MD2536G2 - Способ получения полупроводниковых пористых структур - Google Patents

Способ получения полупроводниковых пористых структур Download PDF

Info

Publication number
MD2536G2
MD2536G2 MDA20040098A MD20040098A MD2536G2 MD 2536 G2 MD2536 G2 MD 2536G2 MD A20040098 A MDA20040098 A MD A20040098A MD 20040098 A MD20040098 A MD 20040098A MD 2536 G2 MD2536 G2 MD 2536G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
onto
mask
semiconductor structures
porous semiconductor
obtaining porous
Prior art date
Application number
MDA20040098A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD2536F1 (en
Inventor
Ион ТИГИНЯНУ
Лилиан СЫРБУ
Ала КОЖОКАРУ
Вячеслав УРСАКИ
Original Assignee
Ион ТИГИНЯНУ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ион ТИГИНЯНУ filed Critical Ион ТИГИНЯНУ
Priority to MDA20040098A priority Critical patent/MD2536G2/ru
Publication of MD2536F1 publication Critical patent/MD2536F1/xx
Publication of MD2536G2 publication Critical patent/MD2536G2/ru

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии производства полупроводников, в частности, к способам получения полупроводниковых пористых структур.Способ получения полупроводниковых пористых структур заключается в том, что на поверхность полупроводника наносят маску, на непокрытые участки имплантируют ионы высокой энергии, затем маску удаляют, а поверхность полупроводника подвергают электрохимическому травлению. Новизна состоит в том, что перед травлением повторно наносят маску только на участки, имплантированные ионами, а на непокрытые участки имплантируют ионы высокой энергии, отличной от предыдущей, и удаляют маску.
MDA20040098A 2004-04-28 2004-04-28 Способ получения полупроводниковых пористых структур MD2536G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20040098A MD2536G2 (ru) 2004-04-28 2004-04-28 Способ получения полупроводниковых пористых структур

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20040098A MD2536G2 (ru) 2004-04-28 2004-04-28 Способ получения полупроводниковых пористых структур

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD2536F1 MD2536F1 (en) 2004-08-31
MD2536G2 true MD2536G2 (ru) 2005-03-31

Family

ID=32906668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20040098A MD2536G2 (ru) 2004-04-28 2004-04-28 Способ получения полупроводниковых пористых структур

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD2536G2 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD2714G2 (ru) * 2004-10-19 2005-10-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения пористых полупроводниковых структур
MD2982G2 (ru) * 2005-08-10 2006-10-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Cпособ получения полупроводниковых наноструктур
MD3811G2 (ru) * 2007-11-06 2009-08-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6518601B2 (en) * 2000-11-14 2003-02-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Light-emitting diode

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6518601B2 (en) * 2000-11-14 2003-02-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Light-emitting diode

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD2714G2 (ru) * 2004-10-19 2005-10-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения пористых полупроводниковых структур
MD2982G2 (ru) * 2005-08-10 2006-10-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Cпособ получения полупроводниковых наноструктур
MD3811G2 (ru) * 2007-11-06 2009-08-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки

Also Published As

Publication number Publication date
MD2536F1 (en) 2004-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200520095A (en) Method and equipment of forming film
WO2010090693A3 (en) Ion implanted substrate having capping layer and method
EA200601293A1 (ru) Композиционная мембрана из палладия или сплава палладия и способ её изготовления
TW200603342A (en) Technique for creating different mechanical stress in different channel regions by forming an etch stop layer having differently modified intrinsic stress
DE112004002879A5 (de) Verfahren zur Behandlung von Substratoberflächen
WO2008096160A3 (en) An article and a method of surface treatment of an article
WO2007097949A3 (en) Method and apparatus for forming porous metal implants
EP2015355A3 (en) Methods of manufacturing semiconductor structures with air dielectric
TW200802704A (en) Method of fabricating a precision buried resistor
SG136030A1 (en) Method for manufacturing compound material wafers and method for recycling a used donor substrate
WO2009089095A3 (en) Surface alloyed medical implant
TW200608469A (en) Lithographic mask and manufacturing method threof
TW200943409A (en) Substrate treating method and substrate treated thereby
TW200733868A (en) Method for preparing conductive pattern and conductive pattern prepared by the method
TW200943002A (en) Production method for semiconductor device
DE60336410D1 (de) Verfahren zur herstellung von abtrennbaren substraten
TWI265204B (en) Method for coating substrates in inline installations
MD2536G2 (ru) Способ получения полупроводниковых пористых структур
ATE547542T1 (de) Implantat und verfahren zu dessen herstellung insbesondere dessen oberflächenmodifikation
EP1400853A4 (en) CHEMICAL AMPLIFIER TYPE POSITIVE RESERVE COMPOSITION, RESERVE COATED MATERIAL, RESERVE PATTERN FORMING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
AU2003256483A8 (en) Methods of electrochemically treating semiconductor substrates, and methods of forming capacitor constructions
FR2878535B1 (fr) Procede de realisation d'un substrat demontable
CY1112119T1 (el) Μεθοδος για πατιναρισμα χαλκου
MD2714F1 (en) Process for obtaining porous semiconductor structures
TWI268550B (en) Decreasing metal-silicide oxidation during wafer queue time description

Legal Events

Date Code Title Description
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees