MD2413G2 - Селективный фотодиод с модулируемой чувствительностью - Google Patents

Селективный фотодиод с модулируемой чувствительностью

Info

Publication number
MD2413G2
MD2413G2 MDA20030225A MD20030225A MD2413G2 MD 2413 G2 MD2413 G2 MD 2413G2 MD A20030225 A MDA20030225 A MD A20030225A MD 20030225 A MD20030225 A MD 20030225A MD 2413 G2 MD2413 G2 MD 2413G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
active layer
sensibility
modulated
layer
heteroborder
Prior art date
Application number
MDA20030225A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD2413F1 (en
Inventor
Валериан ДОРОГАН
Татьяна ВИЕРУ
Андрей ДОРОГАН
Станислав ВИЕРУ
Original Assignee
Технический университет Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Технический университет Молдовы filed Critical Технический университет Молдовы
Priority to MDA20030225A priority Critical patent/MD2413G2/ru
Publication of MD2413F1 publication Critical patent/MD2413F1/xx
Publication of MD2413G2 publication Critical patent/MD2413G2/ru

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к фотодиодам, и может быть использовано в оптоэлектронных системах для детектирования, приема и преобразования оптических сигналов, переданных через оптическое волокно, атмосферу или другие оптические среды.Сущность изобретения заключается в том, что селективный фотодиод с модулируемой чувствительностью на основе гетероструктуры соединенийIII-V, содержит подложку с шириной запрещенной зоны Eg0, на которой последовательно нанесены активный слой с собственной проводимостьюс Eg1, фронтальный слой с Eg2, толщина которого больше диффузионной длины неосновных носителей заряда, в котором на гетерогранице с активным слоем сформирован первый p-n переход, и противоотражающий слой с Eg3, причем Eg1<Eg2<Eg0<Eg3. На обратной стороне подложки последовательно нанесены второй активный слой с собственной проводимостью с Eg4, толщина которого меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда,и слой с Eg1, в котором на гетерогранице со вторым активным слоем сформирован второй p-n переход, при этом Eg4<Eg1<Eg2<Eg0<Eg3.
MDA20030225A 2003-09-16 2003-09-16 Селективный фотодиод с модулируемой чувствительностью MD2413G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20030225A MD2413G2 (ru) 2003-09-16 2003-09-16 Селективный фотодиод с модулируемой чувствительностью

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20030225A MD2413G2 (ru) 2003-09-16 2003-09-16 Селективный фотодиод с модулируемой чувствительностью

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD2413F1 MD2413F1 (en) 2004-03-31
MD2413G2 true MD2413G2 (ru) 2004-10-31

Family

ID=32089830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20030225A MD2413G2 (ru) 2003-09-16 2003-09-16 Селективный фотодиод с модулируемой чувствительностью

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD2413G2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4487C1 (ru) * 2016-08-01 2018-03-31 Технический университет Молдовы Ветротурбина с горизонтальной осью

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD876G2 (ru) * 1996-11-20 1998-08-31 Валериан ДОРОГАН Селективный фотодиод

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD876G2 (ru) * 1996-11-20 1998-08-31 Валериан ДОРОГАН Селективный фотодиод

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Appl. Phys. Lett, nr. 19, v. 60, 1992, I. Grave, A. Shakouri, N. Kuze, A. Yariv, "Voltage-controlled tunable GaAs/AlGaAs multistack quantum well infra-red detector", p. 2362-2364 *
Documentele conferinţei " Cercetări în optoelectronică", 1994, Bucureşti, V. Dorogan, V. Brânzari, A. Snigur, G. Corotcencov, V. Ceseac. Aspecte tehnologice în confecţionarea fotodiodelor selective optimizate pentru ((1,06(m, p. 260-266 *
Solid-State Electron, nr. 7, v. 38, 1995, ho0 Wen-Jeng, Dai Ting-Arn, Chuang Zuon-Ming, Lin Wei, Tu Yuan-Kuang, Wu Meng Chyi, "InGaAs PIN photodiodeson semiinsulating InP substrates with bandwidth exceeding 14 Ghz", p. 1295-1298 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4487C1 (ru) * 2016-08-01 2018-03-31 Технический университет Молдовы Ветротурбина с горизонтальной осью

Also Published As

Publication number Publication date
MD2413F1 (en) 2004-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE412253T1 (de) Halbleiterbauelement auf basis einer nitridverbindung der gruppe iii mit multiquantentopf
IL196477A0 (en) Method of fabricating semiconductor devices on a group iv substrate with controlled interface properties and diffusion tails
WO2007001295A3 (en) Quantum dot based optoelectronic device and method of making same
WO2007089222A3 (en) Heterojunction photodiode
WO2011155230A1 (ja) 受光素子アレイ
JPH03156980A (ja) 受光素子
NO20011497L (no) Kontakt av höydopet p-type for en frontbelyst, rask fotodiode
MD2413G2 (ru) Селективный фотодиод с модулируемой чувствительностью
JP4861388B2 (ja) アバランシェホトダイオード
TW200711180A (en) Light emitting diode and light emitting diode lamp
EP1463123A3 (en) Light receiving element and method of manufacturing the same
EP3965170A3 (en) Systems, methods, and devices for reducing optical and electrical crosstalk in photodiodes
CN202405297U (zh) 背光pin光电二极管
US20030151052A1 (en) Semiconductor light receving element provided with acceleration spacer layers between plurality of light absorbing layers and method for fabricating the same
WO2009011310A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
MD876G2 (ru) Селективный фотодиод
Joshi Developments in high performance photodiodes
JPS6334980A (ja) 光発電素子
KR970067948A (ko) p-i-n FET 제작 방법
JPS6237979A (ja) 発光・受光集積素子
KR101557366B1 (ko) 광전 변환 소자
JPS60198786A (ja) 半導体受光素子
ATE411619T1 (de) Solarzelle mit einer integrierten monolithisch gewachsenen bypassdiode
JPS60123083A (ja) 半導体装置
KR970054975A (ko) 레이저 다이오드 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees