MD1740Z - Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2 - Google Patents
Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2 Download PDFInfo
- Publication number
- MD1740Z MD1740Z MDS20230010A MDS20230010A MD1740Z MD 1740 Z MD1740 Z MD 1740Z MD S20230010 A MDS20230010 A MD S20230010A MD S20230010 A MDS20230010 A MD S20230010A MD 1740 Z MD1740 Z MD 1740Z
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- tio2
- vapors
- flow
- titanium isopropoxide
- reactor
- Prior art date
Links
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии получения полупроводников, и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных приборов.Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2 включает обезжиривание стеклянной подложки в толуоле, ее сушку в парах изопропилового спирта и помещение этой в реактор химического осаждения из паровой фазы, который продувают аргоном в течение 20 мин при скорости потока 100 см3/мин, после чего повышают температуру подложки до 400°С. Способ еще включает образование паров изопропоксида титана барботированием при температуре 90°С. Осаждение эпитаксиальных слоев TiO2 осуществляют путем раздельной подачи в реактор паров изопропоксида титана, переносимые потоком аргона при скорости 40 см3/мин, и потока кислорода при скорости 40 см3/мин, в течение 30 мин.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20230010A MD1740Z (ru) | 2023-02-02 | 2023-02-02 | Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20230010A MD1740Z (ru) | 2023-02-02 | 2023-02-02 | Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD1740Y MD1740Y (ru) | 2024-01-31 |
| MD1740Z true MD1740Z (ru) | 2024-08-31 |
Family
ID=89843888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20230010A MD1740Z (ru) | 2023-02-02 | 2023-02-02 | Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1740Z (ru) |
-
2023
- 2023-02-02 MD MDS20230010A patent/MD1740Z/ru active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1740Y (ru) | 2024-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102613047B1 (ko) | 층상 전이금속 칼코겐 화합물막 형성용 조성물 및 이를 이용한 층상 전이금속 칼코겐 화합물막의 제조방법 | |
| US7135207B2 (en) | Chemical vapor deposition method using alcohol for forming metal oxide thin film | |
| JP6209168B2 (ja) | モリブデンアリル錯体及び薄膜堆積におけるその使用 | |
| KR100297719B1 (ko) | 박막제조방법 | |
| KR100343822B1 (ko) | 화학적증착법에유용한탄탈륨및니오븀시약,및상기시약을이용하여피막을침착하는방법 | |
| TWI586827B (zh) | 薄膜製成方法及原子層沈積裝置 | |
| TWI265558B (en) | Method for depositing III-V semiconductor layers on a non-III-V substrate | |
| TWI848976B (zh) | 原子層堆積法用薄膜形成用原料、薄膜形成用原料、薄膜之製造方法及化合物 | |
| KR20160093375A (ko) | 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법 | |
| KR20220159490A (ko) | 사이클로펜타디에닐 리간드를 포함하는 금속 착화합물 | |
| MD1740Z (ru) | Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2 | |
| TW202102708A (zh) | 用於原子層沉積法之含氮化鎵薄膜形成用原料及含氮化鎵薄膜之製造方法 | |
| JP2005209766A (ja) | ハフニウム含有酸化膜の製造方法 | |
| KR102491073B1 (ko) | 실리콘 전구체 화합물, 이를 포함하는 실리콘-함유 막 형성용 조성물, 및 실리콘-함유 막 형성용 조성물을 이용한 막 형성 방법 | |
| KR20180040854A (ko) | 적층구조 박막 제조방법, 이에 의해 제조된 적층구조 박막 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법 | |
| CN118441261A (zh) | 一种具有逐层扭曲角度的螺旋ws2层状二维纳米材料及其制备方法 | |
| EP0365645A1 (en) | METHOD FOR THE DISPLAY OF LEAD SCANDIUM TANTALATE PEROVSKIT. | |
| KR20200123722A (ko) | 형성재료, 형성방법 및 신규화합물 | |
| KR102845952B1 (ko) | 비스(메틸시클로펜타디에닐) 니켈의 제조방법 및 이를 이용한 니켈옥사이드 박막 | |
| KR102902155B1 (ko) | 균일한 그래핀의 cvd 성장을 위한 웨이퍼 및 이의 제조 방법 | |
| KR100243267B1 (ko) | 반도체소자의박막형성방법및그박막을갖춘반도체소자 | |
| CN115003853B (zh) | 选择性形成含金属膜的方法 | |
| CN114746573B (zh) | 用于选择性形成含金属膜的化合物及方法 | |
| CN102779845A (zh) | 一种叠层金属氧化物栅介质层及其制备方法 | |
| JP4289141B2 (ja) | 有機シリコン化合物及びその溶液原料並びに該化合物を用いたシリコン含有膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG9Y | Short term patent issued |