MD2245G2 - Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников - Google Patents

Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников Download PDF

Info

Publication number
MD2245G2
MD2245G2 MDA20030019A MD20030019A MD2245G2 MD 2245 G2 MD2245 G2 MD 2245G2 MD A20030019 A MDA20030019 A MD A20030019A MD 20030019 A MD20030019 A MD 20030019A MD 2245 G2 MD2245 G2 MD 2245G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
thin layers
obtaining
onto
semiconductor
pulverization
Prior art date
Application number
MDA20030019A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD2245F1 (en
Inventor
Алексей СИМАШКЕВИЧ
Дормидонт ШЕРБАН
Андрей КОВАЛ
Юрие КУЧИНСКИ
Леонид БРУК
Владимир ФЁДОРОВ
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MDA20030019A priority Critical patent/MD2245G2/ru
Publication of MD2245F1 publication Critical patent/MD2245F1/xx
Publication of MD2245G2 publication Critical patent/MD2245G2/ru

Links

Landscapes

  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области полупроводниковой физики и может быть использовано для получения тонких полупроводниковых слоев, в частности тонких слоев оксидных полупроводников.Сущность изобретения состоит в том, что способ включает предварительное получение гидролитическим путем водной суспензии полупроводникового оксида и пульверизацию ее на нагретую подложку. Пульверизацию осуществляют в электрической печи, с применением кислорода в качестве газа-распылителя, причем осаждение суспензии осуществляют на подложку, расположенную на вращающемся основании, при одновременном отводе воздуха из печи.Результат изобретения состоит в получении однородных по толщине тонких слоев с идентичными электрическими и оптическими параметрами по всей поверхности.
MDA20030019A 2003-01-21 2003-01-21 Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников MD2245G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20030019A MD2245G2 (ru) 2003-01-21 2003-01-21 Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20030019A MD2245G2 (ru) 2003-01-21 2003-01-21 Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD2245F1 MD2245F1 (en) 2003-08-31
MD2245G2 true MD2245G2 (ru) 2004-02-29

Family

ID=29268035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20030019A MD2245G2 (ru) 2003-01-21 2003-01-21 Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD2245G2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
S.M. Rossnagel. Depozition and redeposition in magnetrons. J. Vac. Sci. Tehcnology, A 6, 1988, p.3055 *
W. Badawy, F. Decker, K. Doblhofer. Preparation and properties of Si/SnO2 heterojunctions. Solar Energy Materials, 8, 1983, p. 363-369 *
W. Badawy, F. Decker, K. Doblhofer. Preparation and properties of Si/SnO2 heterojunctions. Solar Energy Materials, 8, 1983, p. 363-369. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки

Also Published As

Publication number Publication date
MD2245F1 (en) 2003-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI356101B (ru)
JP6290544B2 (ja) 二酸化珪素フィルムを付着させる方法
TW200830942A (en) Contamination reducing liner for inductively coupled chamber
CN102978586A (zh) 成膜装置和成膜方法
JP2010537867A5 (ru)
CN101814428A (zh) 经外延涂覆的硅晶片的制造方法
KR20080085764A (ko) 플라즈마 처리 장치내 구조체 및 플라즈마 처리 장치
TW201243982A (en) A grounding assembly for vacuum processing apparatus
WO2020046547A1 (en) Oxide removal from titanium nitride surfaces
US20030080333A1 (en) Method for cleaning a ceramic member for use in a system for producing semiconductors, a cleaning agent and a combination of cleaning agents
MY122888A (en) Carbon doped oxide deposition
CN109477207A (zh) 溅射喷淋头
KR100212906B1 (ko) 산화물박막의 제조방법 및 그것에 사용되는 화학증착장치
CN102931056A (zh) 表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置
TW200703505A (en) Manufacturing method of gate insulating film and of semiconductor device
CN1897784A (zh) 通过粗糙化基座减少静电放电
MD2245G2 (ru) Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников
JP4850762B2 (ja) 成膜方法
MY200099A (en) Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide
TW200721353A (en) Electrostatic chuck, thin film manufacturing apparatus having the same, thin film manufacturing method, and substrate surface treatment method
CN116804270A (zh) 二氧化硅薄膜的低温沉积方法及器件制备方法
JP4890313B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置
TWI275139B (en) Pre-cleaning method of substrate for semiconductor device
JPH046826A (ja) 熱処理装置
CN101289285A (zh) 等离子体加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees