MD876G2 - Селективный фотодиод - Google Patents
Селективный фотодиодInfo
- Publication number
- MD876G2 MD876G2 MD96-0338A MD960338A MD876G2 MD 876 G2 MD876 G2 MD 876G2 MD 960338 A MD960338 A MD 960338A MD 876 G2 MD876 G2 MD 876G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- layer
- fact
- active layer
- frontal
- photodiode
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и может применяться для детектирования и обработки оптических сигналов, передаваемых по волоконно-оптическим линиям связи, через атмосферу Земли или по другим средам.Сущность изобретения заключается в том, что селективный фотодиод изготавливается на основе гетероструктуры, состоящей из подложки n+InP с шириной запрещенной зоны Eg0, активного слоя Inx1Ga1-x1 Asy1 P1-y1 c Eg1, фронтального слоя p+ Inx2Ga1-x2 Asy2P1-y2 c Eg2 и просветляющим покрытием на лицевой поверхности с Eg3, у которого Eg1 < Eg2 < Eg0 < Eg3, отличающийся тем, что p-n переход сформирован во фронтальном слое в непосредственной близости от гетерограницы с активным слоем, который изготавливается i-типом проводимости, а толщина фронтального слоя больше, чем диффузионная длина неосновных носителей заряда, генерируемых на лицевой поверхности фотодиода.Технический результат заключается в том, что при обратном смещении слой объемного заряда расширяется в активный слой, разделяя генерированные носители заряда в нем.Фиг.: 4
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD96-0338A MD876G2 (ru) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | Селективный фотодиод |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD96-0338A MD876G2 (ru) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | Селективный фотодиод |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD876F1 MD876F1 (en) | 1997-11-30 |
| MD876G2 true MD876G2 (ru) | 1998-08-31 |
Family
ID=19738916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MD96-0338A MD876G2 (ru) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | Селективный фотодиод |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD876G2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD2413G2 (ru) * | 2003-09-16 | 2004-10-31 | Технический университет Молдовы | Селективный фотодиод с модулируемой чувствительностью |
-
1996
- 1996-11-20 MD MD96-0338A patent/MD876G2/ru active IP Right Grant
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| Appl. Phys. Lett, nr. 19, v. 60, 1992, I. Grave, A. Shakouri, N. Kuze, A. Yariv, "Voltage-controlled tunable GaAs/AlGaAs multistack quantum well infra-red detector", p. 2362-2364. * |
| Documentele conferinţei "Cercetări în optoelectronică", 1994, Bucureşti, V. Dorogan, V. Brânzari, A. Snigur, G. Corotcencov, V. Coseac, "Aspecte tehnologice în confecţionarea fotodiodelor selective optimizate pentru ( = 1,06 (m", p. 260-266. * |
| Electron. Lett. nr. 28, v. 28, 1992, V. Berger, N. Voldjdani. "Quantum well infra-red photodetector response controlled by very low power visible source", p. 1980-1981. * |
| Electrotehn. electron. şi automat. Autom. şi electron., nr. 2, v. 36, 1992, Rusu Emil, Nan Stelian, Purica Munizer, Budeanu Elena, Cobzarenco Vasile, "Fotodiodă PIN pe InGaAs/InP pentru detecţia radiaţiei de 1,3-1,6 (m", p. 69-71. * |
| Solid-State Electron, nr. 7, v. 38, 1995, Ho Wen-Jeng, Dai Ting-Arn, Chuang Zuon-Ming, Lin Wei, Tu Yuan-Kuang, Wu Meng-Chyi, "InGaAs PIN photodiodes on semiinsulating InP substrates with bandwidth exceeding 14 Ghz", p. 1295-1298. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD2413G2 (ru) * | 2003-09-16 | 2004-10-31 | Технический университет Молдовы | Селективный фотодиод с модулируемой чувствительностью |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD876F1 (en) | 1997-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU589568B2 (en) | Multijunction semiconductor device | |
| JPS54101688A (en) | Optical semiconductor device | |
| EP1465259A3 (en) | Photoelectric X-ray converter, its driving method, and system including the photoelectric X-ray converter | |
| CA1270931C (en) | HEAT-INSENSITIVE THIN-FILM PHOTOELECTRIC CONVERTER WITH AN ANTI-DIFFUSION LAYER | |
| MY124274A (en) | Semiconductor device having a light-receiving element, optical pickup device and method of manufacturing a semiconductor device having a light-receiving element | |
| KR960030452A (ko) | 화합물반도체수광소자 및 그 제조방법 | |
| KR850008405A (ko) | 반도체 광검지기 및 그 제조방법 | |
| IE820653L (en) | Semiconductor laser having two radiation beams | |
| EP0627771A4 (en) | Distorted superlattice semiconductor photodetecting element with side-contact structure. | |
| MD876G2 (ru) | Селективный фотодиод | |
| EP0023723A3 (en) | Multistage avalanche photodetector | |
| EP0304048A3 (en) | A planar type heterostructure avalanche photodiode | |
| EP0855743A3 (en) | Photodiode with a divided active region | |
| EP1195864A3 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS5792877A (en) | Photo-receiving semiconductor | |
| JPS5642386A (en) | Semiconductor photodetector | |
| JPS6421989A (en) | Manufacture of semiconductor light-emitting device | |
| MD2413F1 (en) | Selective photodiode with modulated sensibility | |
| KR19990006160A (ko) | 애벌런치 포토 다이오드 및 그의 제조방법 | |
| KR970054544A (ko) | 에벌런치 포토 다이오드 및 그 제조방법 | |
| GB1385634A (en) | Gaa1as lasers | |
| KR970009732B1 (ko) | 평면형 광검출기의 제조방법 | |
| EP1130722A3 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS5723280A (en) | Field effect type light detector | |
| JPS6474767A (en) | Semiconductor photodetector |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG3A | Granted patent for invention | ||
| IF99 | Valid patent on 19990615 |
Free format text: EXPIRES: 20161120 |