MD2805G2 - Состав для получения тонких пленок двуокиси олова - Google Patents
Состав для получения тонких пленок двуокиси оловаInfo
- Publication number
- MD2805G2 MD2805G2 MDA20040067A MD20040067A MD2805G2 MD 2805 G2 MD2805 G2 MD 2805G2 MD A20040067 A MDA20040067 A MD A20040067A MD 20040067 A MD20040067 A MD 20040067A MD 2805 G2 MD2805 G2 MD 2805G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- composition
- stannic oxide
- oxide films
- obtaining thin
- thin
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области физики полупроводников и может быть использовано для изготовления датчиков газа на основе тонких пленок.Состав для получения тонких пленок двуокиси олова содержит пентагидрат тетрахлорида олова и воду. Дополнительно содержит ацетилацетонат паладия и этанол в следующем соотношении компонентов:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
MDA20040067A MD2805G2 (ru) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | Состав для получения тонких пленок двуокиси олова |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
MDA20040067A MD2805G2 (ru) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | Состав для получения тонких пленок двуокиси олова |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
MD2805F1 MD2805F1 (en) | 2005-06-30 |
MD2805G2 true MD2805G2 (ru) | 2006-02-28 |
Family
ID=34699017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
MDA20040067A MD2805G2 (ru) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | Состав для получения тонких пленок двуокиси олова |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
MD (1) | MD2805G2 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD174Z (ru) * | 2009-05-19 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Полупроводниковый материал |
MD193Z (ru) * | 2009-06-04 | 2010-11-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения полисульфидной плёнки |
MD323Z (ru) * | 2009-12-29 | 2011-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD2436G2 (ru) * | 2003-03-18 | 2004-10-31 | Государственный Университет Молд0 | Состав для получения тонких пленок двуокиси олова с высокой чувствительностью к окиси углерода |
-
2004
- 2004-03-26 MD MDA20040067A patent/MD2805G2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD2436G2 (ru) * | 2003-03-18 | 2004-10-31 | Государственный Университет Молд0 | Состав для получения тонких пленок двуокиси олова с высокой чувствительностью к окиси углерода |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Панкратьев Е. М., Рюмин В.П., Щелкина Н.П. Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова, Москва, Энергия, 1969, с. 12 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD174Z (ru) * | 2009-05-19 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Полупроводниковый материал |
MD193Z (ru) * | 2009-06-04 | 2010-11-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения полисульфидной плёнки |
MD323Z (ru) * | 2009-12-29 | 2011-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MD2805F1 (en) | 2005-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ATE503273T1 (de) | Oxidhalbleitervorrichtung mit isolierungsschicht und anzeigevorrichtung unter benutzung derselben | |
TW200617998A (en) | Transparentconductive film, process for producing the same, transparent conductive substrate and light-emitting device | |
WO2009146770A3 (de) | Elektronische vorrichtung enthaltend metallkomplexe | |
TW200737362A (en) | Semiconductor device and method for incorporating a halogen in a dielectric | |
TWI340396B (en) | Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof | |
TW200617197A (en) | Deposition of ruthenium and/or ruthenium oxide films | |
TW201130139A (en) | Thin film transistor | |
JP2011044696A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
EP2020686A4 (en) | OXIDE SEMICONDUCTOR, THIN FILM TRANSISTOR AND METHODS OF PRODUCING THE SAME | |
JP2010133020A5 (ja) | 導電性酸窒化物を有する電極及びその作製方法 | |
JP2011100980A5 (ja) | 半導体装置 | |
TW200705674A (en) | Thin film transistor and manufacturing method thereof | |
SG137767A1 (en) | Thin film transistor substrate and display device | |
NO20064997L (no) | Fremgangsmate for redusering av alkoholindusert doseuttomming for opioide orale doseringsformer med langvarig frigivning | |
EP1708259A3 (en) | Semiconductor device having GaN-based semiconductor layer | |
WO2010136393A3 (en) | Metal transparent conductors with low sheet resistance | |
WO2009028902A3 (en) | Organic metal complexs derivative and organic light emitting devices using the same | |
PL2100335T3 (pl) | Przednia elektroda oparta na tlenku cynku, domieszkowana itrem, do wykorzystania w urządzeniu fotowoltaicznym lub podobnym | |
EP1820210A4 (en) | CONTACT DOPING AND NANOFIL THIN FILM RECOVERY SYSTEMS AND PROCESSES | |
JP2010212672A5 (ja) | 半導体装置 | |
TW200640230A (en) | Method and device for displaying a telephone number | |
TW200735190A (en) | Thin film transistor substrate and display device | |
WO2008027896A3 (en) | Improved films and structures for metal oxide semiconductor light emitting devices and methods | |
CA118846S (en) | Display screen | |
JP2011119719A5 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |