MD193Y - Procedeu de obtinere a peliculei polisulfidice - Google Patents

Procedeu de obtinere a peliculei polisulfidice Download PDF

Info

Publication number
MD193Y
MD193Y MDS20090101A MDS20090101A MD193Y MD 193 Y MD193 Y MD 193Y MD S20090101 A MDS20090101 A MD S20090101A MD S20090101 A MDS20090101 A MD S20090101A MD 193 Y MD193 Y MD 193Y
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
obtaining
film
support
temperature
water
Prior art date
Application number
MDS20090101A
Other languages
English (en)
Inventor
Vasile Jitari
Vladimir Pavlenco
Original Assignee
Institutul De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Moldovei
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institutul De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Moldovei filed Critical Institutul De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Moldovei
Priority to MDS20090101A priority Critical patent/MD193Z/ro
Publication of MD193Y publication Critical patent/MD193Y/ro
Publication of MD193Z publication Critical patent/MD193Z/ro

Links

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

Inventia se refera la procedeele de obtinere a semiconductoarelor, in particular la un procedeu de obtinere a semiconductoarelor polisulfidice. Procedeul, conform inventiei, include prelucrarea unui suport cu apa, uscarea lui la temperatura de 373 K, amestecarea compusului polisulfidic pulverulent dopat ZnxIn2S3+x (x = 1, 2, 3, 5) cu apa, depunerea suspensiei formate pe suport, uscarea peliculei obtinute si prelucrarea termica ulterioara a ei in conditiile T·t = (6…9)·103 grad·h, unde:T - temperatura,t - timpul de prelucrare.

Description

Invenţia se referă la procedeele de obţinere a semiconductoarelor, în particular la un procedeu de obţinere a semiconductoarelor polisulfidice.
Este cunoscută o celulă solară fotoelectrochimică, care include un fotoelectrod executat din semiconductor de tip n ZnIn2S4 şi un contraelectrod, ambii amplasaţi în soluţie de electrolit de Na2S4-Na2S2 [1].
Dezavantajul celulei menţionate constă în stabilitatea ei scăzută, fapt ce reduce timpul de exploatare a acesteia.
Cea mai apropiată soluţie este un procedeu de obţinere a peliculelor de polisulfuri, care include depunerea compusului sulfidic pulverulent ZnxIn2 S3+x amestecat cu ZnCl2 pe un suport prelucrat preliminar cu o soluţie de ZnCl2 şi uscat la temperatura de 373 K, cu prelucrarea termică ulterioară a peliculei obţinute în condiţiile reprezentate prin relaţia T · t = (6,3…8,5)103 grad·h, unde T şi t reprezintă temperatura şi timpul prelucrării, respectiv [2].
Dezavantajul acestui procedeu constă în faptul că se foloseşte soluţia de ZnCl2 care schimbă raportul zincului în peliculele obţinute faţă de alte elemente, fapt ce influenţează proprietăţile semiconductoare ale peliculelor.
Problema pe care o rezolvă invenţia constă în obţinerea unei pelicule cu o compoziţie constantă, o repartizare uniformă a stratului, dispunând de proprietăţi semiconductoare sporite.
Procedeul, conform invenţiei, include prelucrarea unui suport cu apă, uscarea lui la temperatura de 373 K, amestecarea compusului polisulfidic pulverulent dopat ZnxIn2S3+x (x = 1, 2, 3, 5) cu apă, depunerea suspensiei formate pe suport, uscarea peliculei obţinute şi prelucrarea ei termică ulterioară în condiţiile T·t = (6…9)·103 grad·h, unde:
T - temperatura,
t - timpul de prelucrare.
Rezultatul invenţiei constă în obţinerea unei pelicule cu o compoziţie constantă, o fotoluminescenţă şi fotoconductibilitate înaltă.
Exemplu de realizare
Compusul polisulfidic ZnIn2S4 este un material cu o fotoluminescenţă intensă în domeniul roşu al spectrului, din care pot fi confecţionate diverse dispozitive, de exemplu, lasere, displayuri şi altele.
Suportul ales se prelucrează cu apă, se usucă la temperatura 373 K şi se amplasează pe fundul vasului. Compusul polisulfidic ZnxIn2S3+x (unde x = 1,2,3,5) pulverulent se amestecă cu apă, iar suspensia formată se depune pe suport. Cantitatea compusului polisulfidic determină grosimea peliculei. Pelicula depusă se lasă timp de o oră la temperatura camerei, după care se efectuează prelucrarea ei termică în condiţiile cuprinse în relaţia T·t = (6…9)·103 grad·h. Experienţele s-au efectuat folosind compusul polisulfidic ZnIn2S4, dopat cu mangan sau cupru. Rezultatele măsurărilor sunt prezentate în tabel.
Dopant, concentraţie, atomi/cm-3 Semilăţime, eV Maximum absorbţie, nm Interval spectru, nm Cu, 1,2x1019 0,40 675 650…750 Cu, 1,9x102° 0,40 685 640…750 Mn, 1,2x1019 0,38 672 650…740
Componenţa chimică şi omogenitatea peliculei obţinute a fost verificată cu ajutorul analizei roentgenostructurale şi microanalizei cu microsondă electronică. În urma verificării s-a constatat că componenţa chimică a peliculei este identică cu cea a compusului polisulfidic iniţial, iar pelicula obţinută este omogenă pe toată suprafaţa. Intensitatea fotoluminiscenţei este puţin mai mică faţă de varianta de control, iar iradierea se efectuează pe o grosime de 1…5 µm.
1. MD 1497 G2 2000.06.30
2. MD 2562 G2 2004.09.30

Claims (1)

  1. Procedeu de obţinere a peliculei polisulfidice, care include prelucrarea unui suport, uscarea lui la temperatura de 373 K, amestecarea compusului polisulfidic pulverulent dopat ZnxIn2S3+x (x = 1, 2, 3, 5) cu un solvent, depunerea suspensiei formate pe suport, uscarea peliculei obţinute şi prelucrarea termică ulterioară a ei, caracterizat prin aceea că suportul se prelucrează cu apă, compusul polisulfidic se amestecă cu apă, iar prelucrarea termică a peliculei se efectuează în condiţiile T·t = (6…9)·103 grad·h, unde:
    T - temperatura,
    t - timpul de prelucrare.
MDS20090101A 2009-06-04 2009-06-04 Procedeu de obţinere a peliculei polisulfidice MD193Z (ro)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20090101A MD193Z (ro) 2009-06-04 2009-06-04 Procedeu de obţinere a peliculei polisulfidice

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20090101A MD193Z (ro) 2009-06-04 2009-06-04 Procedeu de obţinere a peliculei polisulfidice

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD193Y true MD193Y (ro) 2010-04-30
MD193Z MD193Z (ro) 2010-11-30

Family

ID=43569610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDS20090101A MD193Z (ro) 2009-06-04 2009-06-04 Procedeu de obţinere a peliculei polisulfidice

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD193Z (ro)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD299Z (ro) * 2010-03-03 2011-10-31 Ирина КЯН Procedeu de demonstrare a informaţiei publicitare şi de divertisment în salonul mijlocului de transport şi dispozitiv de realizare a acestuia

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD975C2 (ro) * 1997-12-18 1998-10-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Metodă de obţinere a peliculelor subţiri pe bază de sulfură de arsen vitros
MD1497G2 (ro) * 1999-05-24 2001-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Celulă solară fotoelectrochimică
MD1792G2 (ro) * 2000-12-18 2002-05-31 Государственный Университет Молд0 Procedeu de preparare a straturilor de sulfură de cadmiu
MD2562G2 (ro) * 2002-02-13 2005-05-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Procedeu de obţinere a peliculelor de polisulfuri
MD2245G2 (ro) * 2003-01-21 2004-02-29 Государственный Университет Молд0 Procedeu de obţinere a straturilor subţiri de semiconductori oxidici
MD2805G2 (ro) * 2004-03-26 2006-02-28 Государственный Университет Молд0 Compoziţie pentru obţinerea peliculelor subţiri de dioxid de staniu
MD2536G2 (ro) * 2004-04-28 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Procedeu de obtinere a structurilor semiconductoare poroase
MD2610G2 (ro) * 2004-04-28 2005-06-30 Ион ТИГИНЯНУ Procedeu de obţinere a suprafeţei poroase a semiconductorului
MD2556G2 (ro) * 2004-06-01 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Procedeu de obtinere a nanostructurilor semiconductoare
MD2585G2 (ro) * 2004-06-01 2005-05-31 Ион ТИГИНЯНУ Procedeu de obţinere a nanostructurilor semiconductoare
MD2714G2 (ro) * 2004-10-19 2005-10-31 Ион ТИГИНЯНУ Procedeu de obtinere a structurilor semiconductoare poroase
MD2982G2 (ro) * 2005-08-10 2006-10-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Procedeu de obţinere a nanostructurilor semiconductoare
MD3174G2 (ro) * 2006-01-05 2007-05-31 Центр Оптоэлектроники Института Прикладной Физики Академии Наук Республики Молдова Compozit fotosensibil din semiconductor calcogenic amorf şi polimer organic
MD3327G2 (ro) * 2006-09-27 2007-12-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Procedeu de obţinere a compozitului fotosensibil din semiconductor calcogenic amorf şi polimer organic
MD4010G2 (ro) * 2007-12-12 2010-08-31 Технический университет Молдовы Procedeu de obţinere a peliculelor subţiri de semiconductoare oxidice de In2O3
  • 2009

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD299Z (ro) * 2010-03-03 2011-10-31 Ирина КЯН Procedeu de demonstrare a informaţiei publicitare şi de divertisment în salonul mijlocului de transport şi dispozitiv de realizare a acestuia

Also Published As

Publication number Publication date
MD193Z (ro) 2010-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chen et al. Environmentally benign synthesis of branched Bi 2 O 3–Bi 2 S 3 photocatalysts by an etching and re-growth method
Hossain et al. Controlled growth of Cu2O thin films by electrodeposition approach
Fang et al. Surface defects control for ZnO nanorods synthesized by quenching and their anti-recombination in photocatalysis
Wang et al. Structure, luminescence and photocatalytic activity of Mg-doped ZnO nanoparticles prepared by auto combustion method
Peng et al. Synthesis of one-dimensional WO 3–Bi 2 WO 6 heterojunctions with enhanced photocatalytic activity
Al-Salman et al. Electrodeposition of Ge, Si and Si x Ge 1− x from an air-and water-stable ionic liquid
Khan et al. Modifications in structural, morphological, optical and photocatalytic properties of ZnO: Mn nanoparticles by sol-gel protocol
Hu et al. Synthesis of a hierarchical BiOBr nanodots/Bi 2 WO 6 p–n heterostructure with enhanced photoinduced electric and photocatalytic degradation performance
Jo et al. Synthesis of GO supported Fe 2 O 3–TiO 2 nanocomposites for enhanced visible-light photocatalytic applications
Xia et al. Formation, structure and physical properties of a series of α-MoO 3 nanocrystals: From 3D to 1D and 2D
Xu et al. Facile synthesis and photocatalytic properties of ZnO core/ZnS–CdS solid solution shell nanorods grown vertically on reductive graphene oxide
Hwang et al. Investigation of chlorine-mediated microstructural evolution of CH3NH3PbI3 (Cl) grains for high optoelectronic responses
Sun et al. Fabrication of pyrite FeS2 thin films by sulfurizing oxide precursor films deposited via successive ionic layer adsorption and reaction method
Yuan et al. Fabrication of CuInS2 thin film by electrodeposition of Cu–In alloy
Jana et al. Photocatalytic activity of galvanically synthesized nanostructure SnO2 thin films
Babu et al. Photoelectrochemical water splitting properties of hydrothermally-grown ZnO nanorods with controlled diameters
Wang et al. Bifunctional AlN: Tb semiconductor with luminescence and photocatalytic properties
Al-Diabat et al. Growth of ZnS thin films using chemical spray pyrolysis technique
Inamdar et al. Metal-doped ZnS (O) thin films on glass substrates using chemical bath deposition
Wang et al. Facile one-pot synthesis of Cu 2 ZnSnS 4 quaternary nanoparticles using a microwave-assisted method
Niknia et al. Photocurrent properties of undoped and Pb-doped SnS nanostructures grown using electrodeposition method
Bu Sol–gel synthesis of ZnS (O, OH) thin films: Influence of precursor and process temperature on its optoelectronic properties
Cao et al. Improving photoelectrochemical performance by building Fe2O3 heterostructure on TiO2 nanorod arrays
Ruan et al. Simultaneous doping and growth of Sn-doped hematite nanocrystalline films with improved photoelectrochemical performance
Verma et al. Heat-up and gram-scale synthesis of Cu-poor CZTS nanocrystals with controllable compositions and shapes

Legal Events

Date Code Title Description
KA4Y Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)