MD193Z - Способ получения полисульфидной плёнки - Google Patents
Способ получения полисульфидной плёнки Download PDFInfo
- Publication number
- MD193Z MD193Z MDS20090101A MDS20090101A MD193Z MD 193 Z MD193 Z MD 193Z MD S20090101 A MDS20090101 A MD S20090101A MD S20090101 A MDS20090101 A MD S20090101A MD 193 Z MD193 Z MD 193Z
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- polysulphide
- obtaining
- film
- semiconductors
- drying
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 4
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 title abstract 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 abstract 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 1
Abstract
Изобретение относится к способам получения полупроводников, в частности к способу получения полисульфидных полупроводников.Способ, согласно изобретению, включает обработку подложки водой, её сушку при температуре 373 К, смешивание полисульфидного порошкообразного легированного соединения ZnxIn2S3+x (x = 1, 2, 3, 5) с водой, нанесение образовавшейся взвеси на подложку, сушку полученной плёнки и последующую её термическую обработку при условиях T·t = (6…9)·103 градус·ч, где:T - температура,t - время обработки.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20090101A MD193Z (ru) | 2009-06-04 | 2009-06-04 | Способ получения полисульфидной плёнки |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20090101A MD193Z (ru) | 2009-06-04 | 2009-06-04 | Способ получения полисульфидной плёнки |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD193Y MD193Y (ro) | 2010-04-30 |
| MD193Z true MD193Z (ru) | 2010-11-30 |
Family
ID=43569610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20090101A MD193Z (ru) | 2009-06-04 | 2009-06-04 | Способ получения полисульфидной плёнки |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD193Z (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD299Z (ru) * | 2010-03-03 | 2011-10-31 | Ирина КЯН | Способ демонстрации рекламно-развлекательной информации в салоне транспортного средства и устройство для его осуществления |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD975C2 (ru) * | 1997-12-18 | 1998-10-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения тонких пленок на основе стеклообразного сульфида мышьяка |
| MD1497G2 (ru) * | 1999-05-24 | 2001-03-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Фотоэлектрохимическая солнечная батарея |
| MD1792G2 (ru) * | 2000-12-18 | 2002-05-31 | Государственный Университет Молд0 | Способ изготовления слоев сульфида кадмия |
| MD2245G2 (ru) * | 2003-01-21 | 2004-02-29 | Государственный Университет Молд0 | Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников |
| MD2556G2 (ru) * | 2004-06-01 | 2005-03-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Способ получения полупроводниковых наноструктур |
| MD2536G2 (ru) * | 2004-04-28 | 2005-03-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Способ получения полупроводниковых пористых структур |
| MD2585G2 (ru) * | 2004-06-01 | 2005-05-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Способ получения полупроводниковых наноструктур |
| MD2562G2 (ru) * | 2002-02-13 | 2005-05-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения полисульфидных пленок |
| MD2610G2 (ru) * | 2004-04-28 | 2005-06-30 | Ион ТИГИНЯНУ | Спocоб получения пористой поверхности полупроводника |
| MD2714G2 (ru) * | 2004-10-19 | 2005-10-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Способ получения пористых полупроводниковых структур |
| MD2805G2 (ru) * | 2004-03-26 | 2006-02-28 | Государственный Университет Молд0 | Состав для получения тонких пленок двуокиси олова |
| MD2982G2 (ru) * | 2005-08-10 | 2006-10-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Cпособ получения полупроводниковых наноструктур |
| MD3174G2 (ru) * | 2006-01-05 | 2007-05-31 | Центр Оптоэлектроники Института Прикладной Физики Академии Наук Республики Молдова | Фоточувствительный композит из аморфного халькогенидного полупроводника и органического полимера |
| MD3327G2 (ru) * | 2006-09-27 | 2007-12-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения фоточувствительного композита из аморфного халькогенидного полупроводника и органического полимера |
| MD4010F2 (en) * | 2007-12-12 | 2010-01-29 | Universitatea Tehnica A Moldovei | Method for obtaining thin films of oxide semiconductors of In2O3 |
-
2009
- 2009-06-04 MD MDS20090101A patent/MD193Z/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD975C2 (ru) * | 1997-12-18 | 1998-10-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения тонких пленок на основе стеклообразного сульфида мышьяка |
| MD1497G2 (ru) * | 1999-05-24 | 2001-03-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Фотоэлектрохимическая солнечная батарея |
| MD1792G2 (ru) * | 2000-12-18 | 2002-05-31 | Государственный Университет Молд0 | Способ изготовления слоев сульфида кадмия |
| MD2562G2 (ru) * | 2002-02-13 | 2005-05-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения полисульфидных пленок |
| MD2245G2 (ru) * | 2003-01-21 | 2004-02-29 | Государственный Университет Молд0 | Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников |
| MD2805G2 (ru) * | 2004-03-26 | 2006-02-28 | Государственный Университет Молд0 | Состав для получения тонких пленок двуокиси олова |
| MD2610G2 (ru) * | 2004-04-28 | 2005-06-30 | Ион ТИГИНЯНУ | Спocоб получения пористой поверхности полупроводника |
| MD2536G2 (ru) * | 2004-04-28 | 2005-03-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Способ получения полупроводниковых пористых структур |
| MD2585G2 (ru) * | 2004-06-01 | 2005-05-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Способ получения полупроводниковых наноструктур |
| MD2556G2 (ru) * | 2004-06-01 | 2005-03-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Способ получения полупроводниковых наноструктур |
| MD2714G2 (ru) * | 2004-10-19 | 2005-10-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Способ получения пористых полупроводниковых структур |
| MD2982G2 (ru) * | 2005-08-10 | 2006-10-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Cпособ получения полупроводниковых наноструктур |
| MD3174G2 (ru) * | 2006-01-05 | 2007-05-31 | Центр Оптоэлектроники Института Прикладной Физики Академии Наук Республики Молдова | Фоточувствительный композит из аморфного халькогенидного полупроводника и органического полимера |
| MD3327G2 (ru) * | 2006-09-27 | 2007-12-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения фоточувствительного композита из аморфного халькогенидного полупроводника и органического полимера |
| MD4010F2 (en) * | 2007-12-12 | 2010-01-29 | Universitatea Tehnica A Moldovei | Method for obtaining thin films of oxide semiconductors of In2O3 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD193Y (ro) | 2010-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PL391416A1 (pl) | Sposób wytwarzania grafenu | |
| BRPI0909305A2 (pt) | Processo e sistema de depósito de um metal ou metaloide sobre nanotubos de carbono | |
| EA201100568A1 (ru) | Способ получения карбида кремния высокой чистоты из углеводородов и оксида кремния с помощью прокаливания | |
| WO2012008789A3 (ko) | 그래핀의 저온 제조 방법, 및 이를 이용한 그래핀 직접 전사 방법 및 그래핀 시트 | |
| WO2012002995A3 (en) | Thin films and methods of making them using cyclohexasilane | |
| WO2011025285A3 (en) | System and method for manufacturing silicon carbide pulverulent body | |
| NZ709247A (en) | Controlled release compositions and methods of using | |
| WO2010076791A3 (en) | Luminescent solar concentrator | |
| SG179158A1 (en) | Composition and method for polishing bulk silicon | |
| WO2013061047A3 (en) | Silicon carbide epitaxy | |
| WO2009095764A8 (en) | Method for growing p-type sic semiconductor single crystal and p-type sic semiconductor single crystal | |
| JP2015079946A5 (ru) | ||
| MY180243A (en) | Making semiconductor bodies from molten material using a free-standing interposer sheet | |
| WO2011007287A3 (en) | Method for drying a semiconductor wafer | |
| MA47381A (fr) | Procédés et micro-organismes de fabrication de 2,3-butanediol et ses dérivés à partir de composés carbonés en c1 | |
| MY162994A (en) | Composition and method for polishing bulk silicon | |
| TW200704589A (en) | Process for the production of hydrochlorosilanes | |
| MY152285A (en) | Ceramic paddle | |
| MY161427A (en) | Method for producing silicon layers | |
| MD193Z (ru) | Способ получения полисульфидной плёнки | |
| MY157133A (en) | Silicon containing halogenide, method for producing the same, and use of the same | |
| WO2009029540A3 (en) | Chemical production processes, systems, and catalyst compositions | |
| PH12017500904A1 (en) | Method for producing doped polycrystalline semiconductor layers | |
| WO2011052987A3 (ko) | 식각액 조성물 | |
| GB2498854B (en) | Semiconductor substrates using bandgap material between III-V channel material and insulator layer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| KA4Y | Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |