MD4924B1 - Способ получения титановых слоев - Google Patents

Способ получения титановых слоев Download PDF

Info

Publication number
MD4924B1
MD4924B1 MDA20230025A MD20230025A MD4924B1 MD 4924 B1 MD4924 B1 MD 4924B1 MD A20230025 A MDA20230025 A MD A20230025A MD 20230025 A MD20230025 A MD 20230025A MD 4924 B1 MD4924 B1 MD 4924B1
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
layers
titanium
titanium layers
flow
hydrogen
Prior art date
Application number
MDA20230025A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD4924C1 (ru
MD20230025A2 (ru
Inventor
Симион РАЕВСКИЙ
Леонид ГОРЧАК
Василий БОТНАРЮК
Серджиу ВАТАВУ
Original Assignee
Публичное Учреждение Государственный Университет Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Публичное Учреждение Государственный Университет Молдовы filed Critical Публичное Учреждение Государственный Университет Молдовы
Priority to MDA20230025A priority Critical patent/MD4924C1/ru
Publication of MD20230025A2 publication Critical patent/MD20230025A2/ru
Publication of MD4924B1 publication Critical patent/MD4924B1/ru
Publication of MD4924C1 publication Critical patent/MD4924C1/ru

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии получения слоев титана на полупроводниковых подложках, изоляторах, и может быть применено в металлургии, химической промышленности, пищевой промышленности, медицине.Предлагаемый способ заключается в получении слоев титана на гетерогенных подложках методом химических транспортных реакций в реакторе низкого давления с использованием водорода в качестве защитно-транспортного газа, в котором титан транспортируется потоком хлористого водорода, разбавленным в потоке водорода в пределах 0-10% по объему, при температуре источника титана 850°С, а осаждение слоев осуществляется на гетерогенных носителях, вращаемых газовым потоком со скоростью 50 об/мин, при температуре осаждения слоев 500-1000°С, в течение 5-20 минут.
MDA20230025A 2023-08-15 2023-08-15 Способ получения титановых слоев MD4924C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20230025A MD4924C1 (ru) 2023-08-15 2023-08-15 Способ получения титановых слоев

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20230025A MD4924C1 (ru) 2023-08-15 2023-08-15 Способ получения титановых слоев

Publications (3)

Publication Number Publication Date
MD20230025A2 MD20230025A2 (ru) 2025-01-31
MD4924B1 true MD4924B1 (ru) 2025-05-31
MD4924C1 MD4924C1 (ru) 2025-12-31

Family

ID=94381814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20230025A MD4924C1 (ru) 2023-08-15 2023-08-15 Способ получения титановых слоев

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD4924C1 (ru)

Also Published As

Publication number Publication date
MD4924C1 (ru) 2025-12-31
MD20230025A2 (ru) 2025-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102942053B1 (ko) 증착 반응기의 처리를 위한 방법 및 시스템
US10487402B2 (en) Coated article
TW200502427A (en) Reactor surface passivation through chemical deactivation
US5916378A (en) Method of reducing metal contamination during semiconductor processing in a reactor having metal components
TWI655310B (zh) 來自金屬脒鹽前驅物與鋁前驅物的金屬鋁合金膜
ATE400060T1 (de) Verbessertes abscheidungsverfahren von halbleiterschichten
TW200609378A (en) Device and method for high-throughput chemical vapor deposition
TW200519222A (en) Low-pressure deposition of metal layers from metal-carbonyl precursors
EP3114248A1 (en) Atomic layer deposition of germanium or germanium oxide
US20160108524A1 (en) High-speed deposition of mixed oxide barrier films
MD4924B1 (ru) Способ получения титановых слоев
TWI589723B (zh) 用於具有催化輔助低溫cvd之保形膜的沉積之方法
US9683287B2 (en) Deposition of films comprising aluminum alloys with high aluminum content
FI20115321L (fi) Menetelmä yhden tai useamman monikiteisen piikerroksen kerrrostamiseksi substraatille
US20040198025A1 (en) Methods of forming metal-containing layers
Wang et al. A simulation and experimental study of the parasitic reaction and flow field in the growth of metal–oxide films
US20140041585A1 (en) Exhaust gas processing conduit, manufacturing apparatus and gas flow guiding method thereof
TW201412757A (zh) 製造含鎳薄膜的方法
Sato et al. Theoretical study on gas‐phase reactions during chemical vapor deposition of TixAl1–xN from TiCl4, AlCl3, and NH3
KR102933366B1 (ko) 원자층 퇴적법에 의한 산화이트륨 함유 박막의 제조 방법
Li et al. Research on MOCVD structure design and process parameters based on CFD numerical simulation
MD1740Y (ru) Способ получения тонких эпитаксиальных слоев TiO2
Obenlüneschloß et al. High Surface Area MoS2 and WS2 As Active HER Catalysts
HE et al. Quantum chemistry study on gas reaction path in InN MOCVD growth
US20220157599A1 (en) Adhered substance removing method and film-forming method

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued