JPS61134082A - フオトダイオ−ト - Google Patents
フオトダイオ−トInfo
- Publication number
- JPS61134082A JPS61134082A JP59256078A JP25607884A JPS61134082A JP S61134082 A JPS61134082 A JP S61134082A JP 59256078 A JP59256078 A JP 59256078A JP 25607884 A JP25607884 A JP 25607884A JP S61134082 A JPS61134082 A JP S61134082A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- light
- rise
- receiving sensitivity
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 9
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野］
未発明はフォトダイオードの特性向上に関するものであ
る。
る。
Ｃ従来の技術］
従来フォトダイオードの光の採光面とＰ−Ｎ接合面は平
行に形成されている。しかしこの構造では受光感度を大
きくするため動作層を厚く□すると動作電圧が高くなり
、また立上り・立下り時間が遅くなる。動作電圧を低く
、立上り・立下り時間を速くす（）ため動作層を薄くす
ると、受光感度が小さくなる。
行に形成されている。しかしこの構造では受光感度を大
きくするため動作層を厚く□すると動作電圧が高くなり
、また立上り・立下り時間が遅くなる。動作電圧を低く
、立上り・立下り時間を速くす（）ため動作層を薄くす
ると、受光感度が小さくなる。
以下図面により更に詳細に説明する。第２図は従来例に
係るフォトダイオードの断面図であり、ｎ型基板１１（
ｎ勺の上に動作層１２（ｎ−）を形成１７、その動作層
１２の上にρ′″層１３が形成されている。また動作層
１２とｐ＋層ｔ３の境界にＰ−Ｎ接合１４が形成されて
いる。
係るフォトダイオードの断面図であり、ｎ型基板１１（
ｎ勺の上に動作層１２（ｎ−）を形成１７、その動作層
１２の上にρ′″層１３が形成されている。また動作層
１２とｐ＋層ｔ３の境界にＰ−Ｎ接合１４が形成されて
いる。
フォトダイオードへの入射光１５は、 Ｐ”暦１３の土
に形成された透過性の絶縁膜ｔｓ、ｐ’″暦１３．Ｐ“
−Ｎ接合ｔ４を通り、動作層１２に入る。
に形成された透過性の絶縁膜ｔｓ、ｐ’″暦１３．Ｐ“
−Ｎ接合ｔ４を通り、動作層１２に入る。
ところで、かかる従来例のフォトタイオードでは光の入
射方向と垂直な方向にＰ−Ｎ接合１４の面があるので、
光の吸収方向と動作層に加わる電界の方向が同じである
。従って受光感度を大きくするため動作層１２を犬きく
すると、フォトダイオードに加える電圧が大きくなり、
また立上りφ立下り時間が遅くなる。一方、フォトダイ
オードに加える電圧を小さく、また立上り・立下り時間
を速くするため動作層１２を小さくすると、受光感度が
小さくなる０以上のように従来のフォトダイオードでは
受光感度とフォトダイオードに加える電圧の立上り・立
下り時間はトレードオフの関係にあり、両方の特性を同
時に良くすることは困難である。
射方向と垂直な方向にＰ−Ｎ接合１４の面があるので、
光の吸収方向と動作層に加わる電界の方向が同じである
。従って受光感度を大きくするため動作層１２を犬きく
すると、フォトダイオードに加える電圧が大きくなり、
また立上りφ立下り時間が遅くなる。一方、フォトダイ
オードに加える電圧を小さく、また立上り・立下り時間
を速くするため動作層１２を小さくすると、受光感度が
小さくなる０以上のように従来のフォトダイオードでは
受光感度とフォトダイオードに加える電圧の立上り・立
下り時間はトレードオフの関係にあり、両方の特性を同
時に良くすることは困難である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明は上記従来例の問題点に鑑み提案されたものであ
り、受光感度とフォトダイオードに加える電圧の立上り
・立下り時間の両方の特性を同時に良くしたフォトダイ
オードを提供することを目的とする。
り、受光感度とフォトダイオードに加える電圧の立上り
・立下り時間の両方の特性を同時に良くしたフォトダイ
オードを提供することを目的とする。
Ｅ問題点を解決するための手段］
未発明に係るフォトダイオードは、Ｐ−Ｎ接合面と平行
な方向に光を入射する手段を備えたことを特徴とする。
な方向に光を入射する手段を備えたことを特徴とする。
［実施例］
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。第１図は
本発明の実施例に係るフォトダイオードの断面図であり
、透過性絶縁膜６がペレットの側面に形成されている。
本発明の実施例に係るフォトダイオードの断面図であり
、透過性絶縁膜６がペレットの側面に形成されている。
光は側面から入射する。この構造では受光感度は動作Ｒ
２の横方向の長さで決まり、またフォトダイオードに加
える電圧、立上り・立下り時間は動作層２の厚さによっ
て決まるため１両方の特性を同時に良くすることができ
る。
２の横方向の長さで決まり、またフォトダイオードに加
える電圧、立上り・立下り時間は動作層２の厚さによっ
て決まるため１両方の特性を同時に良くすることができ
る。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば受光感度とフォト
ダイオードに加える電圧の立上り・立下り時間の両特性
の良好なフォトダイオードを得ることができる。
ダイオードに加える電圧の立上り・立下り時間の両特性
の良好なフォトダイオードを得ることができる。
第１図は本発明の実施例に係るフォトダイオードの断面
図であり、第２図は従来例に係るフォトダイオードの断
面図である。 １．１１・・・ｎ型基板（ｎ”）。 ２．１２・・・動作層（ｎ−）、 ３．１３・・・１層、 ４．１４・・・Ｐ−Ｎ接合、 ５．１５・・・入射光、 ６．１Ｂ・・・絶縁膜。
図であり、第２図は従来例に係るフォトダイオードの断
面図である。 １．１１・・・ｎ型基板（ｎ”）。 ２．１２・・・動作層（ｎ−）、 ３．１３・・・１層、 ４．１４・・・Ｐ−Ｎ接合、 ５．１５・・・入射光、 ６．１Ｂ・・・絶縁膜。
Claims (1)
- Ｐ−Ｎ接合面と平行な方向に光を入射する手段を備えた
ことを特徴とするフォトダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59256078A JPS61134082A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | フオトダイオ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59256078A JPS61134082A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | フオトダイオ−ト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134082A true JPS61134082A (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=17287580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59256078A Pending JPS61134082A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | フオトダイオ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134082A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1582891A2 (de) * | 2004-04-01 | 2005-10-05 | Vishay Semiconductor GmbH | Sensoranordnung |
-
1984
- 1984-12-04 JP JP59256078A patent/JPS61134082A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1582891A2 (de) * | 2004-04-01 | 2005-10-05 | Vishay Semiconductor GmbH | Sensoranordnung |
| EP1582891A3 (de) * | 2004-04-01 | 2011-01-19 | Vishay Semiconductor GmbH | Sensoranordnung |
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