MD2562G2 - Способ получения полисульфидных пленок - Google Patents
Способ получения полисульфидных пленокInfo
- Publication number
- MD2562G2 MD2562G2 MDA20020071A MD20020071A MD2562G2 MD 2562 G2 MD2562 G2 MD 2562G2 MD A20020071 A MDA20020071 A MD A20020071A MD 20020071 A MD20020071 A MD 20020071A MD 2562 G2 MD2562 G2 MD 2562G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- polysulphide
- treatment
- support
- sulphidic
- temperature
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронике, в частности к технологии полупроводников.Способ получения полисульфидных пленок включает нанесение сульфидных соединений на подложку и последующую термообработку. Новизна заключается в том, что подложку предварительно обрабатывают раствором ZnCl2, высушивают при температуре 373 K, сульфидное соединение ZnxIn2S3+x (x = 1, 2, 3, 5) смешивают с раствором ZnCl2, а термообработку проводят при условии T·t = (6,3 - 8,5)103 град·час, гдеТ - температура обработки;t - время обработки.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
MDA20020071A MD2562G2 (ru) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | Способ получения полисульфидных пленок |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
MDA20020071A MD2562G2 (ru) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | Способ получения полисульфидных пленок |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
MD20020071A MD20020071A (en) | 2003-12-31 |
MD2562F2 MD2562F2 (en) | 2004-09-30 |
MD2562G2 true MD2562G2 (ru) | 2005-05-31 |
Family
ID=32026170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
MDA20020071A MD2562G2 (ru) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | Способ получения полисульфидных пленок |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
MD (1) | MD2562G2 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD193Z (ru) * | 2009-06-04 | 2010-11-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения полисульфидной плёнки |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD1497G2 (ru) * | 1999-05-24 | 2001-03-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Фотоэлектрохимическая солнечная батарея |
-
2002
- 2002-02-13 MD MDA20020071A patent/MD2562G2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD1497G2 (ru) * | 1999-05-24 | 2001-03-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Фотоэлектрохимическая солнечная батарея |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
A., Sprincean A., Ţiuleanu I. Celulă solară fotoelectrochimică. Brevet nr.1497, Bopi, nr. 6, AGEPI, 2000. * |
В.Ф., Молдовян Н.А., Радауцан С.И., райлян В.Я. Детектор ультрафиолетого излучения. Авт.св.СССР №730226, 1979 г. * |
Кобзаренко В. Н., Доника Ф.Г., Житарь В. Ф., Радауцан С.И. Высокоомные фоточувствительные пленки ZnIn2S4. ДАН СССР, 235, 1977 с. 1297 - 1299 * |
Молдовян Н.А., Циуляну И.И., Радауцан С.И., Житарь В.Ф., Райлян В.Я. Способ изготовления фотоприемника ультрафиолетового излучения. Авт. Св. СССР №1378717, 1987. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD193Z (ru) * | 2009-06-04 | 2010-11-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения полисульфидной плёнки |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MD2562F2 (en) | 2004-09-30 |
MD20020071A (en) | 2003-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW328631B (en) | Susceptor, apparatus of heat-treating semiconductor wafer, and method of heat-treating the same | |
DE69434773D1 (de) | Vorrichtung zur schnellen thermischen Behandlung zur Herstellung von Halbleiterwafern | |
WO2003009346A3 (en) | Processing system | |
EP1453083A4 (en) | INSULATING FILM NITRIDING PROCESS, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND SURFACE TREATING DEVICE AND METHOD | |
TW200604394A (en) | Group III nitride crystal substrate and its manufacturing method, and group III nitride semiconductor device | |
TW200704834A (en) | Silicon wafer and manufacturing method for same | |
SG136030A1 (en) | Method for manufacturing compound material wafers and method for recycling a used donor substrate | |
NO20005315L (no) | Arsenikksulfidforbindelser og derivater derav til behandlingen av maligniteter | |
EP1434272A4 (en) | PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES | |
TW200604131A (en) | Method for purifying silicon carbide coated structures | |
TW200725742A (en) | Annealed wafer and manufacturing method of annealed wafer | |
HK1035748A1 (en) | High purity gallium for preparation of compound semiconductor, and apparatus for purifying the same | |
EP0390672A3 (en) | Method for heat process of silicon | |
MD2562G2 (ru) | Способ получения полисульфидных пленок | |
JPS6437028A (en) | Manufacture of semiconductor element | |
SG83159A1 (en) | Process for the wet chemical treatment of semiconductor wafers | |
JPS5771137A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
SG120893A1 (en) | Process and apparatus for heat-treating ii-vi compound semiconductors and semiconductor heat-treatedby the process | |
JPS52139373A (en) | Treating method for compound semiconductor | |
CY1109586T1 (el) | Επεξεργασια λιγνοκυτταρινουχων υποστρωματων με οζον | |
GB2008084A (en) | Improvements in or relating to the growth of semiconductor compounds | |
JPS5375862A (en) | Surface stabilization method of semiconductor | |
JPS53108373A (en) | Manufacture for semiconductor device | |
JPS5362476A (en) | Processing method of semiconductor surface | |
JPS522273A (en) | Method of treating semiconductor substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |