MD1740Y - Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2 - Google Patents
Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2 Download PDFInfo
- Publication number
- MD1740Y MD1740Y MDS20230010A MDS20230010A MD1740Y MD 1740 Y MD1740 Y MD 1740Y MD S20230010 A MDS20230010 A MD S20230010A MD S20230010 A MDS20230010 A MD S20230010A MD 1740 Y MD1740 Y MD 1740Y
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- vapors
- thin layers
- epitaxial
- tio2
- speed
- Prior art date
Links
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии получения полупроводников, и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных приборов.Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2 включает обезжиривание стеклянной подложки в толуоле, ее сушку в парах изопропилового спирта и помещение этой в реактор химического осаждения из паровой фазы, который продувают аргоном в течение 20 мин при скорости потока 100 см3/мин, после чего повышают температуру подложки до 400°С. Способ еще включает образование паров изопропоксида титана барботированием при температуре 90°С. Осаждение эпитаксиальных слоев TiO2 осуществляют путем раздельной подачи в реактор паров изопропоксида титана, переносимые потоком аргона при скорости 40 см3/мин, и потока кислорода при скорости 40 см3/мин, в течение 30 мин.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20230010A MD1740Z (ru) | 2023-02-02 | 2023-02-02 | Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20230010A MD1740Z (ru) | 2023-02-02 | 2023-02-02 | Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD1740Y true MD1740Y (ru) | 2024-01-31 |
| MD1740Z MD1740Z (ru) | 2024-08-31 |
Family
ID=89843888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20230010A MD1740Z (ru) | 2023-02-02 | 2023-02-02 | Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1740Z (ru) |
-
2023
- 2023-02-02 MD MDS20230010A patent/MD1740Z/ru active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1740Z (ru) | 2024-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201313946A (zh) | 藉由大氣壓化學氣相沉積來沉積氧化矽 | |
| TWI692032B (zh) | 鍺沈積技術 | |
| JP2010502831A (ja) | 低抵抗率のドープ酸化亜鉛コーティングを作る方法及び当該方法により形成される物品 | |
| CN104561928A (zh) | 一种在玻璃基底上沉积二氧化硅薄膜的方法 | |
| CN102640254B (zh) | 通过UV-辅助的化学气相沉积在聚合物基底上沉积掺杂的ZnO薄膜 | |
| TW200704818A (en) | Process for forming zinc oxide film | |
| MY159272A (en) | Silicon thin film solar cell having improved haze and methods of making the same | |
| MD1740Y (ru) | Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2 | |
| RU2006145309A (ru) | Химическое осаждение пара оксида металла, усиленное плазмой | |
| CN106086813B (zh) | 一种手机面板多层镀膜层及其制备方法 | |
| WO2007130448A3 (en) | Method of depositing zinc oxide coatings on a substrate | |
| CN115058700B (zh) | 一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 | |
| CN105803425B (zh) | 金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座 | |
| KR102385551B1 (ko) | 화학기상증착법에 의한 페로브스카이트 태양전지 흡수층의 제조방법 | |
| KR101452976B1 (ko) | 원자층증착법을 이용한 갈륨 산화물 나노선을 형성하는 방법 | |
| EP3922750A3 (en) | Method of deposition | |
| CN105428437A (zh) | 光电组件及其制造方法 | |
| JP2021064720A (ja) | 金属酸化薄膜の形成方法 | |
| TWI481049B (zh) | 光伏元件及其製造方法 | |
| CN121941258A (zh) | 一种基于SiNx和PTFE叠层薄膜及其制备方法 | |
| TWI532872B (zh) | Production equipment of silicon dioxide film and its production method | |
| JP2023135727A5 (ru) | ||
| MD4924B1 (ru) | Способ получения титановых слоев | |
| KR20140064656A (ko) | 교호 층들을 갖는 소수성 및 소유성 캡슐화 물질 | |
| MY204295A (en) | Method of preparing metal oxide on substrate using aerosol-assisted chemical vapour deposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG9Y | Short term patent issued |