MD2413G2 - Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată - Google Patents
Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulatăInfo
- Publication number
- MD2413G2 MD2413G2 MDA20030225A MD20030225A MD2413G2 MD 2413 G2 MD2413 G2 MD 2413G2 MD A20030225 A MDA20030225 A MD A20030225A MD 20030225 A MD20030225 A MD 20030225A MD 2413 G2 MD2413 G2 MD 2413G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- active layer
- sensibility
- modulated
- layer
- heteroborder
- Prior art date
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la tehnica cu semiconductori, în particular la fotodiode, şi poate fi utilizată în sistemele optoelectronice pentru detectarea, înregistrarea şi transformarea semnalelor optice transmise prin fibre optice, prin atmosferă sau prin alte medii optice.Esenţa invenţiei constă în aceea că fotodioda selectivă cu sensibilitate modulată pe baza heterosrtucturilor compuşilor III - V conţine un substrat cu bandă energetică interzisă Eg0, pe care sunt depuse consecutivun strat activ intrinsec cu Eg1, un strat frontal cu Eg2, grosimea căruia este mai mare decât lungimea de difuzie a purtătorilor de sarcină minoritari şi în care la heterograniţa cu stratul activ este formată prima joncţiune p-n, şi un strat antireflectant cu Eg3, totodată Eg1<Eg2< Eg0<Eg3. Pe verso substratului sunt depuse consecutiv al doilea strat activ intrinsec cu Eg4, grosimea căruia este mai mică decât lungimea de difuzie a purtătorilor de sarcină minoritari şi un strat cu Eg1 în care la heterograniţa cu al doilea strat activ este formată a doua joncţiune p-n, totodată Eg4<Eg1<Eg2<Eg0<Eg3.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
MDA20030225A MD2413G2 (ro) | 2003-09-16 | 2003-09-16 | Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
MDA20030225A MD2413G2 (ro) | 2003-09-16 | 2003-09-16 | Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
MD2413F1 MD2413F1 (ro) | 2004-03-31 |
MD2413G2 true MD2413G2 (ro) | 2004-10-31 |
Family
ID=32089830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
MDA20030225A MD2413G2 (ro) | 2003-09-16 | 2003-09-16 | Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
MD (1) | MD2413G2 (ro) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD4487C1 (ro) * | 2016-08-01 | 2018-03-31 | Технический университет Молдовы | Turbină eoliană cu ax orizontal |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD876G2 (ro) * | 1996-11-20 | 1998-08-31 | Валериан ДОРОГАН | Fotodiodă selectivă |
-
2003
- 2003-09-16 MD MDA20030225A patent/MD2413G2/ro not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD876G2 (ro) * | 1996-11-20 | 1998-08-31 | Валериан ДОРОГАН | Fotodiodă selectivă |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
Appl. Phys. Lett, nr. 19, v. 60, 1992, I. Grave, A. Shakouri, N. Kuze, A. Yariv, "Voltage-controlled tunable GaAs/AlGaAs multistack quantum well infra-red detector", p. 2362-2364 * |
Documentele conferinţei " Cercetări în optoelectronică", 1994, Bucureşti, V. Dorogan, V. Brânzari, A. Snigur, G. Corotcencov, V. Ceseac. Aspecte tehnologice în confecţionarea fotodiodelor selective optimizate pentru ((1,06(m, p. 260-266 * |
Solid-State Electron, nr. 7, v. 38, 1995, ho0 Wen-Jeng, Dai Ting-Arn, Chuang Zuon-Ming, Lin Wei, Tu Yuan-Kuang, Wu Meng Chyi, "InGaAs PIN photodiodeson semiinsulating InP substrates with bandwidth exceeding 14 Ghz", p. 1295-1298 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD4487C1 (ro) * | 2016-08-01 | 2018-03-31 | Технический университет Молдовы | Turbină eoliană cu ax orizontal |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MD2413F1 (ro) | 2004-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ATE412253T1 (de) | Halbleiterbauelement auf basis einer nitridverbindung der gruppe iii mit multiquantentopf | |
IL196477A0 (en) | Method of fabricating semiconductor devices on a group iv substrate with controlled interface properties and diffusion tails | |
WO2007001295A3 (en) | Quantum dot based optoelectronic device and method of making same | |
WO2007089222A3 (en) | Heterojunction photodiode | |
WO2011155230A1 (ja) | 受光素子アレイ | |
JPH03156980A (ja) | 受光素子 | |
NO20011497L (no) | Kontakt av höydopet p-type for en frontbelyst, rask fotodiode | |
MD2413G2 (ro) | Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată | |
JP4861388B2 (ja) | アバランシェホトダイオード | |
TW200711180A (en) | Light emitting diode and light emitting diode lamp | |
EP1463123A3 (en) | Light receiving element and method of manufacturing the same | |
EP3965170A3 (en) | Systems, methods, and devices for reducing optical and electrical crosstalk in photodiodes | |
CN202405297U (zh) | 背光pin光电二极管 | |
US20030151052A1 (en) | Semiconductor light receving element provided with acceleration spacer layers between plurality of light absorbing layers and method for fabricating the same | |
WO2009011310A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
MD876G2 (ro) | Fotodiodă selectivă | |
Joshi | Developments in high performance photodiodes | |
JPS6334980A (ja) | 光発電素子 | |
KR970067948A (ko) | p-i-n FET 제작 방법 | |
JPS6237979A (ja) | 発光・受光集積素子 | |
KR101557366B1 (ko) | 광전 변환 소자 | |
JPS60198786A (ja) | 半導体受光素子 | |
ATE411619T1 (de) | Solarzelle mit einer integrierten monolithisch gewachsenen bypassdiode | |
JPS60123083A (ja) | 半導体装置 | |
KR970054975A (ko) | 레이저 다이오드 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |