MD876G2 - Fotodiodă selectivă - Google Patents
Fotodiodă selectivăInfo
- Publication number
- MD876G2 MD876G2 MD96-0338A MD960338A MD876G2 MD 876 G2 MD876 G2 MD 876G2 MD 960338 A MD960338 A MD 960338A MD 876 G2 MD876 G2 MD 876G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- layer
- fact
- active layer
- frontal
- photodiode
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la construcţia de aparate cu semiconductori şi poate fi utilizată pentru detectarea şi prelucrarea semnalelor optice transmise prin fibre optice, prin atmosfera Pământului sau prin alte medii optice.Esenţa invenţiei constă în aceea că fotodioda selectivă se confecţionează pe baza heterostructurii compuse din substratul n+InP cu lărgimea benzii interzise, stratul activcu, stratul frontal p+cuşi stratul antireflectant pe partea frontală cu, unde<<<,caracterizată prin aceea că joncţiunea p-n este formată în stratul frontal în imediata apropiere de heterograniţa cu stratul activ intrinsec confecţionat cu conductibilitate de tip i, iar grosimea stratului frontal este mai mare decât lungimea de difuziune a purtătorilor de sarcină minoritari generaţi pe suprafaţa frontală a fotodiodei.Rezultatul tehnic al invenţiei constă în aceea că la polarizarea inversă stratul de sarcină spaţială se extinde în stratul activ, separând purtătorii de sarcină generaţi în el.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD96-0338A MD876G2 (ro) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | Fotodiodă selectivă |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD96-0338A MD876G2 (ro) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | Fotodiodă selectivă |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD876F1 MD876F1 (ro) | 1997-11-30 |
| MD876G2 true MD876G2 (ro) | 1998-08-31 |
Family
ID=19738916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MD96-0338A MD876G2 (ro) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | Fotodiodă selectivă |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD876G2 (ro) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD2413G2 (ro) * | 2003-09-16 | 2004-10-31 | Технический университет Молдовы | Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată |
-
1996
- 1996-11-20 MD MD96-0338A patent/MD876G2/ro active IP Right Grant
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| Appl. Phys. Lett, nr. 19, v. 60, 1992, I. Grave, A. Shakouri, N. Kuze, A. Yariv, "Voltage-controlled tunable GaAs/AlGaAs multistack quantum well infra-red detector", p. 2362-2364. * |
| Documentele conferinţei "Cercetări în optoelectronică", 1994, Bucureşti, V. Dorogan, V. Brânzari, A. Snigur, G. Corotcencov, V. Coseac, "Aspecte tehnologice în confecţionarea fotodiodelor selective optimizate pentru ( = 1,06 (m", p. 260-266. * |
| Electron. Lett. nr. 28, v. 28, 1992, V. Berger, N. Voldjdani. "Quantum well infra-red photodetector response controlled by very low power visible source", p. 1980-1981. * |
| Electrotehn. electron. şi automat. Autom. şi electron., nr. 2, v. 36, 1992, Rusu Emil, Nan Stelian, Purica Munizer, Budeanu Elena, Cobzarenco Vasile, "Fotodiodă PIN pe InGaAs/InP pentru detecţia radiaţiei de 1,3-1,6 (m", p. 69-71. * |
| Solid-State Electron, nr. 7, v. 38, 1995, Ho Wen-Jeng, Dai Ting-Arn, Chuang Zuon-Ming, Lin Wei, Tu Yuan-Kuang, Wu Meng-Chyi, "InGaAs PIN photodiodes on semiinsulating InP substrates with bandwidth exceeding 14 Ghz", p. 1295-1298. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD2413G2 (ro) * | 2003-09-16 | 2004-10-31 | Технический университет Молдовы | Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD876F1 (ro) | 1997-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU589568B2 (en) | Multijunction semiconductor device | |
| JPS54101688A (en) | Optical semiconductor device | |
| EP1465259A3 (en) | Photoelectric X-ray converter, its driving method, and system including the photoelectric X-ray converter | |
| CA1270931C (en) | HEAT-INSENSITIVE THIN-FILM PHOTOELECTRIC CONVERTER WITH AN ANTI-DIFFUSION LAYER | |
| MY124274A (en) | Semiconductor device having a light-receiving element, optical pickup device and method of manufacturing a semiconductor device having a light-receiving element | |
| KR960030452A (ko) | 화합물반도체수광소자 및 그 제조방법 | |
| KR850008405A (ko) | 반도체 광검지기 및 그 제조방법 | |
| IE820653L (en) | Semiconductor laser having two radiation beams | |
| EP0627771A4 (en) | Distorted superlattice semiconductor photodetecting element with side-contact structure. | |
| MD876G2 (ro) | Fotodiodă selectivă | |
| EP0023723A3 (en) | Multistage avalanche photodetector | |
| EP0304048A3 (en) | A planar type heterostructure avalanche photodiode | |
| EP0855743A3 (en) | Photodiode with a divided active region | |
| EP1195864A3 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS5792877A (en) | Photo-receiving semiconductor | |
| JPS5642386A (en) | Semiconductor photodetector | |
| JPS6421989A (en) | Manufacture of semiconductor light-emitting device | |
| MD2413F1 (ro) | Fotodioda selectiva cu sensibilitate modulata | |
| KR19990006160A (ko) | 애벌런치 포토 다이오드 및 그의 제조방법 | |
| KR970054544A (ko) | 에벌런치 포토 다이오드 및 그 제조방법 | |
| GB1385634A (en) | Gaa1as lasers | |
| KR970009732B1 (ko) | 평면형 광검출기의 제조방법 | |
| EP1130722A3 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS5723280A (en) | Field effect type light detector | |
| JPS6474767A (en) | Semiconductor photodetector |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG3A | Granted patent for invention | ||
| IF99 | Valid patent on 19990615 |
Free format text: EXPIRES: 20161120 |