JPS6334980A - 光発電素子 - Google Patents
光発電素子Info
- Publication number
- JPS6334980A JPS6334980A JP61179514A JP17951486A JPS6334980A JP S6334980 A JPS6334980 A JP S6334980A JP 61179514 A JP61179514 A JP 61179514A JP 17951486 A JP17951486 A JP 17951486A JP S6334980 A JPS6334980 A JP S6334980A
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- JP
- Japan
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- light
- transparent electrode
- substrate
- film
- amorphous film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 241000277269 Oncorhynchus masou Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明(よ、非晶質光発電素子の高効率化、および大
面積素子の高歩留り化を図った光発電素子に関するもの
である。
面積素子の高歩留り化を図った光発電素子に関するもの
である。
第2図は従来の光発電素子の断面図であり、この図にお
いて、1は透光性基板、2は凹凸形状をした透明電極、
3は非晶質膜、4は金属電極、5は入射光を表す。(例
えば特開昭59−201470号公報、特開昭59−1
59574号公報参照。) 次に動作について説明する。
いて、1は透光性基板、2は凹凸形状をした透明電極、
3は非晶質膜、4は金属電極、5は入射光を表す。(例
えば特開昭59−201470号公報、特開昭59−1
59574号公報参照。) 次に動作について説明する。
従来、非晶質光発電素子の高効率化のために第2図に示
すように、非晶質膜3を形成する前に透光性基板1上に
形成される透明電極2を凹凸形状とし、入射光5をこの
凹凸により散乱させ、光路長を長くすることにより非晶
質膜3内で吸収される光を多くし、光発生電流を増大さ
せている。
すように、非晶質膜3を形成する前に透光性基板1上に
形成される透明電極2を凹凸形状とし、入射光5をこの
凹凸により散乱させ、光路長を長くすることにより非晶
質膜3内で吸収される光を多くし、光発生電流を増大さ
せている。
従来の光発電素子は以上のように構成されているため、
非晶質膜3の下地の凹凸形状をした透明電極2により6
0〜5000大程度の薄膜を用いる非晶質光発電素子に
おいて接合のリークが起こり易く、小面積の素子では動
作することがあっても、例えば10cm角のような大面
積化は難しいという問題点があった。
非晶質膜3の下地の凹凸形状をした透明電極2により6
0〜5000大程度の薄膜を用いる非晶質光発電素子に
おいて接合のリークが起こり易く、小面積の素子では動
作することがあっても、例えば10cm角のような大面
積化は難しいという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになき
ねたもので、非晶質膜内ての光路長を長くでき、高効率
化が図れるとともに、歩留りのよい大面端光発電素子を
得ることを目的とする。
ねたもので、非晶質膜内ての光路長を長くでき、高効率
化が図れるとともに、歩留りのよい大面端光発電素子を
得ることを目的とする。
この発明に係る光発電素子は、透光性基板の光発電素子
が形成されろ面と反対側の面を凹凸形状とし、この凹凸
面に光反射膜を付着形成したものである。
が形成されろ面と反対側の面を凹凸形状とし、この凹凸
面に光反射膜を付着形成したものである。
この発明においては、透光性基板の光発電素子が形成さ
れる面と反対側の面に形成された凹凸面に光反射膜を形
成したことから、非晶質膜を透過してきた光をこの光反
射膜により散乱させる。
れる面と反対側の面に形成された凹凸面に光反射膜を形
成したことから、非晶質膜を透過してきた光をこの光反
射膜により散乱させる。
この発明の一実施例を第1図について説明する。
この図において、5は入射光、11は片面を凹凸面11
aとした透光性基板、12はこの透光性基板11の凹凸
面11aに形成した光反射膜、13は基板側透明電極、
14は非晶質膜、15は入射側透明電極、16は金属電
極である。
aとした透光性基板、12はこの透光性基板11の凹凸
面11aに形成した光反射膜、13は基板側透明電極、
14は非晶質膜、15は入射側透明電極、16は金属電
極である。
次に動作について説明する。
入射側透明電極15を通して入った入射光5は非晶質膜
14の中で一部吸収される。この時、吸収されずに透過
した光は、基板側透明電極13゜透光性基板11を通し
て凹凸面11aに到達する。
14の中で一部吸収される。この時、吸収されずに透過
した光は、基板側透明電極13゜透光性基板11を通し
て凹凸面11aに到達する。
ここで、この凹凸面111mで形成された光反射膜12
により散乱されて、再び透光性基板11.基板側透明電
極13を通って非晶質膜14に入射される。この光は凹
凸面11aにより散乱されているため、入射光5のよう
に透光性基板11に垂直な成分のみでなく、様々の方向
性を持っているため光路長が長く、より多くの光キャリ
アを発生させることができ、光電流が増大する。また、
薄膜である非晶質膜14は平坦な基板側透明電極13上
に形成されているため、接合のリークについては、従来
例と比べて極めて少なくなる。
により散乱されて、再び透光性基板11.基板側透明電
極13を通って非晶質膜14に入射される。この光は凹
凸面11aにより散乱されているため、入射光5のよう
に透光性基板11に垂直な成分のみでなく、様々の方向
性を持っているため光路長が長く、より多くの光キャリ
アを発生させることができ、光電流が増大する。また、
薄膜である非晶質膜14は平坦な基板側透明電極13上
に形成されているため、接合のリークについては、従来
例と比べて極めて少なくなる。
この発明は以上説明したとおり、透光性基板の光発電素
子が形成される面と反対側の面を凹凸形状とし、この凹
凸面に光反射膜を付着形成したので、この部分での散乱
により光路長を長くでき、光発生電流を増大させるとと
もに、非晶質膜は平坦な面上に形成されているため、接
合のリークは極めて少なく、大面積化を図った場合でも
歩留りよく高効率の光発電素子が得られる効果がある。
子が形成される面と反対側の面を凹凸形状とし、この凹
凸面に光反射膜を付着形成したので、この部分での散乱
により光路長を長くでき、光発生電流を増大させるとと
もに、非晶質膜は平坦な面上に形成されているため、接
合のリークは極めて少なく、大面積化を図った場合でも
歩留りよく高効率の光発電素子が得られる効果がある。
第1図はこの発明の光発電素子の一実施例を示す断面図
、第2図は従来の光発電素子の断面図である。 図において、11は透光性基板、11aは凹凸面、12
は光反射膜、13(よ基板側透明電極、14は非晶質膜
、15は入射側透明電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第2図 5〆
、第2図は従来の光発電素子の断面図である。 図において、11は透光性基板、11aは凹凸面、12
は光反射膜、13(よ基板側透明電極、14は非晶質膜
、15は入射側透明電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第2図 5〆
Claims (1)
- 透光性基板上に形成された非晶質光発電素子において、
前記透光性基板の光発電素子が形成される面と反対側の
面を凹凸形状とし、この凹凸面に光反射膜を付着形成し
たことを特徴とする光発電素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61179514A JPS6334980A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 光発電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61179514A JPS6334980A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 光発電素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6334980A true JPS6334980A (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=16067121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61179514A Pending JPS6334980A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 光発電素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6334980A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02143569A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 光電変換素子 |
JPH0357952U (ja) * | 1989-10-09 | 1991-06-05 | ||
JPH05206490A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Sharp Corp | 光電変換装置 |
JP2002299661A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 薄膜結晶質Si太陽電池 |
CN101820004A (zh) * | 2010-04-28 | 2010-09-01 | 中国科学院半导体研究所 | 一种光电分离的太阳能电池背反射器 |
-
1986
- 1986-07-29 JP JP61179514A patent/JPS6334980A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02143569A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Agency Of Ind Science & Technol | 光電変換素子 |
JPH0357952U (ja) * | 1989-10-09 | 1991-06-05 | ||
JPH05206490A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Sharp Corp | 光電変換装置 |
JP2002299661A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 薄膜結晶質Si太陽電池 |
CN101820004A (zh) * | 2010-04-28 | 2010-09-01 | 中国科学院半导体研究所 | 一种光电分离的太阳能电池背反射器 |
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