JPS6334980A - 光発電素子 - Google Patents

光発電素子

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Publication number
JPS6334980A
JPS6334980A JP61179514A JP17951486A JPS6334980A JP S6334980 A JPS6334980 A JP S6334980A JP 61179514 A JP61179514 A JP 61179514A JP 17951486 A JP17951486 A JP 17951486A JP S6334980 A JPS6334980 A JP S6334980A
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JP
Japan
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light
transparent electrode
substrate
film
amorphous film
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Pending
Application number
JP61179514A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Ishihara
隆 石原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS6334980A publication Critical patent/JPS6334980A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明(よ、非晶質光発電素子の高効率化、および大
面積素子の高歩留り化を図った光発電素子に関するもの
である。
〔従来の技術〕
第2図は従来の光発電素子の断面図であり、この図にお
いて、1は透光性基板、2は凹凸形状をした透明電極、
3は非晶質膜、4は金属電極、5は入射光を表す。(例
えば特開昭59−201470号公報、特開昭59−1
59574号公報参照。) 次に動作について説明する。
従来、非晶質光発電素子の高効率化のために第2図に示
すように、非晶質膜3を形成する前に透光性基板1上に
形成される透明電極2を凹凸形状とし、入射光5をこの
凹凸により散乱させ、光路長を長くすることにより非晶
質膜3内で吸収される光を多くし、光発生電流を増大さ
せている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の光発電素子は以上のように構成されているため、
非晶質膜3の下地の凹凸形状をした透明電極2により6
0〜5000大程度の薄膜を用いる非晶質光発電素子に
おいて接合のリークが起こり易く、小面積の素子では動
作することがあっても、例えば10cm角のような大面
積化は難しいという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになき
ねたもので、非晶質膜内ての光路長を長くでき、高効率
化が図れるとともに、歩留りのよい大面端光発電素子を
得ることを目的とする。
〔間顕点を解決するための手段〕
この発明に係る光発電素子は、透光性基板の光発電素子
が形成されろ面と反対側の面を凹凸形状とし、この凹凸
面に光反射膜を付着形成したものである。
〔作用〕
この発明においては、透光性基板の光発電素子が形成さ
れる面と反対側の面に形成された凹凸面に光反射膜を形
成したことから、非晶質膜を透過してきた光をこの光反
射膜により散乱させる。
〔実施例〕
この発明の一実施例を第1図について説明する。
この図において、5は入射光、11は片面を凹凸面11
aとした透光性基板、12はこの透光性基板11の凹凸
面11aに形成した光反射膜、13は基板側透明電極、
14は非晶質膜、15は入射側透明電極、16は金属電
極である。
次に動作について説明する。
入射側透明電極15を通して入った入射光5は非晶質膜
14の中で一部吸収される。この時、吸収されずに透過
した光は、基板側透明電極13゜透光性基板11を通し
て凹凸面11aに到達する。
ここで、この凹凸面111mで形成された光反射膜12
により散乱されて、再び透光性基板11.基板側透明電
極13を通って非晶質膜14に入射される。この光は凹
凸面11aにより散乱されているため、入射光5のよう
に透光性基板11に垂直な成分のみでなく、様々の方向
性を持っているため光路長が長く、より多くの光キャリ
アを発生させることができ、光電流が増大する。また、
薄膜である非晶質膜14は平坦な基板側透明電極13上
に形成されているため、接合のリークについては、従来
例と比べて極めて少なくなる。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、透光性基板の光発電素
子が形成される面と反対側の面を凹凸形状とし、この凹
凸面に光反射膜を付着形成したので、この部分での散乱
により光路長を長くでき、光発生電流を増大させるとと
もに、非晶質膜は平坦な面上に形成されているため、接
合のリークは極めて少なく、大面積化を図った場合でも
歩留りよく高効率の光発電素子が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の光発電素子の一実施例を示す断面図
、第2図は従来の光発電素子の断面図である。 図において、11は透光性基板、11aは凹凸面、12
は光反射膜、13(よ基板側透明電極、14は非晶質膜
、15は入射側透明電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄   (外2名)第1図 第2図 5〆

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 透光性基板上に形成された非晶質光発電素子において、
    前記透光性基板の光発電素子が形成される面と反対側の
    面を凹凸形状とし、この凹凸面に光反射膜を付着形成し
    たことを特徴とする光発電素子。
JP61179514A 1986-07-29 1986-07-29 光発電素子 Pending JPS6334980A (ja)

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JP61179514A JPS6334980A (ja) 1986-07-29 1986-07-29 光発電素子

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02143569A (ja) * 1988-11-25 1990-06-01 Agency Of Ind Science & Technol 光電変換素子
JPH0357952U (ja) * 1989-10-09 1991-06-05
JPH05206490A (ja) * 1992-01-27 1993-08-13 Sharp Corp 光電変換装置
JP2002299661A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Kyocera Corp 薄膜結晶質Si太陽電池
CN101820004A (zh) * 2010-04-28 2010-09-01 中国科学院半导体研究所 一种光电分离的太阳能电池背反射器

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