MD2413G2 - Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată - Google Patents
Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată Download PDFInfo
- Publication number
- MD2413G2 MD2413G2 MDA20030225A MD20030225A MD2413G2 MD 2413 G2 MD2413 G2 MD 2413G2 MD A20030225 A MDA20030225 A MD A20030225A MD 20030225 A MD20030225 A MD 20030225A MD 2413 G2 MD2413 G2 MD 2413G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- active layer
- sensibility
- modulated
- layer
- heteroborder
- Prior art date
Links
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 230000026683 transduction Effects 0.000 abstract 1
- 238000010361 transduction Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la tehnica cu semiconductori, în particular la fotodiode, şi poate fi utilizată în sistemele optoelectronice pentru detectarea, înregistrarea şi transformarea semnalelor optice transmise prin fibre optice, prin atmosferă sau prin alte medii optice.Esenţa invenţiei constă în aceea că fotodioda selectivă cu sensibilitate modulată pe baza heterosrtucturilor compuşilor III - V conţine un substrat cu bandă energetică interzisă Eg0, pe care sunt depuse consecutivun strat activ intrinsec cu Eg1, un strat frontal cu Eg2, grosimea căruia este mai mare decât lungimea de difuzie a purtătorilor de sarcină minoritari şi în care la heterograniţa cu stratul activ este formată prima joncţiune p-n, şi un strat antireflectant cu Eg3, totodată Eg1<Eg2< Eg0<Eg3. Pe verso substratului sunt depuse consecutiv al doilea strat activ intrinsec cu Eg4, grosimea căruia este mai mică decât lungimea de difuzie a purtătorilor de sarcină minoritari şi un strat cu Eg1 în care la heterograniţa cu al doilea strat activ este formată a doua joncţiune p-n, totodată Eg4<Eg1<Eg2<Eg0<Eg3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20030225A MD2413G2 (ro) | 2003-09-16 | 2003-09-16 | Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20030225A MD2413G2 (ro) | 2003-09-16 | 2003-09-16 | Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD2413F1 MD2413F1 (ro) | 2004-03-31 |
| MD2413G2 true MD2413G2 (ro) | 2004-10-31 |
Family
ID=32089830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20030225A MD2413G2 (ro) | 2003-09-16 | 2003-09-16 | Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD2413G2 (ro) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4487C1 (ro) * | 2016-08-01 | 2018-03-31 | Технический университет Молдовы | Turbină eoliană cu ax orizontal |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD876G2 (ro) * | 1996-11-20 | 1998-08-31 | Валериан ДОРОГАН | Fotodiodă selectivă |
-
2003
- 2003-09-16 MD MDA20030225A patent/MD2413G2/ro not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD876G2 (ro) * | 1996-11-20 | 1998-08-31 | Валериан ДОРОГАН | Fotodiodă selectivă |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Appl. Phys. Lett, nr. 19, v. 60, 1992, I. Grave, A. Shakouri, N. Kuze, A. Yariv, "Voltage-controlled tunable GaAs/AlGaAs multistack quantum well infra-red detector", p. 2362-2364 * |
| Documentele conferinţei " Cercetări în optoelectronică", 1994, Bucureşti, V. Dorogan, V. Brânzari, A. Snigur, G. Corotcencov, V. Ceseac. Aspecte tehnologice în confecţionarea fotodiodelor selective optimizate pentru ((1,06(m, p. 260-266 * |
| Solid-State Electron, nr. 7, v. 38, 1995, ho0 Wen-Jeng, Dai Ting-Arn, Chuang Zuon-Ming, Lin Wei, Tu Yuan-Kuang, Wu Meng Chyi, "InGaAs PIN photodiodeson semiinsulating InP substrates with bandwidth exceeding 14 Ghz", p. 1295-1298 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4487C1 (ro) * | 2016-08-01 | 2018-03-31 | Технический университет Молдовы | Turbină eoliană cu ax orizontal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD2413F1 (ro) | 2004-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ATE412253T1 (de) | Halbleiterbauelement auf basis einer nitridverbindung der gruppe iii mit multiquantentopf | |
| IL196477A0 (en) | Method of fabricating semiconductor devices on a group iv substrate with controlled interface properties and diffusion tails | |
| KR970026601A (ko) | 질화물 반도체 장치 | |
| GB0719554D0 (en) | semiconductor optoelectronic devices and methods for making semiconductor optoelectronic devices | |
| WO2011155230A1 (ja) | 受光素子アレイ | |
| JPS54101688A (en) | Optical semiconductor device | |
| WO2007089222A3 (en) | Heterojunction photodiode | |
| NO20011497D0 (no) | Kontakt av høydopet p-type for en frontbelyst, rask fotodiode | |
| MD2413F1 (ro) | Fotodioda selectiva cu sensibilitate modulata | |
| JP4861388B2 (ja) | アバランシェホトダイオード | |
| EP1463123A3 (en) | Light receiving element and method of manufacturing the same | |
| EP1229594A3 (en) | Semiconductor light detecting device | |
| CN202405297U (zh) | 背光pin光电二极管 | |
| TW200711180A (en) | Light emitting diode and light emitting diode lamp | |
| WO2002029904A1 (en) | Receiving optics and photosemiconductor device having the same | |
| WO2009011310A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| WO2000024097A8 (en) | Improved far-field nitride based semiconductor device | |
| US20030151052A1 (en) | Semiconductor light receving element provided with acceleration spacer layers between plurality of light absorbing layers and method for fabricating the same | |
| EP3965170A3 (en) | Systems, methods, and devices for reducing optical and electrical crosstalk in photodiodes | |
| MD876G2 (ro) | Fotodiodă selectivă | |
| JPH11133367A5 (ro) | ||
| JPS6334980A (ja) | 光発電素子 | |
| JPS6314470A (ja) | 光半導体素子 | |
| EP1178541A3 (en) | Semiconductor light-receiving element | |
| KR970067948A (ko) | p-i-n FET 제작 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |