 각종 무기 재료 또는 유기 재료가 사용될 수 있다.

무기 재료로 이루어진 박리층과 격리층의 총 두께는 150 ㎚ 이하가 바람직하고, 격리층의 두께는 5 ㎚ 이상, 또는 15 ㎚ 이상이 바람직하다.

또한, 유기 재료로 이루어진 박리층의 두께는 60 ㎚ 이하가 바람직하다.

원반과 스탬퍼의 어느 쪽 제조방법이라도, 레지스트를 포함하는 무기 재료들이, 예를 들면, 게르마늄, 텔루르, 안티몬, 셀레늄, 몰리브덴, 텅스텐, 티타늄 등, 또는 이들 원소의 화합물을 주 성분으로 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 레지스트의 무기 재료들은, 금, 백금, 구리, 팔라듐, 실리콘 등을 포함할 수 있다.

또한, 도전막을 형성하는 데에는 무전해 증착이 보다 바람직하지만, 스퍼터링과 같은 진공 프로세스가 이용될 수도 있다.

이후, 본 발명의 실시예들이 도면들을 참조하여 설명된다.

(실시예 1)

(1) 제조방법의 개요

이후, 본 발명의 실시예 1의 광 정보 기록 매체의 스탬퍼 제조방법의 개요가 도 1(a) 내지 도 1(f)를 참조하여 설명된다.

먼저, 도 1(a)에 도시되는 바와 같이, 레이저광, 전자빔 등과 같은 기록광(104)을 이용하는 노광에 의해 기록 원반(103) 상에 안내홈, 정보 피트 등과 같은 원하는 패턴이 잠상(105)으로서 형성된다. 기록 원반(103)으로서, 노광에 의해 상태가 변화하는 무기 재료로 이루어진 박막 형상(film-like)의 레지스트(102)가 기판(101) 상에 형성된다(이것을 노광 프로세스라고 부름).

다음에, 도 1(b)에 도시되는 바와 같이, 노광 후에 기록 원반(103)에 현상을 수행함으로써, 기록 원반(103) 상에 미세한 패턴의 피트 및/또는 홈이 형성되고, 잠상(105)으로서 기록된 원하는 패턴이 이 피트 또는 랜드에 대응하여 형성된다(이것을 현상 프로세스라고 부름).

그 다음, 도 1(c)에 도시되는 바와 같이, 기록 원반(3) 상의 미세한 패턴의 피트 및/또는 홈 상에 무기 격리층(107)을 형성함으로써 원반(106)이 제조된다(이것을 무기 격리층 형성 프로세스라고 부름).

또한, 도 1(d)에 도시되는 바와 같이, 무전해 증착법에 의해 무기 격리층(107) 상에 도전막(108)이 형성된다(이것을 도전막 형성 프로세스라고 부름). 도전막(108)은 스퍼터링법에 의해서 형성될 수도 있다는 것에 유의한다.

그리고 도 1(e)에 도시되는 바와 같이, 도전막(108)을 사용하는 도금에 의해 도전막(108) 상에 금속층(109)이 형성된다(이것을 금속층 형성 프로세스라고 부름).

이 후, 도 1(f)에 도시되는 바와 같이, 금속층(109)만, 또는 도전막(108)을 가지는 금속층(109)이 원반(106)으로부터 박리되고, 이면 연마나 펀칭과 같은 정형 프로세스가 금속층(109)에 수행된다(이것을 박리 프로세스라고 부름). 이 프로세스로부터, 위에 원반(106)의 피트 및/또는 홈 패턴이 전사된, 도전막(108)을 가지지 않는 스탬퍼(110a) 또는 도전막(108)을 가지는 스탬퍼(110b)가 완성된다. 또한, 이 스탬퍼를 사용하여 사출 성형에 의해 기판이 제조되고, 이 기판을 사용하여 광 정보 기록 매체가 제조된다.

본 발명의 방법이 이용되면, 유기 재료로 이루어지는 포토레지스트에 대해 노광 중에 종래와 거의 동일한 파장을 갖는 기록광이 사용되는 경우라도, 종래보다 높은 기록 밀도를 갖는 스탬퍼와, 또한 광 정보 기록 매체가 제조될 수 있다.

(2) 제조방법의 상세한 설명

이후, 본 발명의 실시예 1의 광 정보 기록 매체의 스탬퍼 제조방법이 보다 상세히 설명된다.

노광 프로세스 중에 노광되는 기록 원반(103)의 기판(101)으로서는(도 1(a) 참조), 예를 들면, 각종 글래스, 실리콘 또는 수지로 이루어진 기판이 사용된다. 기판(101) 상에 형성된 레지스트(102)의 재료로서는, 노광에 의해 상태가 변화하는 무기 재료, 예를 들면, 게르마늄, 텔루르, 안티몬, 셀레늄, 몰리브덴, 텅스텐, 티타늄, 및 이들 원소의 산화물 등의 화합물을 주 성분으로 포함하는 재료가 사용된다. 이들 무기 재료가, 금, 백금족, 은, 및 구리와 같은 귀금속들을 포함하거나, 또는 이산화규소 등을 포함하면, 현상 프로세스 중에 남는 막의 비율이 향상될 수 있고, 이들 무기 재료들은 본 발명의 방법에 적합한 것에 유의한다. 여기서, 노광에 의해 상태가 변화하는 무기 재료로 이루어진 레지스트(102)는, 예를 들면, 스퍼터링법, 진공 증착법, 스핀 코팅법 등에 의해 기판(101) 상에 형성된다. 특히, 스퍼터링법을 이용함으로써, 본 발명의 방법에 적합한, 더스트를 적게 수반하는 균일한 레지스트(102)가 양호하게 제조될 수 있다. 기록 원반(103)은, 이 원반(103)이 전술한 구성을 유지하기만 하면, 계면층 또는 반사층과 같은 상기 이외의 구성 요소들을 포함할 수 있다는 것에 유의한다.

다음에, 도 2를 참조하여, 기록 원반(103) 상의 레지스트(102)를 노광시키는 방법, 즉, 기록 원반(103)의 패턴 기록 방법이 설명된다. 도 2에 도시되는 바와 같이, 기록 원반(103)은 회전 테이블(201) 위에 위치되고 이 테이블(201)과 함께 회전된다. 광원(202)으로부터 방사된 기록광(104)은 기록 원반(103)의 표면에 렌즈(203)에 의해 포커스된다. 필요하면, 기록광(104)은 기록 광원(202)에서 변조되고 편향될 수 있다는 것에 유의한다. 기록 프로세스 중에, 기록 헤드(204)와 회전 테이블(201)은, 화살표 A로 나타내는 바와 같이, 상대적으로 평행 이동된다. 따라서, 기록 원반(103) 상에는 스파이럴 형상(spiral-like)의 기록이 수행되고, 원하는 패턴이 전술한 바와 같이 잠상(105)으로서 형성된다. 기록광(104)으로서는, 레이저광 또는 전자빔이 사용될 수 있다. 원하는 패턴이 잠상(105)으로서 형성되는 기록 원반(103)에서는, 노광에 의해 상 변화 등과 같이 상태가 변화된 영역(이후, "상태 변화 영역"이라고 함)과 노광이 행해지지 않기 때문에 상태가 변화되지 않은 영역(이후, "상태 미변화 영역"이라고 함)의 에칭 레이트가 서로 다르다.

따라서, 현상 프로세스 중에(도 1(b) 참조), 에칭 레이트의 차이를 이용하여 에칭에 의해 기록 원반(103)이 현상된다. 이러한 에칭 예에는, 반응성 이온 에칭과 같은 건식 에칭이나, 산 또는 알칼리를 사용하는 습식 에칭이 있지만, 상태 변화 영역과 상태 미변화 영역 간의 에칭 레이트가 다르면 어떠한 방법도 이용가능하다. 이러한 현상 프로세스에 의해, 피트 및/또는 홈 패턴을 갖는 광 정보 기록 매체의 기록 원반(103)이 제조된다.

무기 격리층의 형성 프로세스 중에(도 1(c) 참조), 예를 들면, 불화물, 산화물, 질화물, 다이아몬드상 카본(이후, DLC로 기재됨) 등과 같은 무기 재료가, 예를 들면, 스퍼터링법, 진공 증착법, 화학적 기상 증착법(이후, CVD로 기재됨) 등을 이용하여 기록 원반(103) 상에 박막으로서 형성된다. 따라서, 기판(101), 현상된 레지스트(102)(기록 원반(103)), 및 무기 격리층(107)을 포함하는 원반(106)이 제조된다. 이 무기 격리층(107)에 의해, 레지스트(102)가 도전막(108) 또는 금속층(109)으로부터 격리될 수 있기 때문에, 레지스트와 다른 층들 간의 반응 뿐만 아니라, 레지스트(102)의 상태 변화가 방지될 수 있다. 또한, 스탬퍼(110) 상의 무기 격리층(107)의 잔재가 감소될 수 있다.

상기 이외의 각종 재료가 무기 재료들로서 사용될 수 있지만, 본 발명의 실시예 1에 대해서는 하기 요건들을 만족하는 무기 재료들이 바람직하다는 것에 유의한다.

(요건 1) 전도성이 낮고 전기 분해에 대한 내성이 높은 것

(요건 2) 도전막(108)에 대해 박리 특성이 양호한 것

(요건 3) 도전막(108)의 표면을 침식시키지 않는 용매에 용해되는 능력

요건 1은, 도금에 의해 전압이 인가될 때, 무기 재료가 도전막(108)과 반응하는 것을 방지하거나 또는 도금에 의해 형성된 금속층(109)과 반응하는 것을 방지하거나, 또는 전기 분해를 방지하기 위해서 필요하다. 예를 들면, 불화물, 산화물, 질화물 등이 매우 안정하기 때문에, 이들 물질은 본 발명의 방법들에 양호하게 사용될 수 있다.

요건 2는 도전막(108)을 가지는 스탬퍼(110b)를 제조할 때에 스탬퍼(110b) 상에 남는 무기 재료의 잔재를 감소시키는 데에 효과적이다.

요건 3은, 도전막(108)을 가지는 스탬퍼(110b)를 제조할 때에, 예를 들면, 알칼리, 물, 및 산을 사용하여 스탬퍼(110b)를 침식시키지 않고 스탬퍼(110b) 상에 남는 무기 재료의 잔재를 제거하는 데에 효과적이다. 잔재는, 알칼리와 물과 같은(스탬퍼(110b)의 표면이 금이나 백금족과 같은 높은 내산성을 갖는 재료이면 산도 사용될 수 있음), 스탬퍼(110b)의 표면을 침식시키지 않는 용매에 용해되는 무기 재료의 사용에 기인하여 발생한다.

전술한 바와 같이, 요건 2와 요건 3은, 도전막(108)을 가지는 스탬퍼(110b)를 제조할 때에 잔재를 감소 또는 제거하는데 필요하고, 도전막(108)을 가지지 않는 스탬퍼(110b)를 제조할 때에 필요하지 않다는 것에 유의한다.

이들 요건을 만족하는 구체적인 재료들로서, 요건 1에 대해서는, 불화마그네슘이나 불화란탄과 같은 불화물들; 이산화규소나 산화몰리브덴과 같은 산화물들; 질화규소나 질화알루미늄과 같은 질화물들; 및 이들 재료의 화합물들이 적합하다.

요건 2를 만족하는 재료들로서, 본 발명에 대해서는, 불화마그네슘, 불화란탄 또는 불화칼슘과 같은 불화물들; DLC; 및 이산화규소가 적합하다(도전막(108)에 대해서는, 금, 백금족, 구리 또는 알루미늄과 같은, 이산화규소에 대해 부착력이 작은 재료가 선택될 필요가 있다는 것에 유의함). 도전막으로서 금이 사용되는 경우, 예를 들면, 산화티탄, 산화알루미늄, 산화비스무스 또는 산화주석이, 양호한 박리 특성을 갖고 본 발명의 방법에 바람직하다. 요건 2를 만족하는 무기 재료들에서는, 스탬퍼(110b) 상의 무기 격리층(107)의 잔재가 감소될 수 있을 뿐만 아니라, 스탬퍼(110b) 상의 무기 격리층(107)의 잔재가 발생하는 경우에도 용해에 의한 잔재의 제거가 가능하게 된다.

요건 3을 만족하는 재료들로서, 본 발명의 방법에 대해서는, 산화텅스텐, 산화니오브, 산화주석, 산화몰리브덴 또는 실리콘과 같은 알칼리-용해성 재료; 염화나트륨, 염화철, 요오드화칼륨 또는 염화루비듐과 같은 수용성 재료; 및 산화주석(산화주석에 대해, 스탬퍼의 표면이 금 또는 백금족과 같은 높은 내산성을 갖는 재료들로 이루어지는 경우)이나 염화구리와 같은 산에 가용한 재료가 적합하다. 물론, 상기 재료들 이외에, 각각의 요건을 만족시키는 재료들이 본 발명의 방법에 사용될 수 있다.

전술한 요건 2 또는 요건 3을 만족하는 재료들을 요건 1을 만족하는 재료들과 혼합하여 이루어진 재료들이 사용될 수도 있다는 것에 유의한다.

상기 무기 재료로 이루어진 무기 격리층(107)을 형성하는 방법에 대해서는, 하기에 기술되는 두께와 균일성 요건들을 실현할 수 있는 방법이면 어떠한 방법도 이용될 수 있다. 무기 격리층(107)을 형성하는 방법에 대해서는, 레지스트(102)에의 높은 밀착성과, 더스트를 감소시키는 것과, 안정한 막을 형성하는 것이 용이하게 수행될 수 있기 때문에, 스퍼터링법이 바람직하다는 것에 유의한다. 그러나, 스퍼터링법에 대해서는 DLC가 적합하지 않기 때문에, CVD를 이용하여 무기 격리층(107)이 양호하게 형성될 수 있다.

이 경우에, 스퍼터링법 또는 CVD의 조건들은 임의로 선택된다. 또한, 무기 격리층(107)을 형성하는 데에 스퍼터링법이 이용될 때에는, 소정의 조성을 갖는 이산화규소 또는 질화규소와 같은 타겟을 사용할 뿐만 아니라, 아르곤 또는 크세논과 같은 불활성 가스를 사용하는 스퍼터링법; 다수의 타겟을 사용하는 스퍼터링법; 및 불소, 산소 또는 질소 등이 소정의 조성보다 낮은 타겟들(하나의 타겟 사용도 가능)을 사용하는 반응성 스퍼터링법이 이용가능하다. 반응성 스퍼터링은, 예를 들면, 아르곤이나 크세논과 같은 불활성 가스를 불소, 산소 또는 질소와 혼합하여 수행될 수 있다. 예를 들면, 이산화규소의 무기 격리층(107)을 형성하기 위해서는, 이산화규소의 타겟을 사용하고 고-진공 상태에서 아르곤을 도입하여, 400W의 출력과 2 mTorr의 노(furnace) 압력 하에서 RF 스퍼터링이 수행될 수도 있다. 물론, 본 발명은 전술한 노 압력과 출력으로 한정되는 것은 아니다.

무기 격리층(107)의 두께에 대해서는, 하기에 설명되는 2가지 조건이 만족되어야 한다.

(제1 조건)

금속층(109)을 도금할 때에, 레지스트(102)만의 화학 반응, 또는 레지스트(102)와 도전막(108) 또는 레지스트(102)와 금속층(109) 간의 화학 반응을 감소시킬 정도로 충분한 두께가 필요하다.

(제2 조건)

무기 격리층(107)을 형성한 후에, 무기 격리층(107)의 표면에 원하는 높이와 형상을 갖는 피트 및/또는 홈 패턴을 형성하는 데에 두께가 충분하다.

(예 1)

먼저 제1 조건의 예 1이 설명된다.

표 1에서는, 다른 레지스트(102)와 다른 무기 격리층(107)이 사용된 4가지 경우에 있어서의 스탬퍼(110) 제조 및 도금의 양품율을 측정한 결과를 나타낸다. 여기서, 레지스트(102)로서는, 금속층(109)의 도금에 낮은 안정성을 갖는 Te 산화물로 이루어진 2가지 레지스트(레지스트 A와 레지스트 B)가 사용되었다. 무기 격리층(107)의 재료들로서는, 이산화규소와 산화텅스텐이 사용되었다. 또한, 무기 격리층(107)의 두께가 0 내지 15 ㎚의 범위에서 변화될 때에 레지스트(102)의 도금 내성의 변화가 측정되었다. 각각의 경우의 도금 내성은 10번의 도금 시도 중에서 양호한 도금 결과 횟수로서 나타내어졌다.

(표 1)

표 1로부터 알 수 있듯이, 무기 격리층(107)의 두께가 5 ㎚ 이상이면, 꽤 높은 도금 내성을 가지는 레지스트 B의 도금 내성이 확실히 향상되었고, 특히 두께가 15 ㎚ 이상이면, 레지스트 A와 레지스트 B 어느 하나의 도금 내성이 또한 향상되었다. 무기 격리층(107)이 낮은 도금 내성을 갖는 다른 레지스트들을 사용하여 평가되더라도, 향상이 또한 확실히 달성되었고, 특히 두께가 15 ㎚ 이상이면, 향상이 더욱 달성될 수 있다는 것에 유의한다. 무기 격리층(107)의 두께는 요건 1을 만족하기 위한 상한을 갖지 않는 것으로 생각된다는 것에 유의한다.

(예 2)

다음에, 제2 조건의 예 2가 설명된다.

표 2는 2개의 원반(106)의 피트 및/또는 홈 패턴의 높이(여기서는, 35 ㎚와 90 ㎚)에 대한 무기 격리층(107)의 표면의 피트 또는 홈의 높이 결과를 나타낸다. 무기 격리층(107)의 두께는 15 내지 240 ㎚의 범위에서 변화된다. 도 3에 도시되는 바와 같이, 피트 및/또는 홈 패턴의 높이는 격리층을 형성하기 전의 피트 또는 홈의 높이(h1)를 나타낸다. 또한, 무기 격리층(107)의 두께는 무기 격리층(107)의 피트 및/또는 홈 패턴에서의 랜드의 두께를 나타낸다. 여기서, 원반(106)의 트랙 피치는 320 ㎚이다. 또한, 원반(106)에는, 최단 피트 길이가 대략 100 ㎚인 장단 피트 열(long and short sequences)이 피트 및/또는 홈 패턴으로서 형성된다. 무기 격리층(107)의 재료로서는, 이산화규소가 사용된다.

도 3에서, 격리층을 형성하기 전의 피트 또는 홈의 높이(h1)는 원반(106)의 무기 격리층을 형성하기 전의 피트 및/또는 홈 패턴의 높이를 나타내고, 격리층을 형성한 후의 피트 또는 홈의 높이(h2)는 무기 격리층(107) 표면의 피트 및/또는 홈 패턴의 높이를 나타낸다는 것에 유의한다.

(표 2)

표 2로부터 알 수 있듯이, 무기 격리층(107)의 두께가 증가할수록, 격리층을 형성하기 전의 높이(h1)와 격리층을 형성한 후의 높이(h2)의 차이는 서서히 증가한다. 그러나, 높이 측정의 측정 오차가 2와 3 ㎚ 사이이기 때문에, 무기 격리층(107)의 두께가 150 ㎚ 이하일 때에, 격리층을 형성하기 전의 높이(h1)와 격리층을 형성한 후의 높이(h2)는 본질적으로 동일하다고 말할 수 있다. 이들 결과로부터, 무기 격리층(107)의 두께가 150 ㎚ 이하일 때에, 본 발명의 특히 양호한 결과들이 달성될 수 있다. 그러나, 무기 격리층(107)의 두께가 150 ㎚보다 큰 경우라도, 무기 격리층(107)의 형성에 기인한 피트 및/또는 홈의 형상 변화가 허용가능하기만 하면 다른 용도에서도 사용가능하고 본 발명은 여전히 효과적이다. 또한, 격리층을 형성한 후의 높이(h2)를 제어하기 위해서, 격리층을 형성하기 전의 높이(h1)와 격리층을 형성한 후의 높이(h2)를 의도적으로 변경할 필요가 있고, 150 ㎚ 이상의 두께를 갖는 무기 격리층(107)이 사용될 수 있다.

전술한 측정 결과들로부터, 무기 격리층(107)의 두께는 5 ㎚ 이상 150 ㎚ 이하가 바람직하고, 특히 15 ㎚ 이상 150 ㎚ 이하가 바람직하다. 이상이 예 1과 예 2의 설명이다.

도전막을 형성하는 프로세스 중에는, 원반(106)의 무기 격리층(107)에, 니켈 또는 구리와 같은 도전 재료들로 이루어진 도전막(108)이 무전해 증착법에 의해 형성된다. 스퍼터링법이나 진공 증착법을 이용함으로써, 니켈, 구리 또는 금과 같은 도전 재료들로 이루어진 도전막(108)이 형성될 수도 있다는 것에 유의한다. 금속층을 형성하는 프로세스 중에는, 도전막(108)은 금속층(109)을 형성할 때의 전극으로서 사용된다.

금속층을 형성하는 프로세스 중에는, 니켈 전기주조 도금과 같은 도금을 수행하여 도전막(108) 상에 금속층(109)이 형성된다. 도전막을 형성하는 프로세스 중에 무전해 증착법이 도전막(108)을 형성하는 데에 이용되는 경우에는, 스퍼터링법이나 진공 증착법에 비해 레지스트(102)와 도전막(108) 간의 밀착성이 낮아지기 때문에, 스탬퍼(110b) 상에 남는 무기 격리층(107)의 잔재가 감소될 수 있다는 것에 유의한다.

박리 프로세스 중에는, 금속층(109)만 또는 도전막(108)을 가지는 금속층(109)이 원반(106)으로부터 박리되고, 이면 연마나 펀칭과 같은 정형 프로세스가 금속층(109)에 수행된다. 이들 프로세스에 의해, 스탬퍼(110a 및 110b)가 완성된다. 박리 프로세스 중에 금속층(109)만이 원반(106)으로부터 박리될 때에, 금속층을 형성하는 프로세스 전에 도전막(108)에 산소 플라즈마 처리와 같은 표면 개질(reforming)을 수행함으로써 박리가 용이하게 수행된다는 것에 유의한다.

한편, 금속층(109)과 도전막(108)이 일체로서 원반(106)으로부터 박리될 때에, 무기 격리층(107)의 잔재는 약간 도전막(108) 상(스탬퍼(110b) 상)에 남을 수 있다. 이와 같은 경우에, 요건 2 또는 요건 3을 만족하는 무기 재료가 무기 격리층(107)으로서 사용될 수 있다. 요건 2를 만족하는 재료가 사용되면, 잔재를 감소시키는 데에 매우 효과적이다. 잔재가 남는 경우라도, 점착 시트 등을 사용함으로써 이 잔재가 용이하게 박리 및 제거될 수 있다. 요건 3을 만족하는 재료가 사용되면, 잔재는 무기 격리층(107)으로서 사용된 재료가 용해되는, 예를 들면, 수산화나트륨 수용액, 수산화칼륨 수용액, 및 TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide)과 같은 알칼리; 물; 및 염산과 같은 산의 용매들을 사용함으로써 용해 및 제거될 수 있다. 잔재를 제거하는 데에 산이 사용되는 경우에는, 산이 스탬퍼(110b)의 표면을 침식시킬 수 있기 때문에, 미리 금과 같은 내산성이 높은 재료가 도전막(108)으로서 사용될 수 있다는 것에 유의한다. 또한, 요건 2와 요건 3의 양쪽을 조합시킨 재료로서, 무기 격리층(107)에 이산화규소, 도전막(108)에 금 또는 백금족과 같은 내산성이 높은 귀금속도 무기 격리층(107)의 잔재를 감소시키는 데에 효과적이다. 이 경우에, 이산화규소와 귀금속은 서로에 대해 양호한 박리 특성을 갖기 때문에 잔재를 감소시키는 데에 매우 효과적일 뿐만 아니라, 이산화규소를 용해시킴으로써 잔재를 제거하는 데에도 효과적이다. 이것은, 스탬퍼의 표면이 내산성이 높은 금 등에 의해 덮이고, 예를 들면 대략 5%의 농도를 갖는 불산을 사용함으로써, 잔재가 제거될 수 있기 때문이다. 다른 농도의 불산도 사용될 수 있다는 것에 유의한다.

전술한 바와 같이, 종래에는, 노광에 의해 상태가 변화하는 무기 재료에 도금을 수행하는 것이 곤란하였다. 그러나, 본 발명의 실시예 1의 광 정보 기록 매체의 스탬퍼 제조방법에 의하면, 이러한 무기 재료는 레지스트로서 사용가능하게 된다. 따라서, 종래와 유사한 파장을 갖는 광원이 사용되는 경우라도, 종래의 유기 재료로 이루어진 포토레지스트를 사용하는 스탬퍼 제조방법에 비해, 높은 기록 밀도를 갖는 스탬퍼와 또한 광 정보 기록 매체가 제조될 수 있다. 이것은, 스탬퍼(110) 측에 소정의 피트 및/또는 홈 패턴을 전사할 때에 무기 재료의 상태 변화를 감소시키면서 피트 및/또는 홈 패턴의 형상이 양호한 상태로 유지될 수 있기 때문이다.

(실시예 2)

이후, 도 4를 참조하여, 본 발명의 실시예 2가 설명된다. 실시예 2의 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법은, 무기 격리층(407a) 상에 새롭게 박리층(407b)을 형성하고, 스탬퍼의 제조 프로세스 중에 박리층(407b)을 무기 격리층(407a)과 도전막(408) 사이에 위치시키는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하다는 것에 유의한다. 따라서, 이후, 중복 설명을 피하기 위해서, 주로 실시예 1과 다른 부분이 도 4(a) 내지 도 4(f)를 참조하여 설명된다.

실시예 2의 스탬퍼 제조방법에서는, 실시예 1과 노광 프로세스와 현상 프로세스가 동일하다. 실시예 1과 동일한 무기 격리층을 형성하는 프로세스 중에는, 무기 격리층(407a)이 형성된 후에 박리층(407b)이 형성된다. 그 결과, 원반(406)이 제조된다.

이제 박리층(407b)을 형성하는 프로세스가 보다 상세히 설명된다. 박리층(407b)은 스탬퍼(410)를 손상시키지 않는 알칼리, 유기 용매, 물 및 산(산에 있어서는, 스탬퍼의 표면이 금이나 백금족과 같은 높은 내산성을 갖는 재료로 이루어질 필요가 있음)과 같은 용매에 용해할 수 있는 재료들로 이루어진다. 이들 재료가 도전막(408)을 가지는 스탬퍼(410b)를 제조할 때에 사용되면, 스탬퍼(410b) 상에 무기 재료의 잔재가 발생하는 경우라도, 이 잔재는 전술한 용매를 사용함으로써 스탬퍼(410b)를 손상시키지 않고 효과적으로 제거된다. 박리층(407b)으로서는, 본 발명에 대해, 산화텅스텐, 산화니오브, 산화주석, 산화몰리브덴 또는 실리콘과 같은 알칼리에 가용하는 재료들; 염화나트륨, 염화철, 요오드화칼륨 또는 염화루비듐 등과 같은 수용성 재료들; 산화주석과 염화구리와 같은 산에 가용한 재료들; 및 염화철 또는 요오드화칼륨과 같은 유기 용매에 용해될 수 있는 재료들의 무기 재료들이 적합하다. 유기 재료로서는, 본 발명에 대해, 페놀 수지 또는 아크릴 수지와 같은 알칼리; 물; 산; 및 유기 용매의 용매들에 용해되는 재료들이 적합하다. 물론, 상기 재료들 이외에, 스탬퍼를 손상시키지 않는 용매에 용해되는, 알칼리, 유기 용매, 물, 산(산에 있어서는, 스탬퍼의 표면이 금이나 백금족과 같은 높은 내산성을 갖는 재료로 이루어질 필요가 있음) 등의 재료들이 적합하다.

박리층(407b)에 무기 재료들이 사용되는 경우에, 구성은 본질적으로 실시예 1에서 설명된 것과 유사하다. 그러나, 스탬퍼(410b) 상의 잔재를 제거하기 위해서, 여기의 방법이 실시예 1의 방법보다 더 효과적이다. 이것은, 실시예 2에 있어서, 실시예 1의 무기 격리층(107)의 기능이 무기 격리층(407a)과 박리층(407b)의 두개의 기능으로 분담되기 때문이다. 따라서, 격리층으로서 잘 기능하지만 스탬퍼(410b) 상의 잔재가 문제가 되는 재료가 무기 격리층(407a)으로서 사용될 수 있거나, 또는 알칼리에 잘 용해되지만 격리층으로서 잘 기능하지 않는 재료가 박리층(407b)으로서 사용될 수 있다. 무기 격리층(407a)을 형성하는 프로세스와 박리층(407b)을 형성하는 프로세스는 실시예 1의 무기 격리층(107)을 형성하는 방법과 동일하다. 무기 격리층(407a)과 박리층(407b)의 두께에 대해서는, 예 1과 예 2에서 설명된 실험 결과로부터, 무기 격리층(407a)의 두께는 5 ㎚ 이상이 바람직하고, 무기 격리층(407a)과 박리층(407b)의 총 두께는 150 ㎚ 이하가 바람직하다. 또한, 무기 격리층(407a)의 두께는 15 ㎚ 이상이 더 바람직하고, 무기 격리층(407a)과 박리층(407b)의 총 두께는 150 ㎚ 이하가 더 바람직하다.

박리층(407b)에 유기 재료가 사용되는 경우에, 무기 격리층(407a)을 형성하는 방법은 실시예 1의 무기 격리층(107)을 형성하는 방법과 동일하고, 박리층(407b)을 형성하기 위해서, 스핀 코팅법이나 진공 증착법이 이용될 수 있다. 예 1과 예 2에서 설명된 실험 결과로부터, 무기 격리층(407a)의 두께는 5 ㎚ 이상 150 ㎚ 이하가 바람직하고, 15 ㎚ 이상이 150 ㎚ 이하가 더 바람직하다. 유기 재료들로 이루어진 박리층(407b)이 스핀 코팅법이나 진공 증착법에 의해 형성되는 경우에, 기록 원반(403) 상의 피트 및/또는 홈 패턴이 반영된, 무기 격리층(407a) 상의 피트 및/또는 홈 패턴이 박리층(407b) 상에 무딘(blunt)(에지가 둥근) 패턴의 피트 및/또는 홈으로서 형성된다. 여기서, 피트 및/또는 홈 패턴의 무딤 정도를 조사하기 위해서, 박리층(407b)의 두께가 변화할 때의 피트 또는 홈의 표면 높이의 변화를 측정하였다. 표 3은 스핀 코팅법에 의해 형성되는 박리층(407b)을 사용한 결과를 나타내고, 표 4는 진공 증착법에 의해 형성되는 박리층(407b)을 사용한 결과를 나타낸다. 측정 시의 무기 격리층의 피트 또는 홈의 표면 높이는 35 ㎚와 90 ㎚ 이었다.

(표 3)

(표 4)

표 3 및 표 4로부터, 박리층(407b)의 두께가 두꺼워질수록, 박리층(407b)의 피트 또는 홈의 높이가 작아지는 것을 알 수 있다. 즉, 피트 및/또는 홈 패턴이 무뎌진다. 또한, 박리층(407b)의 두께가 80 ㎚ 이상인 경우에는, 두께 자체가 균일하지 않다. 따라서, 박리층(407b)의 두께는 스핀 코팅법이나 진공 증착법을 이용함으로써 60 ㎚ 이하가 바람직하다. 그러나, 전술한 바와 같이, 박리층(407b)의 두께가 두꺼워질수록, 피트 및/또는 홈 패턴의 무딤 정도는 커진다. 따라서, 기록 원반(403)의 피트 및/또는 홈 패턴이 스탬퍼(410)에 가능한 한 완전히 재현될 필요가 있으면, 박리층(407b)의 두께를 가능한 한 얇게 하거나, 또는 무기 재료로 이루어진 박리층(407b)을 사용하는 것이 바람직하다.

스탬퍼 제조방법에 있어서, 도전막을 형성하는 프로세스, 금속층을 형성하는 프로세스 및 박리 프로세스는 실시예 1과 유사하다. 또한, 스탬퍼(410b) 상의 잔재를 제거하는 프로세스는 박리층(407b)에 적합한 용매를 사용하는 것 이외는 실시예 1과 유사하다. 박리층(407b)에 유기 재료들이 사용될 때에, 꼭 실시예 1에서 DLC가 사용되는 것처럼, 제거에는 산소 플라즈마 처리와 같은 산화작용이 효과적이라는 것에 유의한다.

스탬퍼(410a 및 410b)는 전술한 각각의 프로세스들을 통해 완성된다.

이상, 본 발명의 실시예 2의 광 정보 기록 매체의 스탬퍼 제조방법에 의하면, 종래의 노광에 의해 상태가 변화하기 때문에 도금에 적합하지 않았던 무기 재료가 레지스트로서 사용될 수 있다. 따라서, 종래와 유사한 파장을 갖는 광원이 사용되는 경우라도, 유기 재료로 이루어지는 종래의 포토레지스트를 사용하는 스탬퍼 제조방법과 비교하여, 높은 기록 밀도를 갖는 스탬퍼와 또한 광 정보 기록 매체가 제조될 수 있다.

또한, 실시예 1의 박리층을 사용하지 않는 스탬퍼의 제조방법과 비교하여, 잔재가 용이하게 제거되는 스탬퍼가 제조될 수 있다.

본 발명에 의한, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법, 광 정보 기록 매체의 스탬퍼 제조방법, 광 정보 기록 매체의 스탬퍼, 및 광 정보 기록 매체는, 무기 재료의 레지스트를 사용하여 제조된, 피트 및/또는 홈 패턴이 도금에 의해 전사되는 양호한 도금 프로세스를 수행하게 하는데 효과적이다. 특히, 본 발명은, 광 정보 기록 매체 또는 마이크로 머신(micro machine)의 제조와 같은, 포토리소그래피에 의해 형성된 도금에 의해 패턴을 전사하는 프로세스를 갖는 나노미터 오더의 미세가공 프로세스에 유용하다.

도 1은 본 발명의 실시예 1의 패턴 형성 방법을 도시하는 도면,

도 2는 본 발명의 실시예 1의 패턴 형성 시의 노광 방법을 도시하는 도면,

도 3은 본 발명의 실시예 1의 패턴 형성 시의 피트 또는 홈의 높이를 도시하는 도면,

도 4는 본 발명의 실시예 2의 패턴 형성 방법을 도시하는 도면,

도 5는 종래 기술의 패턴 형성 방법을 도시하는 도면이다.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

101 : 기판 102 : 레지스트

103 : 기록 원반 104 : 기록광

105 : 잠상 106 : 원반

107 : 무기 격리층 108 : 도전막

109 : 금속층 110a, 110b : 스탬퍼

201 : 회전 테이블 202 : 광원

203 : 렌즈 204 : 기록 헤드

401 : 기판 402 : 레지스트

403 : 기록 원반 404 : 기록광

405 : 잠상 406 : 원반

407a : 무기 격리층 407b : 박리층

408 : 도전막 409 : 금속층

410a, 410b : 스탬퍼

Claims (28)

1. 광 정보 기록 매체의 스탬퍼에 소정의 피트(pits) 또는 홈 패턴을 전사하기 위한 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법에 있어서,

   노광에 의해 상태가 변화하는 제1 무기 재료를 포함하는 레지스트를 기판 상에 형성하는 단계;

   노광 및 현상에 의해 상기 레지스트 상에 피트 또는 홈 패턴을 형성하는 단계; 및

   상기 피트 또는 홈 패턴 상에 격리층을 형성하는 단계

   를 포함하는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 격리층은, 저 전도성의 제2 무기 재료로 이루어지는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 격리층은 상기 제2 무기 재료로서 불화물을 포함하는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
4. 제2항에 있어서, 상기 격리층은 상기 제2 무기 재료로서 다이아몬드상 카본(Diamond-Like Carbon)을 포함하는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
5. 제2항에 있어서, 상기 격리층은 상기 제2 무기 재료로서 이산화규소를 포함하는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
6. 제2항에 있어서, 상기 격리층은 상기 제2 무기 재료로서 알칼리에 가용되는(alkali-soluble) 재료를 포함하는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 격리층은, 상기 제2 무기 재료로서, 산화텅스텐, 산화니오브, 산화주석, 산화몰리브덴, 및 실리콘 중의 적어도 어느 하나를 포함하는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
8. 제2항에 있어서, 상기 격리층은 상기 제2 무기 재료로서 수용성 재료를 포함하는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 격리층은, 상기 제2 무기 재료로서, 염화나트륨, 염화철, 요오드화칼륨, 및 염화루비듐 중의 적어도 어느 하나를 포함하는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
10. 제2항에 있어서, 상기 격리층은, 상기 제2 무기 재료로서 산에 가용한(acid-soluble) 재료를 포함하는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 격리층은 스퍼터링법으로 형성되는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 격리층의 두께는 5 ㎚ 이상 150 ㎚ 이하인, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
13. 제12항에 있어서, 상기 격리층의 두께는 15 ㎚ 이상 150 ㎚ 이하인, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 무기 재료는, 게르마늄, 텔루르, 안티몬, 셀레늄, 몰리브덴, 텅스텐, 티타늄, 및 이들 원소의 화합물 중의 적어도 어느 하나를 포함하는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 격리층 상에 박리층이 형성되는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
16. 제15항에 있어서, 상기 박리층은 알칼리에 가용되는 재료를 포함하는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
17. 제15항에 있어서, 상기 박리층은 수용성 재료를 포함하는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
18. 제15항에 있어서, 상기 박리층은 산에 가용한 재료를 포함하는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
19. 제15항에 있어서, 상기 박리층은 무기 재료로 이루어지는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
20. 제15항에 있어서, 상기 격리층과 상기 박리층은 모두 무기 재료로 이루어지고,

    상기 격리층과 상기 박리층의 총 두께는 150 ㎚ 이하이고, 상기 격리층의 두께는 5 ㎚ 이상인, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
21. 제20항에 있어서, 상기 격리층의 두께는 15 ㎚ 이상인, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
22. 제15항에 있어서, 상기 박리층은 유기 재료로 이루어지는, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
23. 제22항에 있어서, 상기 박리층의 두께는 60 ㎚ 이하인, 광 정보 기록 매체의 원반 제조방법.
24. 제1항 내지 제23항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 광 정보 기록 매체의 원반.
25. 광 정보 기록 매체의 원반에 있어서,

    기판;

    상기 기판 상에 형성된 레지스트의 피트 또는 홈 패턴; 및

    상기 피트 또는 홈 패턴 상에 형성된 격리층을 포함하는, 광 정보 기록 매체의 원반.
26. 제24항 또는 제25항의 원반을 사용하여 광 정보 기록 매체의 스탬퍼를 제조하는 방법에 있어서,

    상기 원반 상에 도전막을 형성하는 단계;

    상기 도전막 상에 금속층을 형성하는 단계; 및

    상기 금속층, 또는 상기 금속층 및 상기 도전막을 상기 원반으로부터 박리하는 단계

    를 포함하는 광 정보 기록 매체의 스탬퍼 제조방법.
27. 제26항의 광 정보 기록 매체의 스탬퍼 제조방법에 의해 제조된 광 정보 기록 매체의 스탬퍼.
28. 제27항의 광 정보 기록 매체의 스탬퍼를 사용하여 제조된 광 정보 기록 매체.