MD193Y - Procedeu de obtinere a peliculei polisulfidice - Google Patents
Procedeu de obtinere a peliculei polisulfidice Download PDFInfo
- Publication number
- MD193Y MD193Y MDS20090101A MDS20090101A MD193Y MD 193 Y MD193 Y MD 193Y MD S20090101 A MDS20090101 A MD S20090101A MD S20090101 A MDS20090101 A MD S20090101A MD 193 Y MD193 Y MD 193Y
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- obtaining
- film
- support
- temperature
- water
- Prior art date
Links
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 3
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 3
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- -1 sulfide compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Inventia se refera la procedeele de obtinere a semiconductoarelor, in particular la un procedeu de obtinere a semiconductoarelor polisulfidice. Procedeul, conform inventiei, include prelucrarea unui suport cu apa, uscarea lui la temperatura de 373 K, amestecarea compusului polisulfidic pulverulent dopat ZnxIn2S3+x (x = 1, 2, 3, 5) cu apa, depunerea suspensiei formate pe suport, uscarea peliculei obtinute si prelucrarea termica ulterioara a ei in conditiile T·t = (6…9)·103 grad·h, unde:T - temperatura,t - timpul de prelucrare.
Description
Invenţia se referă la procedeele de obţinere a semiconductoarelor, în particular la un procedeu de obţinere a semiconductoarelor polisulfidice.
Este cunoscută o celulă solară fotoelectrochimică, care include un fotoelectrod executat din semiconductor de tip n ZnIn2S4 şi un contraelectrod, ambii amplasaţi în soluţie de electrolit de Na2S4-Na2S2 [1].
Dezavantajul celulei menţionate constă în stabilitatea ei scăzută, fapt ce reduce timpul de exploatare a acesteia.
Cea mai apropiată soluţie este un procedeu de obţinere a peliculelor de polisulfuri, care include depunerea compusului sulfidic pulverulent ZnxIn2 S3+x amestecat cu ZnCl2 pe un suport prelucrat preliminar cu o soluţie de ZnCl2 şi uscat la temperatura de 373 K, cu prelucrarea termică ulterioară a peliculei obţinute în condiţiile reprezentate prin relaţia T · t = (6,3…8,5)103 grad·h, unde T şi t reprezintă temperatura şi timpul prelucrării, respectiv [2].
Dezavantajul acestui procedeu constă în faptul că se foloseşte soluţia de ZnCl2 care schimbă raportul zincului în peliculele obţinute faţă de alte elemente, fapt ce influenţează proprietăţile semiconductoare ale peliculelor.
Problema pe care o rezolvă invenţia constă în obţinerea unei pelicule cu o compoziţie constantă, o repartizare uniformă a stratului, dispunând de proprietăţi semiconductoare sporite.
Procedeul, conform invenţiei, include prelucrarea unui suport cu apă, uscarea lui la temperatura de 373 K, amestecarea compusului polisulfidic pulverulent dopat ZnxIn2S3+x (x = 1, 2, 3, 5) cu apă, depunerea suspensiei formate pe suport, uscarea peliculei obţinute şi prelucrarea ei termică ulterioară în condiţiile T·t = (6…9)·103 grad·h, unde:
T - temperatura,
t - timpul de prelucrare.
Rezultatul invenţiei constă în obţinerea unei pelicule cu o compoziţie constantă, o fotoluminescenţă şi fotoconductibilitate înaltă.
Exemplu de realizare
Compusul polisulfidic ZnIn2S4 este un material cu o fotoluminescenţă intensă în domeniul roşu al spectrului, din care pot fi confecţionate diverse dispozitive, de exemplu, lasere, displayuri şi altele.
Suportul ales se prelucrează cu apă, se usucă la temperatura 373 K şi se amplasează pe fundul vasului. Compusul polisulfidic ZnxIn2S3+x (unde x = 1,2,3,5) pulverulent se amestecă cu apă, iar suspensia formată se depune pe suport. Cantitatea compusului polisulfidic determină grosimea peliculei. Pelicula depusă se lasă timp de o oră la temperatura camerei, după care se efectuează prelucrarea ei termică în condiţiile cuprinse în relaţia T·t = (6…9)·103 grad·h. Experienţele s-au efectuat folosind compusul polisulfidic ZnIn2S4, dopat cu mangan sau cupru. Rezultatele măsurărilor sunt prezentate în tabel.
Dopant, concentraţie, atomi/cm-3 Semilăţime, eV Maximum absorbţie, nm Interval spectru, nm Cu, 1,2x1019 0,40 675 650…750 Cu, 1,9x102° 0,40 685 640…750 Mn, 1,2x1019 0,38 672 650…740
Componenţa chimică şi omogenitatea peliculei obţinute a fost verificată cu ajutorul analizei roentgenostructurale şi microanalizei cu microsondă electronică. În urma verificării s-a constatat că componenţa chimică a peliculei este identică cu cea a compusului polisulfidic iniţial, iar pelicula obţinută este omogenă pe toată suprafaţa. Intensitatea fotoluminiscenţei este puţin mai mică faţă de varianta de control, iar iradierea se efectuează pe o grosime de 1…5 µm.
1. MD 1497 G2 2000.06.30
2. MD 2562 G2 2004.09.30
Claims (1)
- Procedeu de obţinere a peliculei polisulfidice, care include prelucrarea unui suport, uscarea lui la temperatura de 373 K, amestecarea compusului polisulfidic pulverulent dopat ZnxIn2S3+x (x = 1, 2, 3, 5) cu un solvent, depunerea suspensiei formate pe suport, uscarea peliculei obţinute şi prelucrarea termică ulterioară a ei, caracterizat prin aceea că suportul se prelucrează cu apă, compusul polisulfidic se amestecă cu apă, iar prelucrarea termică a peliculei se efectuează în condiţiile T·t = (6…9)·103 grad·h, unde:T - temperatura,t - timpul de prelucrare.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20090101A MD193Z (ro) | 2009-06-04 | 2009-06-04 | Procedeu de obţinere a peliculei polisulfidice |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20090101A MD193Z (ro) | 2009-06-04 | 2009-06-04 | Procedeu de obţinere a peliculei polisulfidice |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD193Y true MD193Y (ro) | 2010-04-30 |
| MD193Z MD193Z (ro) | 2010-11-30 |
Family
ID=43569610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20090101A MD193Z (ro) | 2009-06-04 | 2009-06-04 | Procedeu de obţinere a peliculei polisulfidice |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD193Z (ro) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD299Z (ro) * | 2010-03-03 | 2011-10-31 | Ирина КЯН | Procedeu de demonstrare a informaţiei publicitare şi de divertisment în salonul mijlocului de transport şi dispozitiv de realizare a acestuia |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD975C2 (ro) * | 1997-12-18 | 1998-10-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Metodă de obţinere a peliculelor subţiri pe bază de sulfură de arsen vitros |
| MD1497G2 (ro) * | 1999-05-24 | 2001-03-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Celulă solară fotoelectrochimică |
| MD1792G2 (ro) * | 2000-12-18 | 2002-05-31 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de preparare a straturilor de sulfură de cadmiu |
| MD2562G2 (ro) * | 2002-02-13 | 2005-05-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Procedeu de obţinere a peliculelor de polisulfuri |
| MD2245G2 (ro) * | 2003-01-21 | 2004-02-29 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de obţinere a straturilor subţiri de semiconductori oxidici |
| MD2805G2 (ro) * | 2004-03-26 | 2006-02-28 | Государственный Университет Молд0 | Compoziţie pentru obţinerea peliculelor subţiri de dioxid de staniu |
| MD2536G2 (ro) * | 2004-04-28 | 2005-03-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Procedeu de obtinere a structurilor semiconductoare poroase |
| MD2610G2 (ro) * | 2004-04-28 | 2005-06-30 | Ион ТИГИНЯНУ | Procedeu de obţinere a suprafeţei poroase a semiconductorului |
| MD2556G2 (ro) * | 2004-06-01 | 2005-03-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Procedeu de obtinere a nanostructurilor semiconductoare |
| MD2585G2 (ro) * | 2004-06-01 | 2005-05-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Procedeu de obţinere a nanostructurilor semiconductoare |
| MD2714G2 (ro) * | 2004-10-19 | 2005-10-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Procedeu de obtinere a structurilor semiconductoare poroase |
| MD2982G2 (ro) * | 2005-08-10 | 2006-10-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Procedeu de obţinere a nanostructurilor semiconductoare |
| MD3174G2 (ro) * | 2006-01-05 | 2007-05-31 | Центр Оптоэлектроники Института Прикладной Физики Академии Наук Республики Молдова | Compozit fotosensibil din semiconductor calcogenic amorf şi polimer organic |
| MD3327G2 (ro) * | 2006-09-27 | 2007-12-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Procedeu de obţinere a compozitului fotosensibil din semiconductor calcogenic amorf şi polimer organic |
| MD4010G2 (ro) * | 2007-12-12 | 2010-08-31 | Технический университет Молдовы | Procedeu de obţinere a peliculelor subţiri de semiconductoare oxidice de In2O3 |
-
2009
- 2009-06-04 MD MDS20090101A patent/MD193Z/ro not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD299Z (ro) * | 2010-03-03 | 2011-10-31 | Ирина КЯН | Procedeu de demonstrare a informaţiei publicitare şi de divertisment în salonul mijlocului de transport şi dispozitiv de realizare a acestuia |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD193Z (ro) | 2010-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Chen et al. | Environmentally benign synthesis of branched Bi 2 O 3–Bi 2 S 3 photocatalysts by an etching and re-growth method | |
| Hossain et al. | Controlled growth of Cu2O thin films by electrodeposition approach | |
| Fang et al. | Surface defects control for ZnO nanorods synthesized by quenching and their anti-recombination in photocatalysis | |
| Wang et al. | Structure, luminescence and photocatalytic activity of Mg-doped ZnO nanoparticles prepared by auto combustion method | |
| Peng et al. | Synthesis of one-dimensional WO 3–Bi 2 WO 6 heterojunctions with enhanced photocatalytic activity | |
| Al-Salman et al. | Electrodeposition of Ge, Si and Si x Ge 1− x from an air-and water-stable ionic liquid | |
| Khan et al. | Modifications in structural, morphological, optical and photocatalytic properties of ZnO: Mn nanoparticles by sol-gel protocol | |
| Hu et al. | Synthesis of a hierarchical BiOBr nanodots/Bi 2 WO 6 p–n heterostructure with enhanced photoinduced electric and photocatalytic degradation performance | |
| Jo et al. | Synthesis of GO supported Fe 2 O 3–TiO 2 nanocomposites for enhanced visible-light photocatalytic applications | |
| Xia et al. | Formation, structure and physical properties of a series of α-MoO 3 nanocrystals: From 3D to 1D and 2D | |
| Xu et al. | Facile synthesis and photocatalytic properties of ZnO core/ZnS–CdS solid solution shell nanorods grown vertically on reductive graphene oxide | |
| Hwang et al. | Investigation of chlorine-mediated microstructural evolution of CH3NH3PbI3 (Cl) grains for high optoelectronic responses | |
| Sun et al. | Fabrication of pyrite FeS2 thin films by sulfurizing oxide precursor films deposited via successive ionic layer adsorption and reaction method | |
| Yuan et al. | Fabrication of CuInS2 thin film by electrodeposition of Cu–In alloy | |
| Jana et al. | Photocatalytic activity of galvanically synthesized nanostructure SnO2 thin films | |
| Babu et al. | Photoelectrochemical water splitting properties of hydrothermally-grown ZnO nanorods with controlled diameters | |
| Wang et al. | Bifunctional AlN: Tb semiconductor with luminescence and photocatalytic properties | |
| Al-Diabat et al. | Growth of ZnS thin films using chemical spray pyrolysis technique | |
| Inamdar et al. | Metal-doped ZnS (O) thin films on glass substrates using chemical bath deposition | |
| Wang et al. | Facile one-pot synthesis of Cu 2 ZnSnS 4 quaternary nanoparticles using a microwave-assisted method | |
| Niknia et al. | Photocurrent properties of undoped and Pb-doped SnS nanostructures grown using electrodeposition method | |
| Bu | Sol–gel synthesis of ZnS (O, OH) thin films: Influence of precursor and process temperature on its optoelectronic properties | |
| Cao et al. | Improving photoelectrochemical performance by building Fe2O3 heterostructure on TiO2 nanorod arrays | |
| Ruan et al. | Simultaneous doping and growth of Sn-doped hematite nanocrystalline films with improved photoelectrochemical performance | |
| Verma et al. | Heat-up and gram-scale synthesis of Cu-poor CZTS nanocrystals with controllable compositions and shapes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| KA4Y | Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |