MD193Z - Способ получения полисульфидной плёнки - Google Patents

Способ получения полисульфидной плёнки

Info

Publication number
MD193Z
MD193Z MDS20090101A MDS20090101A MD193Z MD 193 Z MD193 Z MD 193Z MD S20090101 A MDS20090101 A MD S20090101A MD S20090101 A MDS20090101 A MD S20090101A MD 193 Z MD193 Z MD 193Z
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
polysulphide
obtaining
film
semiconductors
drying
Prior art date
Application number
MDS20090101A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Inventor
Василе ЖИТАРЬ
Владимир ПАВЛЕНКО
Original Assignee
Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы filed Critical Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Priority to MDS20090101A priority Critical patent/MD193Z/ru
Publication of MD193Y publication Critical patent/MD193Y/xx
Publication of MD193Z publication Critical patent/MD193Z/ru

Links

Abstract

Изобретение относится к способам получения полупроводников, в частности к способу получения полисульфидных полупроводников.Способ, согласно изобретению, включает обработку подложки водой, её сушку при температуре 373 К, смешивание полисульфидного порошкообразного легированного соединения ZnxIn2S3+x (x = 1, 2, 3, 5) с водой, нанесение образовавшейся взвеси на подложку, сушку полученной плёнки и последующую её термическую обработку при условиях T·t = (6…9)·103 градус·ч, где:T - температура,t - время обработки.
MDS20090101A 2009-06-04 2009-06-04 Способ получения полисульфидной плёнки MD193Z (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20090101A MD193Z (ru) 2009-06-04 2009-06-04 Способ получения полисульфидной плёнки

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20090101A MD193Z (ru) 2009-06-04 2009-06-04 Способ получения полисульфидной плёнки

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD193Y MD193Y (en) 2010-04-30
MD193Z true MD193Z (ru) 2010-11-30

Family

ID=43569610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDS20090101A MD193Z (ru) 2009-06-04 2009-06-04 Способ получения полисульфидной плёнки

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD193Z (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD299Z (ru) * 2010-03-03 2011-10-31 Ирина КЯН Способ демонстрации рекламно-развлекательной информации в салоне транспортного средства и устройство для его осуществления

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD975C2 (ru) * 1997-12-18 1998-10-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения тонких пленок на основе стеклообразного сульфида мышьяка
MD1497G2 (ru) * 1999-05-24 2001-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Фотоэлектрохимическая солнечная батарея
MD1792G2 (ru) * 2000-12-18 2002-05-31 Государственный Университет Молд0 Способ изготовления слоев сульфида кадмия
MD2245G2 (ru) * 2003-01-21 2004-02-29 Государственный Университет Молд0 Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников
MD2556G2 (ru) * 2004-06-01 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых наноструктур
MD2536G2 (ru) * 2004-04-28 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых пористых структур
MD2585G2 (ru) * 2004-06-01 2005-05-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых наноструктур
MD2562G2 (ru) * 2002-02-13 2005-05-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидных пленок
MD2610G2 (ru) * 2004-04-28 2005-06-30 Ион ТИГИНЯНУ Спocоб получения пористой поверхности полупроводника
MD2714G2 (ru) * 2004-10-19 2005-10-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения пористых полупроводниковых структур
MD2805G2 (ru) * 2004-03-26 2006-02-28 Государственный Университет Молд0 Состав для получения тонких пленок двуокиси олова
MD2982G2 (ru) * 2005-08-10 2006-10-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Cпособ получения полупроводниковых наноструктур
MD3174G2 (ru) * 2006-01-05 2007-05-31 Центр Оптоэлектроники Института Прикладной Физики Академии Наук Республики Молдова Фоточувствительный композит из аморфного халькогенидного полупроводника и органического полимера
MD3327G2 (ru) * 2006-09-27 2007-12-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения фоточувствительного композита из аморфного халькогенидного полупроводника и органического полимера
MD4010F2 (en) * 2007-12-12 2010-01-29 Universitatea Tehnica A Moldovei Method for obtaining thin films of oxide semiconductors of In2O3
  • 2009

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD975C2 (ru) * 1997-12-18 1998-10-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения тонких пленок на основе стеклообразного сульфида мышьяка
MD1497G2 (ru) * 1999-05-24 2001-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Фотоэлектрохимическая солнечная батарея
MD1792G2 (ru) * 2000-12-18 2002-05-31 Государственный Университет Молд0 Способ изготовления слоев сульфида кадмия
MD2562G2 (ru) * 2002-02-13 2005-05-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидных пленок
MD2245G2 (ru) * 2003-01-21 2004-02-29 Государственный Университет Молд0 Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников
MD2805G2 (ru) * 2004-03-26 2006-02-28 Государственный Университет Молд0 Состав для получения тонких пленок двуокиси олова
MD2610G2 (ru) * 2004-04-28 2005-06-30 Ион ТИГИНЯНУ Спocоб получения пористой поверхности полупроводника
MD2536G2 (ru) * 2004-04-28 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых пористых структур
MD2585G2 (ru) * 2004-06-01 2005-05-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых наноструктур
MD2556G2 (ru) * 2004-06-01 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых наноструктур
MD2714G2 (ru) * 2004-10-19 2005-10-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения пористых полупроводниковых структур
MD2982G2 (ru) * 2005-08-10 2006-10-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Cпособ получения полупроводниковых наноструктур
MD3174G2 (ru) * 2006-01-05 2007-05-31 Центр Оптоэлектроники Института Прикладной Физики Академии Наук Республики Молдова Фоточувствительный композит из аморфного халькогенидного полупроводника и органического полимера
MD3327G2 (ru) * 2006-09-27 2007-12-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения фоточувствительного композита из аморфного халькогенидного полупроводника и органического полимера
MD4010F2 (en) * 2007-12-12 2010-01-29 Universitatea Tehnica A Moldovei Method for obtaining thin films of oxide semiconductors of In2O3

Also Published As

Publication number Publication date
MD193Y (en) 2010-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BRPI0909305A2 (pt) Processo e sistema de depósito de um metal ou metaloide sobre nanotubos de carbono
TW201612179A (en) A process for preparing a crystalline organic semiconductor material
WO2007116001A3 (de) Flüssig-kristalline rylentetracarbonsäurederivate und deren verwendung
EP2557205A4 (en) PROCESS FOR PREPARING AN EPITACTIC SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND EPITACTIC SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE PRODUCED IN THIS METHOD
EP2230332A4 (en) SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE BLOCK AND SUBSTRATE AND EPITAXIAL WAFERS MADE FROM THE SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE BLOCK
EA201100568A1 (ru) Способ получения карбида кремния высокой чистоты из углеводородов и оксида кремния с помощью прокаливания
WO2012002995A3 (en) Thin films and methods of making them using cyclohexasilane
WO2011025285A3 (en) System and method for manufacturing silicon carbide pulverulent body
MA33778B1 (fr) Marquage modifié à base de polymères cristaux liquides chiraux
SG179158A1 (en) Composition and method for polishing bulk silicon
TW200704589A (en) Process for the production of hydrochlorosilanes
WO2011007287A3 (en) Method for drying a semiconductor wafer
EP3061845A3 (en) Metal organic chemical vapor deposition apparatus for solar cell
WO2015104721A3 (en) An improved process for the preparation of tranexamic acid
SA112330696B1 (ar) مادة ذات أساس زجاجي مستخدمة للخلايا الشمسية
NZ609295A (en) Method for treating semiconductor substrates and a semiconductor substrate
MY162994A (en) Composition and method for polishing bulk silicon
MY161427A (en) Method for producing silicon layers
MY157133A (en) Silicon containing halogenide, method for producing the same, and use of the same
MY180243A (en) Making semiconductor bodies from molten material using a free-standing interposer sheet
MD193Z (ru) Способ получения полисульфидной плёнки
MD151Z (ru) Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе
MD4280C1 (ru) Способ роста структуры pInP-nCdS
WO2011057947A3 (en) Method for producing silicon
WO2013102731A3 (fr) Procédé de production à basse température de nanostructures semi-conductrices à jonction radiale, dispositif a jonction radiale et cellule solaire comprenant des nanostructures à jonction radiale

Legal Events

Date Code Title Description
KA4Y Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)